JPH11248808A

JPH11248808A - 磁気センサ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11248808A
Application number: JP10053049A
Authority: JP
Inventors: Mineo Wajima; 峰生和島; Takeshi Tanaka; 丈士田中; Masaharu Niizawa; 正治新沢
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 1998-03-05
Filing date: 1998-03-05
Publication date: 1999-09-17

Abstract

(57)【要約】【課題】感磁部の片側にのみ磁性体を配置した構造にお
いて、磁気センサの感度を高くし、かつ安価に製造する
ことを可能にする。【解決手段】磁性体基板１の上に感磁部２ａを有する半
導体薄膜２を形成したチップ４を、リードフレームの一
部に形成された磁性体ステム５上に載置する。磁性体ス
テム５よりも磁性体基板１側を小さくして、両磁性体を
通る磁束を感磁部２ａ側で集束させ、感磁部２ａの磁束
密度を高める。磁性体ステム５は、リードフレーム用合
金テープ７上にステム形成用の磁性体部分８を設けた複
合テープ６を用意し、該複合テープからリードフレーム
を形成する際に、リードと一緒に予め形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ホール素子や磁気
抵抗素子等の磁気センサ、特にその感磁部での感度を向
上させる集磁構造を持つ磁気センサ及びその製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ホール効果や磁気抵抗効果などを利用し
た磁気センサは、磁気を検出媒体とする回転、位置検出
センサ、電流センサ、或いは磁界強度測定用の測定子
（プローブ）などとして広い分野に亘り利用されてい
る。最近では特に小型で高感度な素子であることの要求
が強まっており、このため、磁気センサの構造として
は、磁性材料であるフェライトを用い、感磁面に対して
磁束を集め、感度を向上させる構造が広く用いられてい
るようになってきた。

【０００３】図７は、そのようなホール素子の構造例で
あり、フェライト、パーマロイ、硅素鋼板などの高透磁
率の磁性材料から成る磁性体２１の上に、十字形にパタ
ーニングされた感磁部２ａを有する半導体薄膜２を載置
することにより、感磁部２ａに対して磁束を集め、感度
を向上させている。なお、３は金属電極である。

【０００４】また更に、フェライトなどの磁性材料を感
磁部の上下に位置させると、感磁部に磁束が集中し、感
度が大幅に向上することが知られている。図８は、その
ようなホール素子の構造例であり、第１の磁性体３１の
上に、十字形にパターニングされた感磁部２ａを有する
半導体薄膜２を載せると共に、さらにその上に磁気集束
用磁性体チップから成る第２の磁性体３２を載せた構造
となっている。特公昭５１−４５２３４号公報には、こ
のような構造体を得るための方法が開示されており、雲
母等の結晶性基板上に化合物半導体薄膜２を形成した
後、この薄膜をエポキシ等の接着剤を用いて強磁性体基
板（第１の磁性体３１）に接着し、結晶性基板を除去
し、次いで接着剤で該半導体薄膜２の感磁部２ａの上に
磁気集束用磁性体（第２の磁性体３２）を載せることに
よって造られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示すような第１の磁性体と第２の磁性体で感磁部を挟み
込む構造は、感磁部の磁束密度は数倍になるものの、第
２の磁性体を感磁部上に載せなければならず、組み立て
が複雑になったり、磁気センサのチップサイズが大きく
なって収得数が少なくなるなど、製造コストが非常に高
くなる。

【０００６】例えば、実際のホール素子の場合、第１の
磁性体には、感磁部面上の第２の磁性体を避けてワイヤ
ーボンディングを行うのに必要なスペースを確保して引
き出し電極を形成する必要がある。このため、例えば感
磁部の面積は、０．３mm×０．３mm程度の大きさのと
き、３インチウェハ１枚当たり約３６，０００個得られ
るのに対し、第１の磁性体については１mm×１mm程度の
面積が必要になり、３インチウェハ１枚当たり約４，５
００個しか得られず、チップ１個当たりのコストが約９
倍も大きくなる。

【０００７】勿論、図７のような磁気センサの裏面側の
みに、つまり片面だけに磁性体を設ける形態にすれば、
ワイヤーボンディングスペースは考えなくて良い。しか
し、この形態における問題点は、従来、集磁効果があま
り高くならず、最大でも１．５倍程度にしか感度が高く
ならないという点にある。また、感磁部と磁性体との距
離が離れると極端に感度が低下するため、感磁部の基板
材料を非常に薄く削ったり、フェライトに転写するなど
の工夫が必要であり、それだけ製造プロセスが複雑にな
るという問題点があった。

【０００８】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、感磁部の片側にのみ磁性体を配置した構造でありな
がら感度が高く、しかも安価に製造することができる構
造の磁気センサ及びその製造方法を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。

【００１０】（１）請求項１に記載の磁気センサは、第
１の磁性体の上に感磁部を有する半導体薄膜を形成した
チップを、リードフレームの一部に形成された第２の磁
性体から成るステム上に載置した構成のものである。

【００１１】前記ステムは金属磁性材料から成ることも
できるが（請求項２）、フェライトなどの非金属磁性材
料を樹脂材に混ぜたものから成ることもできる（請求項
４）。前記ステムに金属磁性材料を用いる場合には、プ
レス打ち抜き時の歪みの発生等を考慮すると、純鉄もし
くは鉄を含む合金材料を用いるのが好ましい（請求項
３）。

【００１２】なお、前記感磁部を有する半導体薄膜は、
ホール効果を利用した半導体材料で構成されていてもよ
く（請求項５）、又は磁気抵抗効果を利用した半導体材
料で構成されていてもよい（請求項６）。

【００１３】本発明の磁気センサは、第１の磁性体の上
に感磁部を形成したチップを、よりサイズの大きい第２
の磁性体から成るステム上に載せた構成であるため、感
磁部の片側にのみ両磁性体を配置した形態でありなが
ら、ステムを通る磁束が小面積の感磁部側の第１の磁性
体で集束され、感磁部への集磁効果が高くなる。このた
め、感磁部の磁束密度が高まり、高感度の磁気センサが
提供される。

【００１４】また、感磁部の磁束密度が高くなることか
ら、感磁部と磁性体との間の間隔設定に余裕が生まれ、
従来必要とされていた感磁部の基板材料を非常に薄く削
ったり、フェライトに転写するなどの製造工程をなくす
ことができる。従って、従来の構造に較べ、チップの製
造が簡単であり、実用上十分な感度を持つ磁気センサを
コストを抑えて製造することができる。

【００１５】更にまた、リードフレームの一部に形成さ
れた第２の磁性体から成るステム上にチップを載置する
構成であるため、ウェハから半導体チップを収得する数
は、第２の磁性体のステムの大きさには影響されなくな
り、第１の磁性体の感磁部側の面の大きさに制約される
だけとなる。このため、感磁部の半導体薄膜に関し半導
体チップ収得率が極めて高くなり、磁気センサを極めて
安価に製造することが可能となる。

【００１６】（２）請求項７に記載の磁気センサの製造
方法は、第１の磁性体の上に感磁部を有する半導体薄膜
を形成したチップを、第２の磁性体から成るステム上に
載置した磁気センサの製造方法において、リードフレー
ム用合金テープ上にステム形成用の磁性体部分を設けた
複合テープを用意し、該複合テープからステム及びリー
ドを有するリードフレームを形成し、そのステム上に前
記チップを搭載するものである。

【００１７】チップを搭載するステムは、リードフレー
ムの形成過程において同時に形成されるため、ステム自
体の形成が容易である。

【００１８】また、感磁部の片側にのみ両磁性体を配置
した形態であり、感磁部の面上に従来の磁気集束用磁性
体チップが存在しないため、リードに対するボンディン
グが容易である。このため、感磁部面上の第２の磁性体
を避けてワイヤーボンディングを行うのに必要なスペー
スを確保して引き出し電極を形成する必要がなく、チッ
プサイズの大型化が避けられる。

【００１９】更に、リードフレームの一部に形成された
ステム上にチップを載置する構成であり、ウェハから感
磁部に関し半導体チップを収得する数は、ステムの大き
さには影響されないため、第１の磁性体の感磁部側の面
の大きさで、多数のチップを収得することができる。従
って、磁気センサを極めて安価に製造することが可能と
なる。

【００２０】本発明の製造方法により得られる磁気セン
サの感度については、第１の磁性体の上に感磁部を有す
るチップを、よりサイズの大きい第２の磁性体から成る
ステム上に載せた構成であるため、感磁部の片側にのみ
両磁性体を配置した形態でありながら、ステムを通る磁
束が小面積の感磁部側の第１の磁性体で集束され、感磁
部の磁束密度が高くなるため、高感度の磁気センサが提
供される。

【００２１】また、このように感磁部の磁束密度が高く
なることから、感磁部と磁性体との間の間隔設定に余裕
が生まれ、従来必要とされていた感磁部の基板材料を非
常に薄く削ったり、フェライトに転写するなどの製造工
程をなくすことができる。従って、従来の構造に較べ、
そのチップの製造も簡単である。

【００２２】本発明の製造方法において、前記複合テー
プのステム形成用の磁性体部分は、金属磁性材料から成
ることもできるが（請求項８）、フェライトなどの非金
属磁性材料を樹脂材に混ぜたものから成ることもできる
（請求項１０）。前記複合テープのステム形成用の磁性
体部分に金属磁性材料を用いる場合には、プレス打ち抜
き時の歪みの発生等を考慮し、純鉄もしくは鉄を含む合
金材料を用いるのが好ましい（請求項９）。

【００２３】なお、前記感磁部を有する半導体薄膜は、
ホール効果を利用した半導体材料で構成されていてもよ
く（請求項１１）、又は磁気抵抗効果を利用した半導体
材料で構成されていてもよい（請求項１２）。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。

【００２５】本発明の磁気センサの実施形態としてホー
ル素子の構造を図１に示す。図１の（ａ）は磁気センサ
たるホール素子の縦断面図、（ｂ）は上面から見た図で
ある。

【００２６】このホール素子は、第１の磁性体としての
磁性体基板１の上に十字形にパターニングされた感磁部
２ａを有する半導体薄膜２を形成して成るチップ４を、
第２の磁性体から成るステム（以下、磁性体ステムと称
する）５上に載置した構成のものである。３は金属電極
である。なお、感磁部２ａ上には、従来の図８で用いら
れている磁気集束用磁性体チップのような第２の磁性体
３２は設けられていないが、設けることもできる。

【００２７】本実施形態は、フェライト、パーマロイ、
硅素鋼板などの高透磁率の磁性材料から成る磁性体１の
上に、十字形にパターニングされた感磁部２ａを有する
半導体薄膜２を載置した構成を持つという点では、従来
の図７のものと同じである。

【００２８】しかし、従来と異なり、この磁性体ステム
５は後述するようにリードフレームの一部に形成されて
おり、チップ４はこの磁性体ステム５上に搭載される。
即ち、磁性体ステム５よりもチップ４の方が小さい関係
にあり、従って、磁性体の大小関係は、チップ４の磁性
体基板１の方が、磁性体ステム５の第２の磁性体よりも
小さい関係となっている。

【００２９】このため、感磁部２ａの片側にのみ磁性体
を配置した構成ではあるが、磁性体ステム５及び磁性体
基板１を通る磁束は、サイズの小さい磁性体基板１側つ
まり感磁部２ａ側で集束され、感磁部２ａの磁束密度が
非常に高まる。この結果、ホール素子の感度が従来の図
７の形態よりも大きくなる。また、感磁部２ａの磁束密
度が高いことから、感磁部２ａと磁性体基板１との間の
間隔設定に余裕が生まれ、従来必要とされていた感磁部
２ａの基板材料を非常に薄く削ったり、フェライトに転
写するなどの製造工程をなくすことができる。従って、
チップ４は、従来に較べて、その製造が簡単となる。

【００３０】基板材料つまり磁性体基板１の材料は絶縁
性であることが望ましいが、電磁軟鉄のような導電性材
料であっても、絶縁体の薄膜を感磁部材量との間に挟め
ば問題はない。本実施形態において、磁性体基板１及び
磁性体ステム５は、同じ金属磁性材料の電磁軟鉄から成
る。

【００３１】次に、試作したホール素子デバイスの作成
プロセスを説明する。

【００３２】まず、磁性体基板１上に、ＩｎＳｂを厚さ
１μｍに真空蒸着し半導体薄膜２を形成した。この試作
例では、半導体薄膜２の形成方法として、直方体ブロッ
クから成る磁性体基板１上に直接に真空蒸着して形成し
ているが、別の基板材料に成膜、転写したものでも、或
いは結晶をスライス、研磨して薄膜化したものなどでも
良く、その形成方法は問わない。また半導体薄膜２の材
料としては、ホール素子、磁気抵抗素子で一般的な半導
体材料のＩｎＳｂを用いたが、磁場に対して特性の変化
する材料であれば、同様に本発明を適用してその感度向
上を図ることができる。ホール素子用の半導体材料とし
てはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの元
素半導体の他、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、
ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡ
ｓ）等の元素周期律表の第III 族に属する元素と第Ｖ族
に属する二つの元素を化合させてなるIII −Ｖ族２元化
合物半導体も使用される。磁性体基板１の磁性体材料と
しては既に述べたように絶縁性であることが望ましい
が、ここでは導電性の電磁軟鉄を用いているので、感磁
部２ａの材料との間には絶縁体の薄膜を挟んである。

【００３３】次に、上記のＩｎＳｂ薄膜を、フォトリソ
プロセスを用いて、ホール素子の動作層として図１に示
す十字形にパターニングして、感磁部２を形成した。

【００３４】次いで、この十字の端に通常のオーミック
電極形成プロセスを用い、金属電極３を形成した。金属
電極３の材質は導電性の良好な金属であればその種類を
問わないが、ＴｉなどＩｎＳｂと密着性の良い金属を用
いる方がよい。また、金属電極３は、ワイヤーボンディ
ングの相性から、Ａｕが最表面にくる多層構造の金属膜
とした方が良い。また電極材料は素子化後の動作条件、
使用環境に十分耐えられるのであれば、導電性有機材料
であっても良い。

【００３５】一方、上記のように形成した感磁部チップ
４を搭載すべく、磁性体ステム５を次に述べるようにし
て形成した。

【００３６】まず、図２に示すように、リードフレーム
用合金テープ７上にステム形成用の磁性体部分８を１本
のストライプ状に設けた複合テープ（ステム用磁性材ク
ラッドテープ）６を用意した。次に、適当なリードフレ
ーム形成手段、ここではプレスにより、この複合テープ
６から、図３（ａ）に示すようにリード９のための空間
１０を打ち抜くと同時に、磁性体ステム５を形成すべく
磁性体ステム５の前後及び左右の空間１１を一部の繋ぎ
部１２等を残して打ち抜き、図３（ｂ）に示すように磁
性体ステム５及びリード９を有するリードフレームを形
成した。

【００３７】この実施形態の場合、ステム形成用の磁性
体部分８には、金属磁性材料として電磁軟鉄を用いた
が、透磁率の高い合金材料であれば、その他のどのよう
な金属磁性材料でも使用することができ、同様の集磁効
果を得ることができものである。但し、材料によって
は、残留磁界が大きかったり、クラッドテープ形成時
や、プレス打ち抜き時などに歪みが入り、透磁率に方向
性が生じたり、磁化する危険性があり、これを避ける意
味で電磁軟鉄は優れている。

【００３８】また、ステム形成用の磁性体部分８には、
金属磁性材料の代わりに、フェライト入り樹脂材、例え
ば電気的に高抵抗であるＮｉ−Ｚｎ系のフェライトを樹
脂材に混ぜてテープ状にしたものを用いることもでき
る。但し、導電性のフェライト、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ等
を樹脂中に入れて用いる場合には、絶縁性の高い薄膜を
感磁部の半導体薄膜２との間に挟む必要がある。

【００３９】このように別の工程で形成されたリードフ
レーム上の磁性体ステム５に対して、上記の感磁部チッ
プ４を図４の様に載せてマウントし、次いで図５の如く
ワイヤー１３でボンデイングする。そして、図６の如く
モールド材１４でモールドし、図示してない半田コー
ト、タイパーカット、テーピングの工程を行ってホール
素子が完成される。

【００４０】この試作したホール素子の形状は、図１の
如く磁性体基板１の直方体ブロックと磁性体ステム５の
直方体ブロックとを二段重ねした形状とし、またその各
ブロックの大きさは、感磁部２ａが乗っている磁性体基
板１については感磁部側の面の面積を０．３５mm×０．
３５mm、厚さを０．３mmとし、下側の磁性体ステム５に
ついては下面の面積を１mm×１mm、厚さを０．３mmとし
た。

【００４１】この試作ホール素子の特性を評価したとこ
ろ、入力電圧を１Ｖ、印加磁束密度を０．０５Ｔとした
場合で、ホール電圧の出力９８mVが得られた。これは磁
性体ステム５上に磁性体が無いときの出力５０mVと較べ
ると、約２倍の高い感度を示した。

【００４２】上記したように、本実施形態の磁気センサ
は、その磁性体ステムを、リードフレームなどのフレー
ム上に、純鉄いわゆる電磁軟鉄やケイ素鋼または鉄合金
などで予め配しておき、その上に、磁性体基板上に感磁
部を形成したチップをマウントするようにしたものであ
り、これは実用上十分な感度を持つ磁気センサであると
共に、上記の製造方法により極めてコストを抑えて製造
することができる。

【００４３】（変形例）上記実施形態（図１）における
試作ホール素子においては、磁性体基板１及び磁性体ス
テム５をそれぞれ直方体ブロックとして形成したが、磁
性体基板１や磁性体ステム５の形状は感磁部２ａからの
遠近方向に必ずしも同一径である必要はない。即ち、磁
性体基板１を載頭角錐形に形成し、その磁性体基板１の
頂面（感磁部側の面）に半導体薄膜２を載せた形態とし
てもよい。このように磁性体基板１の大きさは、その横
断面積が、感磁部２ａより遠い側で大きく、感磁部２ａ
に近い側でより小さい形状とすると、磁性体基板１を通
る磁束が感磁部２ａ側において集束され、その磁束密度
が高められる。従って、図１の場合と同様に、感磁部２
ａに対する集磁作用を営ませ、磁気センサの感度を向上
させることができる。

【００４４】また上記実施形態では、磁性体基板１と磁
性体ステム５を長方形の断面形状のものとし、その辺が
互いに平行になるようにチップ４をマウントしたが、本
発明はかかる形態に限定されない。例えば、チップ４の
磁性体基板１をそれぞれ下部の磁性体ステム５に対して
４５°ずらせ、角の方向が一致しない形態にチップ４を
マウントしても良い。勿論、感磁部２ａ側が小さけれ
ば、チップ４の磁性体基板１の形は、横断面で見て角が
ない形であっても良い。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような優れた効果が得られる。

【００４６】（１）請求項１〜６に記載の磁気センサに
よれば、第１の磁性体の上に感磁部を有するチップを、
よりサイズの大きい第２の磁性体から成るステム上に載
せた構成であるため、感磁部の片側にのみ両磁性体を配
置した形態でありながら、ステムを通る磁束が小面積の
感磁部側の第１の磁性体で集束され、感磁部への集磁効
果が高くなる。このため、感磁部の磁束密度が高まり、
高感度の磁気センサが提供される。

【００４７】また、感磁部の磁束密度が高くなることか
ら、感磁部と磁性体との間の間隔設定に余裕が生まれ、
従来必要とされていた感磁部の基板材料を非常に薄く削
ったり、フェライトに転写するなどの製造工程をなくす
ことができる。従って、従来の構造に較べ、チップの製
造が簡単であり、実用上十分な感度を持つ磁気センサを
コストを抑えて製造することができる。

【００４８】更にまた、リードフレームの一部に形成さ
れた第２の磁性体から成るステム上にチップを載置する
構成であるため、ウェハからチップの半導体薄膜を収得
する数が、第２の磁性体のステムの大きさには影響され
なくなり、第１の磁性体の感磁部側の面の大きさに制約
されるだけとなる。このため、半導体薄膜に関しチップ
収得率が極めて高くなり、磁気センサを極めて安価に製
造することが可能となる。

【００４９】（２）請求項７〜１２に記載の磁気センサ
の製造方法によれば、感磁部のチップを搭載すべきステ
ムが、リードフレームの形成過程において同時に形成さ
れるため、ステム自体の形成が容易である。

【００５０】また、感磁部の片側にのみ両磁性体を配置
した形態であり、感磁部の面上には従来の磁気集束用磁
性体チップが存在しないため、リードに対するボンディ
ングが容易である。このため、感磁部面上の磁性体を避
けてワイヤーボンディングを行うスペースを確保して引
き出し電極を形成する必要がなく、チップサイズの大型
化が避けられる。

【００５１】更に、リードフレームの一部に形成された
ステム上にチップを載置する構成であり、ウェハからの
チップ半導体収得数がステムの大きさに影響されないた
め、第１の磁性体の感磁部側の面の大きさで、多数のチ
ップを収得することができる。従って、磁気センサを極
めて安価に製造することが可能となる。

【００５２】本発明の製造方法により得られる磁気セン
サの感度については、第１の磁性体の上に感磁部を有す
るチップを、よりサイズの大きい第２の磁性体から成る
ステム上に載せた構成であるため、感磁部の片側にのみ
両磁性体を配置した形態でありながら、ステムを通る磁
束が小面積の感磁部側の第１の磁性体で集束され、感磁
部の磁束密度が高くなるため、高感度の磁気センサが提
供される。

【００５３】また、このように感磁部の磁束密度が高く
なることから、感磁部と磁性体との間の間隔設定に余裕
が生まれ、従来必要とされていた感磁部の基板材料を非
常に薄く削ったり、フェライトに転写するなどの製造工
程をなくすことができる。従って、従来の構造に較べ、
そのチップの製造も簡単である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気センサの一実施形態を示したもの
で、（ａ）はその縦断面図、（ｂ）はその上面図であ
る。

【図２】本発明の製造方法における複合テープの形成工
程を示したもので、（ａ）はその複合テープの部分平面
図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。

【図３】本発明の製造方法におけるリードフレームの形
成工程を示したもので、（ａ）はそのプレス工程を示す
図、（ｂ）はそのプレスによって得られたリードフレー
ムを示す上面図、（ｃ）はそのＢ−Ｂ断面図である。

【図４】本発明の製造方法におけるステムへのチップの
マウント工程を示したもので、（ａ）はその上面図、
（ｂ）はそのＣ−Ｃ断面図である。

【図５】本発明の製造方法におけるチップのワイヤーボ
ンディング工程を示した上面図である。

【図６】本発明の製造方法におけるチップのモールド工
程を示した上面図である。

【図７】従来の磁気センサの構造を示したもので、
（ａ）はその縦断面図、（ｂ）はその上面図である。

【図８】従来の磁気センサの他の構造を示したもので、
（ａ）はその縦断面図、（ｂ）はその上面図である。

【符号の説明】

１磁性体基板（第１の磁性体）２半導体薄膜２ａ感磁部３金属電極４チップ５磁性体ステム（第２の磁性体）６複合テープ７リードフレーム用合金テープ８ステム形成用の磁性体部分９リード１０空間１１空間１２繋ぎ部１３ワイヤー１４モールド材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の磁性体の上に感磁部を有する半導体
薄膜を形成したチップを、リードフレームの一部に形成
された第２の磁性体から成るステム上に載置したことを
特徴とする磁気センサ。
【請求項２】前記ステムが金属磁性材料から成ることを
特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
【請求項３】前記ステムが純鉄もしくは鉄を含む合金材
料から成ることを特徴とする請求項１記載の磁気セン
サ。
【請求項４】前記ステムがフェライトなどの非金属磁性
材料を樹脂材に混ぜたものから成ることを特徴とする請
求項１記載の磁気センサ。
【請求項５】前記感磁部を有する半導体薄膜がホール効
果を利用した半導体材料から成ることを特徴とする請求
項１、２、３又は４記載の磁気センサ。
【請求項６】前記感磁部を有する半導体薄膜が磁気抵抗
効果を利用した半導体材料から成ることを特徴とする請
求項１、２、３又は４記載の磁気センサ。
【請求項７】第１の磁性体の上に感磁部を有する半導体
薄膜を形成したチップを、第２の磁性体から成るステム
上に載置した磁気センサの製造方法において、リードフ
レーム用合金テープ上にステム形成用の磁性体部分を設
けた複合テープを用意し、該複合テープからステム及び
リードを有するリードフレームを形成し、そのステム上
に前記チップを搭載することを特徴とする磁気センサの
製造方法。
【請求項８】前記複合テープのステム形成用の磁性体部
分が、金属磁性材料から成ることを特徴とする請求項７
記載の磁気センサの製造方法。
【請求項９】前記複合テープのステム形成用の磁性体部
分が、純鉄もしくは鉄を含む合金材料から成ることを特
徴とする請求項７記載の磁気センサの製造方法。
【請求項１０】前記複合テープのステム形成用の磁性体
部分が、フェライトなどの非金属磁性材料を樹脂材に混
ぜたものから成ることを特徴とする請求項７記載の磁気
センサの製造方法。
【請求項１１】前記感磁部を有する半導体薄膜がホール
効果を利用した半導体材料から成ることを特徴とする請
求項７、８、９又は１０記載の磁気センサの製造方法。
【請求項１２】前記感磁部を有する半導体薄膜が磁気抵
抗効果を利用した半導体材料から成ることを特徴とする
請求項７、８、９又は１０記載の磁気センサの製造方
法。