JP2002026419A - 磁電変換装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ホール素子を使用して磁気を高感度に検出す
ることが困難であった。 【解決手段】 導電性の高い金属製支持板２と透磁率の
高い磁性体層３との積層体を設ける。この積層体の上に
ホール素子を含む半導体装置１を配置して絶縁性被覆体
４で被覆する。
ることが困難であった。 【解決手段】 導電性の高い金属製支持板２と透磁率の
高い磁性体層３との積層体を設ける。この積層体の上に
ホール素子を含む半導体装置１を配置して絶縁性被覆体
４で被覆する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ホール素子を備え
た磁電変換装置に関する。
た磁電変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ホール素子は、ここに印加される磁界に
正比例した電圧即ちホール電圧を発生する。従って、ホ
ール素子を磁気検出装置に使用することができる。ま
た、ホール素子を電流通路に沿って配置すると、電流通
路を流れる電流に比例して発生する磁界がホール素子に
作用し、ホール素子から電流に比例した電圧を得ること
ができる。
正比例した電圧即ちホール電圧を発生する。従って、ホ
ール素子を磁気検出装置に使用することができる。ま
た、ホール素子を電流通路に沿って配置すると、電流通
路を流れる電流に比例して発生する磁界がホール素子に
作用し、ホール素子から電流に比例した電圧を得ること
ができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ホール素子
による磁束検出の感度を更に高めること、及び外来ノイ
ズを十分に防止すること、及びコストの低減が要求され
ている。
による磁束検出の感度を更に高めること、及び外来ノイ
ズを十分に防止すること、及びコストの低減が要求され
ている。
【０００４】そこで、本発明の目的は、磁気検出感度の
向上及び耐ノイズ性の向上を容易に図ることができる磁
電変換装置を提供することにある。
向上及び耐ノイズ性の向上を容易に図ることができる磁
電変換装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、金属製の支持板と、前
記支持板の一方又は両方の主面に固着され且つ前記支持
板の透磁率よりも高い透磁率を有している磁性体層と、
前記磁性体層又は前記支持板に固着され且つホール素子
を含んでいる半導体装置と、前記支持板と前記磁性体層
と前記半導体装置とを被覆している絶縁性被覆体とを備
え、前記支持板は前記磁性体層よりも抵抗率の低い材料
から成ることを特徴とする磁電変換装置に係わるもので
ある。
目的を達成するための本発明は、金属製の支持板と、前
記支持板の一方又は両方の主面に固着され且つ前記支持
板の透磁率よりも高い透磁率を有している磁性体層と、
前記磁性体層又は前記支持板に固着され且つホール素子
を含んでいる半導体装置と、前記支持板と前記磁性体層
と前記半導体装置とを被覆している絶縁性被覆体とを備
え、前記支持板は前記磁性体層よりも抵抗率の低い材料
から成ることを特徴とする磁電変換装置に係わるもので
ある。
【０００６】なお、請求項２に示すように支持板は銅板
又はニッケルメッキ層を有する銅板であり、磁性体層は
パーマロイシ−トであることが望ましい。
又はニッケルメッキ層を有する銅板であり、磁性体層は
パーマロイシ−トであることが望ましい。
【０００７】
【発明の効果】各請求項の発明によれば次の効果が得ら
れる。 （１） ホール素子を含む半導体装置を支持するための
金属製支持板の表面に磁性体層を設けたので、被測定磁
束の通路の磁気抵抗を良好に下げることができ、磁気検
出感度を高めることができる。 （２） 支持板と磁性体層との積層構造体がホール素子
を含む半導体装置の一方の主面を覆うように配置される
ので、積層構造体の半導体装置が固着されていない側か
ら侵入した外来の磁気又は電磁波ノイズを良好に阻止す
ることができる。即ち、高い周波数の磁束から成る高周
波ノイズによって支持板に渦電流が流れ、ノイズ吸収作
用が生じ、また、透磁率が高い磁性体層が外来ノイズの
バイパスとして作用し、ホール素子に対する外来ノイズ
の作用を防ぐので、耐ノイズ性が向上する。
れる。 （１） ホール素子を含む半導体装置を支持するための
金属製支持板の表面に磁性体層を設けたので、被測定磁
束の通路の磁気抵抗を良好に下げることができ、磁気検
出感度を高めることができる。 （２） 支持板と磁性体層との積層構造体がホール素子
を含む半導体装置の一方の主面を覆うように配置される
ので、積層構造体の半導体装置が固着されていない側か
ら侵入した外来の磁気又は電磁波ノイズを良好に阻止す
ることができる。即ち、高い周波数の磁束から成る高周
波ノイズによって支持板に渦電流が流れ、ノイズ吸収作
用が生じ、また、透磁率が高い磁性体層が外来ノイズの
バイパスとして作用し、ホール素子に対する外来ノイズ
の作用を防ぐので、耐ノイズ性が向上する。
【０００８】
【実施形態】次に、図１〜図６を参照して本発明の実施
形態を説明する。図１及び図２に示す本発明の実施形態
に従う磁電変換装置は、ホール素子を含む半導体装置１
と、金属製支持板２と、集磁器としての磁性体層３と、
絶縁性被覆体４と、外部リード端子５、６、７，８と、
内部接続ワイヤ９、１０、１１、１２とを備えている。
形態を説明する。図１及び図２に示す本発明の実施形態
に従う磁電変換装置は、ホール素子を含む半導体装置１
と、金属製支持板２と、集磁器としての磁性体層３と、
絶縁性被覆体４と、外部リード端子５、６、７，８と、
内部接続ワイヤ９、１０、１１、１２とを備えている。
【０００９】図１及び図２に概略的に示されている半導
体装置１は、四角形の平面形状を有し、支持板２及び磁
性体層３の主表面の面積よりも小さい表面積を有する。
半導体装置１は図５に示すように半導体基板１３を有す
る。半導体基板１３には図４及び図５に示すホール素子
１４の他に、図３に概略的に示す増幅器１５、制御電流
供給回路１６、第１、第２、第３及び第４の端子１７、
１８、１９、２０が設けられている。
体装置１は、四角形の平面形状を有し、支持板２及び磁
性体層３の主表面の面積よりも小さい表面積を有する。
半導体装置１は図５に示すように半導体基板１３を有す
る。半導体基板１３には図４及び図５に示すホール素子
１４の他に、図３に概略的に示す増幅器１５、制御電流
供給回路１６、第１、第２、第３及び第４の端子１７、
１８、１９、２０が設けられている。
【００１０】ホール素子１４、増幅器１５及び制御電流
供給回路１６は化合物半導体（例えばガリウム砒素）か
ら成る同一の半導体基板１３の中に周知の方法で形成さ
れている。半導体装置１の形成方法及び構成は周知であ
るので、図４及び図５には磁気検出に直接に関係するホ
ール素子１４のみが示され、増幅器１５及び制御電流供
給回路１６の図示が省略されている。
供給回路１６は化合物半導体（例えばガリウム砒素）か
ら成る同一の半導体基板１３の中に周知の方法で形成さ
れている。半導体装置１の形成方法及び構成は周知であ
るので、図４及び図５には磁気検出に直接に関係するホ
ール素子１４のみが示され、増幅器１５及び制御電流供
給回路１６の図示が省略されている。
【００１１】平面的に見て四角形の半導体基板１３の中
には、ホール素子１４を形成するためにｎ型の第１、第
２、第３、第４及び第５の半導体領域２１、２２、２
３、２４、２５と、ｐ型の第６、第７及び第８の半導体
領域２６、２７、２８が形成されている。ｎ型の第５の
半導体領域２５は半導体基板１３の大部分を占めるｐ型
の第８の半導体領域２８の中に島状に形成され、図４に
示すように平面的に見て十字状のパターンを有する。ｎ
型の第１及び第２の半導体領域２１、２２はｎ型の第５
の半導体領域２５の不純物濃度よりも高い不純物濃度を
有するｎ＋ 型半導体領域であって、図４に示すように
Ｙ軸方向において互いに離間して対向配置され且つ第５
の半導体領域２５の中に島状に形成されている。この第
１及び第２の半導体領域２１、２２には図３に示すよう
に第１及び第２の電極２９、３０がオーミック接触して
いる。第１及び第２の電極２９、３０は制御電流供給回
路１６に接続されているので、第５の半導体領域２５に
第１の半導体領域２１から第２の半導体領域２２に向っ
て周知の制御電流Ｉc が流れる。従って、第１及び第２
の半導体領域２１、２２を制御電流供給用半導体領域と
呼ぶこともできる。なお、第１及び第２の電極２９、３
０は周知の制御電流供給回路１６を介して直流電源接続
用の第３及び第４の端子１９、２０に接続されている。
には、ホール素子１４を形成するためにｎ型の第１、第
２、第３、第４及び第５の半導体領域２１、２２、２
３、２４、２５と、ｐ型の第６、第７及び第８の半導体
領域２６、２７、２８が形成されている。ｎ型の第５の
半導体領域２５は半導体基板１３の大部分を占めるｐ型
の第８の半導体領域２８の中に島状に形成され、図４に
示すように平面的に見て十字状のパターンを有する。ｎ
型の第１及び第２の半導体領域２１、２２はｎ型の第５
の半導体領域２５の不純物濃度よりも高い不純物濃度を
有するｎ＋ 型半導体領域であって、図４に示すように
Ｙ軸方向において互いに離間して対向配置され且つ第５
の半導体領域２５の中に島状に形成されている。この第
１及び第２の半導体領域２１、２２には図３に示すよう
に第１及び第２の電極２９、３０がオーミック接触して
いる。第１及び第２の電極２９、３０は制御電流供給回
路１６に接続されているので、第５の半導体領域２５に
第１の半導体領域２１から第２の半導体領域２２に向っ
て周知の制御電流Ｉc が流れる。従って、第１及び第２
の半導体領域２１、２２を制御電流供給用半導体領域と
呼ぶこともできる。なお、第１及び第２の電極２９、３
０は周知の制御電流供給回路１６を介して直流電源接続
用の第３及び第４の端子１９、２０に接続されている。
【００１２】ｎ型の第３及び第４の半導体領域２３、２
４は、ｎ型の第５の半導体領域２５の不純物濃度よりも
高い不純物濃度を有するｎ＋ 型半導体領域であって、
第５の半導体領域１５のＹ軸方向の中央部分の両端の近
くに配置されている。この第３及び第４の半導体領域２
３、２４の一部は第５の半導体領域２５に隣接し、残部
はｐ型半導体から成る第６及び第７の半導体領域２６、
２７に隣接している。Ｘ軸方向において互いに対向して
いる第３及び第４の半導体領域２３、２４には図３及び
図５に示すように第３及び第４の電極３１、３２がオー
ミック接触している。従って、第３及び第４の半導体領
域２３、２４をホール電圧検出用半導体領域と呼ぶこと
もできる。ｐ型の第６及び第７の半導体領域２６、２７
はｎ＋型の第３及び第４の半導体領域２３、２４の第５
の半導体領域２５に対する接触面積を制限するものであ
る。
４は、ｎ型の第５の半導体領域２５の不純物濃度よりも
高い不純物濃度を有するｎ＋ 型半導体領域であって、
第５の半導体領域１５のＹ軸方向の中央部分の両端の近
くに配置されている。この第３及び第４の半導体領域２
３、２４の一部は第５の半導体領域２５に隣接し、残部
はｐ型半導体から成る第６及び第７の半導体領域２６、
２７に隣接している。Ｘ軸方向において互いに対向して
いる第３及び第４の半導体領域２３、２４には図３及び
図５に示すように第３及び第４の電極３１、３２がオー
ミック接触している。従って、第３及び第４の半導体領
域２３、２４をホール電圧検出用半導体領域と呼ぶこと
もできる。ｐ型の第６及び第７の半導体領域２６、２７
はｎ＋型の第３及び第４の半導体領域２３、２４の第５
の半導体領域２５に対する接触面積を制限するものであ
る。
【００１３】第１及び第２の半導体領域２１、２２間に
制御電流Ｉc が流れ、この制御電流Ｉc に対して直交す
るように磁界を印加すると、第３及び第４の半導体領域
２３、２４間に周知のホール効果の原理に従ってホール
電圧が得られる。従って、ホール素子１４のホール電圧
を発生させるための主動作領域は、第５の半導体領域２
５における第１及び第２の半導体領域２１、２２の相互
間及び第３及び第４の半導体領域２３、２４の相互間で
ある。しかし、概略的には第５の半導体領域２５の全体
をホール素子の主動作領域と呼ぶことができる。ホール
電圧検出用の第３及び第４の電極３１、３２は、図３に
示すように周知の増幅器１５を介して第１及び第２の端
子１７、１８に接続されている。
制御電流Ｉc が流れ、この制御電流Ｉc に対して直交す
るように磁界を印加すると、第３及び第４の半導体領域
２３、２４間に周知のホール効果の原理に従ってホール
電圧が得られる。従って、ホール素子１４のホール電圧
を発生させるための主動作領域は、第５の半導体領域２
５における第１及び第２の半導体領域２１、２２の相互
間及び第３及び第４の半導体領域２３、２４の相互間で
ある。しかし、概略的には第５の半導体領域２５の全体
をホール素子の主動作領域と呼ぶことができる。ホール
電圧検出用の第３及び第４の電極３１、３２は、図３に
示すように周知の増幅器１５を介して第１及び第２の端
子１７、１８に接続されている。
【００１４】半導体基板１３の一方の主面には例えばシ
リコン酸化膜から成る絶縁膜３３が設けられ、他方の主
面には例えばアルミニウムから成る金属層３４が設けら
れている。絶縁膜３３は多層配線構造とするために第１
及び第２の絶縁膜３３ａ、３３ｂの積層体から成る。第
１及び第２の電極２９、３０は第１及び第２の絶縁膜３
３ａ、３３ｂの開口を介して第１及び第２の半導体領域
２１、２２に接続され、第３及び第４の電極３１、３２
は第１の絶縁膜３３ａの開口を介して第３及び第４の半
導体領域２３、２４に接続されている。図５に示すよう
に半導体基板１３の他方の主面の金属層３４は導電性又
は絶縁性の接合材３５によって磁性体層３に固着されて
いる。磁性体層３は比透磁率が５５００、厚さが１００
μｍの鉄−ニッケル系合金のパーマロイのシートから成
り、支持板２にエポキシ樹脂等の接合材３６によって固
着されている。磁性体層３は平面的に見てホール素子１
４よりも大きな面積を有することが望ましく、この実施
形態では、支持板２と同一の面積を有している。なお、
図２においては、図示を簡略化するために、図５の接合
材３５及び３６が省略されている。この実施形態では、
磁性体層３を接着したが、この代りに磁性体を支持板２
に対して蒸着、圧着、溶着することによって磁性体層３
を得ることができる。
リコン酸化膜から成る絶縁膜３３が設けられ、他方の主
面には例えばアルミニウムから成る金属層３４が設けら
れている。絶縁膜３３は多層配線構造とするために第１
及び第２の絶縁膜３３ａ、３３ｂの積層体から成る。第
１及び第２の電極２９、３０は第１及び第２の絶縁膜３
３ａ、３３ｂの開口を介して第１及び第２の半導体領域
２１、２２に接続され、第３及び第４の電極３１、３２
は第１の絶縁膜３３ａの開口を介して第３及び第４の半
導体領域２３、２４に接続されている。図５に示すよう
に半導体基板１３の他方の主面の金属層３４は導電性又
は絶縁性の接合材３５によって磁性体層３に固着されて
いる。磁性体層３は比透磁率が５５００、厚さが１００
μｍの鉄−ニッケル系合金のパーマロイのシートから成
り、支持板２にエポキシ樹脂等の接合材３６によって固
着されている。磁性体層３は平面的に見てホール素子１
４よりも大きな面積を有することが望ましく、この実施
形態では、支持板２と同一の面積を有している。なお、
図２においては、図示を簡略化するために、図５の接合
材３５及び３６が省略されている。この実施形態では、
磁性体層３を接着したが、この代りに磁性体を支持板２
に対して蒸着、圧着、溶着することによって磁性体層３
を得ることができる。
【００１５】支持板２は、図２から明らかなように、こ
の主面に垂直な方向から見て即ち平面的に見て全体的に
四角形のパターンに形成されており、半導体装置１より
も大きな面積を有する。支持板２と第１〜第４の外部リ
ード端子５〜８とはリードフレームに基づいて形成され
ており、互いに同一厚み且つ同一の材料の例えば銅板に
ニッケルメッキした金属板から成る。支持板２はワイヤ
９によって半導体装置１の第１の端子１７に接続されて
いる。この支持板２に連結された外部リード端子５は一
般にはグランドに接続される。半導体装置１の第２、第
３及び第４の端子１８、１９、２０は、ワイヤ１１、１
２、１３によって外部リード端子６、７、８に接続され
ている。
の主面に垂直な方向から見て即ち平面的に見て全体的に
四角形のパターンに形成されており、半導体装置１より
も大きな面積を有する。支持板２と第１〜第４の外部リ
ード端子５〜８とはリードフレームに基づいて形成され
ており、互いに同一厚み且つ同一の材料の例えば銅板に
ニッケルメッキした金属板から成る。支持板２はワイヤ
９によって半導体装置１の第１の端子１７に接続されて
いる。この支持板２に連結された外部リード端子５は一
般にはグランドに接続される。半導体装置１の第２、第
３及び第４の端子１８、１９、２０は、ワイヤ１１、１
２、１３によって外部リード端子６、７、８に接続され
ている。
【００１６】図１及び図２に示す磁電変換装置によって
例えば図１及び図２で破線で示すＵ字状電流通路形成用
導体３７の電流を検出する時には、被検出電流が流れて
いる導体３７に沿うようにホール素子１４を配置する。
電流通路形成用導体３７に電流が流れると、アンペアの
右ネジの法則に従って図２及び図５で破線で示す向きの
磁界Ｈが発生し、３方向からホール素子１４に磁界即ち
磁束が作用する。この磁界Ｈの向きは第５の半導体領域
２５の制御電流Ｉc の向きに垂直であるので、第３及び
第４の半導体領域２３、２４間即ち第３及び第４の電極
３１、３２間にホール電圧が発生する。このホール電圧
は磁界Ｈに比例し、磁界Ｈは被検出電流に比例するの
で、ホール電圧によって被検出電流を検出することがで
きる。
例えば図１及び図２で破線で示すＵ字状電流通路形成用
導体３７の電流を検出する時には、被検出電流が流れて
いる導体３７に沿うようにホール素子１４を配置する。
電流通路形成用導体３７に電流が流れると、アンペアの
右ネジの法則に従って図２及び図５で破線で示す向きの
磁界Ｈが発生し、３方向からホール素子１４に磁界即ち
磁束が作用する。この磁界Ｈの向きは第５の半導体領域
２５の制御電流Ｉc の向きに垂直であるので、第３及び
第４の半導体領域２３、２４間即ち第３及び第４の電極
３１、３２間にホール電圧が発生する。このホール電圧
は磁界Ｈに比例し、磁界Ｈは被検出電流に比例するの
で、ホール電圧によって被検出電流を検出することがで
きる。
【００１７】磁性体層４の効果を調べるために、磁性体
層４を設けない他は、図１〜図５の実施形態と実質的に
同一の構成の比較用磁電変換装置を作成し、図１及び図
２と同様に導体３７に電流を流してこの時の電流検出感
度を求め、これを基準の１とし、本実施形態の磁電変換
装置の電流検出感度を求めたところ、１．２３であっ
た。
層４を設けない他は、図１〜図５の実施形態と実質的に
同一の構成の比較用磁電変換装置を作成し、図１及び図
２と同様に導体３７に電流を流してこの時の電流検出感
度を求め、これを基準の１とし、本実施形態の磁電変換
装置の電流検出感度を求めたところ、１．２３であっ
た。
【００１８】本実施形態の磁電変換装置は次の利点を有
する。 （１） 磁性体層３を半導体基板１３の一方の外側に配
置することによってホール素子１４を通る磁束の通路の
磁気抵抗を下げること、及び磁束の不要な広がりを防ぐ
ことができ、磁束検出感度を高めることができる。 （２） 支持体２と磁性体層３との組み合せによって外
来ノイズがホール素子に作用することを良好に防ぐこと
ができる。即ち、支持板２側からホール素子１４に向っ
て周波数の比較的高い電磁波又は磁気ノイズが外部から
侵入した時には支持板２に渦電流が流れ、電磁波ノイズ
が吸収される。また、支持板２に渦電流が流れない範囲
の比較的低い周波数の電磁波又は磁気ノイズが外部から
侵入した時には、磁性体層３がバイパスとして機能し、
ノイズがホール素子１４に至ることを防ぐことができ、
ホール素子１４の耐ノイズ性を高めることができる。 （３） 支持板２によってホール素子１４を電界ノイズ
から防ぐことができる。
する。 （１） 磁性体層３を半導体基板１３の一方の外側に配
置することによってホール素子１４を通る磁束の通路の
磁気抵抗を下げること、及び磁束の不要な広がりを防ぐ
ことができ、磁束検出感度を高めることができる。 （２） 支持体２と磁性体層３との組み合せによって外
来ノイズがホール素子に作用することを良好に防ぐこと
ができる。即ち、支持板２側からホール素子１４に向っ
て周波数の比較的高い電磁波又は磁気ノイズが外部から
侵入した時には支持板２に渦電流が流れ、電磁波ノイズ
が吸収される。また、支持板２に渦電流が流れない範囲
の比較的低い周波数の電磁波又は磁気ノイズが外部から
侵入した時には、磁性体層３がバイパスとして機能し、
ノイズがホール素子１４に至ることを防ぐことができ、
ホール素子１４の耐ノイズ性を高めることができる。 （３） 支持板２によってホール素子１４を電界ノイズ
から防ぐことができる。
【００１９】
【変形例】本発明は上述の実施形態に限定されるもので
なく、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図６に示すように支持板２の一方の主面に磁性
体層３を設けるのみでなく、他方の主面にも接合材３６
ａを介して磁性体層３ａを設けることができる。また、
図２において磁性体層３を支持板２の下面側に設け、支
持板２に磁性体層を介さずに半導体装置１を固着するこ
とができる。 （２） 支持板２をアルミニウム等の導電性の良い金属
にすること、磁性体層４をフェライト等の透磁率の高い
材料にすることができる。 （３） 半導体装置１から増幅器１５、制御電流供給回
路１６等を省くことができる。 （４） 電流通路形成用導体３７を磁電変換装置に一体
化することができる。
なく、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図６に示すように支持板２の一方の主面に磁性
体層３を設けるのみでなく、他方の主面にも接合材３６
ａを介して磁性体層３ａを設けることができる。また、
図２において磁性体層３を支持板２の下面側に設け、支
持板２に磁性体層を介さずに半導体装置１を固着するこ
とができる。 （２） 支持板２をアルミニウム等の導電性の良い金属
にすること、磁性体層４をフェライト等の透磁率の高い
材料にすることができる。 （３） 半導体装置１から増幅器１５、制御電流供給回
路１６等を省くことができる。 （４） 電流通路形成用導体３７を磁電変換装置に一体
化することができる。
【図１】本発明に従う実施形態の磁電変換装置を示す平
面図である。
面図である。
【図２】図１の磁電変換装置のＡ−Ａ線を概略的に示す
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図３】図１の半導体装置の平面図である。
【図４】図３の半導体基板のホール素子部分を示す平面
図である。
図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ線の一部を示す断面図である。
【図６】変形例の支持板と磁性体層との積層体を示す断
面図である。
面図である。
１ 半導体装置 ２ 支持板 ３ 磁性体層 ４ 絶縁性被覆体 １４ ホール素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｒ 33/07 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｈ (72)発明者 加藤 隆志 埼玉県新座市北野三丁目６番３号 サンケ ン電気株式会社内 (72)発明者 熊倉 弘道 埼玉県新座市北野三丁目６番３号 サンケ ン電気株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AA02 AB01 AB04 AC01 AC06 AC07 AD53 AD61 AD62 AD63 AD65 2G025 AA01 AA07 AB02 2G035 AA08 AA12 AB01 AC13 AD00
Claims (2)
- 【請求項１】 金属製の支持板と、 前記支持板の一方又は両方の主面に固着され且つ前記支
持板の透磁率よりも高い透磁率を有している磁性体層
と、 前記磁性体層又は前記支持板に固着され且つホール素子
を含んでいる半導体装置と、 前記支持板と前記磁性体層と前記半導体装置とを被覆し
ている絶縁性被覆体とを備え、前記支持板は前記磁性体
層よりも抵抗率の低い材料から成ることを特徴とする磁
電変換装置。 - 【請求項２】 前記支持板は銅板又は表面にニッケルメ
ッキ層を有する銅板であり、前記磁性体層はパーマロイ
シートであることを特徴とする請求項１記載の磁電変換
装置。
Priority Applications (3)
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