JP2003004773A - ホ−ル素子を備えた電流検出装置 - Google Patents
ホ−ル素子を備えた電流検出装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ホール素子を使用して電流を高感度に検出す
ることが困難であった。 【解決手段】 Ｕ字状電流通過形成用導体４と樹脂成形
体５とから成る第１の部品１を設ける。ホール素子を含
む半導体チップ２０が固着された支持板２１とリード端
子２２〜２５と樹脂成形体３０とから成る第２の部品２
を設ける。第１の部品１に位置決め部分５ａ、５ｂを設
け、ここに第２の部品２を位置決めし、且つ接着して電
流検出装置とする。
ることが困難であった。 【解決手段】 Ｕ字状電流通過形成用導体４と樹脂成形
体５とから成る第１の部品１を設ける。ホール素子を含
む半導体チップ２０が固着された支持板２１とリード端
子２２〜２５と樹脂成形体３０とから成る第２の部品２
を設ける。第１の部品１に位置決め部分５ａ、５ｂを設
け、ここに第２の部品２を位置決めし、且つ接着して電
流検出装置とする。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、電気回路の電流を検出
又は測定するためのホ−ル素子を備えた電流検出又は測
定装置に関する。
又は測定するためのホ−ル素子を備えた電流検出又は測
定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ホ−ル素子は、ここに印加される磁界に
正比例した電圧即ちホ−ル電圧を発生する。従って、ホ
−ル素子を電流通路に沿って配置すると、電流通路を流
れる電流に比例して発生する磁界がホ−ル素子に作用
し、ホ−ル素子から電流に比例した電圧を得ることがで
きる。電流通路の電流の検出感度を高めるためには、電
流通路をホ−ル素子に出来る限り接近させた方が良い。
この目的のために、本件出願人は特開2000-174357号に
おいて、ホ−ル素子を含む半導体基体の上面に絶縁膜を
介して被検出電流が流れる導体層を設けた電流検出装置
を提案した。
正比例した電圧即ちホ−ル電圧を発生する。従って、ホ
−ル素子を電流通路に沿って配置すると、電流通路を流
れる電流に比例して発生する磁界がホ−ル素子に作用
し、ホ−ル素子から電流に比例した電圧を得ることがで
きる。電流通路の電流の検出感度を高めるためには、電
流通路をホ−ル素子に出来る限り接近させた方が良い。
この目的のために、本件出願人は特開2000-174357号に
おいて、ホ−ル素子を含む半導体基体の上面に絶縁膜を
介して被検出電流が流れる導体層を設けた電流検出装置
を提案した。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ホール素子
と電流通路形成用導体とを同一の樹脂封止体でモールド
すると、ホール素子と電流通路形成用導体のいずれか一
方が不良であっても、全体が不良になり、結果として電
流検出装置がコスト高になる。また、従来の電流検出装
置では十分な電流検出感度を得ることができなかった。
また、従来の電流検出装置では外来ノイズを十分に防止
することができなかった。また、例えば100〜６００Ａ
のような大電流を容易に検出することができる電流検出
装置が要求されている。
と電流通路形成用導体とを同一の樹脂封止体でモールド
すると、ホール素子と電流通路形成用導体のいずれか一
方が不良であっても、全体が不良になり、結果として電
流検出装置がコスト高になる。また、従来の電流検出装
置では十分な電流検出感度を得ることができなかった。
また、従来の電流検出装置では外来ノイズを十分に防止
することができなかった。また、例えば100〜６００Ａ
のような大電流を容易に検出することができる電流検出
装置が要求されている。
【０００４】そこで、本発明の第１の目的は、コストの
低減が可能な電流検出装置を提供することにある。本発
明の第２の目的は感度の高い電流検出装置を提供するこ
とにある。本発明の第３の目的は外来ノイズを防ぐこと
ができる電流検出装置を提供することにある。本発明の
第４の目的は、コストの低減が可能であり且つ高い信頼
性を有して大電流を検出することが可能な電流検出装置
を提供することにある。
低減が可能な電流検出装置を提供することにある。本発
明の第２の目的は感度の高い電流検出装置を提供するこ
とにある。本発明の第３の目的は外来ノイズを防ぐこと
ができる電流検出装置を提供することにある。本発明の
第４の目的は、コストの低減が可能であり且つ高い信頼
性を有して大電流を検出することが可能な電流検出装置
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、電気回路の電流を検出
又は測定するための装置であって、前記電気回路の電流
を流すための電流通路形成用導体、及び前記電流通路形
成用導体の一部を被覆しており且つ後記第２の部品を位
置決めするための位置決め部分を有している第１の絶縁
性被覆体から成る第１の部品と、ホール素子、前記ホー
ル素子を外部回路に接続するための複数のリード端子、
及び前記ホール素子と前記複数のリード端子の一部とを
被覆している第２の絶縁性被覆体から成り、且つ前記電
流通路形成用導体を流れる電流の基づいて発生する磁界
が前記ホール素子に作用するように前記第１の部品の前
記位置決め部分に対して位置決めされている第２の部品
と、前記第１の部品に前記第２の部品を固着している接
着層と備えていることを特徴とする電流検出装置に係わ
るものである。なお、本願発明における、"前記ホール
素子を外部回路に接続するための複数のリード端子”
は、ホール素子に直接的に接続されるリード端子のみで
なく、ホール素子に対して増幅器又は制御電流供給回路
等の付加回路を介して間接的に接続されるリード端子も
意味する。また、本発明において、電流の検出とは、電
流の有無の検出又は電流量の検出即ち測定を意味する。
目的を達成するための本発明は、電気回路の電流を検出
又は測定するための装置であって、前記電気回路の電流
を流すための電流通路形成用導体、及び前記電流通路形
成用導体の一部を被覆しており且つ後記第２の部品を位
置決めするための位置決め部分を有している第１の絶縁
性被覆体から成る第１の部品と、ホール素子、前記ホー
ル素子を外部回路に接続するための複数のリード端子、
及び前記ホール素子と前記複数のリード端子の一部とを
被覆している第２の絶縁性被覆体から成り、且つ前記電
流通路形成用導体を流れる電流の基づいて発生する磁界
が前記ホール素子に作用するように前記第１の部品の前
記位置決め部分に対して位置決めされている第２の部品
と、前記第１の部品に前記第２の部品を固着している接
着層と備えていることを特徴とする電流検出装置に係わ
るものである。なお、本願発明における、"前記ホール
素子を外部回路に接続するための複数のリード端子”
は、ホール素子に直接的に接続されるリード端子のみで
なく、ホール素子に対して増幅器又は制御電流供給回路
等の付加回路を介して間接的に接続されるリード端子も
意味する。また、本発明において、電流の検出とは、電
流の有無の検出又は電流量の検出即ち測定を意味する。
【０００６】なお、請求項２に示すように第１の部品に
第１及び第２の位置決め部分を形成することが望まし
い。また、請求項３に示すように、電流通路形成用導体
は平面的に見て、Ｕ字状電流通路を形成するものである
ことが望ましい。また、請求項４に示すように、電流通
路を狭めるための補助溝を形成することが望ましい。ま
た、請求項５及び６に示すように、支持板上にホ−ル素
子を配置することが望ましい。また、請求項７に示すよ
うに、電流通路形成用導体の第１の部品の絶縁性被覆体
に対向する部分を露出させることが望ましい。また、請
求項８に示すように、ホ−ル素子形成用半導体基体に増
幅器を形成することが望ましい。また、請求項９に示す
ように、電流検出の感度を高めるためにホ−ル素子を第
１及び第２の電流検出部即ち第１及び第２のホ−ル素子
の組み合せで構成することができる。また、本発明の第
４の目的を達成するために、請求項１０及び１１に示す
ように前記電流通路形成用導体は平面的に見て前記第１
及び第２の絶縁性被覆体から成る包囲体から導出された
導出部を有し、前記複数のリ−ド端子は平面的に見て前
記包囲体から導出された導出部を有し、平面的に見て、
前記電流通路形成用導体の前記導出部が前記複数のリ−
ド端子の前記導出部に重ならないように配置されている
ことが望ましい。また、請求項１２に示すように電流形
成用導体を第１及び第２の電流通路形成用導体の組み合
せで構成することができる。
第１及び第２の位置決め部分を形成することが望まし
い。また、請求項３に示すように、電流通路形成用導体
は平面的に見て、Ｕ字状電流通路を形成するものである
ことが望ましい。また、請求項４に示すように、電流通
路を狭めるための補助溝を形成することが望ましい。ま
た、請求項５及び６に示すように、支持板上にホ−ル素
子を配置することが望ましい。また、請求項７に示すよ
うに、電流通路形成用導体の第１の部品の絶縁性被覆体
に対向する部分を露出させることが望ましい。また、請
求項８に示すように、ホ−ル素子形成用半導体基体に増
幅器を形成することが望ましい。また、請求項９に示す
ように、電流検出の感度を高めるためにホ−ル素子を第
１及び第２の電流検出部即ち第１及び第２のホ−ル素子
の組み合せで構成することができる。また、本発明の第
４の目的を達成するために、請求項１０及び１１に示す
ように前記電流通路形成用導体は平面的に見て前記第１
及び第２の絶縁性被覆体から成る包囲体から導出された
導出部を有し、前記複数のリ−ド端子は平面的に見て前
記包囲体から導出された導出部を有し、平面的に見て、
前記電流通路形成用導体の前記導出部が前記複数のリ−
ド端子の前記導出部に重ならないように配置されている
ことが望ましい。また、請求項１２に示すように電流形
成用導体を第１及び第２の電流通路形成用導体の組み合
せで構成することができる。
【０００７】
【発明の効果】各請求項の発明によれば次の効果が得ら
れる。 （１） ホール素子を絶縁性被覆体で被覆した第１の部
品と電流通路形成用導体を絶縁性被覆体で被覆した第２
の部品とを組み合せて電流検出装置を構成するので、良
品の第１及び第２の部品を組み合せることができ、完成
品の不良の発生が少なくなり，結果としてコストの低減
を図ることができる。 （２） 第２の部品に第１の部品の位置決め部分を設け
るので、両者の位置関係を正確に保つことができ、電流
検出精度を高めることができる。また、請求項２の発明
によれば、リード端子が位置決めされるので、複数のリ
ード端子の相互間の短絡及びリード端子の変形を防ぐこ
とができる。また、請求項３の発明によれば、導体に溝
によってＵ字状の電流通過が形成されており、平面的に
見てこのＵ字状電流通路の中にホール素子の主動作領域
が配置されているので、ホール素子に対して作用する磁
束の数が多くなり、電流の検出感度が高くなる。また、
請求項４の発明によれば、導体に補助溝を設けて電流通
路を狭めているので、放熱性及び機械的強度を高めるた
めに導体を比較的幅広に形成したにも拘らず、電流を集
中的に流すことができ、ホール素子に対して有効に作用
する磁束を増大させることができる。また、請求項５の
発明によれば、支持板と電流通路形成用導体との間にホ
ール素子が配置されているので、支持板がホール素子の
シールド層として機能し、外部からの不要電界ノイズを
低減することができる。また、請求項６の発明によれ
ば、電流通路形成用導体に乗ってくるノイズがホ−ル素
子に及ぶことを支持板で低減することができる。また、
請求項７の発明によれば、ホール素子を電流通路形成用
導体に接近させて電流検出感度を向上させることができ
る。また、第１の部品の位置決め精度を高めることがで
きる。また、請求項８の発明によれば、電流検出装置の
小型化を達成することができる。また、請求項９の発明
によれば、電流検出感度の向上及び耐ノイズ性の向上を
図ることができる。また、請求項１０及び１１の発明に
よれば、電流通路形成用導体の導出部と複数のリ−ド端
子の導出部とが平面的に見て重ならないように配置され
ているので、上記２つの導出部相互間の沿面距離を大き
くすることが可能になり、比較的大きな電流を高い信頼
性を有して検出することが可能になる。また、請求項１
２の発明によれば、漏れ電流の検出又は電流バランスの
検出を容易に行うことが可能になる。
れる。 （１） ホール素子を絶縁性被覆体で被覆した第１の部
品と電流通路形成用導体を絶縁性被覆体で被覆した第２
の部品とを組み合せて電流検出装置を構成するので、良
品の第１及び第２の部品を組み合せることができ、完成
品の不良の発生が少なくなり，結果としてコストの低減
を図ることができる。 （２） 第２の部品に第１の部品の位置決め部分を設け
るので、両者の位置関係を正確に保つことができ、電流
検出精度を高めることができる。また、請求項２の発明
によれば、リード端子が位置決めされるので、複数のリ
ード端子の相互間の短絡及びリード端子の変形を防ぐこ
とができる。また、請求項３の発明によれば、導体に溝
によってＵ字状の電流通過が形成されており、平面的に
見てこのＵ字状電流通路の中にホール素子の主動作領域
が配置されているので、ホール素子に対して作用する磁
束の数が多くなり、電流の検出感度が高くなる。また、
請求項４の発明によれば、導体に補助溝を設けて電流通
路を狭めているので、放熱性及び機械的強度を高めるた
めに導体を比較的幅広に形成したにも拘らず、電流を集
中的に流すことができ、ホール素子に対して有効に作用
する磁束を増大させることができる。また、請求項５の
発明によれば、支持板と電流通路形成用導体との間にホ
ール素子が配置されているので、支持板がホール素子の
シールド層として機能し、外部からの不要電界ノイズを
低減することができる。また、請求項６の発明によれ
ば、電流通路形成用導体に乗ってくるノイズがホ−ル素
子に及ぶことを支持板で低減することができる。また、
請求項７の発明によれば、ホール素子を電流通路形成用
導体に接近させて電流検出感度を向上させることができ
る。また、第１の部品の位置決め精度を高めることがで
きる。また、請求項８の発明によれば、電流検出装置の
小型化を達成することができる。また、請求項９の発明
によれば、電流検出感度の向上及び耐ノイズ性の向上を
図ることができる。また、請求項１０及び１１の発明に
よれば、電流通路形成用導体の導出部と複数のリ−ド端
子の導出部とが平面的に見て重ならないように配置され
ているので、上記２つの導出部相互間の沿面距離を大き
くすることが可能になり、比較的大きな電流を高い信頼
性を有して検出することが可能になる。また、請求項１
２の発明によれば、漏れ電流の検出又は電流バランスの
検出を容易に行うことが可能になる。
【０００８】
【実施形態】次に、図１〜図２２を参照して本発明の実
施形態を説明する。
施形態を説明する。
【０００９】
【第１の実施形態】図１〜図１４に示す第１の実施形態
の電流検出装置は、図５に示す第１の部品１と第２の部
品２とを図１〜図３に示すように接着層３で相互に結合
したものから成り、例えば電気自動車における電流検出
に使用することができるものである。
の電流検出装置は、図５に示す第１の部品１と第２の部
品２とを図１〜図３に示すように接着層３で相互に結合
したものから成り、例えば電気自動車における電流検出
に使用することができるものである。
【００１０】第１の部品１は、被測定電流即ち被検出電
流を流すための電流通路形成用導体４と、第１の絶縁性
被覆体としての第１の樹脂成形体５とから成る。
流を流すための電流通路形成用導体４と、第１の絶縁性
被覆体としての第１の樹脂成形体５とから成る。
【００１１】電流通路形成用導体４は、例えば１００〜
６００Ａ程度の電流を流すことができる比較的厚い銅板
にニッケルメッキ層を設けた金属板をプレス加工したも
のであり、平面的に見て図８に示すように全体としてＵ
字状に形成され、溝６を介して並置された第１及び第２
の部分７、８と、第１及び第２の部分７、８の一方の端
を相互に連結するように配置された第３の部分９とを有
している。帯状に延びている第１及び第２の部分７、８
は、図８で破線で区画して示すように第１及び第２の端
子部分７ａ、８ａと、第１及び第２の電流通路形成部分
７ｂ、８ｂとを有する。第１及び第２の端子部分７ａ、
8ａには、この導体４を電気回路に直列に接続するため
の貫通孔１０ａ、１０ｂが設けられている。従って、第
１及び第２の端子部分７ａ、８ａは電気回路導体（図示
せず）に対してビスで固定される。導体４の第１及び第
２の電流通路形成部分７ｂ、８ｂには、この外周縁から
内側に向うように切り込み溝１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、
１１ｄが形成されている。また、第３の電流通路形成部
分として働く第３の部分９にも溝１１ｅ、１１ｆが形成
されている。この溝１１ａ〜１１ｅは電流通路を溝６寄
りに狭める働き、及び樹脂成形体５との噛み合いを強め
て結合強度を向上させる働きを有する。
６００Ａ程度の電流を流すことができる比較的厚い銅板
にニッケルメッキ層を設けた金属板をプレス加工したも
のであり、平面的に見て図８に示すように全体としてＵ
字状に形成され、溝６を介して並置された第１及び第２
の部分７、８と、第１及び第２の部分７、８の一方の端
を相互に連結するように配置された第３の部分９とを有
している。帯状に延びている第１及び第２の部分７、８
は、図８で破線で区画して示すように第１及び第２の端
子部分７ａ、８ａと、第１及び第２の電流通路形成部分
７ｂ、８ｂとを有する。第１及び第２の端子部分７ａ、
8ａには、この導体４を電気回路に直列に接続するため
の貫通孔１０ａ、１０ｂが設けられている。従って、第
１及び第２の端子部分７ａ、８ａは電気回路導体（図示
せず）に対してビスで固定される。導体４の第１及び第
２の電流通路形成部分７ｂ、８ｂには、この外周縁から
内側に向うように切り込み溝１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、
１１ｄが形成されている。また、第３の電流通路形成部
分として働く第３の部分９にも溝１１ｅ、１１ｆが形成
されている。この溝１１ａ〜１１ｅは電流通路を溝６寄
りに狭める働き、及び樹脂成形体５との噛み合いを強め
て結合強度を向上させる働きを有する。
【００１２】第１の樹脂成形体５は、導体４の機械的安
定性の向上及び電気的絶縁性の向上及び第２の部品２の
位置決め及び保護のためのものであって、対の端子部分
７ａ、８ａと第１及び第２の電流通路形成部分７ｂ、８
ｂ及び第３の部分９の一方の主面の一部を露出させ、こ
れ以外の部分を被覆するように形成されている。更に詳
細には、図２及び図３から最も明らかなように、第１の
樹脂成形体５は、第１及び第２の電流通路形成部分７
ｂ、８ｂと第３の部分９の下面側の全体を覆い、且つこ
れ等の上面側の一部を覆い、且つ第１及び第２の電流通
路形成部分７ｂ、８ｂの相互間及び溝１１ａ〜１１ｆに
充填されている。第１の樹脂成形体５は、図１〜図６か
ら明らかなように、第２の部品２を第１の部品１に位置
決めするための第１及び第２の位置決め部分５ａ、５ｂ
を有する。この第１及び第２の位置決め部分５ａ、５ｂ
の詳細は追って説明する。なお、第１の樹脂成形体５の
導体４の下面側部分の厚みは放熱性を良くするために導
体４の上面側部分の厚みよりも薄く形成されている。第
１の樹脂成形体５は周知のトランスファモールド法又は
インジェクションによって一体に形成することができ
る。
定性の向上及び電気的絶縁性の向上及び第２の部品２の
位置決め及び保護のためのものであって、対の端子部分
７ａ、８ａと第１及び第２の電流通路形成部分７ｂ、８
ｂ及び第３の部分９の一方の主面の一部を露出させ、こ
れ以外の部分を被覆するように形成されている。更に詳
細には、図２及び図３から最も明らかなように、第１の
樹脂成形体５は、第１及び第２の電流通路形成部分７
ｂ、８ｂと第３の部分９の下面側の全体を覆い、且つこ
れ等の上面側の一部を覆い、且つ第１及び第２の電流通
路形成部分７ｂ、８ｂの相互間及び溝１１ａ〜１１ｆに
充填されている。第１の樹脂成形体５は、図１〜図６か
ら明らかなように、第２の部品２を第１の部品１に位置
決めするための第１及び第２の位置決め部分５ａ、５ｂ
を有する。この第１及び第２の位置決め部分５ａ、５ｂ
の詳細は追って説明する。なお、第１の樹脂成形体５の
導体４の下面側部分の厚みは放熱性を良くするために導
体４の上面側部分の厚みよりも薄く形成されている。第
１の樹脂成形体５は周知のトランスファモールド法又は
インジェクションによって一体に形成することができ
る。
【００１３】第２の部品２はホールＩＣ即ちホール素子
を含む半導体装置であって、図７から明らかなようにホ
ール素子を含む半導体チップ２０と、金属製支持板２１
と、この支持板２１に連結された外部リード端子２２
と、支持板２１に連結されていない外部リード端子２
３、２４、２５と、内部接続ワイヤ２６、２７、２８、
２９と、第２の絶縁性被覆体としての第２の樹脂成形体
３０とから成る。
を含む半導体装置であって、図７から明らかなようにホ
ール素子を含む半導体チップ２０と、金属製支持板２１
と、この支持板２１に連結された外部リード端子２２
と、支持板２１に連結されていない外部リード端子２
３、２４、２５と、内部接続ワイヤ２６、２７、２８、
２９と、第２の絶縁性被覆体としての第２の樹脂成形体
３０とから成る。
【００１４】半導体チップ２０は金属支持板２１に固着
されている。例えばＡｌ線から成る内部接続ワイヤ２
６、２７、２８、２９は、半導体チップ２０と支持板２
１及び外部リード端子２３、２４、２５との間を電気的
に接続している。第２の樹脂成形体３０は半導体チップ
２０、支持板２１、外部リード端子２２、２３、２４、
２５の一部、内部接続ワイヤ２６、２７、２８、２９を
覆うように周知のトランスファモールド法又はインジェ
クションモールド法によって形成されている。このホー
ルＩＣ側の第２の樹脂成形体３０は、図５に示すように
電流通路形成体としての第１の部品１の導体４の平坦な
露出主面３１上に配置される主面３２と、第１の樹脂成
形体５の第１の位置決め部分５ａを形成する凹部の１つ
の壁面３３に対向させる側面３４とを有する。第２の部
品２の第２の樹脂成形体３０は、平面的に見て第１の部
品１の第１の樹脂成形体５に形成された凹状の第１の位
置決め部分５ａに収容させることができるパターンに形
成されている。第１及び第２の部品１，２の組立て時
に、第１の部品１側の導体４の主面３１と第２の部品２
側の主面３２との間及び第１の部品１側の壁面３３と第
２の部品２側の側面３４とが図２に示すように接着層３
によって互いに固着される。従って、電流検出装置の組
立が終了した後には、第１及び第２の部品１、２が一体
化され、実質的に単一の電気部品となる。ホール素子３
５を含む半導体チップ２０に接続された４本の外部リー
ド端子２２，２３，２４，２５は互いに平行になるよう
に第２の樹脂成形体３０から導出されている。これ等の
外部リード端子２２，２３，２４，２５の一部は、図４
から最も明らかなように第１の樹脂成形体５に溝状に形
成された４つの第２の位置決め部分５ｂに挿入され、相
互間の短絡及びこれ等の変形が防止されている。外部リ
ード端子２２〜２５の先端側部分は半導体チップ２０を
外部回路に接続するために第１の樹脂成形体５の外側に
導出されている。更に，第１及び第２の部品１，２の一
体化を強めるために、第１及び第２の部品１，２が接着
層３で一体化された後に、第１の位置決め部分５ａと第
２の位置決め部分５ｂとに生じた第１及び第２部品１，
２間の隙間に絶縁性樹脂が注入されて固化され、図１３
及び図１４に示す樹脂層９０が形成されている。接着層
３で一体化された第１の部品１の第１の樹脂成形体５と
第２の部品２の第２の樹脂成形体３０との組み合せから
成る絶縁性包囲体１００は、図１のように平面的に見て
四角形に形成されている。平面的に見て、電流通路形成
用導体４の上記包囲体１００又は第１及び第２の樹脂成
形体５、３０からの外側への導出部は、複数の外部リ−
ド端子２２〜２５の上記包囲体１００又は第１及び第２
の樹脂形成態５、３０からの外側への導出部に重ならな
いように配置されている。更に詳細には、第１及び第２
の樹脂成形体５、３０の組み合せから成る包囲体１００
は、互いに対向する第１及び第２の主面１０１、１０２
と第１、第２、第３及び第４の側面１０３、１０４、１
０５、１０６とを有する６面体即ち直方体である。電流
通路形成用導体４の導出部は、第３の側面１０５から導
出され、外部リ−ド端子２２〜２５の上記導出部は第３
の側面１０５とは異なる第１の側面１０３から導出され
ている。
されている。例えばＡｌ線から成る内部接続ワイヤ２
６、２７、２８、２９は、半導体チップ２０と支持板２
１及び外部リード端子２３、２４、２５との間を電気的
に接続している。第２の樹脂成形体３０は半導体チップ
２０、支持板２１、外部リード端子２２、２３、２４、
２５の一部、内部接続ワイヤ２６、２７、２８、２９を
覆うように周知のトランスファモールド法又はインジェ
クションモールド法によって形成されている。このホー
ルＩＣ側の第２の樹脂成形体３０は、図５に示すように
電流通路形成体としての第１の部品１の導体４の平坦な
露出主面３１上に配置される主面３２と、第１の樹脂成
形体５の第１の位置決め部分５ａを形成する凹部の１つ
の壁面３３に対向させる側面３４とを有する。第２の部
品２の第２の樹脂成形体３０は、平面的に見て第１の部
品１の第１の樹脂成形体５に形成された凹状の第１の位
置決め部分５ａに収容させることができるパターンに形
成されている。第１及び第２の部品１，２の組立て時
に、第１の部品１側の導体４の主面３１と第２の部品２
側の主面３２との間及び第１の部品１側の壁面３３と第
２の部品２側の側面３４とが図２に示すように接着層３
によって互いに固着される。従って、電流検出装置の組
立が終了した後には、第１及び第２の部品１、２が一体
化され、実質的に単一の電気部品となる。ホール素子３
５を含む半導体チップ２０に接続された４本の外部リー
ド端子２２，２３，２４，２５は互いに平行になるよう
に第２の樹脂成形体３０から導出されている。これ等の
外部リード端子２２，２３，２４，２５の一部は、図４
から最も明らかなように第１の樹脂成形体５に溝状に形
成された４つの第２の位置決め部分５ｂに挿入され、相
互間の短絡及びこれ等の変形が防止されている。外部リ
ード端子２２〜２５の先端側部分は半導体チップ２０を
外部回路に接続するために第１の樹脂成形体５の外側に
導出されている。更に，第１及び第２の部品１，２の一
体化を強めるために、第１及び第２の部品１，２が接着
層３で一体化された後に、第１の位置決め部分５ａと第
２の位置決め部分５ｂとに生じた第１及び第２部品１，
２間の隙間に絶縁性樹脂が注入されて固化され、図１３
及び図１４に示す樹脂層９０が形成されている。接着層
３で一体化された第１の部品１の第１の樹脂成形体５と
第２の部品２の第２の樹脂成形体３０との組み合せから
成る絶縁性包囲体１００は、図１のように平面的に見て
四角形に形成されている。平面的に見て、電流通路形成
用導体４の上記包囲体１００又は第１及び第２の樹脂成
形体５、３０からの外側への導出部は、複数の外部リ−
ド端子２２〜２５の上記包囲体１００又は第１及び第２
の樹脂形成態５、３０からの外側への導出部に重ならな
いように配置されている。更に詳細には、第１及び第２
の樹脂成形体５、３０の組み合せから成る包囲体１００
は、互いに対向する第１及び第２の主面１０１、１０２
と第１、第２、第３及び第４の側面１０３、１０４、１
０５、１０６とを有する６面体即ち直方体である。電流
通路形成用導体４の導出部は、第３の側面１０５から導
出され、外部リ−ド端子２２〜２５の上記導出部は第３
の側面１０５とは異なる第１の側面１０３から導出され
ている。
【００１５】半導体チップ２０は、図１０に概略的に示
す底面図から明らかなように周知のホール素子３５と、
増幅器３６と、制御電流供給回路３７と、第１、第２、
第３及び第４の端子３８、３９、４０、４１とを有し、
平面的に見て四角形に形成されている。
す底面図から明らかなように周知のホール素子３５と、
増幅器３６と、制御電流供給回路３７と、第１、第２、
第３及び第４の端子３８、３９、４０、４１とを有し、
平面的に見て四角形に形成されている。
【００１６】ホール素子３５、増幅器３６及び制御電流
供給回路３７は化合物半導体（例えばガリウム砒素）か
ら成る同一の半導体基板４２の中に周知の方法で形成さ
れている。半導体チップ２０の形成方法及び構成は周知
であるので、図１１及び図１２には本発明に係わる電流
通路形成用の第１の部品１と直接に関係するホール素子
３５のみが示され、増幅器３６及び制御電流供給回路３
７の図示は省略されている。
供給回路３７は化合物半導体（例えばガリウム砒素）か
ら成る同一の半導体基板４２の中に周知の方法で形成さ
れている。半導体チップ２０の形成方法及び構成は周知
であるので、図１１及び図１２には本発明に係わる電流
通路形成用の第１の部品１と直接に関係するホール素子
３５のみが示され、増幅器３６及び制御電流供給回路３
７の図示は省略されている。
【００１７】平面的に見て四角形の半導体基板４２の中
には、ホール素子３５を形成するためにｎ型の第１、第
２、第３、第４及び第５の半導体領域４３、４４、４
５、４６、４７と、ｐ型の第６、第７及び第８の半導体
領域４８、４９、５０が形成されている。ｎ型の第５の
半導体領域４７は半導体基体４２の大部分を占めるｐ型
の第８の半導体領域５０の中に島状に形成され、図１１
に示すように平面的に見て十字状のパターンを有する。
ｎ型の第１及び第２の半導体領域４３、４４はｎ型の第
５の半導体領域４７の不純物濃度よりも高い不純物濃度
を有するｎ+ 型半導体領域であって、図１１に示すよう
にＹ軸方向において互いに離間して対向配置され且つ第
５の半導体領域４７の中に島状に形成されている。この
第１及び第２の半導体領域４３、４４には図１０に示す
ように第１及び第２の電極５１、５２がオーミック接触
している。第１及び第２の電極５１、５２は制御電流供
給回路３７に接続されているので、第５の半導体領域４
７に第１の半導体領域４３から第２の半導体領域４４に
向って周知の制御電流Ｉc が流れる。従って、第１及び
第２の半導体領域４３、４４を制御電流供給用半導体領
域と呼ぶこともできる。なお、第１及び第２の電極５
１、５２は周知の制御電流供給回路３７を介して直流電
源接続用の第３及び第４の端子４０、４１に接続されて
いる。
には、ホール素子３５を形成するためにｎ型の第１、第
２、第３、第４及び第５の半導体領域４３、４４、４
５、４６、４７と、ｐ型の第６、第７及び第８の半導体
領域４８、４９、５０が形成されている。ｎ型の第５の
半導体領域４７は半導体基体４２の大部分を占めるｐ型
の第８の半導体領域５０の中に島状に形成され、図１１
に示すように平面的に見て十字状のパターンを有する。
ｎ型の第１及び第２の半導体領域４３、４４はｎ型の第
５の半導体領域４７の不純物濃度よりも高い不純物濃度
を有するｎ+ 型半導体領域であって、図１１に示すよう
にＹ軸方向において互いに離間して対向配置され且つ第
５の半導体領域４７の中に島状に形成されている。この
第１及び第２の半導体領域４３、４４には図１０に示す
ように第１及び第２の電極５１、５２がオーミック接触
している。第１及び第２の電極５１、５２は制御電流供
給回路３７に接続されているので、第５の半導体領域４
７に第１の半導体領域４３から第２の半導体領域４４に
向って周知の制御電流Ｉc が流れる。従って、第１及び
第２の半導体領域４３、４４を制御電流供給用半導体領
域と呼ぶこともできる。なお、第１及び第２の電極５
１、５２は周知の制御電流供給回路３７を介して直流電
源接続用の第３及び第４の端子４０、４１に接続されて
いる。
【００１８】ｎ型の第３及び第４の半導体領域４５、４
６は、ｎ型の第５の半導体領域４７の不純物濃度よりも
高い不純物濃度を有するｎ+ 型半導体領域であって、第
５の半導体領域４７のＹ軸方向の中央部分の両端の近く
に配置されている。この第３及び第４の半導体領域４
５、４６の一部は第５の半導体領域４７に隣接し、残部
はｐ型半導体から成る第６及び第７の半導体領域４８、
４９に隣接している。Ｘ軸方向において互いに対向して
いる第３及び第４の半導体領域４５、４６には図１０及
び図１２に示すように第３及び第４の電極５３、５４が
オーミック接触している。従って、第３及び第４の半導
体領域４５、４６をホール電圧検出用半導体領域と呼ぶ
こともできる。ｐ型の第６及び第７の半導体領域４８、
４９はｎ+型の第３及び第４の半導体領域４５、４６の
第５の半導体領域４７に対する接触面積を制限するもの
である。
６は、ｎ型の第５の半導体領域４７の不純物濃度よりも
高い不純物濃度を有するｎ+ 型半導体領域であって、第
５の半導体領域４７のＹ軸方向の中央部分の両端の近く
に配置されている。この第３及び第４の半導体領域４
５、４６の一部は第５の半導体領域４７に隣接し、残部
はｐ型半導体から成る第６及び第７の半導体領域４８、
４９に隣接している。Ｘ軸方向において互いに対向して
いる第３及び第４の半導体領域４５、４６には図１０及
び図１２に示すように第３及び第４の電極５３、５４が
オーミック接触している。従って、第３及び第４の半導
体領域４５、４６をホール電圧検出用半導体領域と呼ぶ
こともできる。ｐ型の第６及び第７の半導体領域４８、
４９はｎ+型の第３及び第４の半導体領域４５、４６の
第５の半導体領域４７に対する接触面積を制限するもの
である。
【００１９】第１及び第２の半導体領域４３、４４間に
制御電流Ｉc が流れ、この制御電流Ｉc に対して直交す
るように磁界を印加すると、第３及び第４の半導体領域
４５、４６間に周知のホール効果の原理に従って磁束密
度に比例したホール電圧が得られる。従って、ホール素
子３５のホール電圧を発生させるための主動作領域は、
第５の半導体領域４７における第１及び第２の半導体領
域４３、４４の相互間及び第３及び第４の半導体領域４
５、４６の相互間である。しかし、概略的には第５の半
導体領域４７の全体をホール素子の主動作領域と呼ぶこ
とができる。ホール電圧検出用の第３及び第４の電極５
３、５４は、図９に示すように周知の増幅器３６を介し
て第１及び第２の端子３８、３９に接続されている。
制御電流Ｉc が流れ、この制御電流Ｉc に対して直交す
るように磁界を印加すると、第３及び第４の半導体領域
４５、４６間に周知のホール効果の原理に従って磁束密
度に比例したホール電圧が得られる。従って、ホール素
子３５のホール電圧を発生させるための主動作領域は、
第５の半導体領域４７における第１及び第２の半導体領
域４３、４４の相互間及び第３及び第４の半導体領域４
５、４６の相互間である。しかし、概略的には第５の半
導体領域４７の全体をホール素子の主動作領域と呼ぶこ
とができる。ホール電圧検出用の第３及び第４の電極５
３、５４は、図９に示すように周知の増幅器３６を介し
て第１及び第２の端子３８、３９に接続されている。
【００２０】半導体基板４２の一方の主面には例えばシ
リコン酸化膜から成る絶縁膜５５が設けられ、他方の主
面には例えばアルミニウムから成る金属層５６が設けら
れている。絶縁膜５５は多層配線構造とするために第１
及び第２の絶縁膜５５ａ、５５ｂの積層体から成る。第
１及び第２の電極５１、５２は第１及び第２の絶縁膜５
５ａ、５５ｂの開口を介して第１及び第２の半導体領域
４３、４４に接続され、第３及び第４の電極５３、５４
は第１の絶縁膜５５ａの開口を介して第３及び第４の半
導体領域４５、４６に接続されている。半導体基板４２
の他方の主面の金属層５６は導電性又は絶縁性の接合材
５７によって支持板２１に固着されている。
リコン酸化膜から成る絶縁膜５５が設けられ、他方の主
面には例えばアルミニウムから成る金属層５６が設けら
れている。絶縁膜５５は多層配線構造とするために第１
及び第２の絶縁膜５５ａ、５５ｂの積層体から成る。第
１及び第２の電極５１、５２は第１及び第２の絶縁膜５
５ａ、５５ｂの開口を介して第１及び第２の半導体領域
４３、４４に接続され、第３及び第４の電極５３、５４
は第１の絶縁膜５５ａの開口を介して第３及び第４の半
導体領域４５、４６に接続されている。半導体基板４２
の他方の主面の金属層５６は導電性又は絶縁性の接合材
５７によって支持板２１に固着されている。
【００２１】支持板２１は、図９から明らかなように、
この主面に垂直な方向から見て即ち平面的に見て全体的
に四角形のパターンに形成されており、半導体チップ２
０よりも大きな面積を有する。支持板２１と第１〜第４
の外部リード端子２２〜２５とはリードフレームに基づ
いて形成されており、互いに同一厚み且つ同一の材料の
例えば銅板にニッケルメッキした金属板から成る。支持
板２１及びリード端子２２〜２５は、電流通路形成用導
体４よりも薄く形成されている。支持板２１はワイヤ２
６によって半導体チップ２０の第１の端子３８に接続さ
れている。この支持板２１に連結された外部リード端子
２２は一般にはグランドに接続される。半導体チップ２
０の第２、第３及び第４の端子３９、４０、４１は、ワ
イヤ２７、２８、２９によって外部リード端子２３、２
４、２５に接続されている。
この主面に垂直な方向から見て即ち平面的に見て全体的
に四角形のパターンに形成されており、半導体チップ２
０よりも大きな面積を有する。支持板２１と第１〜第４
の外部リード端子２２〜２５とはリードフレームに基づ
いて形成されており、互いに同一厚み且つ同一の材料の
例えば銅板にニッケルメッキした金属板から成る。支持
板２１及びリード端子２２〜２５は、電流通路形成用導
体４よりも薄く形成されている。支持板２１はワイヤ２
６によって半導体チップ２０の第１の端子３８に接続さ
れている。この支持板２１に連結された外部リード端子
２２は一般にはグランドに接続される。半導体チップ２
０の第２、第３及び第４の端子３９、４０、４１は、ワ
イヤ２７、２８、２９によって外部リード端子２３、２
４、２５に接続されている。
【００２２】支持板２１に固着された半導体チップ２０
のホール素子３５は、図１から明らかなように平面的に
見てその大部分が電流通路形成用導体４の溝６の内側に
なるように配置されている。更に詳細には、図１及び図
５で破線で示すように少なくともホール素子３５の主動
作領域が平面的に見て溝６の内側になるように半導体チ
ップ２０が配置されている。
のホール素子３５は、図１から明らかなように平面的に
見てその大部分が電流通路形成用導体４の溝６の内側に
なるように配置されている。更に詳細には、図１及び図
５で破線で示すように少なくともホール素子３５の主動
作領域が平面的に見て溝６の内側になるように半導体チ
ップ２０が配置されている。
【００２３】図１の電流検出装置によって電流を検出す
る時には、被検出電流が流れている電気回路に導体４の
第１及び第２の端子部７ａ、７ｂを接続し、Ｕ字状電流
通路を形成する導体４に電流を流す。電流通路形成用導
体４は平面的に見てホール素子３５の主動作領域となる
第５の半導体領域４７の３方向に近接しているので、電
流通路形成用導体４に電流が流れると、アンペアの右ネ
ジの法則に従って図１２で破線で示す向きの磁界Ｈが発
生し、３方向からホ−ル素子３５に磁界即ち磁束が作用
する。この磁界Ｈの向きは第５の半導体領域４７の制御
電流Ｉc の向きに垂直であるので、第３及び第４の半導
体領域４５、４６間即ち第３及び第４の電極５３、５４
間にホール電圧が発生する。このホール電圧は磁界Ｈに
比例し、磁界Ｈは被検出電流に比例するので、ホール電
圧によって被検出電流を検出することができる。
る時には、被検出電流が流れている電気回路に導体４の
第１及び第２の端子部７ａ、７ｂを接続し、Ｕ字状電流
通路を形成する導体４に電流を流す。電流通路形成用導
体４は平面的に見てホール素子３５の主動作領域となる
第５の半導体領域４７の３方向に近接しているので、電
流通路形成用導体４に電流が流れると、アンペアの右ネ
ジの法則に従って図１２で破線で示す向きの磁界Ｈが発
生し、３方向からホ−ル素子３５に磁界即ち磁束が作用
する。この磁界Ｈの向きは第５の半導体領域４７の制御
電流Ｉc の向きに垂直であるので、第３及び第４の半導
体領域４５、４６間即ち第３及び第４の電極５３、５４
間にホール電圧が発生する。このホール電圧は磁界Ｈに
比例し、磁界Ｈは被検出電流に比例するので、ホール電
圧によって被検出電流を検出することができる。
【００２４】本実施形態の電流検出装置は次の効果を有
する。 （１） 電流通路形成体としての第１の部品１とホール
装置としての第２の部分２とを別の工程で独立に形成
し、その後に組立てるので，それぞれの良品のみを組み
合せることができる。これにより、電流検出装置の製造
歩留りの向上及びコストの低減が達成される。 （２） 第１の部品１に位置決め部分５ａ、５ｂを設
け、ここに第２の部品２を位置決めするので、電流通路
形成用導体４に対するホール素子３５の位置決めを正確
に行うことができ、電流検出のバラツキを防ぐことがで
きる。 （３） 外部リード端子２２〜２５の位置決め部分５ｂ
を設けたので、これ等の相互間の短絡及びこれ等の変形
を防ぐことができる。 （４） ホール素子３５と一体的に電流通路形成用導体
４を設けたので、ホール素子３５に接近させて例えば１
００〜６００Ａのような大電流を流すことが可能にな
り、且つ両者の位置関係を予め高精度に設定することが
でき、大電流の検出を高精度に行うことができる。 （５） 導体４の溝６によってＵ字状の電流通路が形成
されており、平面的に見てこのＵ字状電流通路の中にホ
ール素子３５の主動作領域となる第５の半導体領域４７
が配置されているので、第５の半導体領域４７に対して
磁束が３方向から作用し、ここに作用する磁束の数が多
くなり、電流の検出感度が高くなる。 （６） 導体４に補助溝１１ａ〜１１ｅを設けて電流通
路を狭めているので、放熱性及び機械的強度を向上させ
るために導体４を比較的幅広に形成したにも拘らず、電
流を集中的に流すことができ、ホール素子３５に対して
有効に作用する磁束を増大させることができる。 （７） 支持板２１と電流通路形成用導体４との間に半
導体チップ２０が配置されているので、支持板２１が半
導体チップ２０のシールド層として機能し、外部からの
不要電界ノイズを低減することができる。 （８） ホール素子３５を含む第２の部品２と大電流が
流れる電流通路形成用の第１の部品１とを重ねるように
組み合せるので、電流検出装置の小型化が達成される。 （９） 第１及び第２の部品１，２を独立に形成するの
で、導体４の厚みに拘束されずに支持板２１及び外部リ
ード端子２２〜２５を電流通路形成用導体４よりも薄く
することが可能になり、ホールＩＣ即ち第２の部品２を
低コスト且つ容易に形成することができる。 （１０） 電流通路形成用導体４とホ−ル素子３５とが
一体化されているので、電気回路に対する接続及び配置
が容易になる。 （１１） 電流通路形成用導体４は絶縁性包囲体１００
の第３の側面１０５から導出され、外側リ−ド端子２２
〜２５は第３の側面１０５と反対側の第１の側面１０３
から導出され、且つ平面的に見て２つの導出部は重なら
ないので電流通路形成用導体４と外部リ−ド端子２２〜
２５との沿面距離を大きくすることができる。この結
果、電流検出装置の信頼性を向上させることができる。
また、比較的大きな電流を流すことができる電流通路形
成用導体４の外部回路への接続を外部リ−ド端子２２〜
２５に妨害されずに容易且つ確実に行うことができる。
する。 （１） 電流通路形成体としての第１の部品１とホール
装置としての第２の部分２とを別の工程で独立に形成
し、その後に組立てるので，それぞれの良品のみを組み
合せることができる。これにより、電流検出装置の製造
歩留りの向上及びコストの低減が達成される。 （２） 第１の部品１に位置決め部分５ａ、５ｂを設
け、ここに第２の部品２を位置決めするので、電流通路
形成用導体４に対するホール素子３５の位置決めを正確
に行うことができ、電流検出のバラツキを防ぐことがで
きる。 （３） 外部リード端子２２〜２５の位置決め部分５ｂ
を設けたので、これ等の相互間の短絡及びこれ等の変形
を防ぐことができる。 （４） ホール素子３５と一体的に電流通路形成用導体
４を設けたので、ホール素子３５に接近させて例えば１
００〜６００Ａのような大電流を流すことが可能にな
り、且つ両者の位置関係を予め高精度に設定することが
でき、大電流の検出を高精度に行うことができる。 （５） 導体４の溝６によってＵ字状の電流通路が形成
されており、平面的に見てこのＵ字状電流通路の中にホ
ール素子３５の主動作領域となる第５の半導体領域４７
が配置されているので、第５の半導体領域４７に対して
磁束が３方向から作用し、ここに作用する磁束の数が多
くなり、電流の検出感度が高くなる。 （６） 導体４に補助溝１１ａ〜１１ｅを設けて電流通
路を狭めているので、放熱性及び機械的強度を向上させ
るために導体４を比較的幅広に形成したにも拘らず、電
流を集中的に流すことができ、ホール素子３５に対して
有効に作用する磁束を増大させることができる。 （７） 支持板２１と電流通路形成用導体４との間に半
導体チップ２０が配置されているので、支持板２１が半
導体チップ２０のシールド層として機能し、外部からの
不要電界ノイズを低減することができる。 （８） ホール素子３５を含む第２の部品２と大電流が
流れる電流通路形成用の第１の部品１とを重ねるように
組み合せるので、電流検出装置の小型化が達成される。 （９） 第１及び第２の部品１，２を独立に形成するの
で、導体４の厚みに拘束されずに支持板２１及び外部リ
ード端子２２〜２５を電流通路形成用導体４よりも薄く
することが可能になり、ホールＩＣ即ち第２の部品２を
低コスト且つ容易に形成することができる。 （１０） 電流通路形成用導体４とホ−ル素子３５とが
一体化されているので、電気回路に対する接続及び配置
が容易になる。 （１１） 電流通路形成用導体４は絶縁性包囲体１００
の第３の側面１０５から導出され、外側リ−ド端子２２
〜２５は第３の側面１０５と反対側の第１の側面１０３
から導出され、且つ平面的に見て２つの導出部は重なら
ないので電流通路形成用導体４と外部リ−ド端子２２〜
２５との沿面距離を大きくすることができる。この結
果、電流検出装置の信頼性を向上させることができる。
また、比較的大きな電流を流すことができる電流通路形
成用導体４の外部回路への接続を外部リ−ド端子２２〜
２５に妨害されずに容易且つ確実に行うことができる。
【００２５】
【第２の実施形態】次に、図１５〜図２０を参照して第
２の実施形態の電流検出装置を説明する。但し、図１５
〜図２０において図１〜図１４と共通する部分には同一
の符号、又はダッシュ又は添字ａ、ｂを伴なった同一の
符号を付してその説明を省略する。また、図１５〜図２
０の説明において、図１〜図１４も参照する。
２の実施形態の電流検出装置を説明する。但し、図１５
〜図２０において図１〜図１４と共通する部分には同一
の符号、又はダッシュ又は添字ａ、ｂを伴なった同一の
符号を付してその説明を省略する。また、図１５〜図２
０の説明において、図１〜図１４も参照する。
【００２６】図１５〜図２０に示す第２の実施形態の電
流検出装置は、図１５に示す第１の部品１’と図１６に
示す第２の部品２’とを図１９に説明的に示す接着層
３’で一体化したものである。図１５の第１の部品１’
は第１の実施形態の図６の第１の部品１と同様に電流通
路形成用導体４ａと第１の樹脂成形体５’とを有し、第
１の樹脂成形体５’は第１及び第２の位置決め部分５
ａ’、５ｂ’を有する。第２の部品２’は図１６に示す
ように第１及び第２のホール素子３５，３５’を有し、
且つ第２の樹脂成形体３０’、外部リード端子２２’〜
２５’を有する。第１及び第２のホール素子３５，３
５’は第１及び第２の電流検出部であって、これらの組
み合せによってホール効果装置が構成されている。な
お、第１及び第２のホール素子３５、３５’は図１９に
示すように同一の半導体基板４２ａに形成されている。
この第１及び第２のホ−ル素子３５、３５’は同一構造
であるので、互いに共通する部分には同一の符号を付
し、第２のホール素子３５’の各部の符号にダッシュを
付して両者を区別する。
流検出装置は、図１５に示す第１の部品１’と図１６に
示す第２の部品２’とを図１９に説明的に示す接着層
３’で一体化したものである。図１５の第１の部品１’
は第１の実施形態の図６の第１の部品１と同様に電流通
路形成用導体４ａと第１の樹脂成形体５’とを有し、第
１の樹脂成形体５’は第１及び第２の位置決め部分５
ａ’、５ｂ’を有する。第２の部品２’は図１６に示す
ように第１及び第２のホール素子３５，３５’を有し、
且つ第２の樹脂成形体３０’、外部リード端子２２’〜
２５’を有する。第１及び第２のホール素子３５，３
５’は第１及び第２の電流検出部であって、これらの組
み合せによってホール効果装置が構成されている。な
お、第１及び第２のホール素子３５、３５’は図１９に
示すように同一の半導体基板４２ａに形成されている。
この第１及び第２のホ−ル素子３５、３５’は同一構造
であるので、互いに共通する部分には同一の符号を付
し、第２のホール素子３５’の各部の符号にダッシュを
付して両者を区別する。
【００２７】図１７に示す電流通路形成用導体４ａは、
第１及び第２のホール素子３５、３５′の主動作領域で
ある第５の半導体領域４７、４７′に隣接するＳ字状電
流通路形成するために、第１及び第２の溝６，６′と複
数の補助溝１１ａ’、１１ｂ’とを有する。第１及び第
２の溝６，６’は互いに逆の方向から切り込まれてい
る。電流通路形成用導体４ａの第１及び第２の端子部分
７ａ’、８ａ’は、図８の第１及び第２の端子部分７
ａ、７ｂと同様に被検出電流が流れる電気回路に接続さ
れる。第１及び第２のホール素子３５、３５´の主動作
領域としての第５の半導体領域４７，４７´は平面的に
見て第１及び第２の溝６，６´の内側に配置されてい
る。第１及び第２のホール素子３５，３５´を含む半導
体チップ２０´は図１７に示すように金属支持板２１に
固着されている。第２の部品２´は第１の部品１´に対
して第１及び第２の位置決め部分５ａ´、５ｂ´を使用
して位置決めされ、接着層３´で固着される。第2の樹
脂成形体３０´を伴って包囲体を構成する第１の樹脂成
形体５´は、図１の第１の樹脂成形体５と同様に６面体
であって、第１及び第２の主面１０１、１０２、第１、
第２、第３及び第４の側面１０３、１０４、１０５、１
０６を有している。電流通路形成用導体４ａの第１の端
子部７a´から成る一方の導出部は、第３の側面１０５
から導出され、第２の端子部８ａ´からなる他方の導出
部は第１の側面１０３から導出されている。図１６に示
す複数の外部リ−ド端子２２´〜２５´は図１５の位置
決め部分５ｂ´に配置されて第１の側面１０３から導出
される。第１の側面１０３からは端子部８ａ´と外部リ
−ド端子２２´〜２５´との両方が導出されるが、平面
的に見て両者は重ならない。
第１及び第２のホール素子３５、３５′の主動作領域で
ある第５の半導体領域４７、４７′に隣接するＳ字状電
流通路形成するために、第１及び第２の溝６，６′と複
数の補助溝１１ａ’、１１ｂ’とを有する。第１及び第
２の溝６，６’は互いに逆の方向から切り込まれてい
る。電流通路形成用導体４ａの第１及び第２の端子部分
７ａ’、８ａ’は、図８の第１及び第２の端子部分７
ａ、７ｂと同様に被検出電流が流れる電気回路に接続さ
れる。第１及び第２のホール素子３５、３５´の主動作
領域としての第５の半導体領域４７，４７´は平面的に
見て第１及び第２の溝６，６´の内側に配置されてい
る。第１及び第２のホール素子３５，３５´を含む半導
体チップ２０´は図１７に示すように金属支持板２１に
固着されている。第２の部品２´は第１の部品１´に対
して第１及び第２の位置決め部分５ａ´、５ｂ´を使用
して位置決めされ、接着層３´で固着される。第2の樹
脂成形体３０´を伴って包囲体を構成する第１の樹脂成
形体５´は、図１の第１の樹脂成形体５と同様に６面体
であって、第１及び第２の主面１０１、１０２、第１、
第２、第３及び第４の側面１０３、１０４、１０５、１
０６を有している。電流通路形成用導体４ａの第１の端
子部７a´から成る一方の導出部は、第３の側面１０５
から導出され、第２の端子部８ａ´からなる他方の導出
部は第１の側面１０３から導出されている。図１６に示
す複数の外部リ−ド端子２２´〜２５´は図１５の位置
決め部分５ｂ´に配置されて第１の側面１０３から導出
される。第１の側面１０３からは端子部８ａ´と外部リ
−ド端子２２´〜２５´との両方が導出されるが、平面
的に見て両者は重ならない。
【００２８】電流通路形成用導体４ａに流れる電流に基
づいて生じる磁界Ｈの向きは第１及び第２のホール素子
３５、３５′に対して図１９で破線で示すように互いに
逆になる。第１及び第２のホール素子３５、３５′に周
知の制御電流Ｉc を流すために第１のホール素子３５の
第１及び第２の電極５１、５２と第２のホール素子３
５′の第１及び第２の電極５１′、５２′とが図２０の
周知の制御電流供給回路３７ａに接続されている。第１
及び第２のホール素子３５、３５′の出力電圧を合成し
て被検出電流に対応する電圧を得るための出力回路３６
ａは、第１、第２及び第３の差動増幅器７１、７２、７
３から成る。第１の差動増幅器７１の正入力端子は第１
のホール素子３５の第３の電極５３に接続され、この負
入力端子は第１のホール素子３５の第４の電極５４に接
続されている。第２の差動増幅器７２の正入力端子は第
２のホール素子３５′の第３の電極５３′に接続され、
この負入力端子は第２のホール素子３５′の第４の電極
５４′に接続されている。従って、第１の差動増幅器７
１から得られる第１のホール電圧Ｖh1と第２の差動増幅
器７２から得られる第２のホール電圧−Ｖh2は互いに逆
の極性を有する。第３の差動増幅器７３の正入力端子は
第１の差動増幅器７１に接続され、この負入力端子は第
２の差動増幅器７２に接続されている。従って、第３の
差動増幅器７３からはＶh1−（−Ｖh2）＝Ｖh1＋Ｖh2の
出力が得られる。即ち、演算手段としての第３の差動増
幅器７３からは、第１の差動増幅器７１の出力Ｖh1の絶
対値と第２の差動増幅器７２の出力−Ｖh2の絶対値との
和が得られる。なお、第２の差動増幅器７２の出力段に
反転回路を設け、第３の差動増幅器７３の代りに加算器
を設けることによってＶh1＋Ｖh2を示す出力を得ること
もできる。
づいて生じる磁界Ｈの向きは第１及び第２のホール素子
３５、３５′に対して図１９で破線で示すように互いに
逆になる。第１及び第２のホール素子３５、３５′に周
知の制御電流Ｉc を流すために第１のホール素子３５の
第１及び第２の電極５１、５２と第２のホール素子３
５′の第１及び第２の電極５１′、５２′とが図２０の
周知の制御電流供給回路３７ａに接続されている。第１
及び第２のホール素子３５、３５′の出力電圧を合成し
て被検出電流に対応する電圧を得るための出力回路３６
ａは、第１、第２及び第３の差動増幅器７１、７２、７
３から成る。第１の差動増幅器７１の正入力端子は第１
のホール素子３５の第３の電極５３に接続され、この負
入力端子は第１のホール素子３５の第４の電極５４に接
続されている。第２の差動増幅器７２の正入力端子は第
２のホール素子３５′の第３の電極５３′に接続され、
この負入力端子は第２のホール素子３５′の第４の電極
５４′に接続されている。従って、第１の差動増幅器７
１から得られる第１のホール電圧Ｖh1と第２の差動増幅
器７２から得られる第２のホール電圧−Ｖh2は互いに逆
の極性を有する。第３の差動増幅器７３の正入力端子は
第１の差動増幅器７１に接続され、この負入力端子は第
２の差動増幅器７２に接続されている。従って、第３の
差動増幅器７３からはＶh1−（−Ｖh2）＝Ｖh1＋Ｖh2の
出力が得られる。即ち、演算手段としての第３の差動増
幅器７３からは、第１の差動増幅器７１の出力Ｖh1の絶
対値と第２の差動増幅器７２の出力−Ｖh2の絶対値との
和が得られる。なお、第２の差動増幅器７２の出力段に
反転回路を設け、第３の差動増幅器７３の代りに加算器
を設けることによってＶh1＋Ｖh2を示す出力を得ること
もできる。
【００２９】第１及び第２のホール素子３５、３５′
は、図１９に示すように共通の半導体基体４２ａに形成
されている。勿論、第１及び第２のホール素子３５、３
５′を個別の半導体基体に形成することもできる。
は、図１９に示すように共通の半導体基体４２ａに形成
されている。勿論、第１及び第２のホール素子３５、３
５′を個別の半導体基体に形成することもできる。
【００３０】第２の実施形態は第１の実施形態の（１）
〜（１０）と同一の効果を有する他に次の効果も有す
る。 （１） 電流検出信号として、第１及び第２の電流検出
部即ち第１及び第２のホール素子３５、３５′の出力の
絶対値の加算値が得られるので、電流検出感度が大きく
なる。 （２） 電流通路形成用導体４ａの中間部分を第１及び
第２のホール素子３５、３５′で共用しているので、ス
ペースの増大が抑えられている。 （３） 第１及び第２のホール素子３５、３５′を並置
し、この合成出力を得る構成であり、且つ第１及び第２
のホール素子３５、３５′に対する磁界Ｈの方向が逆に
なるので、不要な外部磁界（ノイズ）が第１及び第２の
ホール素子３５、３５′に加わった場合にこれ等の相殺
が生じ、外部磁界の影響の少ない電流検出を行うことが
できる。即ち不要外部磁界に基づくホール電圧をＶ0 と
すると、第１の差動増幅器７１の出力はＶh1＋Ｖ0 、第
２の差動増幅器７２の出力は−Ｖh2＋Ｖ0 となり、第３
の差動増幅器７３の出力はＶh1＋Ｖ0 −（−Ｖh2＋Ｖ0
）＝Ｖh1＋Ｖh2となり、不要外部磁界の影響の少ない
出力を得ることができ、電流Ｉs の検出精度が向上す
る。
〜（１０）と同一の効果を有する他に次の効果も有す
る。 （１） 電流検出信号として、第１及び第２の電流検出
部即ち第１及び第２のホール素子３５、３５′の出力の
絶対値の加算値が得られるので、電流検出感度が大きく
なる。 （２） 電流通路形成用導体４ａの中間部分を第１及び
第２のホール素子３５、３５′で共用しているので、ス
ペースの増大が抑えられている。 （３） 第１及び第２のホール素子３５、３５′を並置
し、この合成出力を得る構成であり、且つ第１及び第２
のホール素子３５、３５′に対する磁界Ｈの方向が逆に
なるので、不要な外部磁界（ノイズ）が第１及び第２の
ホール素子３５、３５′に加わった場合にこれ等の相殺
が生じ、外部磁界の影響の少ない電流検出を行うことが
できる。即ち不要外部磁界に基づくホール電圧をＶ0 と
すると、第１の差動増幅器７１の出力はＶh1＋Ｖ0 、第
２の差動増幅器７２の出力は−Ｖh2＋Ｖ0 となり、第３
の差動増幅器７３の出力はＶh1＋Ｖ0 −（−Ｖh2＋Ｖ0
）＝Ｖh1＋Ｖh2となり、不要外部磁界の影響の少ない
出力を得ることができ、電流Ｉs の検出精度が向上す
る。
【００３１】
【第３の実施形態】次に、図２１を参照して第３の実施
形態の電流検出装置を説明する。但し、図２１において
図１と実質的に同一の部分には同一の符号を付してその
説明を省略する。図２１の電流検出装置は、図１の第１
の部品１を変形した第１の部品１ａを設け、この他は図
１と同一に形成したものである。図２１の第１の部品１
ａは、図１の電流通路形成用導体４を少し変形した電流
通路形成用導体４ｂを設け、この他は、図１と実質的に
同一に形成したものである。即ち、図２１では、電流通
路形成用導体４ｂの第１及び第２の端子部分７ａ、８ａ
が図１に比べて左側及び右側に延びている。また、電流
通路形成用導体４ｂの第１及び第２の端子部分７ａ、８
ａの間のＵ字状溝６を含む部分が第１の樹脂形成体５で
被覆されている。従って、電流通路形成用導体４ｂの第
１の端子部分７ａを含む一方の導出部が包囲体１００即
ち第１の樹脂成形体５の第２の側面１０４から導出さ
れ、第２の端子部分８ａを含む他方の導出部が包囲体１
００即ち第１の樹脂成形体５の第４の側面１０６から導
出されている。第２の部品２の外部リ−ド端子２２〜２
５は図１と同様に包囲体１００の第１の側面１０３から
導出されている。この結果、平面的に見て電流通路形成
用導体４の導出部と外部リ−ド端子２２〜２５の導出部
との重なり合いが生じていない。
形態の電流検出装置を説明する。但し、図２１において
図１と実質的に同一の部分には同一の符号を付してその
説明を省略する。図２１の電流検出装置は、図１の第１
の部品１を変形した第１の部品１ａを設け、この他は図
１と同一に形成したものである。図２１の第１の部品１
ａは、図１の電流通路形成用導体４を少し変形した電流
通路形成用導体４ｂを設け、この他は、図１と実質的に
同一に形成したものである。即ち、図２１では、電流通
路形成用導体４ｂの第１及び第２の端子部分７ａ、８ａ
が図１に比べて左側及び右側に延びている。また、電流
通路形成用導体４ｂの第１及び第２の端子部分７ａ、８
ａの間のＵ字状溝６を含む部分が第１の樹脂形成体５で
被覆されている。従って、電流通路形成用導体４ｂの第
１の端子部分７ａを含む一方の導出部が包囲体１００即
ち第１の樹脂成形体５の第２の側面１０４から導出さ
れ、第２の端子部分８ａを含む他方の導出部が包囲体１
００即ち第１の樹脂成形体５の第４の側面１０６から導
出されている。第２の部品２の外部リ−ド端子２２〜２
５は図１と同様に包囲体１００の第１の側面１０３から
導出されている。この結果、平面的に見て電流通路形成
用導体４の導出部と外部リ−ド端子２２〜２５の導出部
との重なり合いが生じていない。
【００３２】図２１の第３の実施形態は、図１の第１の
実施形態と同一の効果（１）〜（１１）を有する他に、
次の効果も有する。 （１） 第１の端子部分７ａと第２の端子部分８ａとが
互いに離間しているので、外部回路に対する第１及び第
２の端子部分７ａ、８ａの取付け作業が容易になる。 （２） 第１及び第２の端子部分７ａ、８ａの間が第１
の樹脂成形体５で被覆されているので、第１及び第２の
端子部分７ａ、８ａの短絡を防止することができる。
実施形態と同一の効果（１）〜（１１）を有する他に、
次の効果も有する。 （１） 第１の端子部分７ａと第２の端子部分８ａとが
互いに離間しているので、外部回路に対する第１及び第
２の端子部分７ａ、８ａの取付け作業が容易になる。 （２） 第１及び第２の端子部分７ａ、８ａの間が第１
の樹脂成形体５で被覆されているので、第１及び第２の
端子部分７ａ、８ａの短絡を防止することができる。
【００３３】
【第４の実施形態】図２２に示す第４の実施形態の変形
された電流通路形成用導体４ｃは、図８の溝６と同様に
機能するＪ字状溝６ａを有する。図２２においては、平
面的に見て点線で示すようにホール素子３５がＪ字状溝
６ａで囲まれた部分８０に配置される。Ｊ字状溝６ａに
囲まれた部分８０は電界又は電磁シールドとして機能
し、且つ放熱体としても機能する。図２２の電流通路形
成用導体４ｃを使用した電流検出装置は、第１の実施形
態と同一の効果を有する他に、シールド性向上及び放熱
性向上の効果を有する。
された電流通路形成用導体４ｃは、図８の溝６と同様に
機能するＪ字状溝６ａを有する。図２２においては、平
面的に見て点線で示すようにホール素子３５がＪ字状溝
６ａで囲まれた部分８０に配置される。Ｊ字状溝６ａに
囲まれた部分８０は電界又は電磁シールドとして機能
し、且つ放熱体としても機能する。図２２の電流通路形
成用導体４ｃを使用した電流検出装置は、第１の実施形
態と同一の効果を有する他に、シールド性向上及び放熱
性向上の効果を有する。
【００３４】
【第５の実施形態】図２３は、第５の実施形態の電流検
出装置を図１の第１の実施形態の電流検出装置と同様に
示すものである。図２３の電流検出装置は、図１の第２
の部品２を少し変形した第２の部品２ａを設け、この他
は図３と同一に形成したものである。
出装置を図１の第１の実施形態の電流検出装置と同様に
示すものである。図２３の電流検出装置は、図１の第２
の部品２を少し変形した第２の部品２ａを設け、この他
は図３と同一に形成したものである。
【００３５】図２３の第２の部品２ａは、ホール素子を
含む半導体チップ２０の位置を変えた他は、第１の実施
形態の第２の部品２と同一に形成されている。図２３で
は、ホール素子を含む半導体チップ２０が金属製支持板
２１の上面即ち電流通路形成用導体４に対向していない
主面上に配置されている。換言すれば、ホール素子を含
む半導体チップ２０と電流通路形成用導体４との間に金
属製支持板２１が配置されている。従って、図２３の金
属製支持板２１は、半導体チップ２０の静電シールドと
して機能する。第６の実施形態は第１の実施形態と同一
の効果を有す。
含む半導体チップ２０の位置を変えた他は、第１の実施
形態の第２の部品２と同一に形成されている。図２３で
は、ホール素子を含む半導体チップ２０が金属製支持板
２１の上面即ち電流通路形成用導体４に対向していない
主面上に配置されている。換言すれば、ホール素子を含
む半導体チップ２０と電流通路形成用導体４との間に金
属製支持板２１が配置されている。従って、図２３の金
属製支持板２１は、半導体チップ２０の静電シールドと
して機能する。第６の実施形態は第１の実施形態と同一
の効果を有す。
【００３６】
【第６の実施形態】図２４に示す第６の実施形態の電流
検出装置は、第１の実施形態の第１の部品１及び第２の
部品２を変形した第１の部品１ｂ及び第２の部品２ｂを
設け、この他は第１の実施形態と同一に形成したもので
ある。図２４の第１の部品１ｂは漏れ電流の検出に好適
な構造とするために、第１の実施形態のＵ字状電流通路
形成用導体４の代りに直線状に延びる第１及び第２の電
流通路形成用導体１１１，１１２を設け、これらを第１
の樹脂成形体１１３によって一体化し、この他は第１の
実施形態の第１の部品１と実質的に同一に形成したもの
である。第１及び第２の電流通路形成用導体１１１、１
１２は図１の溝６に相当する隙間６’を有して平行に配
置され、ホール素子３５は平面的に見て隙間６’の中に
配置されている。第１及び第２の電流通路形成用導体１
１１、１１２を相互に又は外部回路に接続するために第
１及び第２の端子部分７ａ、８ａの他に第３及び第４の
端子部分７ｃ、８ｃが設けられ、これ等が第１の樹脂成
形体１１３から突出している。第３及び第４の端子部分
７ｃ、８ｃには接続用の貫通孔１０ｃ、１０ｄが形成さ
れている。第１の樹脂成形体１１３は図１の第１の樹脂
成形体５に相当するものであって図１の第１及び第２の
位置決め部分５ａ、５ｂと同一の機能を有する第１及び
第２の位置決め部分１１４，１１５を有している。図２
４に示す第１及び第２の位置決め部分１１４，１１５に
対する第２の部品２ｂの装着は第１の実施形態と同様に
なされ、第２の部品２ｂは図示されていない接着層によ
って第１の部品１ｂに第１の実施形態と同様に固着され
ている。図２４の第２の部品２ｂは外部リード端子２２
〜２５の導出方向を変えた他は第１の実施形態と同一に
形成されている。即ち、図２４では平面的に見て第１の
樹脂成形体１１３の第２の側面１０４‘から外部リード
端子２２、２３が導出され、第４の側面１０４‘、１０
６’から外部リード端子２４、２５が導出されている。
第１及び第２の電流通路形成用導体１１１、１１２の第
１及び第２の端子部分７ａ、８ａは第３の側面１０５’
から導出され、第３及び第４の端子部分７ｃ、８ｃは第
１の側面１０１’から導出されている。
検出装置は、第１の実施形態の第１の部品１及び第２の
部品２を変形した第１の部品１ｂ及び第２の部品２ｂを
設け、この他は第１の実施形態と同一に形成したもので
ある。図２４の第１の部品１ｂは漏れ電流の検出に好適
な構造とするために、第１の実施形態のＵ字状電流通路
形成用導体４の代りに直線状に延びる第１及び第２の電
流通路形成用導体１１１，１１２を設け、これらを第１
の樹脂成形体１１３によって一体化し、この他は第１の
実施形態の第１の部品１と実質的に同一に形成したもの
である。第１及び第２の電流通路形成用導体１１１、１
１２は図１の溝６に相当する隙間６’を有して平行に配
置され、ホール素子３５は平面的に見て隙間６’の中に
配置されている。第１及び第２の電流通路形成用導体１
１１、１１２を相互に又は外部回路に接続するために第
１及び第２の端子部分７ａ、８ａの他に第３及び第４の
端子部分７ｃ、８ｃが設けられ、これ等が第１の樹脂成
形体１１３から突出している。第３及び第４の端子部分
７ｃ、８ｃには接続用の貫通孔１０ｃ、１０ｄが形成さ
れている。第１の樹脂成形体１１３は図１の第１の樹脂
成形体５に相当するものであって図１の第１及び第２の
位置決め部分５ａ、５ｂと同一の機能を有する第１及び
第２の位置決め部分１１４，１１５を有している。図２
４に示す第１及び第２の位置決め部分１１４，１１５に
対する第２の部品２ｂの装着は第１の実施形態と同様に
なされ、第２の部品２ｂは図示されていない接着層によ
って第１の部品１ｂに第１の実施形態と同様に固着され
ている。図２４の第２の部品２ｂは外部リード端子２２
〜２５の導出方向を変えた他は第１の実施形態と同一に
形成されている。即ち、図２４では平面的に見て第１の
樹脂成形体１１３の第２の側面１０４‘から外部リード
端子２２、２３が導出され、第４の側面１０４‘、１０
６’から外部リード端子２４、２５が導出されている。
第１及び第２の電流通路形成用導体１１１、１１２の第
１及び第２の端子部分７ａ、８ａは第３の側面１０５’
から導出され、第３及び第４の端子部分７ｃ、８ｃは第
１の側面１０１’から導出されている。
【００３７】図２４の電流検出装置を漏れ電流検出装置
として使用する時には、第１の電流通路形成用導体１１
１を対の電源ラインの一方即ち往路に直列に接続し、第
２の電流通路形成用導体１１２を対の電源ラインの他方
即ち復路に直列に接続する。また、第１及び第２の電流
通路形成用導体１１１，１１２における電流Ｉａ、Ｉｂ
の流れる方向を図２４において矢印で示すように同一方
向とする。電気回路において漏れ電流がなければ、往路
の電流Ｉａと復路の電流Ｉｂとは同一である。ホール素
子３５における電流Ｉａ、Ｉｂに基づく磁束の向きは互
いに逆であるので、ＩａとＩｂとが等しい時にはホール
電圧は発生しない。しかし、漏れ電流が有ると電流Ｉａ
とＩｂとが不一致になるので、この差に対応した磁束が
ホール素子３５に作用し、漏れ電流に比例したホール電
圧が発生する。
として使用する時には、第１の電流通路形成用導体１１
１を対の電源ラインの一方即ち往路に直列に接続し、第
２の電流通路形成用導体１１２を対の電源ラインの他方
即ち復路に直列に接続する。また、第１及び第２の電流
通路形成用導体１１１，１１２における電流Ｉａ、Ｉｂ
の流れる方向を図２４において矢印で示すように同一方
向とする。電気回路において漏れ電流がなければ、往路
の電流Ｉａと復路の電流Ｉｂとは同一である。ホール素
子３５における電流Ｉａ、Ｉｂに基づく磁束の向きは互
いに逆であるので、ＩａとＩｂとが等しい時にはホール
電圧は発生しない。しかし、漏れ電流が有ると電流Ｉａ
とＩｂとが不一致になるので、この差に対応した磁束が
ホール素子３５に作用し、漏れ電流に比例したホール電
圧が発生する。
【００３８】図２４の電流検出器は電流バランス検出器
としても使用することができる。第１及び第２の被測定
電流Ｉａ、Ｉｂを第１及び第２の電流通路形成用導体１
１１，１１２に流すと、この差に比例したホール電圧が
得られる。なお、図２４の第３及び第４の端子部分７
ｃ、８ｃを相互に接続し、第１の実施形態と同様にＵ字
状電流通路を形成し、第１の実施形態と同様に使用する
ことができる。第６の実施形態の電流検出装置は、第１
及び第２の位置決め部分１１４、１１５を有する第１の
部品１ｂに第２の部品２ｂを配置する構成であるので、
第１の実施形態と同一の効果も有する。
としても使用することができる。第１及び第２の被測定
電流Ｉａ、Ｉｂを第１及び第２の電流通路形成用導体１
１１，１１２に流すと、この差に比例したホール電圧が
得られる。なお、図２４の第３及び第４の端子部分７
ｃ、８ｃを相互に接続し、第１の実施形態と同様にＵ字
状電流通路を形成し、第１の実施形態と同様に使用する
ことができる。第６の実施形態の電流検出装置は、第１
及び第２の位置決め部分１１４、１１５を有する第１の
部品１ｂに第２の部品２ｂを配置する構成であるので、
第１の実施形態と同一の効果も有する。
【００３９】
【変形例】本発明は上述の実施形態に限定されるもので
なく、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図２３においてホール素子を含む半導体チップ
２０の上方に磁性体から成る集磁板を配置することがで
きる。 （２） 半導体基体４２、４２ａをシリコン等の別の半
導体で形成することができる。
なく、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図２３においてホール素子を含む半導体チップ
２０の上方に磁性体から成る集磁板を配置することがで
きる。 （２） 半導体基体４２、４２ａをシリコン等の別の半
導体で形成することができる。
【図１】第１の実施形態の付加樹脂層を設ける前の電流
検出装置を示す平面図である。
検出装置を示す平面図である。
【図２】図１の第１の実施形態の電流検出装置のＡ−Ａ
線の一部を示す断面図である。
線の一部を示す断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線を示す断面図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ線を示す断面図である。
【図５】図１の電流検出装置を第１及び第２の部品に分
解して図２と同様な断面で示す断面図である。
解して図２と同様な断面で示す断面図である。
【図６】図１の第１の部品の平面図である。
【図７】図１の第２の部品を示す平面図である。
【図８】図６の第１の部品の電流通路形成用導体を示す
断面図である。
断面図である。
【図９】図７の第２の部品を樹脂成形体を省いて示す平
面図である。
面図である。
【図１０】図９の半導体チップの底面図である。
【図１１】図１０の半導体基体のホール素子部分を示す
平面図である。
平面図である。
【図１２】図１０のＤ−Ｄ線の一部を示す断面図であ
る。
る。
【図１３】付加樹脂層を設けた電流検出装置を図２と同
様に示す断面図である。
様に示す断面図である。
【図１４】付加樹脂層を設けた電流検出装置を図３と同
様に示す断面図である。
様に示す断面図である。
【図１５】第２の実施形態の電流検出装置の第１の部品
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１６】第２の実施形態の第２の部品を示す平面図で
ある。
ある。
【図１７】図１５の電流通路形成用導体を示す平面図で
ある。
ある。
【図１８】第２の実施形態のＳ字状電流通路と第１及び
第２のホール素子とを示す平面図である。
第２のホール素子とを示す平面図である。
【図１９】第２の実施形態の電流検出装置の一部を図１
８のＥ−Ｅ線に相当する部分で示す断面図である。
８のＥ−Ｅ線に相当する部分で示す断面図である。
【図２０】第２の実施形態の電流検出装置を示す電気回
路図である。
路図である。
【図２１】第３の実施形態の電流検出装置を図１と同様
に示す平面図である。
に示す平面図である。
【図２２】第４の実施形態の電流通路形成用導体を示す
平面図である。
平面図である。
【図２３】第５の実施形態の電流検出装置を図１４と同
様に示す断面図である。
様に示す断面図である。
【図２４】第６の実施形態の電流検出装置を図１と同様
に示す断面図である。
に示す断面図である。
１、２ 第１及び第２の部品
３ 接着層
４ 電流通路形成用導体
５、３０ 樹脂成形体
５ａ、５ｂ 位置決め部分
２０ 半導体チップ
２１ 支持板
２２〜２５ 外部リード端子
３５ ホール素子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 大塚 康二
埼玉県新座市北野三丁目６番３号 サンケ
ン電気株式会社内
(72)発明者 加藤 隆志
埼玉県新座市北野三丁目６番３号 サンケ
ン電気株式会社内
Ｆターム(参考） 2G025 AA11 AB02
2G035 AA08 AB02 AC01 AD01 AD20
AD22
Claims (12)
- 【請求項１】 電気回路の電流を検出又は測定するため
の装置であって、前記電気回路の電流を流すための電流
通路形成用導体と前記電流通路形成用導体の一部を被覆
しており且つ後記第２の部品を位置決めするための位置
決め部分を有している第１の絶縁性被覆体とから成る第
１の部品と、ホール素子と、前記ホール素子を外部回路
に接続するための複数のリード端子と、前記ホール素子
と前記複数のリード端子の一部とを被覆している第２の
絶縁性被覆体とから成り、且つ前記電流通路形成用導体
を流れる電流の基づいて発生する磁界が前記ホール素子
に作用するように前記第１の部品の前記位置決め部分に
対して位置決めされている第２の部品と、前記第１の部
品に前記第２の部品を固着している接着層と備えている
ことを特徴とする電流検出装置。 - 【請求項２】 前記第１の絶縁性被覆体の前記位置決め
部分は、前記第２の部品の前記第２の絶縁性被覆体を位
置決めするための第１の位置決め部分と、前記複数のリ
ード端子を位置決めするための第２の位置決め部分とか
ら成ることを特徴とする請求項１記載の電流検出装置。 - 【請求項３】 前記電流通路形成用導体は、溝を介して
並置されている第１及び第２の部分と前記第１及び第２
の部分を連結する第３の部分とを有し、全体としてＵ字
状電流通路を形成する板状体であり、前記ホ−ル素子の
主動作領域が平面的に見て前記溝の内側に配置されてい
ることを特徴とする請求項１又は２記載の電流検出装
置。 - 【請求項４】 前記電流通路形成用導体は、その外周縁
から内側に向かって切り込まれた電流通路を狭めるため
の溝を有していることを特徴とする請求項３記載の電流
検出装置。 - 【請求項５】 前記第２の部品は、更に、前記ホール素
子を支持する金属製支持板を有し、前記支持板は前記第
２の絶縁性被覆体で被覆されており且つ前記電流通路形
成用導体に対向するように配置され、前記ホ−ル素子は
前記支持板の前記電流通路形成用導体に対向する側の主
面に配置されていることを特徴とする請求項１又は２又
は３又は４記載の電流検出装置。 - 【請求項６】 前記第２の部品は、更に、前記ホール素
子を支持する金属製支持板を有し、前記支持板は前記第
２の絶縁性被覆体で被覆されており且つ前記電流通路形
成用導体に対向するように配置され、前記ホ−ル素子は
前記支持板の前記電流通路形成用導体に対向する側の主
面と反対側の主面に配置されていることを特徴とする請
求項１又は２又は３又は４記載の電流検出装置。 - 【請求項７】 前記第１の絶縁性被覆体は、前記電流通
路形成用導体の外部接続用端子部分と前記第２の絶縁性
被覆体に対向する部分とを被覆しないように形成されて
いることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載
の電流検出装置。 - 【請求項８】 前記ホ−ル素子は半導体基体に形成され
ており、更に、前記半導体基体に前記ホ−ル素子の出力
電圧を増幅する増幅器が形成され、前記複数のリード端
子は前記増幅器を介して前記ホール素子に接続されてい
ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の
電流検出装置。 - 【請求項９】 前記ホ−ル素子は第１の電流検出部と第
２の電流検出部との組み合せから成り、前記第１の電流
検出部の出力と前記第２の電流検出部の出力との合成信
号を出力するものであることを特徴とする請求項１記載
の電流検出装置。 - 【請求項１０】 前記電流通路形成用導体は平面的に見
て前記第１及び第２の絶縁性被覆体から成る包囲体から
導出された導出部を有し、前記複数のリ−ド端子は平面
的に見て前記包囲体から導出された導出部を有し、平面
的に見て、前記電流通路形成用導体の前記導出部が前記
複数のリ−ド端子の前記導出部に重ならないように配置
されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか
に記載の電流検出装置。 - 【請求項１１】 前記包囲体は互いに対向する第１及び
第２の主面と第１及び第２の主面間の第１、第２、第３
及び第４の側面とを有し、前記リード端子の導出部は前
記第１の側面から導出され、前記電流通路形成用導体の
一方の導出部は前記第２の側面から導出され、前記電流
通路形成用導体の他方の導出部は前記第４の側面から導
出されていることを特徴とする請求項１０記載の電流検
出装置。 - 【請求項１２】 前記電流通路形成用導体は、第１及び
第２の電流通路用導体（111、112）から成り、第１及び
第２の電流通路形成用導体（111、112）はここに流れる
電流に基づく磁界を前記ホ−ル素子に作用させることが
できるように配置されていることを特徴とする請求項１
に記載の電流検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001182247A JP4164625B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | ホ−ル素子を備えた電流検出装置 |
| EP02012749A EP1267173A3 (en) | 2001-06-15 | 2002-06-07 | Hall-effect current detector |
| US10/166,203 US6841989B2 (en) | 2001-06-15 | 2002-06-10 | Hall-effect current detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001182247A JP4164625B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | ホ−ル素子を備えた電流検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003004773A true JP2003004773A (ja) | 2003-01-08 |
| JP4164625B2 JP4164625B2 (ja) | 2008-10-15 |
Family
ID=19022389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001182247A Expired - Fee Related JP4164625B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | ホ−ル素子を備えた電流検出装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4164625B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013245942A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 電流センサ |
| JPWO2013008466A1 (ja) * | 2011-07-13 | 2015-02-23 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流センサ用基板及び電流センサ |
| JP2015190930A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流センサ |
| JP2016148652A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-08-18 | メレクシス・テクノロジーズ・ナムローゼフェンノートシャップ | 電流センサの作製方法 |
| JP2017116545A (ja) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | メレクシス テクノロジーズ エスエー | 電流センサを作成する方法および電流センサ |
-
2001
- 2001-06-15 JP JP2001182247A patent/JP4164625B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013008466A1 (ja) * | 2011-07-13 | 2015-02-23 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流センサ用基板及び電流センサ |
| JP2013245942A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 電流センサ |
| JP2015190930A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流センサ |
| JP2016148652A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-08-18 | メレクシス・テクノロジーズ・ナムローゼフェンノートシャップ | 電流センサの作製方法 |
| JP2017116545A (ja) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | メレクシス テクノロジーズ エスエー | 電流センサを作成する方法および電流センサ |
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