JPH0918067A - 磁電変換素子およびその製造方法 - Google Patents
磁電変換素子およびその製造方法Info
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Abstract
る磁電変換素子を提供する。 【構成】 本発明の磁電変換素子は、磁気抵抗効果膜に
接続した短絡膜の一部が端子電極としてはたらく構成を
有している。この端子電極は、多数個の磁電変換素子と
なる磁気抵抗効果膜が基板に形成された状態で、保護膜
をマスクとして、磁気抵抗効果膜を除去することによ
り、電極膜の一部を露出させて形成される。したがって
多数個の磁電変換素子に端子電極を同時に形成できると
共に、精度よく形成できる。
Description
する性質を応用した磁電変換素子およびその製造方法に
関する。
用いて説明する。図12は従来の磁電変換素子30の断
面図、図13は磁電変換素子30を構成する短絡膜が形
成された磁気抵抗効果膜の平面図、図14〜21は従来
の磁電変換素子30の製造工程を示す図である。
図および図13の平面図に示すように、長方形状を有す
る磁気抵抗効果膜1に、金属上層2aと金属下層2bと
の二層からなる複数個の短絡膜2...2が磁気抵抗効
果膜1の長辺方向に断続的に配置して形成され、磁気抵
抗効果膜1の両端に短絡膜2...2と同一の二層構造
を有する電極部3、3が形成され、磁気抵抗効果膜1の
短絡膜2...2および電極部3、3が形成された面が
樹脂層4により基板5に接着され、磁気抵抗効果膜1の
接着された面とは反対側の面に保護膜6が形成され、電
極部3、3に接続するように素子の両端に端子電極8、
8が形成された構造を有している。
抵抗値が変化するInSbにより形成され、金属上層2
aは比抵抗が小さく膜形成が容易なAlにより形成さ
れ、金属下層2bは磁気抵抗効果膜1との接着強度が大
きいTiにより形成され、保護膜6は樹脂あるいは金属
酸化物により形成され、基板5はフェライトからなる磁
性体あるいはアルミナや窒化ケイ素などの絶縁体によ
り、それぞれ形成されている。
4〜21を用いて説明する。なお本工程においては、複
数個の磁電変換素子が同時に基板に形成される。
らなるバルク7を準備し、表面に長方形状を有する複数
個の磁気抵抗効果膜1をフォトリソグラフィ−法により
形成する。次に図15に示す第2工程で、Tiからなる
金属下層2bを、続いてAlからなる金属上層2aを蒸
着する。次に図16に示す第3工程で、フォトリソグラ
フィ−法により金属上層2aおよび金属下層2bを、複
数個の短絡膜2...2と、電極部3、3とに形成す
る。次に図17に示す第4工程で、複数個の短絡膜
2...2および電極部3、3の形成面を樹脂層4によ
り基板5に接着する。次に図18に示す第5工程で、バ
ルク7を研磨により薄膜化し、個々の磁気抵抗効果膜1
を削り出す。次に図19に示す第6工程で、磁気抵抗効
果膜1を保護するために、樹脂あるいは金属酸化物から
なる保護膜6を形成する。次に図20に示す第7工程
で、個々の素子に切断分離することにより、電極部3、
3の端部を素子の端面に露出させる。次に図21に示す
第8工程で、電極部3、3に接続するように、三元マグ
ネトロンスパッタリングによりAg、Cu−Niあるい
はNi−Crからなる端子電極8、8を、素子の端面に
形成し、チップ型の磁電変換素子30を得る。
磁電変換素子は、複数個の素子に同時に端子電極を形成
しようとすると、素子が小さく保持しにくいために、端
子電極の形成位置や大きさが安定しなかった。また、端
面電極を形成する工程が必要であり、コストアップの要
因となっていた。
解決するためになされたものであり、保護膜および磁気
抵抗効果膜を除去することにより金属下層を露出させ
て、露出部を端子電極としたチップ型の磁電変換素子お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に断続的に形成され
た複数個の短絡膜と、前記磁気抵抗効果膜に接続する端
子電極とを有し、前記磁気抵抗効果膜の短絡膜が形成さ
れた一方の面が樹脂層により基板に接着され、前記磁気
抵抗効果膜の他方の面に保護膜が形成された磁電変換素
子において、磁気抵抗効果膜の両端が削除されるととも
に保護膜で被覆されないことにより、短絡膜が端子電極
としてはたらくことを特徴とする。
法は、磁気抵抗効果膜と短絡膜と端子電極とを有し、前
記磁気抵抗効果膜が保護膜で被覆されている磁電変換素
子の製造方法において、保護膜をマスクとして、前記磁
気抵抗効果膜の端部を除去することにより、露出した短
絡膜を端子電極に形成することを特徴とする。
は、基板に磁気抵抗効果膜が多数個形成された状態で、
保護膜の一部を除去したのち、残りの保護膜をマスクと
してエッチング法により磁気抵抗効果膜を除去し、露出
した短絡膜を端子電極に形成するので、他数個の磁電変
換素子に端子電極を同時にしかも精度よく形成すること
ができる。
11を用いて説明する。図1は本発明の一実施例の磁電
変換素子20の断面図、図2〜11は本発明の磁電変換
素子20の製造工程を示す図である。なお従来例と同一
の部分については同一の符号を用いその説明を省略す
る。
(a)の断面図に示すように、複数個の金属上層2aお
よび金属下層2bからなる二層構造を有する短絡膜
2...2が断続的に形成された磁気抵抗効果膜1が、
短絡膜2...2の形成面側を基板5に樹脂層4により
接着され、磁気抵抗効果膜1の短絡膜2...2が形成
された面と反対側の面に樹脂からなる保護膜6が形成さ
れ、磁気抵抗効果膜1の端部に形成された短絡膜
2...2を構成する金属上層2aが端子電極9、9と
して機能する構造を有している。
2〜11を用いて説明する。
なり磁気抵抗効果を有するバルク7を準備し、フォトリ
ソグラフィ−法を用いて、複数個の長方形状を有する磁
気抵抗効果膜1に形成する。次に図3に示す第2工程
で、まずTiからなる金属下層2bを、続いてAuから
なる金属上層2aを蒸着する。次に図4に示す第3工程
で、フォトリソグラフィ−法により金属上層2aおよび
金属下層2bを、複数個の短絡膜2...2と、電極部
3、3とに形成する。次に図5に示す第4工程で、複数
個の短絡膜2...2および電極部3、3の形成面を樹
脂層4により基板5に接着する。次に図6に示す第5工
程で、バルク1を研磨により薄膜化し、磁気抵抗効果膜
1...1とする。なおこの工程までは複数個の磁気抵
抗効果膜1が互いに電極部3でつながっている。次に図
7に示す第6工程で、磁気抵抗効果膜1にエポキシ樹脂
などの感光性樹脂10を塗布する。次に図8に示す第7
工程で、磁気抵抗効果膜1に接続する電極部3の一部を
除く、ほぼ全面に塗布された感光性樹脂10を、フォト
リソグラフィ−法により露光し硬化させ保護膜6とす
る。次に図9に示す第8工程で、硬化していない部分を
溶剤により除去する。次に図10に示す第9工程で、保
護膜6をマスクとして、磁気抵抗効果膜1の端部、およ
び磁気抵抗効果膜1に接続する電極部3を構成する金属
下層2bとを、フッ酸および硝酸の混合物をエッチング
液として用いるウエットエッチング法により除去し、A
uからなる金属上層2aを露出させる。この露出した金
属上層2aは端子電極9、9としてはたらく。次に図1
1に示す第9工程で、個々の素子を端子電極9、9の部
分でダイシングソ−により切断分離し、磁電変換素子2
0を得る。
ように、端子電極9、9に接続する外部接続用の接続電
極11、11が素子の端面に形成されていてもよい。
る短絡膜はAuからなる金属上層とTiからなる金属下
層とからなる二層構造を有する場合に着いて述べたが、
Auからなる金属上層のみから形成されていてもよい。
する基板5は、フェライトからなる磁性体基板や、アル
ミナや窒化ケイ素からなる絶縁基板や、ガラスエポキシ
基板を用いることができる。
構成する感光性樹脂は、エポキシ樹脂に限定されるわけ
ではなく、感光性を有する樹脂であればどんな材料でも
よいので、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリイソプレ
ン、ノボラック樹脂、ベンゾフェノン誘導体、ヒドロキ
シエチルメタクリレ−ト、ポリアミド、ポリスチレン−
ポリイソプレン共重合体、ジアゾ樹脂などから選ばれる
一種あるいは複数種の様々な樹脂を用いることができ
る。
構成するAuからなる金属上層2aは、スパッタリング
法や蒸着法で形成する場合についてのべたが、メッキ形
成されてもよいし、スクリ−ン印刷などの厚膜形成技術
で形成されてもよい。またその材料もAuに限定される
わけではなく、磁気抵抗効果膜1と金属下層2bとをエ
ッチングするときにエッチング液に溶解しない材料であ
ればAg、Cu、Ni、Ni−Cr合金、Cu−Ni合
金、Pb−Sn合金などから選ばれるさまざまな金属を
用いることができる。
する保護膜は、感光性樹脂を塗布したのち、フォトリソ
グラフィ−法により形成する場合について述べたが、ス
クリ−ン印刷やマスクパタ−ンを用いたマスクスプレ−
法によっても形成することが可能である。
膜と同一工程で形成された金属下層だけからなるチップ
型の磁電変換素子について述べたが、端子電極に接続す
るとともに素子の端面にわたって形成された接続電極を
有するチップ型の磁電変換素子についても適用できる
し、外部接続用の端子が上記端子電極に半田付け接続さ
れた構造を有するリ−ド型の磁電変換素子についても適
用することができる。
果膜の端部および短絡膜を構成する金属下層を、保護膜
をマスクとしてエッチング法により除去することにより
金属上層を露出させ、金属上層を外部の素子と接続する
ための端子電極とするので、フォトリソグラフィ−法を
用いて同時に他数個の磁電変換素子に端子電極を高精度
に形成できる。
る。
おける断面図である。
おける断面図である。
おける断面図である。
おける断面図である。
おける断面図である。
おける断面図である。
おける断面図である。
おける断面図である。
における断面図である。
程における断面図である。
膜の平面図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜
に断続的に形成された複数個の短絡膜と、前記磁気抵抗
効果膜に接続する端子電極とを有し、前記磁気抵抗効果
膜の短絡膜が形成された一方の面が樹脂層により基板に
接着され、前記磁気抵抗効果膜の他方に面に保護膜が形
成された磁電変換素子において、磁気抵抗効果膜の両端
が削除されるとともに保護膜で被覆されないことによ
り、短絡膜が端子電極としてはたらくことを特徴とする
磁電変換素子。 - 【請求項2】 磁気抵抗効果膜と短絡膜と端子電極とを
有し、前記磁気抵抗効果膜が保護膜で被覆されている磁
電変換素子の製造方法において、保護膜をマスクとし
て、前記磁気抵抗効果膜の端部を除去することにより、
露出した短絡膜を端子電極に形成することを特徴とする
磁電変換素子の製造方法。
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JP16621795A JP3528012B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 磁電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP16621795A JP3528012B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 磁電変換素子の製造方法 |
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JPH0918067A true JPH0918067A (ja) | 1997-01-17 |
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JP16621795A Expired - Lifetime JP3528012B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 磁電変換素子の製造方法 |
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JP (1) | JP3528012B2 (ja) |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP16621795A patent/JP3528012B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JP3528012B2 (ja) | 2004-05-17 |
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