JP2654655B2 - 抵抗器の製造方法 - Google Patents

抵抗器の製造方法

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JP2654655B2 JP63014311A JP1431188A JP2654655B2 JP 2654655 B2 JP2654655 B2 JP 2654655B2 JP 63014311 A JP63014311 A JP 63014311A JP 1431188 A JP1431188 A JP 1431188A JP 2654655 B2 JP2654655 B2 JP 2654655B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は抵抗器の製造方法に関し、さらに詳しくは基
板集合体処理で製造され各種電子,電気機器の回路要素
として用いられるチップ型等の抵抗器の製造方法に関す
る。
(従来の技術) 従来におけるこの種の抵抗器20の接続方法の概要を、
第7図を参照して説明する。
この製造方法は、まず例えばアルミナ基板21上にNiCr
合金等を用いた抵抗体層22を形成した後、この抵抗体層
22上の所定の領域に所定寸法の電極層23a,23bをスパッ
タリング,蒸着等の方法により形成するか又は、抵抗体
膜全域に電極層(Cu及び又はCu合金等)を形成した後電
極層のうち必要領域に、レジスト層24a,24bを形成し、
不必要領域の電極層を除去することにより、電極パター
ンを形成する。さらに低抗体層22をフォトリソグラフィ
ー等で抵抗パターンを形成して抵抗器20を得るものであ
る。
しかしながら、上述した従来方法では、電極層23a,23
bをスパッタリングや蒸着等の方法で形成するものであ
るため、これら各層形成時に大きな問題点が生じる。
すなわち例えば、電極層23a,23bの膜圧をある程度厚
くすると、抵抗体層22との密着強度が悪化し、かつスパ
ッタリングや蒸着の時間が長いことによる製造コストの
高騰を招いてしまう。
また、接続用導体層24a,24bについては、その膜厚が
薄すぎるとこれら自体の抵抗値が大きくなり、特に抵抗
体層22が低抵抗値である抵抗器20の場合には、抵抗体層
22に対するトリミング時と完成した抵抗器20とにおける
抵抗値の差が大きくなって、製品としての抵抗器20にお
ける抵抗値が大幅に異なってしまう。
(発明が解決しようとする課題) 上述したように従来の抵抗器の製造方法においては、
その製造方法に起因して各層の密着強度の悪化や製造コ
ストの高騰を招いたり、抵抗値の安定した製品を得るこ
とができないという問題がある。
そこで、本発明は電極部を構成する各層の密着強度が
良く、製造コストも低減できると共に、安定した抵抗値
を有する製品を提供することができる抵抗器の製造方法
を提供することを目的とするものである。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、アルミナ製の基板上にNiCr合金製の抵抗体
層をスパッタリング法で形成する工程と、この抵抗体層
上の全域にCu製の電極層をスパッタリング法で形成する
工程と、この電極層のうち必要領域以外の領域にレジス
ト層を形成する工程と、前記電極層の必要領域にメッキ
法によりCu製の接続用導体層を形成する工程と、この接
続用導体層上にメッキ法によるNi,Ag,Au,Snのいずれか
1つの材料からなる保護層を形成する工程と、前記レジ
スト層及びこのレジスト層に対応する領域の電極層を除
去する工程とを有するものである。
(作 用) 上述した構成からなる抵抗器の製造方法によれば、基
板上に抵抗体層,電極層を形成すると共に、この電極層
の必要領域以外の領域をレジスト層で被覆し必要領域の
みにメッキ法による接続導体層を、さらにこの接続導体
層上にメッキ法による導体製の保護層を形成した後、前
記レジスト層及びこのレジスト層に対応する領域の電極
層を除去して抵抗器を得るものであるから、所望の厚さ
を有し、密着強度が大きく、しかも抵抗値の低い電極部
分を有する抵抗器を低コストで製造することができる。
特に保護層を半田付性があり、エッチャントにおかされ
ない材料としてのNi,Ag,Au,Snのいずれか1つを使用し
たので、接続用導体層との密着強度が大きく、しかも製
造コスト低減に寄与する。
(実施例) 以下に、本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は、本実施例方法により得られるチップ型の抵
抗器1を示すものである。
この抵抗器1は、アルミナ製の基板2と、この基板2
の一方の面に形成したNiCr合金製の抵抗体層3と、この
抵抗体層3上の必要領域、すなわち、電極部分を形成す
る領域に形成された2ケ所の電極層4a,4bと、両電極層4
a,4b上にそれぞれ形成したCu製の接続用導体層5a,5b
と、両接続用導体層5a,5b上にそれぞれ形成した保護層6
a,6bとを有し、前記一方の電極層4a,接続用導体層5a及
び保護層6aにより一方の電極部7aを、他方の電極層4b,
接続用導体層5b及び保護層6bにより他方の電極部7bをそ
れぞれ構成している。
次に、上記構成の抵抗器1の製造工程について第2図
乃至第6図をも参照して説明する。
まず、アルミナ製の平坦な基板2を用意し、この基板
2の一方の面全体にNiCr合金からなる抵抗体層3を所定
の厚さ(約250Å)にスパッタリングの方法で形成す
る。さらに、この抵抗体層3の上面全体に第2図に示す
ようにスパッタリング,によりCu製の電極層4を所定の
厚さ(約2000Å)に形成した。
次に、第3図に示すようにフォトリソグラフィーの方
法により、前記電極部7a,7bを形成すべき領域を除く電
極層4の上面に所定厚さ(約2.5μm)のレジスト層5
を形成する。さらに、電極層4上の電極部7a,7bを形成
すべき領域に対し、第4図に示すように湿式メッキの方
法によりCu製の接続用導体層8a,8bをそれぞれ所定の厚
さ(約5μm)に形成した。
この接続用導体層8a,8bは湿式メッキの方法で形成す
るものであるから、その厚さを任意に設定でき、例えば
製造すべき抵抗器1が低抵抗値のものであれば、その厚
さを通常の場合よりも厚くしてこの接続用導電体層8a,8
b自体の抵抗値を低くする。
また、この接続用導体層8a,8bは上述したように湿式
メッキの方法で形成するものであるから、電極層4に対
する密着強度も大きく、しかも、スパッタリング等で形
成する場合に比較し製造コストが大幅に低減する。
次に、上述した接続用導体層8a,8bの上面に第5図に
示すように再度湿式メッキの手法によりNi等の材質から
なる導体製の保護層9a,9bを所定の厚さ(本実施例ではN
iを約1μm)に形成する。この保護層9a,9bの材質とし
ては、半田付性が有り、かつ後述するエッチング処理の
際のエッチャントにおかされない上述したNiやAg,Au,Sn
等のような金属を用いる。
この保護層9a,9bも湿式メッキの方法で形成するの
で、接続用導体層8a,8bとの密着強度が大きく、しか
も、製造コスト低減に寄与する。
次に、第6図に示す前記レジスト層5の剥離処理と、
前記電極部7a,7b以外の領域の電極層4に対するエッチ
ング処理からなる不要部分の除去処理を行うことによ
り、電極パッドが形成できる。さらにこの後、フォトリ
ソグラフィーにより抵抗パターンの形成,トリミング等
を行い、第1図に示す抵抗器1を得ることができる。
このような抵抗器1の製造方法によれば、電極部7a,7
bの厚さを容易に厚くすることができるので、これら自
体の抵抗値が小さくなり、低抵抗値の抵抗器1の場合に
も、抵抗体層3に対するトリミング等の影響を受けるこ
とがない安定した抵抗値を有する製品を歩留り良く製造
できる。これに付随して、抵抗器1の抵抗値の下限範囲
を広げることも可能となる。
また、電極部7a,7bを構成する接続用導体層8a,8b及び
保護層9a,9bを湿式メッキの方法で形成するので、これ
らの密着強度が大きくなるとともに、製造コストの低減
をも図ることができる。
さらに、接着用導体層8a,8bは必要とする領域のみ厚
くすれば良いので、材料ロスが無くなり、この点からも
製造コストの低減に寄与する。
本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、
その要旨の範囲内で種々の変形が可能である。例えば接
続用導体層8a,8bと保護層9a,9bの材料を適当に選べば両
者の機能を満すことも可能となる。
[発明の効果] 以上詳述した発明によれば、電極部の密着強度が大き
く、安定した抵抗値を有する製品をローコストに製造す
ることができる抵抗器の製造方法を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例方法により製造される抵抗器を
示す断面図、第2図乃至第6図はそれぞれ実施例方法の
製造工程を示す断面図、第7図は従来方法で製造される
抵抗器を示す断面図である。 1……抵抗器、2……基板、3……抵抗体層、 4a,4b……電極層、 5a,5b……接続用導体層、 6a,6b……保護層。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アルミナ製の基板上にNiCr合金製の抵抗体
    層をスパッタリング法で形成する工程と、この抵抗体層
    上の全域にCu製の電極層をスパッタリング法で形成する
    工程と、この電極層のうち必要領域以外の領域にレジス
    ト層を形成する工程と、前記電極層の必要領域にメッキ
    法によりCu製の接続用導体層を形成する工程と、この接
    続用導体層上にメッキ法によるNi,Ag,Au,Snのいずれか
    1つの材料からなる保護層を形成する工程と、前記レジ
    スト層及びこのレジスト層に対応する領域の電極層を除
    去する工程とを有することを特徴とする抵抗器の製造方
    法。
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