JPH03280459A - ハイブリッドｉｃ基板 - Google Patents
ハイブリッドｉｃ基板Info
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- JPH03280459A JPH03280459A JP7892290A JP7892290A JPH03280459A JP H03280459 A JPH03280459 A JP H03280459A JP 7892290 A JP7892290 A JP 7892290A JP 7892290 A JP7892290 A JP 7892290A JP H03280459 A JPH03280459 A JP H03280459A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はハイブリッドＩＣ基板に関する。
従来のハイブリッドＩＣ基板の一例を第４図を参照して
説明する。第４図において、Ｔｉなどからなる導電性基
板ベース材１上に、ＡＩ２０ｉなどからなる絶縁層２が
形成され、更にその上にＡＩなどからなる導体層３のパ
ターンが形成されている。通常は、この上に絶縁層が堆
積され、この絶縁層にバイアホールが形成され、更に導
体層３と接続する導体層が形成される。この基板上に、
ベアチップ、抵抗、コンデンサなどを実装し、樹脂モー
ルドやメタルパッケージで気密封止することにより、ハ
イブリッドＩＣを製造することができる。
説明する。第４図において、Ｔｉなどからなる導電性基
板ベース材１上に、ＡＩ２０ｉなどからなる絶縁層２が
形成され、更にその上にＡＩなどからなる導体層３のパ
ターンが形成されている。通常は、この上に絶縁層が堆
積され、この絶縁層にバイアホールが形成され、更に導
体層３と接続する導体層が形成される。この基板上に、
ベアチップ、抵抗、コンデンサなどを実装し、樹脂モー
ルドやメタルパッケージで気密封止することにより、ハ
イブリッドＩＣを製造することができる。
従来のハイブリッドＩＣ基板では、導体層３は電気抵抗
や絶縁層（／’１４）２０ｉやＳｉＯ□）との密着性な
ど要求される特性を満足する１種の金属材料例えばＡＮ
で構成されている。
や絶縁層（／’１４）２０ｉやＳｉＯ□）との密着性な
ど要求される特性を満足する１種の金属材料例えばＡＮ
で構成されている。
しかし、従来のハイブリッドＩＣ基板は、導体層３が単
一材料で構成されているため、特性の改善、歩留りの向
上が困難である。
一材料で構成されているため、特性の改善、歩留りの向
上が困難である。
例えば、Ａｐからなる導体ＷＩ３の電気抵抗を更に減少
させることが要求される場合、導体層３の厚みを増加し
なければならない。また、ＡＩＩからなる導体層３上に
５ｉＱ２などの絶縁層を堆積した後、バイアホールを形
成する場合、Ａｌは絶縁層のエツチング液であるＩＦ液
に溶解するため、バイアホールの信頼性が低下し、歩留
りが低下する。
させることが要求される場合、導体層３の厚みを増加し
なければならない。また、ＡＩＩからなる導体層３上に
５ｉＱ２などの絶縁層を堆積した後、バイアホールを形
成する場合、Ａｌは絶縁層のエツチング液であるＩＦ液
に溶解するため、バイアホールの信頼性が低下し、歩留
りが低下する。
このほか、例えば高速動作が要求される基板では、体積
抵抗率の小さい導体層が必要となる。また、耐環境性が
要求される基板では、絶縁層との間で熱膨張係数がマツ
チングした導体層が必要となる。そして、これらの特性
のうち、特に２種以上の特性を満足することが要求され
る場合、単一材料からなる導体層では要求を満たすこと
が困難である。
抵抗率の小さい導体層が必要となる。また、耐環境性が
要求される基板では、絶縁層との間で熱膨張係数がマツ
チングした導体層が必要となる。そして、これらの特性
のうち、特に２種以上の特性を満足することが要求され
る場合、単一材料からなる導体層では要求を満たすこと
が困難である。
本発明の目的は、特性を改善でき、信頼性、歩留りを向
上できるハイブリッドＩＣ基板を提供することにある。
上できるハイブリッドＩＣ基板を提供することにある。
本発明のハイブリッドＩＣ基板は、基板ベース材上に、
絶縁層及び導体層を交互に形成した７〜イブリツドＩＣ
基板において、前記導体層が２種以上の導電性物質を積
層した構造を有することを特徴とするものである。
絶縁層及び導体層を交互に形成した７〜イブリツドＩＣ
基板において、前記導体層が２種以上の導電性物質を積
層した構造を有することを特徴とするものである。
本発明において、導電性の基板ベース材としては、例え
ばＡｌ 、Ｃｕ５Ｗ、Ｔ ｔ、ＦＲＭなどが用いられる
。
ばＡｌ 、Ｃｕ５Ｗ、Ｔ ｔ、ＦＲＭなどが用いられる
。
本発明において、絶縁層としては、例えばＡｌＩ２０１
、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、マイカ、サファイアなどが挙げ
られる。これらの形成方法としては、真空蒸着法、ＣＶ
Ｄ法、スパッタ法などが挙げられる。
、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、マイカ、サファイアなどが挙げ
られる。これらの形成方法としては、真空蒸着法、ＣＶ
Ｄ法、スパッタ法などが挙げられる。
本発明において、積層構造の導体層を構成する導電性物
質としては、Ａｐｓ Ｃｕｓ Ａｕ、Ａｇ５Ｔｉ、Ｃｒ
、Ｎｉや、その他の金属が挙げられる。
質としては、Ａｐｓ Ｃｕｓ Ａｕ、Ａｇ５Ｔｉ、Ｃｒ
、Ｎｉや、その他の金属が挙げられる。
これらの形成方法としては、真空蒸着法、スパッタ法な
どが挙げられる。導体層を構成する２種以上の導電性物
質の材質及び膜厚は、目的とする基板の特性の改善、信
頼性の向上などの観点から、導電性物質の電気的、物理
的、化学的特性を考慮して、適宜選択される。この導体
層は、単一材料の形成方法を複数回繰り返すことにより
形成することができる。
どが挙げられる。導体層を構成する２種以上の導電性物
質の材質及び膜厚は、目的とする基板の特性の改善、信
頼性の向上などの観点から、導電性物質の電気的、物理
的、化学的特性を考慮して、適宜選択される。この導体
層は、単一材料の形成方法を複数回繰り返すことにより
形成することができる。
本発明のハイブリッドＩＣ基板では、導体層が２種以上
の導電性物質を積層した構造となっているため、導電性
物質を適当に選択することにより、特性の改善や信頼性
・歩留りの向上を達成することができる。
の導電性物質を積層した構造となっているため、導電性
物質を適当に選択することにより、特性の改善や信頼性
・歩留りの向上を達成することができる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
実施例１
第１図は本発明に係るハイブリッドＩＣ基板の断面図で
ある。第１図において、Ｔｆなどからなる導電性基板ベ
ース材１上に、ＡＩ！ｚｏｓなどからなる絶縁層２が形
成され、更にその上にＣｕ（又はＡｕ）層３とＡ１層４
からなる積層導体層５のパターンが形成されている。通
常は、この上に絶縁層が堆積され、この絶縁層にバイア
ホールが形成され、更に積層導体層５と接続する導体層
が形成される。この基板上に、ペアチップ、抵抗、コン
デンサなどを実装し、樹脂モールドやメタルパッケージ
で気密封止することにより、ハイブリッドＩＣを製造す
ることができる。
ある。第１図において、Ｔｆなどからなる導電性基板ベ
ース材１上に、ＡＩ！ｚｏｓなどからなる絶縁層２が形
成され、更にその上にＣｕ（又はＡｕ）層３とＡ１層４
からなる積層導体層５のパターンが形成されている。通
常は、この上に絶縁層が堆積され、この絶縁層にバイア
ホールが形成され、更に積層導体層５と接続する導体層
が形成される。この基板上に、ペアチップ、抵抗、コン
デンサなどを実装し、樹脂モールドやメタルパッケージ
で気密封止することにより、ハイブリッドＩＣを製造す
ることができる。
この場合、積層導体層５がＣｕ（又はＡｕ）層３と１層
４とからなっている。Ｃｕ（又はＡｕ）はＡｌよりも導
電性が良好なため、ＡＪ層４の厚みを減少することがで
きる。したがって、積層導体層５の厚みを増加させるこ
となく、電気抵抗を減少させることができる。
４とからなっている。Ｃｕ（又はＡｕ）はＡｌよりも導
電性が良好なため、ＡＪ層４の厚みを減少することがで
きる。したがって、積層導体層５の厚みを増加させるこ
となく、電気抵抗を減少させることができる。
実施例２
第２図は本発明に係る他のハイブリッドＩＣ基板の断面
図である。第２図において、Ｔｉなどからなる導電性基
板ベース材１上に、ＡＮ２０ｉなどからなる絶縁層２が
形成され、更にその上に１層６、Ｃｕ層７及びＡｆｉ層
８を順次積層した積層導体層９のパターンが形成されて
いる。この上に、Ａｌ２０ｑなどからなる絶縁層１０が
堆積され、この絶縁層１０にバイアホール１１が形成さ
れ、更に積層導体層９と接続する導体層１２が形成され
る。この基板も実施例１の基板と同様に使用することが
できる。
図である。第２図において、Ｔｉなどからなる導電性基
板ベース材１上に、ＡＮ２０ｉなどからなる絶縁層２が
形成され、更にその上に１層６、Ｃｕ層７及びＡｆｉ層
８を順次積層した積層導体層９のパターンが形成されて
いる。この上に、Ａｌ２０ｑなどからなる絶縁層１０が
堆積され、この絶縁層１０にバイアホール１１が形成さ
れ、更に積層導体層９と接続する導体層１２が形成され
る。この基板も実施例１の基板と同様に使用することが
できる。
この場合、ＡＩＩはＡＩ） ２０ ｉ 、Ｓ ｔ ０２
などの絶縁層との密着性は良好であるが、絶縁層のエツ
チング液であるＨＦ液に対する耐食性に劣り、バイアホ
ールの信頼性に問題が生じる。一方、Ｃｕは絶縁層のエ
ツチング液であるＨＦ液に対する耐食性が良好であるが
、Ａｌ２Ｏ，、ＳｉＯ□などの絶縁層との密着性は劣る
。
などの絶縁層との密着性は良好であるが、絶縁層のエツ
チング液であるＨＦ液に対する耐食性に劣り、バイアホ
ールの信頼性に問題が生じる。一方、Ｃｕは絶縁層のエ
ツチング液であるＨＦ液に対する耐食性が良好であるが
、Ａｌ２Ｏ，、ＳｉＯ□などの絶縁層との密着性は劣る
。
第２図の基板では、積層導体層９がＡｆＩ層６、Ｃｕ層
７及びＡ１層８で構成されているので、導体層９の絶縁
層との密着性、及びバイアホールの信頼性の向上を同時
に達成することができる。また、Ｃｕ層７を設けたこと
により、電気抵抗も減少させることができる。
７及びＡ１層８で構成されているので、導体層９の絶縁
層との密着性、及びバイアホールの信頼性の向上を同時
に達成することができる。また、Ｃｕ層７を設けたこと
により、電気抵抗も減少させることができる。
以下、第２図の基板の製造方法を、第３図（ａ）〜（ｄ
）を参照して説明する。
）を参照して説明する。
まず、例えば膜厚１．３ｍｗ＋のＴｉを切断し、研磨・
洗浄して基板ベース材１を作製する。この基板ベース材
１上に、例えば膜厚２０−のＡｌ２Ｏ＊を蒸着し、絶縁
層２を形成する（第３図（ａ）図示）。
洗浄して基板ベース材１を作製する。この基板ベース材
１上に、例えば膜厚２０−のＡｌ２Ｏ＊を蒸着し、絶縁
層２を形成する（第３図（ａ）図示）。
これにイソプロピルアルコールによる超音波洗浄をｌＯ
〜２０分間施した後、真空蒸着装置にセットし、１００
ＷのＲＦ電圧を印加し、Ａ「ガスを導入してイオンエツ
チングする。１０−’Ｔｏｒｒ以下の圧力で、基板温度
を３００℃に設定し、１時間保持する。
〜２０分間施した後、真空蒸着装置にセットし、１００
ＷのＲＦ電圧を印加し、Ａ「ガスを導入してイオンエツ
チングする。１０−’Ｔｏｒｒ以下の圧力で、基板温度
を３００℃に設定し、１時間保持する。
まず、Ａｉ）を２〜２０人／Ｓの速度で蒸着する。次に
、Ｃｕを同様の条件で蒸着する。再び、Ａｌｌを同様の
条件で蒸着する。このようにして、合計膜厚が例えば２
０−の積層導体層９を形成する。全面にレジストを塗布
した後、フォトマスクを介して露光し、現像し、エツチ
ングして積層導体層９のパターンを形成する（第３図（
ｂ）図示）。なお、積層導体層９のパターン化はスクリ
ーン蒸着などの選択的成膜により行ってもよい。
、Ｃｕを同様の条件で蒸着する。再び、Ａｌｌを同様の
条件で蒸着する。このようにして、合計膜厚が例えば２
０−の積層導体層９を形成する。全面にレジストを塗布
した後、フォトマスクを介して露光し、現像し、エツチ
ングして積層導体層９のパターンを形成する（第３図（
ｂ）図示）。なお、積層導体層９のパターン化はスクリ
ーン蒸着などの選択的成膜により行ってもよい。
次いで、例えば膜厚２０１のＡＩｚＯ＊を蒸着し、絶縁
層１０を形成する。前記と同様に、フォトリソグラフィ
ー工程により、絶縁層！０の一部をエツチングしてバイ
アホール１１を形成する（第３図（Ｃ）図示）。
層１０を形成する。前記と同様に、フォトリソグラフィ
ー工程により、絶縁層！０の一部をエツチングしてバイ
アホール１１を形成する（第３図（Ｃ）図示）。
更に、前記と同様な条件で導電性物質を蒸着して積層導
体層９と接続する導体層１２を形成し、フォトリソグラ
フィー、によりパターン化する（第３図（ｄ）図示）。
体層９と接続する導体層１２を形成し、フォトリソグラ
フィー、によりパターン化する（第３図（ｄ）図示）。
次に、要求される各種の特性に応じて、積層導体層を構
成する２種以上の導電性物質の好ましい組み合わせにつ
いて説明する。
成する２種以上の導電性物質の好ましい組み合わせにつ
いて説明する。
各種特性に優れた導電性物質を分類すると、例えば以下
のようになる。
のようになる。
電気的特性で抵抗値の小さいものとして、Ｃｕ。
Ａｇ５ＡＬＬ、ＡＮなどが挙げられる。抵抗値の大きい
ものとして、Ｆｅ、Ｐｄ５Ｐｔが挙げられる。
ものとして、Ｆｅ、Ｐｄ５Ｐｔが挙げられる。
絶縁層との密着性が良好なものとして、Ｃ「、Ｎｉ、Ｔ
ｉが挙げられる。
ｉが挙げられる。
絶縁層のエツチング液であるＨＦに対する耐食性が良好
なものとして、Ｃｕ、Ｃｒなどが挙げられる。
なものとして、Ｃｕ、Ｃｒなどが挙げられる。
熱伝導性の良好なものとして、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｇ ＳＡ
ｕなどが挙げられる。
ｕなどが挙げられる。
絶縁層としてＡｌ２Ｏ＊を用いた場合、耐温度変化に優
れたものとして、ＭＯｌＷＳ ｌｒが挙げられる。
れたものとして、ＭＯｌＷＳ ｌｒが挙げられる。
ワイヤボンディング性に関しては、Ａｌｌワイヤに対し
てはＡＩ ｓ Ａ ｕワイヤに対してはＡｕが優れてい
る。
てはＡＩ ｓ Ａ ｕワイヤに対してはＡｕが優れてい
る。
ダイボンディング性（Ｓ ｉ Ｃとのマツチング）に優
れたものとして、Ｗ、Ｍｏが挙げられる。
れたものとして、Ｗ、Ｍｏが挙げられる。
はんだ付は性に優れたものとして、Ｃｕ、Ａｇ。
Ａｕが挙げられる。
拡散バリア性に優れたものとして、Ｎｉ、Ｐｔ。
Ｃｕが挙げられる。
これらの特性をもとにして、ハイブリッドＩＣ基板とし
て要求される特性を満足するのに適した積層導体層の例
を第１表に示す。
て要求される特性を満足するのに適した積層導体層の例
を第１表に示す。
第１表
第１表に示したものに限らず、積層導体層を構成する導
電性物質の組み合わせとしては様々な変形例が考えられ
る。
電性物質の組み合わせとしては様々な変形例が考えられ
る。
以上詳述したように本発明のノ１イブリッドＩＣ基板で
は、積層構造の導体層を構成する２種以上の導電性物質
を適当に選択することにより、特性の改善や信頼性・歩
留りの向上を達成することができる。
は、積層構造の導体層を構成する２種以上の導電性物質
を適当に選択することにより、特性の改善や信頼性・歩
留りの向上を達成することができる。
第１図は本発明の実施例１におけるハイブリッドＩＣ基
板の断面図、第２図は本発明の実施例２におけるハイブ
リッドＩＣ基板の断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は本発
明の実施例２のハイブリッドＩＣ基板の製造工程を示す
断面図、第４図は従来のハイブリッドＩＣ基板の断面図
である。 １・・・基板ベース材、２・・・絶縁層、３・・・Ｃｕ
層、４・・・Ａ１層、５・・・積層導体層、６・・・Ａ
ｐ層、７・・・Ｃｕ層、８・・・Ａｆｉ層、９・・・積
層導体層、ｌＯ・・・絶縁層、ｌｌ・・・バイアホール
、１２・・・導電体。 第 図 第２ 図
板の断面図、第２図は本発明の実施例２におけるハイブ
リッドＩＣ基板の断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は本発
明の実施例２のハイブリッドＩＣ基板の製造工程を示す
断面図、第４図は従来のハイブリッドＩＣ基板の断面図
である。 １・・・基板ベース材、２・・・絶縁層、３・・・Ｃｕ
層、４・・・Ａ１層、５・・・積層導体層、６・・・Ａ
ｐ層、７・・・Ｃｕ層、８・・・Ａｆｉ層、９・・・積
層導体層、ｌＯ・・・絶縁層、ｌｌ・・・バイアホール
、１２・・・導電体。 第 図 第２ 図
Claims (1)
- 基板ベース材上に、絶縁層及び導体層を交互に形成した
ハイブリッドＩＣ基板において、前記導体層が２種以上
の導電性物質を積層した構造を有することを特徴とする
ハイブリッドＩＣ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2078922A JP2643004B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | ハイブリッドｉｃ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2078922A JP2643004B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | ハイブリッドｉｃ基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280459A true JPH03280459A (ja) | 1991-12-11 |
| JP2643004B2 JP2643004B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=13675352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2078922A Expired - Lifetime JP2643004B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | ハイブリッドｉｃ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643004B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001102701A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Kyocera Corp | 配線基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622587A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | 電気化学工業株式会社 | ハイパワ−用混成集積回路 |
| JPS6451076A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Method for cell culture and apparatus therefor |
| JPH01175796A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 多層回路基板 |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP2078922A patent/JP2643004B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622587A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | 電気化学工業株式会社 | ハイパワ−用混成集積回路 |
| JPS6451076A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Method for cell culture and apparatus therefor |
| JPH01175796A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 多層回路基板 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001102701A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Kyocera Corp | 配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2643004B2 (ja) | 1997-08-20 |
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