JPH01288786A - 滋気抵抗素子および製造方法 - Google Patents

滋気抵抗素子および製造方法

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Publication number
JPH01288786A
JPH01288786A JP63118167A JP11816788A JPH01288786A JP H01288786 A JPH01288786 A JP H01288786A JP 63118167 A JP63118167 A JP 63118167A JP 11816788 A JP11816788 A JP 11816788A JP H01288786 A JPH01288786 A JP H01288786A
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
epoxy resin
lead wire
magnetoresistive
coated
Prior art date
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Pending
Application number
JP63118167A
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English (en)
Inventor
Tsunemi Sugimoto
常実 杉本
Koichi Fukuda
晃一 福田
Hiroshi Daimon
宏 大門
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Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁性体および半導体の磁気抵抗効果を利用した
磁気抵抗素子に関する。
〔従来の技術及びその問題点〕
従来の磁気抵抗素子は、第3図(a)に示すように厚さ
約0,7a*程度のガラス基板1上に厚さ約0.5μm
程度のパーマロイあるいはNiおよびCoの合金薄膜な
どの磁気抵抗体2および@、電極が形成され、その電極
3には第3図(b)に示すように外部配線接続用のりニ
ド4が半田5により接続されており、これらの磁気抵抗
体2および電極3等が形成されたガラス基板1上には温
度、湿度等の環境因子および応力等の機械因子に対する
保護として第3図(b)および(c)に示すように厚さ
約30μm程度の保護膜6が形成されている。この保護
膜6は、5iOzまたはSi、N。
等をCVDあるいはスパッタリング法等の薄膜堆積法に
よって形成される。
このように構成される磁気抵抗素子は、磁気センサとし
て用いられる場合、狭い空間に挿入配置されたりあるい
は回転体等の磁気移動体に近接して配置されたりして用
いられる。従って、その保護膜6は、塵埃を介して磁気
移動体との接触、あるいは装置への実装調讐時の接触等
により損傷を受けてはならず、かつ温度、温度等の環境
因子に対して充分な信頼性が要求されることから、5t
O2,5ixNaを用いた保護膜6においては膜厚を大
きくする必要があるが、前述した堆積法による膜形成で
は長時間を要するとともにコスト高となるなどの問題が
あった。
また、前述した磁気抵抗素子の他にガラス基板1の代わ
りに第4図に示すように厚さ約0.3−程度のアルミナ
基板11を用いた場合には、このアルミナ基板11上に
厚さ約0.1μm程度のInSb系の磁気抵抗体2およ
びその電極3が接着剤12により接着配置され、これら
の磁気抵抗体2および電極3が形成されたアルミナ基板
11上には厚さ約0.1皿程度のガラス板からなる保護
膜13が接着剤14により接着配置されて構成される。
しかしながら接着剤14としてエポキシ樹脂を使用した
場合、熱硬化、降温時において磁気抵抗体2およびti
3との接着面に応力がかかり、磁気抵抗体2および電極
3の破損を引き起こす間理があった。また、保護膜とし
て育機、5光性被腹、シリコン樹脂、エポキシ樹脂ある
いはそれらの多層被覆膜を用いた磁気抵抗素子が提案さ
れているが(実開昭61−44864号、同61−11
7264号)、保護膜の付いた素子の表面が平坦でない
ため、回転体等の磁気移動体を近接して配置させること
が困難である。
〔問題点解決のための技術的手段〕
本発明者等は、上記の問題が解決された、環境因子およ
び機械因子に影響されることのない磁気抵抗素子につい
て鋭意研究した結果、本発明に至った。
本発明は、磁気抵抗体の薄膜および磁気抵抗体電極端子
が絶縁基板上に形成され、前記絶縁基板が外部配線導体
端子が形成された他の絶縁基板上に配置され、前記薄膜
、および磁気抵抗体電極端子と外部配線導体端子とを接
続するリード線の両接続部がシリコン樹脂で被覆され、
さらにリード線を含めてシリコン樹脂の上部がエポキシ
樹脂で被覆され、磁気移動体が近接する磁気抵抗体薄膜
の最上部がエポキシ樹脂を接着剤としてガラス板で保護
されていることを特徴とする磁気抵抗素子に関する。ま
た、本発明は前記磁気抵抗素子を製造する際に、微粒子
状のシリカがシリコン樹脂に配合されていることを特徴
とする磁気抵抗素子の製造方法に関する。
本発明の磁気抵抗素子は、磁気抵抗体の薄膜およびリー
ド線の接続部がシリコン樹脂およびエポキシ樹脂で被覆
されており、薄膜、リード線の接続部およびリード線が
保護される。リード線全体がエポキシ樹脂で被覆されて
いるので、リード線の破損を防ぎ、安定した磁気抵抗測
定値を得ることができる。耐湿性をより改善するために
、エポキシ樹脂がシリコン樹脂の上に被覆されている。
薄膜およびリード線の接続部はまずシリコン樹脂で被覆
されているので、エポキシ樹脂塗布時のぬれ性が良好に
なり、エポキシ樹脂の接着性を高めることができる。さ
らに、上記のシリコン樹、指およびエポキシ樹脂で被覆
された磁気抵抗体薄膜上に、エポキシ樹脂を接着剤とし
てガラス板を設しすることによって、磁気移動体が近接
する磁気抵抗体薄膜の上部表面の平坦性が保たれ、薄膜
が機械応力から保護された磁気抵抗素子が構成される。
上記の磁気抵抗素子を製造する際に、シリコン樹脂を所
望の厚さに塗布する(特にリード線の接続部に塗布する
時)ため比較的粘度の大きいシリコン樹脂を使用するが
、塗布前に微粒子状のシリカがシリコン樹脂に配合され
たものを使用することによって、塗布厚の制御が一層容
易になる。
〔実施例〕
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明による磁気抵抗素子の一実施例を示す要
部断面図であり、第2図は要部平面図である。同図にお
いて、アルミナ等からなる第1のセラミンクス基vi2
1上に、厚さ0.3工程度の第2のセラミックス基板2
2が接着剤23で固定され、セラミックス基板22の表
面には、斜線部で示すような厚さ1μm程度のInSb
nSb膜薄4法等により形成されている。この薄膜の端
部にはスクリーン印可11法、メツキ法、薫着法等によ
ってCu、Ag、Ni、Auあるいはそれらの金属の組
み合わせからなる磁気抵抗体を極端子26が形成され、
第1のセラミックス基板21上のスクリーン印刷法等に
よって形成されたAI、Ag、Ag−Pd合金等からな
る外部配線導体端子25とは、Au綿等のリード線27
で接続されている。
セラミックス基板22上のI n、 S b膜24、電
極部26、およびリード線の接続部28.29は、シリ
コン樹脂30.31で被覆されている。さらにエポキシ
樹脂32.33がシリコン樹脂被覆部およびリード線2
日を覆い、エポキシ樹脂被覆部32上にはこのエポキシ
樹脂を接着剤としてガラス板34が接着されている。
上記のシリコン樹脂、エポキシ樹脂およびガラス板の被
覆、接着の方法について以下に詳しく説明する。
InSbnSb膜薄4電極部26が形成された第2のセ
ラミックス基板22を、外部配線導体端子25が形成さ
れた第1のセラミックス基板21に接着剤23で固定し
、ワイヤボンディングによってリード線27を接続した
。リード線の接続部28を含めた膜24全体に硬化剤入
りのシリコン樹脂を塗布し、リード線の接続部29には
、平均粒径12μmの微粒子状のシリカを3〜4重量%
含有した硬化剤入りのシリコン樹脂を塗布し、150°
Cで熱硬化して厚さ数10μmのシリコン樹脂膜30と
、シリコン樹脂硬化部31を形成した。
次に硬化剤入りのエポキシ樹脂をシリコン樹脂膜30上
に吐出機で滴下、塗布し、同時に厚さ約1100aのガ
ラス板35を接着し120°Cで熱硬化した。エポキシ
樹脂被覆部32の硬化後、シリコン樹脂硬化部31およ
びリード線27を硬化剤入りのエポキシ樹脂で覆い、1
20°Cで熱硬化した。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、磁気抵抗体薄膜、
磁気抵抗#電極端子、外部配線導体端子およびリード線
の両接続部がシリコン樹脂あるいはシリカ微粒子含有シ
リコン樹脂で被覆され、さらにエポキシ樹脂でシリコン
樹N被fflおよびリード線全体が覆われ、磁気移動体
が近接する磁気抵抗体薄膜の最上部がガラス板で保護さ
れ、かつ平坦に保たれるので、従って磁気抵抗体が磁気
移動体により近接させることができ、磁気抵抗値が裔感
度が得られるとともに、磁気抵抗体および磁気抵抗素子
の機械的、環境的因子による破壊を防ぐことが可能とな
り、磁気抵抗素子の製造効率が向上し、コストが安価と
なるなどの極めて優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による磁気抵抗素子の一実施例を示す要
部断面図、第2図は第1図の要部平面図、第3図および
第4図は従来の磁気抵抗素子を説明する図である。 21・・・第1のセラミックス基板、22・・・第2の
セラミックス基板、24・・・磁気抵抗体薄膜、25・
・・外部配線導体端子、26・・・磁気抵抗体!極端子
、27・・・リード線、28および29・・・リード線
の接続部、30および31・・・シリコン樹脂便化部、
32および33・・・エポキシ樹脂硬化部、34・・・
ガラス板。 特許出願人  宇部興産株式会社 −〇 へ と へ 憾 −7:

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)磁気抵抗体の薄膜および磁気抵抗体電極端子が絶
    縁基板上に形成され、前記絶縁基板が外部配線導体端子
    が形成された他の絶縁基板上に配置され、前記薄膜、お
    よび磁気抵抗体電極端子と外部配線導体端子とを接続す
    るリード線の両接続部がシリコン樹脂で被覆され、さら
    にリード線を含めてシリコン樹脂の上部がエポキシ樹脂
    で被覆され、磁気移動体が近接する磁気抵抗体薄膜の最
    上部がエポキシ樹脂を接着剤としてガラス板で保護され
    ていることを特徴とする磁気抵抗素子。
  2. (2)前記磁気抵抗素子を製造する際に、微粒子状のシ
    リカがシリコン樹脂に配合されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の磁気抵抗素子の製造方法。
JP63118167A 1988-05-17 1988-05-17 滋気抵抗素子および製造方法 Pending JPH01288786A (ja)

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JP63118167A JPH01288786A (ja) 1988-05-17 1988-05-17 滋気抵抗素子および製造方法

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JP63118167A Pending JPH01288786A (ja) 1988-05-17 1988-05-17 滋気抵抗素子および製造方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6278284B1 (en) 1998-02-16 2001-08-21 Nec Corporation Testing IC socket

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6278284B1 (en) 1998-02-16 2001-08-21 Nec Corporation Testing IC socket

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