JPS6218778A - モ−ルド型磁気抵抗素子 - Google Patents
モ−ルド型磁気抵抗素子Info
- Publication number
- JPS6218778A JPS6218778A JP60156923A JP15692385A JPS6218778A JP S6218778 A JPS6218778 A JP S6218778A JP 60156923 A JP60156923 A JP 60156923A JP 15692385 A JP15692385 A JP 15692385A JP S6218778 A JPS6218778 A JP S6218778A
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- JP
- Japan
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- thickness
- lead frame
- bonding layer
- chip
- magnetoresistive element
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 10
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はモールド型磁気抵抗素子に関する。
一般に磁気抵抗素子は回転体の回転数検出、移動体の位
置検出、あるいは磁界有無の検出用センサーとして使わ
れる。これは磁性薄膜のパターンを工夫することで広範
な用途に使用することが出来る。そしてこの磁気抵抗素
子は、基板上にフォトリングラフィ技術を用いて磁性薄
膜パターンを形成し、所定寸法に分割した後リードフレ
ームにダイボンディングを行ない、更に、 Au 、
kl細線等で磁気抵抗素子チップの各電極をリードフレ
ーム端子と接続した後、熱硬化性樹脂で外装が行なわれ
るのがふつうである。
置検出、あるいは磁界有無の検出用センサーとして使わ
れる。これは磁性薄膜のパターンを工夫することで広範
な用途に使用することが出来る。そしてこの磁気抵抗素
子は、基板上にフォトリングラフィ技術を用いて磁性薄
膜パターンを形成し、所定寸法に分割した後リードフレ
ームにダイボンディングを行ない、更に、 Au 、
kl細線等で磁気抵抗素子チップの各電極をリードフレ
ーム端子と接続した後、熱硬化性樹脂で外装が行なわれ
るのがふつうである。
ただ移動体の位置検出に使用される磁気抵抗素子では、
磁性媒体との距離が0.5 m以下となることが多く、
このため絶縁基板上に磁性体・やターンを形成し保護膜
のみを形成して外装を行なわないで使用するか、外装用
樹脂を0.2 m以下と極端に薄くして使用しなければ
ならない場合がある。磁気抵抗素子としての信頼性、取
扱いの容易性を考慮すれば外装用樹脂を施して使用する
方が望ましい。
磁性媒体との距離が0.5 m以下となることが多く、
このため絶縁基板上に磁性体・やターンを形成し保護膜
のみを形成して外装を行なわないで使用するか、外装用
樹脂を0.2 m以下と極端に薄くして使用しなければ
ならない場合がある。磁気抵抗素子としての信頼性、取
扱いの容易性を考慮すれば外装用樹脂を施して使用する
方が望ましい。
しかしながら外装樹脂の厚さを0.2 m以下の均等な
そして所望の厚さに形成することは困難である。それは
均一な薄い外装用樹脂層をトランスファーモールド法に
より形成する為には、磁気抵抗素子チップと金型スキマ
を正確に保持しなければならず、この為には前記素子と
リードフレーム間の厚さを正確に而も一様に制御するこ
とが必要となる。ところが接着層の厚さは接着剤の粘度
量。
そして所望の厚さに形成することは困難である。それは
均一な薄い外装用樹脂層をトランスファーモールド法に
より形成する為には、磁気抵抗素子チップと金型スキマ
を正確に保持しなければならず、この為には前記素子と
リードフレーム間の厚さを正確に而も一様に制御するこ
とが必要となる。ところが接着層の厚さは接着剤の粘度
量。
接着時の加圧力、硬化温度に左右されるので、厚さの制
御は困難である。接着層の厚さをゼロに近くすれば平行
度は保たれるものの、要求に応じて外装用樹脂層の厚さ
を変えるたびにモールド金型を変えねばならず、多種夕
景生産には極めて不利である。
御は困難である。接着層の厚さをゼロに近くすれば平行
度は保たれるものの、要求に応じて外装用樹脂層の厚さ
を変えるたびにモールド金型を変えねばならず、多種夕
景生産には極めて不利である。
本発明のモールド形磁気抵抗素子では、かかる欠点を除
去する為、磁気抵抗素子チップをリードフレームに接着
させる接着層中に所望の厚さに等しい粒径を有する硬質
の粒子を混入する方法を採っている。
去する為、磁気抵抗素子チップをリードフレームに接着
させる接着層中に所望の厚さに等しい粒径を有する硬質
の粒子を混入する方法を採っている。
このような構成においては、必要とされる接着層の厚さ
に応じて硬質粒子の粒径を変える事が出来る。従ってリ
ードフレー ムと磁気抵抗素子チノ、fの間に硬質粒子
層を成形式せることにより、接着層の厚さを正確に制御
することが出来る。
に応じて硬質粒子の粒径を変える事が出来る。従ってリ
ードフレー ムと磁気抵抗素子チノ、fの間に硬質粒子
層を成形式せることにより、接着層の厚さを正確に制御
することが出来る。
次に本発明につき図面を参照して詳細に説明する。
図は本発明の一実施例であるモールド型磁気抵抗素子の
断面を示している。図において1はリー数含まれている
。又、5は接続用電極、6はアルミニウム又は金などの
デンディングワイヤー、7はリードフレーム端子、8は
モールド成形された熱硬化性の外装用樹脂である。
断面を示している。図において1はリー数含まれている
。又、5は接続用電極、6はアルミニウム又は金などの
デンディングワイヤー、7はリードフレーム端子、8は
モールド成形された熱硬化性の外装用樹脂である。
上記のモールド型磁気抵抗素子を構成するには次のよう
にする。はじめに準備段階としてチップ上り゛。
にする。はじめに準備段階としてチップ上り゛。
面の被検出体に近ノ<検出面の上部に形成すべき外装用
樹脂(8aで示す)の厚さを決め、この厚上に述べたよ
うに70μmの粒径を有する硬質のアルミナ粒子を用意
する。現在ではこの程度の均一な粒径を持つ硬質粒子は
容易に得られる。そこでまずリードフレーム1上に前記
のアルミナ粒子4を混入した接着剤Iを塗布する。次に
その上に磁気抵抗素子チップ2゛χ加圧接着した後、加
熱硬化させる。更にリー)?フレーム端子7と磁気抵抗
素子チップ2上の接続用電極5をアルミニウム又は金等
のデンディングワイヤー6で接続する。そして最後に熱
硬化性樹脂でモールド成形を行なって外装用樹脂8を形
成する。
樹脂(8aで示す)の厚さを決め、この厚上に述べたよ
うに70μmの粒径を有する硬質のアルミナ粒子を用意
する。現在ではこの程度の均一な粒径を持つ硬質粒子は
容易に得られる。そこでまずリードフレーム1上に前記
のアルミナ粒子4を混入した接着剤Iを塗布する。次に
その上に磁気抵抗素子チップ2゛χ加圧接着した後、加
熱硬化させる。更にリー)?フレーム端子7と磁気抵抗
素子チップ2上の接続用電極5をアルミニウム又は金等
のデンディングワイヤー6で接続する。そして最後に熱
硬化性樹脂でモールド成形を行なって外装用樹脂8を形
成する。
上記のリードフレーム1の上に磁気抵抗素子チップ2を
加圧接着する工程において、接着層3中に一定の形状の
粒子4が混入しているため、接着剤を指定量よシ多く塗
布した場合でも加圧接着の際、チップへ一定の加重がか
かり、接着層の厚さは2粒子が支えとなって粒子の大き
さとほぼ同一となり、それ以下になる事は避けられる。
加圧接着する工程において、接着層3中に一定の形状の
粒子4が混入しているため、接着剤を指定量よシ多く塗
布した場合でも加圧接着の際、チップへ一定の加重がか
かり、接着層の厚さは2粒子が支えとなって粒子の大き
さとほぼ同一となり、それ以下になる事は避けられる。
この結果、外装用樹脂8aの厚さを0.2I以下に正確
に保持することが出来る。
に保持することが出来る。
上記実施例において、硬質の粒子としてアルミナ粉末を
用いたが、他の種類の粒子であってよい。
用いたが、他の種類の粒子であってよい。
また粒径70μmを例として挙げたが上下共特に限定さ
れるものではなく、要は外形が角ばっておらず一様の大
きさのものが得られるものであればよい。
れるものではなく、要は外形が角ばっておらず一様の大
きさのものが得られるものであればよい。
以上の説明から分るように2本発明による移動体検出用
のモールド型磁気抵抗素子は、信頼性が高く且つ取扱い
が容易である。
のモールド型磁気抵抗素子は、信頼性が高く且つ取扱い
が容易である。
図は本発明のモールド形磁気抵抗素子の一実施例を示す
断面図である。 5は接続用電極、6はデンディングワイヤー、7はリー
ドフレーム端子、8は熱硬化性樹脂、13aはその一部
をそれぞれあられしている。 代理人(7783)弁理士?屯田%J、 供覧 Ii
?l 愈
断面図である。 5は接続用電極、6はデンディングワイヤー、7はリー
ドフレーム端子、8は熱硬化性樹脂、13aはその一部
をそれぞれあられしている。 代理人(7783)弁理士?屯田%J、 供覧 Ii
?l 愈
Claims (1)
- 1、磁気抵抗素子チップとリードフレームを接着層で相
互に固定し、ボンディングワイヤー及びリードフレーム
端子と共に外装用樹脂に封入して構成した磁気抵抗素子
において、前記接着層にこの接着層の厚さと同じ粒径を
有する硬質粒子が混入されていることを特徴とするモー
ルド型磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60156923A JPS6218778A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | モ−ルド型磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60156923A JPS6218778A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | モ−ルド型磁気抵抗素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6218778A true JPS6218778A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15638326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60156923A Pending JPS6218778A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | モ−ルド型磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6218778A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07276925A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-24 | Ogawa Tento Kk | スパイクタイヤ |
JP2008023260A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Sankyo Kk | スロットマシン |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP60156923A patent/JPS6218778A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07276925A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-24 | Ogawa Tento Kk | スパイクタイヤ |
JP2008023260A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Sankyo Kk | スロットマシン |
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