JPS612377A - モ−ルド型磁気抵抗素子 - Google Patents
モ−ルド型磁気抵抗素子Info
- Publication number
- JPS612377A JPS612377A JP59123095A JP12309584A JPS612377A JP S612377 A JPS612377 A JP S612377A JP 59123095 A JP59123095 A JP 59123095A JP 12309584 A JP12309584 A JP 12309584A JP S612377 A JPS612377 A JP S612377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- lead terminal
- magnetoresistive element
- resin
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ＣＤ’ｆｉ業上の利用分野〕
本発明はモールド形磁気抵抗素子に関する。
磁気抵抗素子は回転体の回°転数検出あるいは移動体の
位置検出あるいは回転しながら移動するような物体の回
転、位置の検出用センサーとして使用される。これはセ
ンサ一部のパターンを工夫する事で広範な用途に対応す
る事が出来る。
位置検出あるいは回転しながら移動するような物体の回
転、位置の検出用センサーとして使用される。これはセ
ンサ一部のパターンを工夫する事で広範な用途に対応す
る事が出来る。
従来の磁気抵抗素子は第２図（ｐ、） 、 ＣＢ）に示
すように、ガラスＡ反あるいはグレーズドセラミック等
の絶縁基板２上に真空蒸着法あるいはスパックリング法
によりＮｉ−Ｆｅ 、 Ｎｉ−Ｃｏ等の磁性、薄膜を形
成する。次にフォ） ＩＪノグラフィー技術及び微細加
工技術を用いて磁性薄膜パターン３を形成する。更に半
日」性用電極部５を残して５ｉＯｚ等の絶縁用保護膜４
．を形成した後、所定の寸法に切断しリード端子１と半
田付用電極部５との位置合せを行ない、高温半田６で半
田付けする。最後に半田付部の保護のだめ、保護用樹脂
７を塗布して完成させる。
すように、ガラスＡ反あるいはグレーズドセラミック等
の絶縁基板２上に真空蒸着法あるいはスパックリング法
によりＮｉ−Ｆｅ 、 Ｎｉ−Ｃｏ等の磁性、薄膜を形
成する。次にフォ） ＩＪノグラフィー技術及び微細加
工技術を用いて磁性薄膜パターン３を形成する。更に半
日」性用電極部５を残して５ｉＯｚ等の絶縁用保護膜４
．を形成した後、所定の寸法に切断しリード端子１と半
田付用電極部５との位置合せを行ない、高温半田６で半
田付けする。最後に半田付部の保護のだめ、保護用樹脂
７を塗布して完成させる。
この場合通常行なわれる全体の外装は、相手方磁性体と
の距離を小さくする事が出来ないだめ（（行なわれず、
リード端子を引出電極に半１１１利けし簡単な外装７を
施すのみで使用しており、実装に当っては機械的な力を
加えないよう十分な注意が必要である。
の距離を小さくする事が出来ないだめ（（行なわれず、
リード端子を引出電極に半１１１利けし簡単な外装７を
施すのみで使用しており、実装に当っては機械的な力を
加えないよう十分な注意が必要である。
又、磁性薄膜パターンの保護膜が十分ではないため、環
境試験あるいは経年変化に対して十分な特性保証をする
事ができない。
境試験あるいは経年変化に対して十分な特性保証をする
事ができない。
本発明の目的はかかる欠点を除去する為、外装方法は機
械的に強度の高い熱硬化性樹脂によるトランスファーモ
ールド成形とし、又、回転体磁性体との距離を十分に取
るために磁性体パターン上の外装用樹脂の厚さを極度に
薄くする事により必要、十分な磁界強度を得る事が出来
る磁気抵抗素子を提供する事にある。
械的に強度の高い熱硬化性樹脂によるトランスファーモ
ールド成形とし、又、回転体磁性体との距離を十分に取
るために磁性体パターン上の外装用樹脂の厚さを極度に
薄くする事により必要、十分な磁界強度を得る事が出来
る磁気抵抗素子を提供する事にある。
本発明は磁気抵抗素子パターンを有するチア・ブと、リ
ードフレームに支持された支持体と、リード端子とから
なり、チップを支持体にダイボンディングするとともに
、チップの電極とリード端子とをボンティングワイヤー
で結線し、リード端子を除いた残りの部分を樹脂封止し
たことを特徴とするモールド形磁気抵抗素子である。
ードフレームに支持された支持体と、リード端子とから
なり、チップを支持体にダイボンディングするとともに
、チップの電極とリード端子とをボンティングワイヤー
で結線し、リード端子を除いた残りの部分を樹脂封止し
たことを特徴とするモールド形磁気抵抗素子である。
〔実施例〕
以下に、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図（Ａ） 、 （１３）において、本発明は磁気抵
抗素子パターンを有す・るチップＣと、リードフレーム
Ｌに支持された支持体８及びリード端子ｌとからなり、
チップＣを支持体８上にダイボンディングする゛ととも
に、チップＣの電極５とリード端子ｌとの間をボンディ
ングワイヤー９で結線し、リード端子ｌを除いた残りの
部分を熱硬化性樹脂１０で樹脂封止したものである。
抗素子パターンを有す・るチップＣと、リードフレーム
Ｌに支持された支持体８及びリード端子ｌとからなり、
チップＣを支持体８上にダイボンディングする゛ととも
に、チップＣの電極５とリード端子ｌとの間をボンディ
ングワイヤー９で結線し、リード端子ｌを除いた残りの
部分を熱硬化性樹脂１０で樹脂封止したものである。
次に、本発明に係る磁気抵抗素子の製造方法について説
明する。まず、ガラス板、Ｓｉ基板等の平滑絶縁基板２
上に絶縁膜を形成し、この絶縁基板２上に真空蒸着或い
はスパッタリング法によりＮ１〜Ｆｅ 、 Ｎｉ−Ｃｏ
等の磁性薄膜を形成してフォトリックラフイー技術、微
細加工技術により所定の磁性薄膜パターン３を形成する
。
明する。まず、ガラス板、Ｓｉ基板等の平滑絶縁基板２
上に絶縁膜を形成し、この絶縁基板２上に真空蒸着或い
はスパッタリング法によりＮ１〜Ｆｅ 、 Ｎｉ−Ｃｏ
等の磁性薄膜を形成してフォトリックラフイー技術、微
細加工技術により所定の磁性薄膜パターン３を形成する
。
次に再度前記のスパッタリング法等により５ｉ０２等の
保護膜４を基板全面に施し再度フォトリソグラフィー技
術、微細加工技術により保護膜パターンを形成し、ワイ
ヤーボンティング用電極５部分以外はすべて保護膜でカ
バーされる。更に所定の寸法に切断してチップＣを形成
した後、チップＣを支持体８にダイボンディングし、リ
ード端子１とパターン３のワイヤーボンティング用電極
５とをＡＩ、 Ａｕ等のボンディングワイヤー９で接続
する。
保護膜４を基板全面に施し再度フォトリソグラフィー技
術、微細加工技術により保護膜パターンを形成し、ワイ
ヤーボンティング用電極５部分以外はすべて保護膜でカ
バーされる。更に所定の寸法に切断してチップＣを形成
した後、チップＣを支持体８にダイボンディングし、リ
ード端子１とパターン３のワイヤーボンティング用電極
５とをＡＩ、 Ａｕ等のボンディングワイヤー９で接続
する。
最後に連鎖状になっているリードフレームをトランスフ
ァーモールド法により熱硬ｒヒ性樹脂８で全体を外装す
る。本発明の磁気抵抗素子では第１図に示す如く磁性薄
膜パターン上の熱硬化性樹脂を０．１５η以下にしその
他の部分は機械的強度を保持する為０．５１３１１以上
の厚さを有している。又、支持体８ばｌ・ランスファー
モールド成形時の熱、及び圧力に耐え得る様４ケ所でリ
ードフレームに支持されている。尚、成形後樹脂封止し
た磁気抵抗素子をリードフレームより切り離して製品化
する。
ァーモールド法により熱硬ｒヒ性樹脂８で全体を外装す
る。本発明の磁気抵抗素子では第１図に示す如く磁性薄
膜パターン上の熱硬化性樹脂を０．１５η以下にしその
他の部分は機械的強度を保持する為０．５１３１１以上
の厚さを有している。又、支持体８ばｌ・ランスファー
モールド成形時の熱、及び圧力に耐え得る様４ケ所でリ
ードフレームに支持されている。尚、成形後樹脂封止し
た磁気抵抗素子をリードフレームより切り離して製品化
する。
本発明は以上説明したように磁気抵抗素子全体を樹脂す
るようにしたので、該素子にかかる機械的な力に対する
強度を保持することができ、かつリードフレームの支持
体にチップを搭載するため、支持体により成形時の熱、
圧力に対する変形を防＋、、ｌ−：、 してトランスフ
ァーモールド成形することができ、磁１′−１−薄膜パ
ターン上のみの熱硬化樹脂の厚さを従来の％以下に薄く
する事ができる。樹脂の厚さを０．０５ｇ１ｌにする事
も十分可能である。又、本発明による磁気抵抗素子はリ
ードフレーム方式となっているため、これに使用される
チップは従来のリード線半田付方式の磁気抵抗素子に比
較し、その寸法が％以下、面積ではｌ／、以下とするこ
とができる。チップ寸法が小さくなれば更にこの比率は
拡大する。これはチップ寸法が小さくなるに従かい接続
用電極部の面積が相対的に大きな比重を占めるようにな
るからである。さらに、本発明の磁気抵抗素子は組立方
式にワイヤーボンティング方式を採用しているだめ、自
動化が容易であり、安価に大量に供給することができる
。
るようにしたので、該素子にかかる機械的な力に対する
強度を保持することができ、かつリードフレームの支持
体にチップを搭載するため、支持体により成形時の熱、
圧力に対する変形を防＋、、ｌ−：、 してトランスフ
ァーモールド成形することができ、磁１′−１−薄膜パ
ターン上のみの熱硬化樹脂の厚さを従来の％以下に薄く
する事ができる。樹脂の厚さを０．０５ｇ１ｌにする事
も十分可能である。又、本発明による磁気抵抗素子はリ
ードフレーム方式となっているため、これに使用される
チップは従来のリード線半田付方式の磁気抵抗素子に比
較し、その寸法が％以下、面積ではｌ／、以下とするこ
とができる。チップ寸法が小さくなれば更にこの比率は
拡大する。これはチップ寸法が小さくなるに従かい接続
用電極部の面積が相対的に大きな比重を占めるようにな
るからである。さらに、本発明の磁気抵抗素子は組立方
式にワイヤーボンティング方式を採用しているだめ、自
動化が容易であり、安価に大量に供給することができる
。
したがって、本発明によれば、実装するにあたっての殴
械的強度を増すことができ、かつ全体を樹脂封止して環
境試験或いは経年変化（（対して十分な特性保証をする
ことができる効果を有するものである。
械的強度を増すことができ、かつ全体を樹脂封止して環
境試験或いは経年変化（（対して十分な特性保証をする
ことができる効果を有するものである。
第１図（Ａ） 、 （Ｂ） 、 （Ｃ）は本発明の一実
施例を示すそれぞれ斜視図、断面図、正面透視図、第２
図（Ａ） 、 （Ｂ）は従来の磁気抵抗素子の一例を示
すそれぞれ斜視図、断面図である。 ｌ リード端子、２・・・絶縁基板、３ 磁性薄膜パタ
ーン、４１．・・保護膜、５ ワイヤーボンディング用
電極、８ 支持体、９ ボンディングワイヤー、ＩＯ熱
硬化性樹脂、Ｃチップ。
施例を示すそれぞれ斜視図、断面図、正面透視図、第２
図（Ａ） 、 （Ｂ）は従来の磁気抵抗素子の一例を示
すそれぞれ斜視図、断面図である。 ｌ リード端子、２・・・絶縁基板、３ 磁性薄膜パタ
ーン、４１．・・保護膜、５ ワイヤーボンディング用
電極、８ 支持体、９ ボンディングワイヤー、ＩＯ熱
硬化性樹脂、Ｃチップ。
Claims (1)
- （１）磁気抵抗素子パターンを有するチップと、リード
フレームに支持された支持体と、リード端子とからなり
、チップを支持体にダイボンディングするとともに、チ
ップの電極とリード端子とをボンディングワイヤーで結
線し、リード端子を除いた残りの部分を樹脂封止したこ
とを特徴とするモールド形磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123095A JPS612377A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | モ−ルド型磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123095A JPS612377A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | モ−ルド型磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612377A true JPS612377A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14852075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123095A Pending JPS612377A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | モ−ルド型磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612377A (ja) |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP59123095A patent/JPS612377A/ja active Pending
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