JPS61216371A - モ−ルド形磁気抵抗素子 - Google Patents
モ−ルド形磁気抵抗素子Info
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- JPS61216371A JPS61216371A JP60056951A JP5695185A JPS61216371A JP S61216371 A JPS61216371 A JP S61216371A JP 60056951 A JP60056951 A JP 60056951A JP 5695185 A JP5695185 A JP 5695185A JP S61216371 A JPS61216371 A JP S61216371A
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Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は１回転体の回転数検出や移動体の位置検出その
低磁界有無の検出等広範な用途に使用されるモールド形
磁気抵抗素子に関する。
低磁界有無の検出等広範な用途に使用されるモールド形
磁気抵抗素子に関する。
発明の概要
本発明は、磁性薄膜パターンが形成された磁気抵抗素子
チップをリードフレーム支持体上に固定し、熱硬化性樹
脂で外装したモールド形磁気抵抗素子において。
チップをリードフレーム支持体上に固定し、熱硬化性樹
脂で外装したモールド形磁気抵抗素子において。
前記磁気抵抗素子チップ上に形成された高分子樹脂によ
る第１の緩衝層と。
る第１の緩衝層と。
前記リードフレーム支持体と磁気抵抗素子の間に介装さ
れた接着性を有する高分子樹脂による第２の緩衝層を設
けて、かつ熱硬化性樹脂によって前記磁気抵抗素子チッ
プ面と同一高さに外装を施したものであり。
れた接着性を有する高分子樹脂による第２の緩衝層を設
けて、かつ熱硬化性樹脂によって前記磁気抵抗素子チッ
プ面と同一高さに外装を施したものであり。
磁性媒体との距離を接近させて分解能を向上することが
できるという効果がある。
できるという効果がある。
従来技術
従来のモールド形磁気抵抗素子は、ガラス基板、シリコ
ン基板、グレーズドセラミック基板等の平滑基板上に、
ニッケルー鉄、ニッケルーコバルト等の強磁性材料を用
いて所定の磁性薄膜パターンを形成し、リード線付けお
よび外装を行なった構造とされている。外装は、リード
線の接続工法に応じて各種の異なる外装状態とされる。
ン基板、グレーズドセラミック基板等の平滑基板上に、
ニッケルー鉄、ニッケルーコバルト等の強磁性材料を用
いて所定の磁性薄膜パターンを形成し、リード線付けお
よび外装を行なった構造とされている。外装は、リード
線の接続工法に応じて各種の異なる外装状態とされる。
リード線接続を半田工法によって行なう場合は、ガラス
基板またはグレーズドアルミナ基板上に、真空蒸着また
はスパッタリング法等によって磁性薄膜および電極薄膜
を形成し、微細加工技術によって磁性膜パターンを形成
し、接続用電極部とリード端子とを高温半田によって接
続する。そして、粉末エポキシレンジを使用した粉末樹
脂塗装法によって外装が行なわれる。
基板またはグレーズドアルミナ基板上に、真空蒸着また
はスパッタリング法等によって磁性薄膜および電極薄膜
を形成し、微細加工技術によって磁性膜パターンを形成
し、接続用電極部とリード端子とを高温半田によって接
続する。そして、粉末エポキシレンジを使用した粉末樹
脂塗装法によって外装が行なわれる。
ワイヤポンディング工法による接続を用いる場合は、第
２図（Ａ）の断面図、同図（Ｂ）の一部破砕の斜視図に
示すような構造となる。すなわち、先ず同図（Ｃ）に示
すように、シリコン基板ｌＯの上にＳｉＯ□膜１１をス
パッタリング法によって形成し、その上に真空蒸着また
はスパッタリング法によってニッケルー鉄薄膜および金
薄膜を形成し、フォトリソグラフィ技術、微細加工技術
を用いてニッケルー鉄薄膜パターン１２および接続用金
電極！３を形成する０次にスパッタリング法によって５
ｉｎｔｌＩ１１４を素子全体に付着せしめ、接続用金電
極１３の上部のみ除去して磁気抵抗素子チップＳを完成
する。そして、該磁気抵抗素子チップＳを熱硬化性接着
剤によってリードフレーム１Ｂ上に固着した後、同図（
Ａ）、（Ｂ）に示すように、リードフレーム１６と接続
用金電極１３をボンディングワイヤ１５で接続する。そ
の後適当なバッファコート用樹脂を塗布し、最後に熱硬
化性樹脂１７を使用してトランスファーモールド成形が
行なわれ、リードフレームの不要部分を除去してモール
ド形磁気抵抗素子として完成する。
２図（Ａ）の断面図、同図（Ｂ）の一部破砕の斜視図に
示すような構造となる。すなわち、先ず同図（Ｃ）に示
すように、シリコン基板ｌＯの上にＳｉＯ□膜１１をス
パッタリング法によって形成し、その上に真空蒸着また
はスパッタリング法によってニッケルー鉄薄膜および金
薄膜を形成し、フォトリソグラフィ技術、微細加工技術
を用いてニッケルー鉄薄膜パターン１２および接続用金
電極！３を形成する０次にスパッタリング法によって５
ｉｎｔｌＩ１１４を素子全体に付着せしめ、接続用金電
極１３の上部のみ除去して磁気抵抗素子チップＳを完成
する。そして、該磁気抵抗素子チップＳを熱硬化性接着
剤によってリードフレーム１Ｂ上に固着した後、同図（
Ａ）、（Ｂ）に示すように、リードフレーム１６と接続
用金電極１３をボンディングワイヤ１５で接続する。そ
の後適当なバッファコート用樹脂を塗布し、最後に熱硬
化性樹脂１７を使用してトランスファーモールド成形が
行なわれ、リードフレームの不要部分を除去してモール
ド形磁気抵抗素子として完成する。
モールド形磁気抵抗素子を回転体の角度検出または移動
体の位置検出等に使用する場合は、通常すだれ形と呼ば
れる磁性薄膜抵抗パターンを複数個並列に配置してブリ
ッジ回路を形成した磁気抵抗素子が使用される。そして
回転体または移動体側には、該磁気抵抗素子の磁性薄膜
抵抗パターンのピッチと同一のピッチで着磁された複数
個の磁石が配列され、上記磁気抵抗素子の磁性薄膜抵抗
パターンと移動体側の磁性媒体とを対向させて、相対的
な位置関係に応じた磁性薄膜抵抗パターンの抵抗変化を
検出するようにしている。
体の位置検出等に使用する場合は、通常すだれ形と呼ば
れる磁性薄膜抵抗パターンを複数個並列に配置してブリ
ッジ回路を形成した磁気抵抗素子が使用される。そして
回転体または移動体側には、該磁気抵抗素子の磁性薄膜
抵抗パターンのピッチと同一のピッチで着磁された複数
個の磁石が配列され、上記磁気抵抗素子の磁性薄膜抵抗
パターンと移動体側の磁性媒体とを対向させて、相対的
な位置関係に応じた磁性薄膜抵抗パターンの抵抗変化を
検出するようにしている。
従って、充分な検出出力を得るためには、前記磁気抵抗
素子を、移動体側の磁性媒体にできるだけ近接させて、
その着磁ピッチと同程度の距離にセットすることが必要
である。 ｔＩｍピッチは、通常０．３鵬霞以下である
ことが多く、０．１１■以下であることもある。しかし
、従来のモールド形磁気抵抗素子は、熱硬化性樹脂１７
の厚さが厚いため、８１気抵抗素子を充分移動体側の磁
性媒体面に近づけることができない。
素子を、移動体側の磁性媒体にできるだけ近接させて、
その着磁ピッチと同程度の距離にセットすることが必要
である。 ｔＩｍピッチは、通常０．３鵬霞以下である
ことが多く、０．１１■以下であることもある。しかし
、従来のモールド形磁気抵抗素子は、熱硬化性樹脂１７
の厚さが厚いため、８１気抵抗素子を充分移動体側の磁
性媒体面に近づけることができない。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、上述の従来の欠点を解決し、磁気抵抗素子と
移動体の磁性媒体面との距離を小さくできる構造とする
。
移動体の磁性媒体面との距離を小さくできる構造とする
。
問題点を解決するための手段
本発明のモールド形磁気抵抗素子は、磁性薄膜パターン
が形成された磁気抵抗素子チップをリードフレーム支持
体上に画定し、熱硬化性樹脂で外装したモールド形磁気
抵抗素子において。
が形成された磁気抵抗素子チップをリードフレーム支持
体上に画定し、熱硬化性樹脂で外装したモールド形磁気
抵抗素子において。
前記磁気抵抗素子チップ上に形成された高分子樹脂によ
る第１の緩衝層と。
る第１の緩衝層と。
前記リードフレーム支持体と磁気抵抗素子の間に介装さ
れた接着性を有する高分子樹脂による第２の緩衝層を設
けて、かつ熱硬化性樹脂によって前記磁気抵抗素子チッ
プ面と同一高さに外装を施した構成として、磁気抵抗素
子面を露出させることにより問題を解決する。
れた接着性を有する高分子樹脂による第２の緩衝層を設
けて、かつ熱硬化性樹脂によって前記磁気抵抗素子チッ
プ面と同一高さに外装を施した構成として、磁気抵抗素
子面を露出させることにより問題を解決する。
発明の実施例
次に、本発明について、図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ本発明の一実
施例を示す断面図、一部破砕斜視図および主要部の詳細
断面図である。すなわち、先ず、同図（Ｃ）に示すよう
に、シリコン基板ｌ上にスパッタリング法によって５ｉ
０２１１２を形成して絶縁膜とし、その上に真空蒸着法
またはスパッタリング法によってニッケルー鉄薄膜を形
成し、続いて同一真空中で金薄膜を形成し、フオトリソ
グラフイ技術、Ｗｋ細加工技術を用いてニッケルー鉄薄
膜パターン３と金薄膜パターンを形成する。続いて５ｉ
０２膜５をスパッタリング法で形成し。
施例を示す断面図、一部破砕斜視図および主要部の詳細
断面図である。すなわち、先ず、同図（Ｃ）に示すよう
に、シリコン基板ｌ上にスパッタリング法によって５ｉ
０２１１２を形成して絶縁膜とし、その上に真空蒸着法
またはスパッタリング法によってニッケルー鉄薄膜を形
成し、続いて同一真空中で金薄膜を形成し、フオトリソ
グラフイ技術、Ｗｋ細加工技術を用いてニッケルー鉄薄
膜パターン３と金薄膜パターンを形成する。続いて５ｉ
０２膜５をスパッタリング法で形成し。
微細加工技術によって接続用金電極４を形成する。さら
にその上に高分子樹脂膜６による保護膜を形成して第１
の緩衝層とし、同図（Ｃ）に示す磁気抵抗素子チップＳ
が完成する。
にその上に高分子樹脂膜６による保護膜を形成して第１
の緩衝層とし、同図（Ｃ）に示す磁気抵抗素子チップＳ
が完成する。
該磁気抵抗素子チップＳを、リードフレーム８上に第２
の緩衝層としてのフレキシブルタイプのシリコン系接１
剤を介して固着する。その後。
の緩衝層としてのフレキシブルタイプのシリコン系接１
剤を介して固着する。その後。
リードフレーム８と接続用金電極４の間をボンディング
ワイヤ７で接続し、ざらに熱硬化性樹脂９を使用して同
図（Ａ）、ＣＢ）に示すように磁気抵抗素子チップＳの
上面の必要な部分は露出させて他の部分にはトランスフ
ァモールド成形を行なう、すなわち、熱硬化性樹脂９の
高さは、磁気抵抗素子Ｓの高さと同じであり、熱硬化性
樹脂９の面と、磁気抵抗素子チップＳの面とは同一平面
を形成する。
ワイヤ７で接続し、ざらに熱硬化性樹脂９を使用して同
図（Ａ）、ＣＢ）に示すように磁気抵抗素子チップＳの
上面の必要な部分は露出させて他の部分にはトランスフ
ァモールド成形を行なう、すなわち、熱硬化性樹脂９の
高さは、磁気抵抗素子Ｓの高さと同じであり、熱硬化性
樹脂９の面と、磁気抵抗素子チップＳの面とは同一平面
を形成する。
本実施例においては、モールド形磁気抵抗素子全体は熱
硬化性樹脂９によって保護され、磁性抵抗素子チップＳ
の上面の移動体に接する部分は第１の緩衝層としての前
記高分子樹脂膜６によって保護される。５ｉ０２膜５お
よび高分子樹脂膜６は、任意の薄さく例えば５０ル鵬以
下）に形成することが可能であり、シリコン基板ｌ上に
形成された磁性抵抗パターン面と移動体上の磁性媒体面
とを必要な距離に接近させることが可能である。従って
、充分な感度と１分解能を得ることができるという効果
がある。また、磁性抵抗素子チップＳの上下面はそれぞ
れ前記第１および第２の緩衝層（シリコン系接着剤）を
有するため、モールド成形時の金型による素子自体のダ
メージは防止される。また、リードフレーム方式を採用
しているため、従来の半田付は方式に比較して自動化が
容易で大量生産に適し、安価に提供することができる。
硬化性樹脂９によって保護され、磁性抵抗素子チップＳ
の上面の移動体に接する部分は第１の緩衝層としての前
記高分子樹脂膜６によって保護される。５ｉ０２膜５お
よび高分子樹脂膜６は、任意の薄さく例えば５０ル鵬以
下）に形成することが可能であり、シリコン基板ｌ上に
形成された磁性抵抗パターン面と移動体上の磁性媒体面
とを必要な距離に接近させることが可能である。従って
、充分な感度と１分解能を得ることができるという効果
がある。また、磁性抵抗素子チップＳの上下面はそれぞ
れ前記第１および第２の緩衝層（シリコン系接着剤）を
有するため、モールド成形時の金型による素子自体のダ
メージは防止される。また、リードフレーム方式を採用
しているため、従来の半田付は方式に比較して自動化が
容易で大量生産に適し、安価に提供することができる。
発明の効果
以上のように、本発明においては、磁気抵抗素子チップ
の必要な部分は高分子樹脂膜によって保護された構造と
したから、磁気抵抗素子の磁気抵抗パターン面と移動体
上の磁性媒体面とは必要な距離に接近させることが可能
である。従って、充分な感度と、分解能を得ることがで
きるという効果がある。
の必要な部分は高分子樹脂膜によって保護された構造と
したから、磁気抵抗素子の磁気抵抗パターン面と移動体
上の磁性媒体面とは必要な距離に接近させることが可能
である。従って、充分な感度と、分解能を得ることがで
きるという効果がある。
第１図（Ａ）、ＣＢ）、（Ｃ）はそれぞれ本発明の一実
施例を示す断面図、一部破砕斜視図および主要部断面図
であり、第２図（Ａ）、（Ｂ）。 （Ｃ）はそれぞれ従来のモールド形磁気抵抗素子の一例
を示す断面図、一部破砕斜視図および主要部断面図であ
る。 図において、１：シリコン基板、２：ＳｉＯ□膜、３：
ニッケルー鉄薄膜パターン、４：接続用金電極、５：５
ｔｏ２膜、６：高分子樹脂膜、７：ボンディングワイヤ
、８：リードフレーム、９：熱硬化性樹脂、１０：シリ
コン基板、 １１： Ｓｉ ＯＬ膜、１２：ニッケルー
鉄薄膜パターン、１３：接続用金電極、１４：５ｉ０２
膜、１５：ボンディングワイヤ、１８：リードフレーム
、１７：熱硬化性樹脂、Ｓ：磁気抵抗素子チップ。
施例を示す断面図、一部破砕斜視図および主要部断面図
であり、第２図（Ａ）、（Ｂ）。 （Ｃ）はそれぞれ従来のモールド形磁気抵抗素子の一例
を示す断面図、一部破砕斜視図および主要部断面図であ
る。 図において、１：シリコン基板、２：ＳｉＯ□膜、３：
ニッケルー鉄薄膜パターン、４：接続用金電極、５：５
ｔｏ２膜、６：高分子樹脂膜、７：ボンディングワイヤ
、８：リードフレーム、９：熱硬化性樹脂、１０：シリ
コン基板、 １１： Ｓｉ ＯＬ膜、１２：ニッケルー
鉄薄膜パターン、１３：接続用金電極、１４：５ｉ０２
膜、１５：ボンディングワイヤ、１８：リードフレーム
、１７：熱硬化性樹脂、Ｓ：磁気抵抗素子チップ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁性薄膜パターンが形成された磁気抵抗素子チツプを
リードフレーム支持体上に固定し、熱硬化性樹脂で外装
したモールド形磁気抵抗素子において、 前記磁気抵抗素子チツプ上に形成された高分子樹脂によ
る第１の緩衝層と、 前記リードフレーム支持体と磁気抵抗素子の間に介装さ
れた接着性を有する高分子樹脂による第２の緩衝層を設
けて、かつ熱硬化性樹脂によつて前記磁気抵抗素子チツ
プ面と同一高さに外装を施したことを特徴とするモール
ド形磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60056951A JPS61216371A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | モ−ルド形磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60056951A JPS61216371A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | モ−ルド形磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216371A true JPS61216371A (ja) | 1986-09-26 |
Family
ID=13041852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60056951A Pending JPS61216371A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | モ−ルド形磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216371A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6456663A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-03 | Otsuka Chemical Co Ltd | Pyrazole derivative and herbicide containing said derivative as active ingredient |
| JPH0183332U (ja) * | 1987-11-24 | 1989-06-02 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60056951A patent/JPS61216371A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6456663A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-03 | Otsuka Chemical Co Ltd | Pyrazole derivative and herbicide containing said derivative as active ingredient |
| JPH0183332U (ja) * | 1987-11-24 | 1989-06-02 |
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