JPH05113472A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JPH05113472A JPH05113472A JP3274095A JP27409591A JPH05113472A JP H05113472 A JPH05113472 A JP H05113472A JP 3274095 A JP3274095 A JP 3274095A JP 27409591 A JP27409591 A JP 27409591A JP H05113472 A JPH05113472 A JP H05113472A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive element
- magnetic sensor
- bias magnet
- magnetoresistive
- hole
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気センサに関し、バイアス磁石を
内蔵していても、バイアス磁石を内蔵していない磁気セ
ンサとほぼ同じ大きさに形成された磁気センサを実現す
ることを目的とする。 【構成】 基板１上に強磁性対薄膜材料からなる磁気抵
抗パターン２が形成された磁気抵抗素子３と、該磁気抵
抗素子３の基板裏側に取付けたバイアス磁石４とをリー
ドフレーム５に搭載して樹脂１０にてモールド封止して
成る磁気センサにおいて、前記リードフレーム５の前記
磁気抵抗素子３が搭載される部分に該磁気抵抗素子３よ
り僅かに小さい穴１２を設け、該穴１２に前記バイアス
磁石４をはめ込み、磁気抵抗素子３はその基板１の周辺
でリードフレーム５に接合して成るように構成する。
内蔵していても、バイアス磁石を内蔵していない磁気セ
ンサとほぼ同じ大きさに形成された磁気センサを実現す
ることを目的とする。 【構成】 基板１上に強磁性対薄膜材料からなる磁気抵
抗パターン２が形成された磁気抵抗素子３と、該磁気抵
抗素子３の基板裏側に取付けたバイアス磁石４とをリー
ドフレーム５に搭載して樹脂１０にてモールド封止して
成る磁気センサにおいて、前記リードフレーム５の前記
磁気抵抗素子３が搭載される部分に該磁気抵抗素子３よ
り僅かに小さい穴１２を設け、該穴１２に前記バイアス
磁石４をはめ込み、磁気抵抗素子３はその基板１の周辺
でリードフレーム５に接合して成るように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気センサに関する。詳
しくは薄膜磁気抵抗素子にバイアス磁界を印加するため
のバイアス磁石の取り付け構造に関する。
しくは薄膜磁気抵抗素子にバイアス磁界を印加するため
のバイアス磁石の取り付け構造に関する。
【０００２】従来、磁気センサとしてはＩｎＳｎなどの
半導体磁気抵抗素子が用いられていたが、最近では強磁
性体薄膜磁気抵抗素子を用いた磁気センサが開発されて
いる。この強磁性体薄膜磁気抵抗素子は、外部磁界に対
する感度が良好であるため、ロータリーエンコーダ、位
置センサ、角度センサ、加速度センサ等に利用されてい
る。而して、この磁気センサを利用する器機の小型化に
伴って磁気センサ自身も小型化、薄型化が必要となって
いる。
半導体磁気抵抗素子が用いられていたが、最近では強磁
性体薄膜磁気抵抗素子を用いた磁気センサが開発されて
いる。この強磁性体薄膜磁気抵抗素子は、外部磁界に対
する感度が良好であるため、ロータリーエンコーダ、位
置センサ、角度センサ、加速度センサ等に利用されてい
る。而して、この磁気センサを利用する器機の小型化に
伴って磁気センサ自身も小型化、薄型化が必要となって
いる。
【０００３】
【従来の技術】図５は従来のバイアス磁石と強磁性体薄
膜磁気抵抗素子とからなる磁気センサの１例を示す図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線に
おける断面図である。この磁気センサは、Ｓｉ又はガラ
ス又はセラミック等を用いた基板１の上に強磁性体薄膜
の磁気抵抗パターン２が形成された磁気抵抗素子３がバ
イアス磁石４を挟んでリードフレーム５のダイステージ
部６にダイボンディングされ、また磁気抵抗パターン２
のパッド７とリードフレーム５のリード８間がワイヤ９
でワイヤボンティングされ、さらに磁気抵抗素子３、バ
イアス磁石４、ダイステージ部６、インナーリード８ａ
が樹脂１０でモールド封止されたものである。そしてバ
イアス磁界が印加された磁気抵抗パターン２は外部磁界
を磁気抵抗効果による電気抵抗の変化として検出するこ
とができる。
膜磁気抵抗素子とからなる磁気センサの１例を示す図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線に
おける断面図である。この磁気センサは、Ｓｉ又はガラ
ス又はセラミック等を用いた基板１の上に強磁性体薄膜
の磁気抵抗パターン２が形成された磁気抵抗素子３がバ
イアス磁石４を挟んでリードフレーム５のダイステージ
部６にダイボンディングされ、また磁気抵抗パターン２
のパッド７とリードフレーム５のリード８間がワイヤ９
でワイヤボンティングされ、さらに磁気抵抗素子３、バ
イアス磁石４、ダイステージ部６、インナーリード８ａ
が樹脂１０でモールド封止されたものである。そしてバ
イアス磁界が印加された磁気抵抗パターン２は外部磁界
を磁気抵抗効果による電気抵抗の変化として検出するこ
とができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の強磁性体薄
膜磁気抵抗素子とバイアス磁石とを樹脂封止した磁気セ
ンサでは、バイアス磁石を内蔵していない磁気センサと
同じ大きさにモールドすることは困難であった。
膜磁気抵抗素子とバイアス磁石とを樹脂封止した磁気セ
ンサでは、バイアス磁石を内蔵していない磁気センサと
同じ大きさにモールドすることは困難であった。
【０００５】本発明は、バイアス磁石を内蔵していて
も、バイアス磁石を内蔵していない磁気センサとほぼ同
じ大きさに形成可能な磁気センサを実現しようとする。
も、バイアス磁石を内蔵していない磁気センサとほぼ同
じ大きさに形成可能な磁気センサを実現しようとする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気センサに於
いては、基板１上に強磁性体薄膜材料からなる磁気抵抗
パターン２が形成された磁気抵抗素子３と、該磁気抵抗
素子３の基板裏側に取付けたバイアス磁石４とをリード
フレーム５に搭載して樹脂１０にてモールド封止して成
る磁気センサにおいて、前記リードフレーム５の前記磁
気抵抗素子３が搭載される部分に、該磁気抵抗素子３よ
り僅かに小さい穴１２を設け、該穴１２に前記バイアス
磁石４をはめ込み、磁気抵抗素子３はその基板１周辺で
リードフレーム５に接合して成ることを特徴とする。
いては、基板１上に強磁性体薄膜材料からなる磁気抵抗
パターン２が形成された磁気抵抗素子３と、該磁気抵抗
素子３の基板裏側に取付けたバイアス磁石４とをリード
フレーム５に搭載して樹脂１０にてモールド封止して成
る磁気センサにおいて、前記リードフレーム５の前記磁
気抵抗素子３が搭載される部分に、該磁気抵抗素子３よ
り僅かに小さい穴１２を設け、該穴１２に前記バイアス
磁石４をはめ込み、磁気抵抗素子３はその基板１周辺で
リードフレーム５に接合して成ることを特徴とする。
【０００７】また、それに加えて、上記穴１２は少なく
とも磁気抵抗素子３の磁気抵抗パターン２の形成領域と
同じ大きさを有することを特徴とする。この構成を採る
ことにより、バイアス磁石を内蔵していても、バイアス
磁石を内蔵していない磁気センサとほぼ同じ大きさに形
成された磁気センサが得られる。
とも磁気抵抗素子３の磁気抵抗パターン２の形成領域と
同じ大きさを有することを特徴とする。この構成を採る
ことにより、バイアス磁石を内蔵していても、バイアス
磁石を内蔵していない磁気センサとほぼ同じ大きさに形
成された磁気センサが得られる。
【０００８】
【作用】リードフレーム５の磁気抵抗素子３を搭載する
部分に該磁気抵抗素子３より僅かに小さい穴１２を設
け、該穴にバイアス磁石４をはめ込んだことにより、磁
気センサの厚さを、リードフレーム５の厚さ分だけ薄く
することができる。
部分に該磁気抵抗素子３より僅かに小さい穴１２を設
け、該穴にバイアス磁石４をはめ込んだことにより、磁
気センサの厚さを、リードフレーム５の厚さ分だけ薄く
することができる。
【０００９】
【実施例】図１及び図２は本発明の実施例を示す図であ
り、図１は分解斜視図、図２は組立図で（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。図１、図２において、３は磁気抵抗素子であり、該
磁気抵抗素子３は、Ｓｉ又はガラス又はセラミック等で
形成された基板１の上に強磁性体薄膜（例えばＮｉＦｅ
合金）で例えば図の如くジグザグ状に磁気抵抗パターン
２が形成されている。
り、図１は分解斜視図、図２は組立図で（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。図１、図２において、３は磁気抵抗素子であり、該
磁気抵抗素子３は、Ｓｉ又はガラス又はセラミック等で
形成された基板１の上に強磁性体薄膜（例えばＮｉＦｅ
合金）で例えば図の如くジグザグ状に磁気抵抗パターン
２が形成されている。
【００１０】４は磁気抵抗素子３の磁気抵抗パターン２
にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁石であり、
該バイアス磁石４は磁気抵抗パターン２の形成領域より
大きく、且つ基板１よりも小さいことが必要である。
にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁石であり、
該バイアス磁石４は磁気抵抗パターン２の形成領域より
大きく、且つ基板１よりも小さいことが必要である。
【００１１】５はリードフレームであり、該リードフレ
ーム５は、ピンチバー１１，１１′に支持されたダイス
テージ部６と、複数のリード８とを有しており、ダイス
テージ部６には穴１２が穿設されている。この穴１２の
大きさは磁気抵抗素子３の基板１より僅かに小さく且つ
バイアス磁石４よりも大きい。
ーム５は、ピンチバー１１，１１′に支持されたダイス
テージ部６と、複数のリード８とを有しており、ダイス
テージ部６には穴１２が穿設されている。この穴１２の
大きさは磁気抵抗素子３の基板１より僅かに小さく且つ
バイアス磁石４よりも大きい。
【００１２】以上の磁気抵抗素子３、バイアス磁石４、
リードフレーム５は図２の如く組立てられる。すなわ
ち、磁気抵抗素子３はその周辺でリードフレーム５のダ
イステージ部６に接着剤によりダイボンディングされ、
次いでその抵抗パターン２の端子パッド７とリードフレ
ーム５のリード８との間をワイヤ９でボンディングされ
る。その後、バイアス磁石４がリードフレーム５のダイ
ステージ部６に設けられた穴１２にはめ込まれ、磁気抵
抗素子３の裏側に接着剤で接着され、最後に磁気抵抗素
子３、バイアス磁石４、リードフレーム５のダイステー
ジ部６及びインナーリード部８ａが樹脂１０でモールド
封止される。
リードフレーム５は図２の如く組立てられる。すなわ
ち、磁気抵抗素子３はその周辺でリードフレーム５のダ
イステージ部６に接着剤によりダイボンディングされ、
次いでその抵抗パターン２の端子パッド７とリードフレ
ーム５のリード８との間をワイヤ９でボンディングされ
る。その後、バイアス磁石４がリードフレーム５のダイ
ステージ部６に設けられた穴１２にはめ込まれ、磁気抵
抗素子３の裏側に接着剤で接着され、最後に磁気抵抗素
子３、バイアス磁石４、リードフレーム５のダイステー
ジ部６及びインナーリード部８ａが樹脂１０でモールド
封止される。
【００１３】このように構成された本実施例は図５に示
した従来例に比べ、その厚さがリードフレーム５の厚さ
分だけ薄くできる。
した従来例に比べ、その厚さがリードフレーム５の厚さ
分だけ薄くできる。
【００１４】図３は本発明の他の実施例を示す分解斜視
図である。本実施例は基本的には前実施例と同様であ
り、異なるところは、リードフレーム５のダイステージ
部６に前実施例ではバイアス磁石４をはめ込む穴１２を
設けたのに対し、本実施例では穴の両側部を除去して空
間部１３を設け、ダイステージ部６を対向する２本のバ
ー状としたことである。
図である。本実施例は基本的には前実施例と同様であ
り、異なるところは、リードフレーム５のダイステージ
部６に前実施例ではバイアス磁石４をはめ込む穴１２を
設けたのに対し、本実施例では穴の両側部を除去して空
間部１３を設け、ダイステージ部６を対向する２本のバ
ー状としたことである。
【００１５】そして磁気抵抗素子３はその両端をダイス
テージ部６に接着し、バイアス磁石４はダイステージ部
６の空間部１３にはめ込み磁気抵抗素子１３の裏面に接
着している。このように構成した本実施例は前実施例と
同様な効果を有する。
テージ部６に接着し、バイアス磁石４はダイステージ部
６の空間部１３にはめ込み磁気抵抗素子１３の裏面に接
着している。このように構成した本実施例は前実施例と
同様な効果を有する。
【００１６】なお上述の２つの実施例いおいて、磁気抵
抗素子３の磁気抵抗パターン２にはバイアス磁界を均等
に印加する必要がある。しかし実施例においては、磁気
抵抗素子３よりバイアス磁石４の方が小さいため、該素
子の端部の部分は磁界が弱くなる。従って図４に示すよ
うに磁界の弱くなっている部分にパッド７等の磁気抵抗
効果に無関係な部分を配置し、Ａの部分に磁気抵抗パタ
ーン部分を配置する。このようにすることにより、本実
施例と同じ大きさの磁気抵抗素子を用いていた従来品と
全く変らない特性が得られる。
抗素子３の磁気抵抗パターン２にはバイアス磁界を均等
に印加する必要がある。しかし実施例においては、磁気
抵抗素子３よりバイアス磁石４の方が小さいため、該素
子の端部の部分は磁界が弱くなる。従って図４に示すよ
うに磁界の弱くなっている部分にパッド７等の磁気抵抗
効果に無関係な部分を配置し、Ａの部分に磁気抵抗パタ
ーン部分を配置する。このようにすることにより、本実
施例と同じ大きさの磁気抵抗素子を用いていた従来品と
全く変らない特性が得られる。
【００１７】
【発明の効果】本発明に依れば、バイアス磁石をリード
フレームのダイステージ部に設けた穴又は空間部にはめ
込むことにより、バイアス磁石を内蔵していない磁気セ
ンサとほぼ同じ大きさ留めることができ、磁気センサの
小型化、薄型化を実現することができる。
フレームのダイステージ部に設けた穴又は空間部にはめ
込むことにより、バイアス磁石を内蔵していない磁気セ
ンサとほぼ同じ大きさ留めることができ、磁気センサの
小型化、薄型化を実現することができる。
【図１】本発明の実施例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の実施例を示す組立図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す分解斜視図である。
【図４】本発明の実施例における磁気抵抗素子とバイア
ス磁石の位置関係を示す図である。
ス磁石の位置関係を示す図である。
【図５】従来の磁気センサを示す図である。
１…基板 ２…磁気抵抗パターン ３…磁気抵抗素子 ４…バイアス磁石 ５…リードフレーム ６…ダイステージ部 ７…パッド ８…リード ９…ワイヤ １０…樹脂 １１，１１′…ピンチバー １２…穴 １３…空間部
Claims (2)
- 【請求項１】 基板（１）上に強磁性体薄膜材料からな
る磁気抵抗パターン（２）が形成された磁気抵抗素子
（３）と、該磁気抵抗素子（３）の基板裏側に取付けた
バイアス磁石（４）とをリードフレーム（５）に搭載し
て樹脂（１０）にてモールド封止して成る磁気センサに
おいて、 前記リードフレーム（５）の前記磁気抵抗素子（３）が
搭載される部分に、該磁気抵抗素子（３）より僅かに小
さい穴（１２）を設け、該穴（１２）に前記バイアス磁
石（４）をはめ込み、磁気抵抗素子（３）はその基板
（１）周辺でリードフレーム（５）に接合して成ること
を特徴とする磁気センサ。 - 【請求項２】 上記穴（１２）は少なくとも磁気抵抗素
子（３）の磁気抵抗パターン（２）の形成領域と同じ大
きさを有することを特徴とする請求項１の磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3274095A JPH05113472A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3274095A JPH05113472A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05113472A true JPH05113472A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17536920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3274095A Withdrawn JPH05113472A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05113472A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003035701A (ja) * | 2001-05-16 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサとこれを用いた紙幣識別装置 |
| JP2016125942A (ja) * | 2015-01-06 | 2016-07-11 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ装置 |
| JP2016522892A (ja) * | 2013-04-26 | 2016-08-04 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | 分割されたリードフレーム及び磁石を有する集積回路パッケージ |
| US10230006B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-12 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with an electromagnetic suppressor |
| US10234513B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-19 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP3274095A patent/JPH05113472A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003035701A (ja) * | 2001-05-16 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサとこれを用いた紙幣識別装置 |
| US10230006B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-12 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with an electromagnetic suppressor |
| US10234513B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-19 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US10916665B2 (en) | 2012-03-20 | 2021-02-09 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with an integrated coil |
| US11444209B2 (en) | 2012-03-20 | 2022-09-13 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with an integrated coil enclosed with a semiconductor die by a mold material |
| US11677032B2 (en) | 2012-03-20 | 2023-06-13 | Allegro Microsystems, Llc | Sensor integrated circuit with integrated coil and element in central region of mold material |
| US11828819B2 (en) | 2012-03-20 | 2023-11-28 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US11961920B2 (en) | 2012-03-20 | 2024-04-16 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package with magnet having a channel |
| JP2016522892A (ja) * | 2013-04-26 | 2016-08-04 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | 分割されたリードフレーム及び磁石を有する集積回路パッケージ |
| JP2016125942A (ja) * | 2015-01-06 | 2016-07-11 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |