JPH02174277A - 磁気センサ及びその製造方法 - Google Patents
磁気センサ及びその製造方法Info
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- JPH02174277A JPH02174277A JP63329955A JP32995588A JPH02174277A JP H02174277 A JPH02174277 A JP H02174277A JP 63329955 A JP63329955 A JP 63329955A JP 32995588 A JP32995588 A JP 32995588A JP H02174277 A JPH02174277 A JP H02174277A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は外部磁界の変化を検出する磁気センサ及びその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
(従来の技術)
従来、強磁性薄膜層を基板上に所定のパターンで形成し
、外部磁界の作用により該強磁性HnQ層の磁気抵抗が
変化することを利用して、回転体等の変位検出を行う磁
気センサが知られている。
、外部磁界の作用により該強磁性HnQ層の磁気抵抗が
変化することを利用して、回転体等の変位検出を行う磁
気センサが知られている。
第3図は、このような従来の磁気センサの外観斜視図で
おる。
おる。
同図に示す磁気センサ1は、ガラス製の基板2と、この
基板2上に、フォトエツヂレグ法により形成された磁気
抵抗効果を発揮するNiC0等の強磁性薄膜層からなる
感磁部3と、この感磁部3の接続部に固着された3本の
リード端子4と、基板2上に形成された感磁部3を含み
、さらにリード端子4の固着部分を含む全体を、単一の
樹脂層5で被覆したものである。
基板2上に、フォトエツヂレグ法により形成された磁気
抵抗効果を発揮するNiC0等の強磁性薄膜層からなる
感磁部3と、この感磁部3の接続部に固着された3本の
リード端子4と、基板2上に形成された感磁部3を含み
、さらにリード端子4の固着部分を含む全体を、単一の
樹脂層5で被覆したものである。
この樹脂層5の形成は、第4図に示すようにして行う。
すなわち、上型6と、下型7との当接面にそれぞれ対応
する凹部Ba、 8bを形成し、両金型6゜7が当接状
態の際に空間8ができるようにする。
する凹部Ba、 8bを形成し、両金型6゜7が当接状
態の際に空間8ができるようにする。
そしてこの空間8内に、表面に感磁部3等を形成された
基板2を配置し、樹脂注入孔7aから樹脂を注入して加
熱加圧するトランスファー成形により、全体を被覆する
ようにしていた。
基板2を配置し、樹脂注入孔7aから樹脂を注入して加
熱加圧するトランスファー成形により、全体を被覆する
ようにしていた。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、このような磁気センサによって回転体等の回
転変位を検出させる場合には、検出感度の増大を図る上
で、回転体近傍に近接又は密着させて磁気センサを配置
することが必要である。
転変位を検出させる場合には、検出感度の増大を図る上
で、回転体近傍に近接又は密着させて磁気センサを配置
することが必要である。
従って、前述した樹脂層5は、磁気センサの要となる感
磁部3を回転体との接触等による傷等から保護する上で
必要となる。
磁部3を回転体との接触等による傷等から保護する上で
必要となる。
ところが、感磁部3表面に被覆される樹脂層の厚みを大
きく設定した際には、磁気センサを回転体近傍又は密着
させて配置した場合にも、感磁部3と回転体表面の距離
が大ぎく離間し、検出感度の低下を招くという問題があ
った。
きく設定した際には、磁気センサを回転体近傍又は密着
させて配置した場合にも、感磁部3と回転体表面の距離
が大ぎく離間し、検出感度の低下を招くという問題があ
った。
これを防止するには、感磁部3を被覆する樹脂層の厚み
を例えば10μm以下程度に薄く形成すればよいが、上
述した従来のトランスファー成形による樹脂層の形成方
法で番よ、その厚みを50μm以下に設定することはき
わめて困難であり、10μmの樹脂層を形成させた際に
はピンホール等が発生し、これを避けることかできない
という問題があった。
を例えば10μm以下程度に薄く形成すればよいが、上
述した従来のトランスファー成形による樹脂層の形成方
法で番よ、その厚みを50μm以下に設定することはき
わめて困難であり、10μmの樹脂層を形成させた際に
はピンホール等が発生し、これを避けることかできない
という問題があった。
そこで発明は、感磁部表面の保護層を薄く形成できると
ともに、外部磁界の検出感度の向上図った磁気センサ及
びその製造方法の提供を目的とする。
ともに、外部磁界の検出感度の向上図った磁気センサ及
びその製造方法の提供を目的とする。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するための磁気センサの構成は、前述し
た磁気センサにおいて、感磁部表面を被覆する第一の保
護層と、感磁部を除く部分を被覆する第二の保護層とを
備えたものとしている。
た磁気センサにおいて、感磁部表面を被覆する第一の保
護層と、感磁部を除く部分を被覆する第二の保護層とを
備えたものとしている。
また、感磁部表面を被覆する第一の樹脂被覆層と、感磁
部を除く部分を被覆する第二の樹脂被覆層とを備えたも
のとしてもよい。
部を除く部分を被覆する第二の樹脂被覆層とを備えたも
のとしてもよい。
上記目的を達成するための磁気センサの製造方法は、基
板上に形成された外部磁界の変化を検出する感磁部表面
に、第一の保護層を形成する工程と、この第一の保護層
を除く部分を被覆して、第二の保IIIを形成する工程
とを備えたものとしている。
板上に形成された外部磁界の変化を検出する感磁部表面
に、第一の保護層を形成する工程と、この第一の保護層
を除く部分を被覆して、第二の保IIIを形成する工程
とを備えたものとしている。
(作 用)
上記構成を供えた磁気センサ及びその製造方法では、感
磁部表面と、この感磁部を除く部分をそれぞれ別の保護
層で保護するようにしているので、感磁部表面の保護層
を所望の薄さに設定できるようにしている。
磁部表面と、この感磁部を除く部分をそれぞれ別の保護
層で保護するようにしているので、感磁部表面の保護層
を所望の薄さに設定できるようにしている。
(実施例)
以下、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)は一実施例としての磁気センサを示す外観
斜視図、同図(b)はそのBB断面図である。
斜視図、同図(b)はそのBB断面図である。
第1図(a)、(b)に示す磁気センサ9は、ガラス製
の基板15と、この基板15上に形成され、外部磁界の
変化を検出する感磁部16とを備えており、前記感磁部
16表面は第一の保護層11により被覆され、感磁部1
6を除く部分は第二の保護層により被覆されている。ま
た、基板15の図示裏面には3本のリード端子12乃至
14が互いに平行に固着され、前記感磁部16とこのリ
ード端子12乃至14とは導通接続されている。
の基板15と、この基板15上に形成され、外部磁界の
変化を検出する感磁部16とを備えており、前記感磁部
16表面は第一の保護層11により被覆され、感磁部1
6を除く部分は第二の保護層により被覆されている。ま
た、基板15の図示裏面には3本のリード端子12乃至
14が互いに平行に固着され、前記感磁部16とこのリ
ード端子12乃至14とは導通接続されている。
前記基板15は、図示表面の中央部分を上方に突出させ
た形状を有し、この突出部分の上面15aに感磁部16
が形成されている。
た形状を有し、この突出部分の上面15aに感磁部16
が形成されている。
前記感磁部16は、従来例の場合とほぼ同様に、基板1
5の図示表面にフォトエツチングの方法によって形成さ
れたもので、同図に示すパターンの磁気抵抗効果を発揮
する例えば膜厚数十μm程度のNiCo等の強磁性薄膜
層からなる2つの感磁部16a、16bを有し、ざらに
、従来例と同様な電極部17乃至19を設けた構成とし
でいる。
5の図示表面にフォトエツチングの方法によって形成さ
れたもので、同図に示すパターンの磁気抵抗効果を発揮
する例えば膜厚数十μm程度のNiCo等の強磁性薄膜
層からなる2つの感磁部16a、16bを有し、ざらに
、従来例と同様な電極部17乃至19を設けた構成とし
でいる。
前記各リード端子12乃至14はそれぞれ板状体からな
るもので、接続片20乃至22及びAu(金)からなる
接続線23乃至25を介して電極部17乃至19と導通
接続されている。
るもので、接続片20乃至22及びAu(金)からなる
接続線23乃至25を介して電極部17乃至19と導通
接続されている。
前記第一の保護層11は、基板15の上面15aの表面
だけ、すなわち感磁部16が形成された部分だけを被覆
するもので、本実施例では後述する製造工程により、厚
みが約10μm以下のエポキシ樹脂の樹脂層から形成さ
れている。尚、保護層としては上記材質の他、シリコン
樹脂等を用いてもよい。
だけ、すなわち感磁部16が形成された部分だけを被覆
するもので、本実施例では後述する製造工程により、厚
みが約10μm以下のエポキシ樹脂の樹脂層から形成さ
れている。尚、保護層としては上記材質の他、シリコン
樹脂等を用いてもよい。
前記第二の保護@10は、前記感磁部16が形成されて
いる上面15aを除く部分を被覆するもので、本実施例
では後述するトランスファー成型により約50μm程度
の厚みのエポキシ樹脂の樹脂層から形成されている。
いる上面15aを除く部分を被覆するもので、本実施例
では後述するトランスファー成型により約50μm程度
の厚みのエポキシ樹脂の樹脂層から形成されている。
尚、この第二の保ff@10は、本実施例では前記第一
の保護@11と同一の材質のものを用いたが、本発明で
は第一の保護層11と第二の保護層10とは別に形成で
きるので、前記第一の保護層11と別の材質を用いるこ
とも可能である。これにより、目的に応じまた被覆する
部分に応じて最適な保護層を形成できる。
の保護@11と同一の材質のものを用いたが、本発明で
は第一の保護層11と第二の保護層10とは別に形成で
きるので、前記第一の保護層11と別の材質を用いるこ
とも可能である。これにより、目的に応じまた被覆する
部分に応じて最適な保護層を形成できる。
以上の構成を供えた磁気センサの製造方法について、第
2図(a)乃至(d>を参照して説明する。
2図(a)乃至(d>を参照して説明する。
まず、同図(a)に示すように、基板15の上面15a
上に感磁部16を延在形成し、該基板15の裏面に3本
のリード端子12乃至14を固着する。
上に感磁部16を延在形成し、該基板15の裏面に3本
のリード端子12乃至14を固着する。
そして、感磁部16の電極部17乃至19に接続片20
乃至22をそれぞれ導通接続した後、前述した接続線2
3乃至25を介して電極部17乃至19とリード端子1
2乃至14とを導通接続し、これによりリード端子12
乃至14と感磁部16とを導通接続する。
乃至22をそれぞれ導通接続した後、前述した接続線2
3乃至25を介して電極部17乃至19とリード端子1
2乃至14とを導通接続し、これによりリード端子12
乃至14と感磁部16とを導通接続する。
次に、上記基板15の上面15aに第一の保護層11を
第2図(C)に示すように形成する。
第2図(C)に示すように形成する。
この第一の保護@11の形成は、本実施例ではエポキシ
樹脂をスクリーン印刷により上面15aに塗布している
。従って、従来のようなトランスファー成型では不可能
であった10μm以下程度の薄さとした保護層を形成可
能としている。尚、この第一の保護層11の形成方法は
上記スクリーン印刷の他、スプレーによって各種樹脂を
吹き付けるようにしてもよい。この場合にも同様の薄さ
の保護層を形成できる。尚、第2図(b)は第1の保護
層11を形成した半完成の磁気センサ9′を示す。
樹脂をスクリーン印刷により上面15aに塗布している
。従って、従来のようなトランスファー成型では不可能
であった10μm以下程度の薄さとした保護層を形成可
能としている。尚、この第一の保護層11の形成方法は
上記スクリーン印刷の他、スプレーによって各種樹脂を
吹き付けるようにしてもよい。この場合にも同様の薄さ
の保護層を形成できる。尚、第2図(b)は第1の保護
層11を形成した半完成の磁気センサ9′を示す。
次に、第二の保護層10を形成する。
本実施例ではこの第二の保護層10をトランファー成型
によって形成している。
によって形成している。
すなわち、第2図(C)に示す上型26aと下型26b
からなる金型26の各対向面に26c。
からなる金型26の各対向面に26c。
26dで示す凹部を形成し、上記半完成の磁気センサ9
′のリード端子12乃至14を一端部で挾持させるよう
にして、凹部26c、26dによって形成される空間2
6f内で支持する。
′のリード端子12乃至14を一端部で挾持させるよう
にして、凹部26c、26dによって形成される空間2
6f内で支持する。
この時、第一の保護層11の上面11aと、上型26a
の凹部26Cの上面26eとが密着するようにする。こ
れは、空間26f内に注入される樹脂が第一の保護層1
1の上面11aに被覆しないようにするためである。こ
れにより、第2の保:a層も第一の保護層とは異なる厚
みに形成できる。
の凹部26Cの上面26eとが密着するようにする。こ
れは、空間26f内に注入される樹脂が第一の保護層1
1の上面11aに被覆しないようにするためである。こ
れにより、第2の保:a層も第一の保護層とは異なる厚
みに形成できる。
以上のようにして注入孔27がら空間26f内にエポキ
シ樹脂を注入し、加圧加熱する。
シ樹脂を注入し、加圧加熱する。
このようにして第2図(d)に示すような磁気センサ9
が完成する。
が完成する。
以上のような磁気センサ9によれば、第一の保護層11
だけを任意の方法により形成できるので、その厚みを薄
り設定することが可能となる。しがも、従来のようなト
ランスファー成型により保護層を形成する場合に生じて
いたピンホール等の欠陥も生じない。
だけを任意の方法により形成できるので、その厚みを薄
り設定することが可能となる。しがも、従来のようなト
ランスファー成型により保護層を形成する場合に生じて
いたピンホール等の欠陥も生じない。
この結果、外部磁界の検出感度を向上させることができ
、例えば外周にN、Sの磁極を付した回転体(図示しな
い)の回転変位を正確、がっ、感度良く検出することが
できる。
、例えば外周にN、Sの磁極を付した回転体(図示しな
い)の回転変位を正確、がっ、感度良く検出することが
できる。
尚、本発明は、上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨の範囲内で種々の変形が可能であることを
付記する。
く、その要旨の範囲内で種々の変形が可能であることを
付記する。
[発明の効果コ
以上詳述した本発明によれば、感磁部表面の保護層を薄
く形成できるとともに、外部磁界の検出感度の向上を図
った磁気センサ及びその製造方法の提供ができる。
く形成できるとともに、外部磁界の検出感度の向上を図
った磁気センサ及びその製造方法の提供ができる。
第1図(a)は本発明の一実施例を示す磁気センサの斜
視図、同図(b)は同図(a)のBB断面図、第2図(
a)乃至(d)は第1図に示す磁気センサの製造工程を
示す説明図、第3図は従来の磁気センサの説明図、第4
図は第3図に示す磁気センサの製造工程を示す説明図で
ある。 10・・・第二の保護層(第一の樹脂被覆層)、11・
・・第一の保護層(第一の樹脂被覆層)、15・・・基
板、16・・・感磁部。 (G) 第 図 (b) 第 図 (d) 第 図
視図、同図(b)は同図(a)のBB断面図、第2図(
a)乃至(d)は第1図に示す磁気センサの製造工程を
示す説明図、第3図は従来の磁気センサの説明図、第4
図は第3図に示す磁気センサの製造工程を示す説明図で
ある。 10・・・第二の保護層(第一の樹脂被覆層)、11・
・・第一の保護層(第一の樹脂被覆層)、15・・・基
板、16・・・感磁部。 (G) 第 図 (b) 第 図 (d) 第 図
Claims (3)
- (1)基板と、この基板上に形成され、外部磁界の変化
を検出する感磁部とを備えた磁気センサにおいて、感磁
部表面を被覆する第一の保護層と、感磁部を除く部分を
被覆する第二の保護層とを備えたことを特徴とする磁気
センサ。 - (2)基板と、この基板上に形成され、外部磁界の変化
を検出する感磁部とを備えた磁気センサにおいて、感磁
部表面を被覆する第一の樹脂被覆層と、感磁部を除く部
分を被覆する第二の樹脂被覆層とを備えたことを特徴と
する磁気センサ。 - (3)基板上に形成された外部磁界の変化を検出する感
磁部表面に、第一の保護層を形成する工程と、この第一
の保護層を除く部分を被覆して、第二の保護層を形成す
る工程とを備えたことを特徴とする磁気センサの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63329955A JPH02174277A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 磁気センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63329955A JPH02174277A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 磁気センサ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02174277A true JPH02174277A (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=18227136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63329955A Pending JPH02174277A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 磁気センサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02174277A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013518273A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-05-20 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク | 集積磁力計およびその製造プロセス |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP63329955A patent/JPH02174277A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013518273A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-05-20 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク | 集積磁力計およびその製造プロセス |
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