JPH0368882A - 磁気センサとその製造方法 - Google Patents
磁気センサとその製造方法Info
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- JPH0368882A JPH0368882A JP1206145A JP20614589A JPH0368882A JP H0368882 A JPH0368882 A JP H0368882A JP 1206145 A JP1206145 A JP 1206145A JP 20614589 A JP20614589 A JP 20614589A JP H0368882 A JPH0368882 A JP H0368882A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は組立工程を簡素化できる磁気センサに関する。
(ロ)従来の技術
InSb 、 InSb −NiSb 、 InAs等
のキャリヤ移動度が高い半導体又はNi−Co 、 N
i−Fe 、 Ni−Fe−Co等の強磁性体はこれに
磁界を作用させたとき抵抗値が変化するという性質を有
しており、この性質を利用した磁気センサが実用化され
ている。(例えば、実開昭59−45576号公報) 第4図は磁気センサの一般的な構成を示す正面断面図で
あり、図中(1〉は筐体を示している。筐体(1)はプ
ラスチックやリン青銅、しんちゅう製の成形品であって
、上面に形成した開口部(1a)はベリリウム−銅製の
薄膜よりなる保護板(2)にて閉鎖されている。保護板
(2)は筐体(1)に一体にモールドされており、その
外面には耐摩耗性向上のために必要に応じてクロムメツ
キが施される。
のキャリヤ移動度が高い半導体又はNi−Co 、 N
i−Fe 、 Ni−Fe−Co等の強磁性体はこれに
磁界を作用させたとき抵抗値が変化するという性質を有
しており、この性質を利用した磁気センサが実用化され
ている。(例えば、実開昭59−45576号公報) 第4図は磁気センサの一般的な構成を示す正面断面図で
あり、図中(1〉は筐体を示している。筐体(1)はプ
ラスチックやリン青銅、しんちゅう製の成形品であって
、上面に形成した開口部(1a)はベリリウム−銅製の
薄膜よりなる保護板(2)にて閉鎖されている。保護板
(2)は筐体(1)に一体にモールドされており、その
外面には耐摩耗性向上のために必要に応じてクロムメツ
キが施される。
筐体(1)内にはこの保護板(2)と適当な間隔を隔て
て検出器本体(3)が配設されている。この検出器本体
(3)はセンサユニット(4)、プリント基板(5)及
び永久磁石(6)等にて構成されている。センサユニッ
ト(4)はフェライト製の磁性体基板(7)上に相互に
電気的に接続した磁気抵抗素子(8)(9)を接着用樹
脂(10)を用いて並設したものであり、この磁性体基
板〈7〉は所望形状の導電パターンを描画したプリント
基板(5)、ヒに接着固定される。プリント基板(5)
の反対面には磁性体基板(7)と対向する位置に円柱状
のバイアス用永久磁石(6〉が接着固定されている。プ
リント基板(5)lにはセンサユニット(4〉を囲み、
比つ上面を磁気抵抗素子(8)(9)表面より高くした
環状スペーサ(11)が設けられており、保護板(2〉
の周縁に該スペーサ(11)の上面を当接させて保護板
(2〉と磁気抵抗素子(8)(9)との間隔が一定値に
なるようにしである。そして各磁気抵抗素子(8)(9
)の電極とプリント基板(5)上の導電パターンとが金
属細線(12)で接続され、導電バクーンは筐体(1〉
外に導出される外部接続リード(13〉とプリント基板
(5)のスルーホール(14)を介して接続され、これ
らユニットはエポキシ系樹脂(15)で筐体(1)内に
封止されている。
て検出器本体(3)が配設されている。この検出器本体
(3)はセンサユニット(4)、プリント基板(5)及
び永久磁石(6)等にて構成されている。センサユニッ
ト(4)はフェライト製の磁性体基板(7)上に相互に
電気的に接続した磁気抵抗素子(8)(9)を接着用樹
脂(10)を用いて並設したものであり、この磁性体基
板〈7〉は所望形状の導電パターンを描画したプリント
基板(5)、ヒに接着固定される。プリント基板(5)
の反対面には磁性体基板(7)と対向する位置に円柱状
のバイアス用永久磁石(6〉が接着固定されている。プ
リント基板(5)lにはセンサユニット(4〉を囲み、
比つ上面を磁気抵抗素子(8)(9)表面より高くした
環状スペーサ(11)が設けられており、保護板(2〉
の周縁に該スペーサ(11)の上面を当接させて保護板
(2〉と磁気抵抗素子(8)(9)との間隔が一定値に
なるようにしである。そして各磁気抵抗素子(8)(9
)の電極とプリント基板(5)上の導電パターンとが金
属細線(12)で接続され、導電バクーンは筐体(1〉
外に導出される外部接続リード(13〉とプリント基板
(5)のスルーホール(14)を介して接続され、これ
らユニットはエポキシ系樹脂(15)で筐体(1)内に
封止されている。
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の磁気センサは永久磁石(6)
をプリント基板(5)裏面に設置する為永久磁石〈6〉
と磁気抵抗素子(8)(9)との位置合せが難しく、セ
ンサユニット(4)の組立が煩雑である欠点を有してい
た。
をプリント基板(5)裏面に設置する為永久磁石〈6〉
と磁気抵抗素子(8)(9)との位置合せが難しく、セ
ンサユニット(4)の組立が煩雑である欠点を有してい
た。
(二〉課題を解決するための手段
本発明は上記従来の課題に鑑み成されたもので、バイア
ス磁界を与えるマグネット基板(26〉上に磁気抵抗素
子(27)<28)を形成し、前記マグネット基板(2
6)をプリント基板(25)上に接着することにより、
組立工程をa素化できる磁気センサとその製造方法を提
供するものである。
ス磁界を与えるマグネット基板(26〉上に磁気抵抗素
子(27)<28)を形成し、前記マグネット基板(2
6)をプリント基板(25)上に接着することにより、
組立工程をa素化できる磁気センサとその製造方法を提
供するものである。
<*)作用
本発明によれば、マグネット基板(26)上に磁気抵抗
素子(27)(2B)を配置したので、プリント基板(
25〉裏面での位置合せ作業を排除できる。
素子(27)(2B)を配置したので、プリント基板(
25〉裏面での位置合せ作業を排除できる。
(へ)実施例
以下に本発明の一実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明の磁気センサを示す正面断面図であり、
図中(21)は筐体を示している。i体(21)はプラ
スチックやリン青銅、しんちゅう製の成形品であって、
上面に形成した開口部(21a)はベリリウム−銅製の
薄膜よりなる保護板(22)にて閉鎖されている。保護
板(22〉は筐体(21〉に一体にモールドされており
、その外面には耐摩耗性向上のために必要に応じてクロ
ムメツキが施される。
図中(21)は筐体を示している。i体(21)はプラ
スチックやリン青銅、しんちゅう製の成形品であって、
上面に形成した開口部(21a)はベリリウム−銅製の
薄膜よりなる保護板(22)にて閉鎖されている。保護
板(22〉は筐体(21〉に一体にモールドされており
、その外面には耐摩耗性向上のために必要に応じてクロ
ムメツキが施される。
筐体(21〉内にはこの保護板(22〉と適当な間隔を
隔てて検出器本体(23)が配設されている。この検出
器本体〈23〉はセンサユニット(24)、マウント基
板(25)にて構成されている。センサユニ・ノド(2
4)はマグネット基板(26)上に相互に電気的に接続
した磁気抵抗素子(27)(2g)を接着用樹脂(29
〉を用いて並設したものであり、このマグネット基板(
26)は銅箔から成る所望形状の導電パターンが描画さ
れたプラスチック製のプリント基板(25〉上に接着固
定される。プリント基板(25)上にはセンサユニット
(24)を聞繞し、且つ上面を磁気抵抗素子(27)(
28)表面よりも高くした環状スペーサ(30〉が設け
られており、保護板(22)の周縁に該スペーサ(30
〉の上面を当接させて保護板(22〉と磁気抵抗素子(
27)(28)との間隔が所定値になるようにしである
。そして各磁気抵抗素子<27)<28)の電極とプリ
ント基板(25〉上の導電パターンの一端部とは金線製
の複数の導線(31)(図面にGま2本のみ表われてい
る)を用いて接続され、また導電パターンの他端部はプ
リント基板(25)の周縁部においてプリント基板(2
5)を貫通するスルーホール(32)の一端と接続され
る。スルーホール(32〉の他端はプリント基板(25
〉の裏面側に導出され、筐体(21)の底面から導出さ
れる外部接続リード(33)の一端に半田付けされる。
隔てて検出器本体(23)が配設されている。この検出
器本体〈23〉はセンサユニット(24)、マウント基
板(25)にて構成されている。センサユニ・ノド(2
4)はマグネット基板(26)上に相互に電気的に接続
した磁気抵抗素子(27)(2g)を接着用樹脂(29
〉を用いて並設したものであり、このマグネット基板(
26)は銅箔から成る所望形状の導電パターンが描画さ
れたプラスチック製のプリント基板(25〉上に接着固
定される。プリント基板(25)上にはセンサユニット
(24)を聞繞し、且つ上面を磁気抵抗素子(27)(
28)表面よりも高くした環状スペーサ(30〉が設け
られており、保護板(22)の周縁に該スペーサ(30
〉の上面を当接させて保護板(22〉と磁気抵抗素子(
27)(28)との間隔が所定値になるようにしである
。そして各磁気抵抗素子<27)<28)の電極とプリ
ント基板(25〉上の導電パターンの一端部とは金線製
の複数の導線(31)(図面にGま2本のみ表われてい
る)を用いて接続され、また導電パターンの他端部はプ
リント基板(25)の周縁部においてプリント基板(2
5)を貫通するスルーホール(32)の一端と接続され
る。スルーホール(32〉の他端はプリント基板(25
〉の裏面側に導出され、筐体(21)の底面から導出さ
れる外部接続リード(33)の一端に半田付けされる。
(33a)は筐体(21)の内側面に半田付けされ筐体
(21)をアースする為のリード端子である。
(21)をアースする為のリード端子である。
斯る構成によれば、磁気抵抗素子(27)(28)はこ
れに磁気バイアスを与えるマグネット基板(26〉上に
載置されるので、従来のようにプリント基板(25〉裏
面にマグネットを配置する必要性が無くなる。その為従
来のようなプリント基板(25〉をはさんで位置合せ作
業が不要になる他、マグネット(26)と磁気抵抗素子
(27)(2g)の両方がプリント基板(25〉の片側
に位置するので位置合せが容易である。
れに磁気バイアスを与えるマグネット基板(26〉上に
載置されるので、従来のようにプリント基板(25〉裏
面にマグネットを配置する必要性が無くなる。その為従
来のようなプリント基板(25〉をはさんで位置合せ作
業が不要になる他、マグネット(26)と磁気抵抗素子
(27)(2g)の両方がプリント基板(25〉の片側
に位置するので位置合せが容易である。
第2図は本願構成のマグネット基板(26)上に形成さ
れた磁気抵抗素子(27)(28)の平面図を示し、第
3図辻その製造方法を工程順に示す断面図である。先ず
第3図Aに示すように、InSb等の磁気抵抗素子材料
から成るウェハー(40)をホトエツチング素子パター
ンとして残す部分が高さ10a程度の突出部(41〉と
なるように形成し、続いて第3図Bに示すように前記I
nSb材料の磁気抵抗特性を無くしたい部分、例えば第
2図の電極パッド(42〉部分に、2回目のホトエツチ
ングを処して浅い溝(43)を形成する。その後第3図
Cに示すように、レジスト(44)のリフトオフ法によ
り前の工程で形成した浅い溝(43)に膜厚数μの銅材
料(45〉をメツキする0次に第3図りに示すように板
厚300〜500μのSm −Go (サマリウム・コ
バルト)等から成るマグネット基板(26〉の−磁性端
面上に、前記InSbウェハー(40)をその表面側を
下にしてエポキシ系接着剤(46)にて接着する。両者
の膨張係数は大きく異るので、前記接着剤は線膨張係数
の比較的小さいものを用いるのが良い。そして、第3図
Eに示すようにInSbウェハー(40)の裏面側から
突出部(41)だけが残るように研摩し、これで第2図
に示すようなInSbパターン(27)(28)が接着
剤(46)表面に埋め込まれ固定されたウェハーが完成
する。その後従来のフェライト又はガラス基板等と同様
に、接着剤(46)とマグネット基板(26〉の両方を
ダイシングブレードにて同時にダイシングし、磁気抵抗
素子(27)(28)が形成されたペレットを個々に分
離する。その後は前記ペレットを外部接続リード(33
)が半田付けされたプリント基板(25〉上に接着固定
し、このユニットを筐体(21)内に挿入すると共にエ
ポキシ系熱硬化樹脂(47〉で封止して装置が完成する
。
れた磁気抵抗素子(27)(28)の平面図を示し、第
3図辻その製造方法を工程順に示す断面図である。先ず
第3図Aに示すように、InSb等の磁気抵抗素子材料
から成るウェハー(40)をホトエツチング素子パター
ンとして残す部分が高さ10a程度の突出部(41〉と
なるように形成し、続いて第3図Bに示すように前記I
nSb材料の磁気抵抗特性を無くしたい部分、例えば第
2図の電極パッド(42〉部分に、2回目のホトエツチ
ングを処して浅い溝(43)を形成する。その後第3図
Cに示すように、レジスト(44)のリフトオフ法によ
り前の工程で形成した浅い溝(43)に膜厚数μの銅材
料(45〉をメツキする0次に第3図りに示すように板
厚300〜500μのSm −Go (サマリウム・コ
バルト)等から成るマグネット基板(26〉の−磁性端
面上に、前記InSbウェハー(40)をその表面側を
下にしてエポキシ系接着剤(46)にて接着する。両者
の膨張係数は大きく異るので、前記接着剤は線膨張係数
の比較的小さいものを用いるのが良い。そして、第3図
Eに示すようにInSbウェハー(40)の裏面側から
突出部(41)だけが残るように研摩し、これで第2図
に示すようなInSbパターン(27)(28)が接着
剤(46)表面に埋め込まれ固定されたウェハーが完成
する。その後従来のフェライト又はガラス基板等と同様
に、接着剤(46)とマグネット基板(26〉の両方を
ダイシングブレードにて同時にダイシングし、磁気抵抗
素子(27)(28)が形成されたペレットを個々に分
離する。その後は前記ペレットを外部接続リード(33
)が半田付けされたプリント基板(25〉上に接着固定
し、このユニットを筐体(21)内に挿入すると共にエ
ポキシ系熱硬化樹脂(47〉で封止して装置が完成する
。
斯る製造方法によれば、マグネット基板り26〉上に磁
気抵抗素子(27)(2B)を貼付けてからダイシング
して個々に分割するので、マグネット(26〉と磁気抵
抗素子(27)(28)との位置合せを不要にでき、組
立工程の簡素化が図れる。また、磁気抵抗素子(27)
(28)とマグネット(26)とを極めて近接配置がで
きるので、磁気抵抗素子(27)(28)に平行均一な
バイアス磁界を与えることができ、磁気抵抗素子(27
)(28)の分解能の向上にも寄与する。
気抵抗素子(27)(2B)を貼付けてからダイシング
して個々に分割するので、マグネット(26〉と磁気抵
抗素子(27)(28)との位置合せを不要にでき、組
立工程の簡素化が図れる。また、磁気抵抗素子(27)
(28)とマグネット(26)とを極めて近接配置がで
きるので、磁気抵抗素子(27)(28)に平行均一な
バイアス磁界を与えることができ、磁気抵抗素子(27
)(28)の分解能の向上にも寄与する。
(ト〉発明の効果
以上に説明した通り、本発明によれば、マグネット基板
(26)上に磁気抵抗素子(27)(28)を配置する
ことにより、マグネット基板(26)と磁気抵抗素子(
27)(28)との位置合せを簡素化できる利点を有す
る。
(26)上に磁気抵抗素子(27)(28)を配置する
ことにより、マグネット基板(26)と磁気抵抗素子(
27)(28)との位置合せを簡素化できる利点を有す
る。
また、本願製造方法によればマグネット基板(26)と
磁気抵抗素子(27)(28)を同時にダイシングして
分離するので、位置合せ作業が全く不要である利点をも
有する。
磁気抵抗素子(27)(28)を同時にダイシングして
分離するので、位置合せ作業が全く不要である利点をも
有する。
さらに、磁気抵抗素子(27)(28)とマグネット基
板(26〉とを極めて近接配置できるので、磁気抵抗素
子(27)(2g)に平行均一なバイアス磁界を与える
ことができ、これが磁気抵抗素子(27)(28)の分
解能向上に寄与できる利点をも有する。
板(26〉とを極めて近接配置できるので、磁気抵抗素
子(27)(2g)に平行均一なバイアス磁界を与える
ことができ、これが磁気抵抗素子(27)(28)の分
解能向上に寄与できる利点をも有する。
そして更に、従来の磁性体基板(7〉を省略できるので
、コスト減にも寄与する。
、コスト減にも寄与する。
第1図は本発明を説明する為の断面図、第2図は磁気抵
抗素子ペレットを示す平面図、第3図A乃至第3図Eは
本発明の製造方法を説明する為の断面図、第4図は従来
例を説明する為の断面図である。
抗素子ペレットを示す平面図、第3図A乃至第3図Eは
本発明の製造方法を説明する為の断面図、第4図は従来
例を説明する為の断面図である。
Claims (2)
- (1)複数の磁気抵抗素子を永久磁石から成るマグネッ
ト基板上に形成し、 前記マグネット基板を所望の導電パターンが形成された
プリント基板上に固定し、 前記プリント基板表面の導電パターンと前記磁気抵抗素
子とを電気的に接続し、 前記プリント基板に前記導電パターンと電気的に接続さ
れる外部取出リードを形成し、 前記プリント基板を筺体内に封止したことを特徴とする
磁気センサ。 - (2)磁気抵抗素子材料から成り素子パターンを描画し
た素子ウェハーを永久磁石から成るマグネットウェハー
に接着する工程、 前記素子ウェハーとマグネットウェハーとを同時にダイ
シングして個々のペレットに分割する工程、 前記ペレットを導電パターンが描画されたプリント基板
上に接着する工程、 前記ペレット上に形成された磁気抵抗素子と外部接続リ
ードとを電気的に接続する工程、 前記プリント基板を筐体内に封止する工程とを具備する
ことを特徴とする磁気センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1206145A JPH0368882A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 磁気センサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1206145A JPH0368882A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 磁気センサとその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0368882A true JPH0368882A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16518538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1206145A Pending JPH0368882A (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 磁気センサとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0368882A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6356074B1 (en) * | 1998-01-28 | 2002-03-12 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Magnetoresistive detector with multiple bias magnets for biasing its magnetoresistive elements |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP1206145A patent/JPH0368882A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6356074B1 (en) * | 1998-01-28 | 2002-03-12 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Magnetoresistive detector with multiple bias magnets for biasing its magnetoresistive elements |
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