JPH0227757U - - Google Patents
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- JPH0227757U JPH0227757U JP10648688U JP10648688U JPH0227757U JP H0227757 U JPH0227757 U JP H0227757U JP 10648688 U JP10648688 U JP 10648688U JP 10648688 U JP10648688 U JP 10648688U JP H0227757 U JPH0227757 U JP H0227757U
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- JP
- Japan
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- electrode
- thin film
- ferromagnetic thin
- connection
- height
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
第１図は本考案を説明する為の断面図、第２図
は従来例を説明する為の断面図である。 １１はシリコン基板、１３は強磁性薄膜、１５
は貫通電極、１７は離面電極、１９は接続電極、
２１は樹脂である。
は従来例を説明する為の断面図である。 １１はシリコン基板、１３は強磁性薄膜、１５
は貫通電極、１７は離面電極、１９は接続電極、
２１は樹脂である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) シリコン基板上に形成され外部磁界の変化
により電気抵抗が変化する強磁性薄膜と、 前記シリコン基板を貫通して前記強磁性薄膜と
電気的に接続且つ前記強磁性薄膜が形成された面
とは反対側の面に形成した離面電極とも電気的に
接続する貫通電極と、 プリント基板上に延在するように形成され前記
離面電極と対向接着する接続電極と、 前記接続電極と対向接続されこの接続部分を保
護樹脂で覆われる外部接続用リードとを備え、 前記保護樹脂の高さが前記強磁性薄膜の高さよ
りも低くなるようにしたことを特徴とする磁気抵
抗素子。 (2) 前記貫通電極が基板とは反対導電型の拡散
領域であることを特徴とする請求項第１項に記載
の磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10648688U JPH0227757U (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10648688U JPH0227757U (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227757U true JPH0227757U (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=31340045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10648688U Pending JPH0227757U (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227757U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04367289A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | ホール素子およびホール素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP10648688U patent/JPH0227757U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04367289A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | ホール素子およびホール素子の製造方法 |
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