JPS63170981A - 強磁性体磁気抵抗素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強磁性体磁気抵抗素子に関する。

〔従来の技術〕

近年、強磁性体磁気抵抗素子を回転位置検出装置、磁気
センサ等に適用することが急速に進展している。強磁性
体磁気抵抗素子は、強磁性体金属を磁界中に置いたとき
、強磁性体の磁化方向と電流の流れる方向とのなす角に
よって電気抵抗が変化する現象を利用したものである。

強磁性体磁気抵抗素子の一般的な例を第１８図（＾）お
よび（Ｂ）　に示す。ここで第１８図（Ａ）　は強磁性
体磁気抵抗素子の上面図であり、同図（Ｂ）は図（Ａ）
の八−Ａ′線に沿った断面図である。図において、１は
細線パターンで形成された感磁エレメント、２は数百μ
ｍ以上の幅で形成された配線部。

３は外部接続用の端子部である。４は基板である。とこ
ろで、磁気抵抗素子の感度は、△Ｒ／Ｒによって決定さ
れる。ここで、ΔＲは磁界印加時の抵抗変化分、すなわ
ち細線パターンで形成された感磁エレメントの抵抗値の
変化分であり、Ｒは全抵抗値である。磁気抵抗素子の感
度を高めるには、△Ｒを大きくすること及び、全抵抗値
に占める配線部２の抵抗値を小さくする必要がある。こ
のため、従来は第１８図に示すように配線部２の膜厚は
感磁エレメント部の膜厚と等しくし、幅を広くする方法
がとられていた。

このような従来方法では、素子のパターン形成は容易に
できる利点はあるが、薄膜のシート抵抗が大きいため磁
気抵抗素子の感磁エレメントパターンと配線部パターン
の基板面上でのとり合いが生じ、素子を小型化すること
が難しいとか、または十分に配線部の抵抗値を小さくす
ることができず（通常配線部の抵抗値は全抵抗値の５〜
１０％である）必要な感度が得られないとか、更には配
線部分の抵抗値がアンバランスとなり、このため−磁気
抵抗素子の出力側に、磁界がない場合でも電圧が生ずる
、即ちオフセット電圧が生じ素子特性を悪くする、とい
う根本的な問題を含んでおり、その解決策が望まれてい
た。また配線部分に感磁エレメントと同一の厚さと材質
を有する薄膜を用いるとシート抵抗値が大きく信頼性が
十分確保できないとか、外部への電気的接続が難しく、
素子の信頼性を損なう等の問題があった。

従来の他の方法として、配線部２の膜厚を感磁エレメン
ト１の膜厚よりも厚くするか、配線部２の材料として感
磁エレメント１よりも導電率の高い材料を用いる方法が
ある。第１９図は、このような場合の従来の磁気抵抗素
子の例である。ここで第１９図（Ａ）は磁気抵抗素子の
上面図であり、同図（Ｂ）は図（Ａ）のＡ−Ａ’線に添
った断面図である。

図において２２は感磁エレメント１と同一材料で感磁エ
レメントの形成時に同時に形成され配線部２の一部をな
すものであり、２１はその上に形成された配線部材であ
る。この場合、磁気抵抗素子の感磁エレメント部分と配
線部分とは、その膜厚が大きく異なっており、配線部分
は低いシート抵抗が得られる構造であり、かつ感磁エレ
メント部分は配線部分と無関係に高いシート抵抗で形成
できる利点を有している。

しかしこの方法は、感磁エレメント部と配線部を別々に
形成するので、その接続部の位置合わせ（アラインメン
ト）が問題になる。第１９図（Ｃ）および（Ｄ）は感磁
エレメントと配線部の拡大図で、一般に従来の素子にお
いては、幅の狭い感磁エレメントの外縁部の一方または
双方が、配線部の外縁の一方または双方と一直線をなす
ように構成されている。しかしこのような従来の素子の
接続部の構造では磁気抵抗素子の製造時に必然的に発生
する微小な感磁エレメントと配線部との接続のアライメ
ントずれによって、磁気抵抗素子の出力端子にオフセッ
ト電圧か生ずる。例えば磁気抵抗素子の感磁エレメント
の抵抗値をすべて同一に設計しても、実際の素子製造時
において感磁エレメントと配線部の接続パターンのずれ
による各感磁エレメント間の抵抗値のずれが必然的に発
生する。

第２０図は第１９図の例と同様な方法で作られる従来の
他の磁気抵抗素子の上面図である。この例は感磁エレメ
、ントの配列が第１９図に示した例と異なっているが、
感磁エレメントと配線部との接続部の形状は第１９図の
従来例と同様であり、従って同様の問題点を有している
。

ここで磁気抵抗素子のオフセット電圧について簡単に説
明する。第２１図は第２０図に示した磁気抵抗素子の等
価回路図である。オフセット電圧とは、磁気抵抗素子の
出力端に磁界を印加しないときでも現れる電圧で、その
値は出力端子の設計上の電位と実際の電位との差で表わ
される。第２１図。

の等価回路図において、オフセット電圧Ｖｏｆｆは入力
端子Ｖｉｎを端子電Ｍ１３−１．３−３間に加えたとぎ
、端子電極３−２．３−４間に生ずる実際の電位差をＶ
２４設計上の電位差をｖ°２４とした時、Ｖｏｆ　ｆ予
ｖ２４−ｖ°２４で与えられる。

第２１図において、Ｒ１１Ｒ２，Ｒ３およびＲ４はそれ
ぞれ第２０図の配線部２−１．２−２．２−３および２
−４の抵抗値＋　Ｒ１２，２３、Ｒ３４およびＲ１４は
それぞれ配線部２−１と２−２．配線部２−２と２−３
．配線部２−３と２〜４および配線部２−１と２−４の
間に形成されている感磁エレメント部の抵抗値である。

ｒ＋４．　　ｒ’＋４＋ｒ３４・ｒ　３４・Ｒ２３・ｒ
°２３・「１２・ｒ゛１２は一部の配線部抵抗と接続部
の抵抗値を合せた抵抗値を示しテイル。ココテ、Ｒ１’
、　Ｒ２、Ｒ３，Ｒ４，及びＲ１４゜ｒ’＋４＋　Ｒ３
４＋　ｒ’３４＋　Ｒ２３＊　ｒ’２３＋　Ｒ１２＋　
ｒ’＋２が小さいことかへＲ／Ｒを大きくとるために必
須であるつまた「１４・ｒ’＋４＋　Ｒ３４＋　”３４
＋　Ｒ２３＋　ｒ’２３＋ｒ１２　＊　ｒ’＋２の値が
それぞれちがうと感磁エレメントを含むブリッジ回路内
の設計上の抵抗値に実質的にばらつきを与えることにな
り、オフセット電圧が生ずる。第１９図（Ｃ）　または
（１））の接続部の構造では、感磁エレメント部と配線
部のアラインメントが僅かでも狂うと、Ｒ１２ないしＲ
１４および「１２ないしｒ’＋４にばらつきが生じ、オ
フセット電圧が生ずることになる。このオフセット電圧
は素子の特性を低下させ、また製造上の歩留りを低下さ
せる原因となっている。

（発明が解決しようとする問題点３ 以上説明したように従来の磁気抵抗素子やそれを改良す
る試みでは、感磁エレメントと配線部との接続パターン
のずれや配線部分の抵抗値が太きい等に起因するオフセ
ット電圧が発生するという大きな問題点を有していた。

そこで、本発明の目的とする所は、このような磁気抵抗
素子の問題点を解消し、特に素子製造時に感磁エレメン
ト部分と配線部との接続パターンのずれに起因するオフ
セット電圧が発生しない高感度の強磁性体磁気抵抗素子
を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、上記の如き磁気抵抗素子の問題点解決の
ため、感磁エレメント部と配線部分の接続形状の検討を
行ない、製造工程から必然的に生ずる配線部分と感磁エ
レメント部分の位置ずれが生じても、この接続部分の抵
抗値変化が従来に比較して極めて少く、従ってオフセッ
ト電圧の発生が従来に比較して極めて少くなる感磁エレ
メントと配線部分の接続部の形状をみいだした。また感
磁エレメント部と配線部の位置が左右または上下等にず
れたとしても、磁気抵抗素子の各感磁エレメントの設計
上の電気抵抗値の対称性が変化なく、従って位置ずれに
よるオフセットの発生につながらない構造の磁気抵抗素
子パターンの形状をみいだした。

本発明は磁気抵抗効果を有する強磁性体膜からなる複数
の感磁エレメントと、感磁エレメントに接続しかつ感磁
エレメントを形成している薄膜と比較して低いシート抵
抗を有する金属薄膜からなる複数の配線部とを具備する
強磁性体磁気抵抗素子において、各接続部における配線
部の幅が感磁エレメントの幅よりも大きく、かつ感磁エ
レメントの両側に拡幅されていることを特徴とする。

〔作用〕

本発明によれば、配線部のシート抵抗値を小さくしであ
るので磁気抵抗素子の感度を高くでき、感磁エレメント
と配線部との接続部の形状が、位置ずれによる抵抗変化
が極めて少く、かつ平行移動ずれによって磁気抵抗素子
の各感磁エレメント間の電気抵抗値の対称性が変化しな
いようになっているので、オフセット電圧の発生を原理
的に極めて小さくすることができる。

〔実施例〕

以下図面を参照しつつ本発明の詳細な説明する。しかし
ながら、本発明の技術的範囲は以下の例によって何等制
限されない。

第１図に本発明の磁気抵抗素子の実施例の上面図を示す
。本例は４端子素子の例である。図において１は感磁エ
レメント、２は配線部で各配線部２にはそれぞれ接続端
子３−１．３−２．３−３および３−４が設けられてい
る。配線部２は感磁エレメント１よりシート抵抗が十分
低くなるようにされている。

配線部の抵抗値は、磁気抵抗素子の感度に深く関わって
いる。第１８図に示したような従来の素子では、通常配
線部の抵抗値が全抵抗値に対し５〜１０％程度存在する
。磁気抵抗素子の感度は先に述べたように△Ｒ／Ｒで与
えられるので、感磁エレメント部の抵抗が３％変化した
としても配線部の抵抗が１０％も存在すると実際の磁気
抵抗素子の△Ｒ／Ｒは２．７％にしかならない。本発明
の素子の場合、感磁エレメントのシート抵抗に比較して
配線部のシート抵抗を小さくしているため、感度△Ｒ／
Ｒの低下は少ない。例えば、配線部のシート抵抗を感磁
エレメントのシート抵抗に比べ１１５に設計すれば、従
来例と同等のパターンを設計したとしても配線部の抵抗
値は１〜２％となり、感磁エレメント部の抵抗変化が３
％とした場合、実際の△Ｒ／Ｒは２．９４〜２．９７％
となり感度の低下は非常に少ない。

また第２１図に示した等価回路図におけるｒ１２ないし
ｒ１４およびｒ’ｌ□ないし「°１４を小さくできるの
で、それらの、ばらつきの絶対値を小さくし、従ってオ
フセット電圧を小さくすることかできる。

本実施例の他の特徴点は、感磁エレメントと配線部との
接続部において、配線部の幅が感磁エレメントの端部（
図示の１０）の幅より広く、かつその両側に拡幅されて
いることである。

本実施例においては、感磁エレメントは、その配線部と
の接続部位が、配線部によって自動的に決定される自己
整合的な構成となっているので、感磁エレメントと配線
部との位置ずれの発生は少ない。しかも接続部をこのよ
うな構造にすると、配線部分と感磁エレメントのアライ
メントずれが何らかの原因で発生したとしてもこの部分
の抵抗変化は生じない。従フて第２１図の等価回路にお
ける抵抗値のバランスに変化はなく、オフセット電圧を
生ずることはない。

本実施例の他の特徴は、感磁エレメントと配線部との関
係が、主要な部分において幾何学的に対称な図形で配設
されている点である。第１図における感磁エレメントお
よびその近傍、すなわち図の点線で囲んだ部分について
見ると４個の感磁エレメントとその配線部との接続関係
は対称な関係にあり、感磁エレメントと配線部とのアラ
インメントがずれても、抵抗値の対称性は失われない。

本実施例で対称性が損われているのは、左右の配線部の
形状のみである。しかしこの部分は先に説明したように
シート抵抗値を小さくしであるので、抵抗値の対称性に
及ぼす影響は極めて小さい。従って本実施例によれば、
アラインメントずれによるオフセット電圧を極めて小さ
くすることができる。

本実施例のさらに他の特徴は、感磁エレメントの配線部
との接続部に近い端部１０の幅が、それ以外の部分より
広いことである。このようにすると、アラインメントず
れの悪影響を一層小さくすることかできる。この点につ
いては後に詳しく述べる。

またこのような磁気抵抗素子の製造法についても後に詳
細に説明する。

第２図に本発明にかかる磁気抵抗素子の他の実施例を示
す。本例においては、配線部の形状の対称性が第１図の
例より改善されており、感磁エレメントと配線部とのア
ラインメントずれによるオフセットの発生は原理的に０
に近い。

第３図は本発明のさらに他の実施例を示す。第１図およ
び第２図に示した実施例が、それぞれ２個ずつの感磁エ
レメントが対向する配線部に接続され、接続部位は平行
な二本の直線上に位置しているのに対し、本実施例にお
いては４個の感磁エレメントは配線部に対して一直線上
において接続されている。本実施例においても配線部の
シート抵抗値は感磁エレメントのそれより十分小さくさ
れており、感磁エレメントと配線部の接続構造も第１図
の例と全く同様である。各感磁エレメントと配線部の接
続部の形状は対称的な形状をなし、また図の点線内にお
ける配線部の形状もかなりの対称性を保っている。従っ
て本実施例の磁気抵抗素子も△Ｒ／Ｒが大きく感度が高
く、またアライメントずれに起因するオフセット電圧の
発生がほとんどない。

第４図に本発明にがかる３端子の磁気抵抗素子の実施例
を示す。第４図（Ａ）は上面図、同図（Ｂ）は図（Ａ）
におけるＡ−Ａ’線に沿フた断面図である。図において
１は感磁エレメント、ｌＯはその接続部に近い端部、２
は配線部で、配線部２は厚くシート抵抗値の小さい部分
２１と、その上に設けられた感磁エレメント１と同一材
料で同じ厚さの部分２２とからなっている。本実施例に
おいても、配線部のシート抵抗値が小さく△Ｒ／Ｒが大
きく感度が高い。また２個の感磁エレメントの配線部と
の接続部において、配線部の端部２０の幅は感磁エレメ
ントの幅より拡幅されており、かつ感磁エレメントと配
線部との接続部における形状は対称的になっているので
、アラインメントずれによる抵抗値の非平衡が生ぜず、
オフセット電圧を発生しない。

本実施例によって、感磁エレメント部と配線部に位置ず
れが生じてもオフセット電圧か発生しない理由を説明す
る。位置ずれが生じた場合の例を第５図および第６図に
示す。両図において、それぞれ図（八）は上面図、図（
Ｂ）は図（Ａ）のＡ−Ａ’　線に沿った断面図である。

第５図のように、パターン形成時に配線部が第４図の場
合よりも左側にずれたとしても、配線部の幅を感磁エレ
メントの接続部における幅より広くしであるので、感磁
エレメントはその接続部における全幅において配線部と
の接続を保っている。従って感磁部および配線部の抵抗
値の対称性は実質的にくずれないので、位置ずれによる
オフセット電圧の発生はない。第６図は、感磁部が上側
にずれた場合であるが、この場合も感磁部と配線部の抵
抗の対称性は保たれ、位置ずれによるオフセット電圧の
発生はない。

３端子の磁気抵抗素子の他の実施例を第７図ないし第１
１図に示す。全ての実施例において、配線部のシート抵
抗値は感磁エレメントのそれより十分に小さくしである
。また各図において見られるように、全実施例とも、感
磁エレメントと配線部との接続部において、配線部の幅
は感磁エレメントの幅より広く、かつ感磁エレメントお
よび接続部の形状は幾何学的に対称の形状をしているの
で、感磁エレメントと配線部との位置合せにずれが生じ
ても、アラインメントずれによるオフセット電圧を生ず
ることはない。

次に感磁エレメントの配線部との接続端部の幅および形
状について説明する。

第１２図は本発明の磁気抵抗素子における感磁エレメン
トと配線部との接続部の基本的な形状を示すものである
。図において感磁エレメント１はその端部１０まで一様
な幅をもっている。２０は配線部の接続端部で、その幅
は感磁エレメント１の幅より十分に広く、かつ感磁エレ
メントの端部１０の両側に拡幅されている。従って感磁
エレメント１と配線部２０とのアラインメントずれがあ
っても、・接続部における抵抗値は実質的に変化しない
。

第１３図は第１図に示した実施例の接続部の拡大図であ
る。感磁エレメントの端部ｌＯは端部以外の部分より幅
が広くなっている。端部の幅を第１３図に示したように
、または第１４図、第１５図に示すような他の形状で広
くすると以下に説明するような利点がある。すなわち第
１４図の端部形状をもつ感磁エレメントと配線との位置
合せにおいて、配線部の位置が動き感磁エレメントの端
縁と配線部の端縁が一直線をなすようになっても、抵抗
値のバランスは実質的にくずれず、オフセット電圧は発
生しない。配線部がさらにずれて感磁エレメントが僅か
に配線部の外方へずれても、感磁エレメントの端部１０
の幅が広いので、抵抗値に与える影響は極めて僅かであ
る。これは第１５図に示したような、端部ｌＯの幅が端
部以外の部分の両側にわたって広くなっている場合も同
様である。さらに第１６図に示すように、感磁エレメン
ト１の端部ｌＯを端部以外より十分に広い幅とすれば、
端部１０のシート抵抗値は端部以外のシート抵抗値より
小さくなり、実質的に配線部２０の一部となる。従って
、感磁エレメントの端部ｌＯの幅が第１６図に示すよう
に、配線部の端部２０と等しい場合は、端部ｌＯは配線
部の端部２０として機能するので、実質的に第１２図に
示す形状の例と同じになる。

次に本発明にかかる磁気抵抗素子の実際の作製例および
特性について説明する。

作製例１ 第１７図（八）ないしくＧ）を参照して本発明の磁気抵
抗素子の作製例を説明する。本例は第３図に示した４端
子の磁気抵抗素子の作製例である。第１７図（Ａ）ない
しくＧ）において、左側の図は上面図、右側の図は各上
面図におけるＡ−Ａ’線に沿った断面図である。

表面を鏡面研磨された２インチ角のガラス基板４を３０
０℃に加熱保持し、厚さ３０００人でシート抵抗値の小
さい（０，１Ω／ｃｒｎ’以下）　　Ｎ１−Ｃｏ合金薄
膜２１をＤＣスパッタにより、第１９図（Ａ）に示した
ように基板全面に形成した。次に、　６３　ｇ／　ｌの
過硫酸アンモニウム溶液に２％の硫酸を混合したエツチ
ング液を用い、第１７図（Ｂ）に示したようにＮｉ−Ｃ
ｏ合金薄膜の一部をフォトレジストをマスクにしてエツ
チング除去した。次いで基板全面を加熱保持し、第１７
図（Ｃ）　　に示したように基板上全面に厚さ６００人
の同一組成のＮｉ−Ｃｏ合金薄膜２２（シート抵抗２．
５Ω／ｃｒｒ？程度）を形成した。次に、イオンミリン
グ法により、第１７図（Ｄ）に示したようにフォトレジ
ストをマスクとして感磁エレメント１　（幅９μｍ、長
さ２＋ｎｍ）を形成した。次いで所要の部位のみメッキ
するパターンメッキ法等により、Ｎｉ層およびＡＵ層を
第１７図（Ｅ）のように形成し、外部接続用の端子部３
とした。次に強磁性体合金膜２１、２２の一部をエツチ
ングして配線部２を形成し、第１７図（Ｆ）に示したよ
うな４端子構成の強磁性体磁気抵抗素子を作製した。配
線部の幅は端子部付近で７００μｍとした。感磁エレメ
ントの形状は簡略化して示しであるが、第３図に示した
実施例の形状と全く同じである。次に第１７図（Ｇ）に
示すように、酸化膜のパッシベーション膜５を形成し、
本発明の素子を製作した。

図に示すように、本作製法によれば、配線部用材料膜に
窓が明けられ、その窓の一辺が感磁エレメントとの接続
部位となる。感磁エレメントはその窓内に設けられ、し
かもその一部を延長して配線部材上を覆うようにされて
いる。従って感磁エレメントと配線部との接合部は、配
線部に対して自己整合的に位置ぎめされる。しかもすで
に説明したように、感磁エレメントと配線部との接続部
の形状は、アラインメントずれが生じても、抵抗値のア
ンバランスを生じないようになっている。

比較のために従来の磁気抵抗素子のうち、本実施例と比
較的形状の類似している第２０図に示した磁気抵抗素子
を作製して比較例とした。比較例の寸法は実施例と同様
で、外形は横４　ｎｕｎ、縦５＋ｎｍであり、感磁エレ
メントの長さは２　ｍｍ、幅は９μｍであり、配線部の
幅は端子部付近で７００μｍとした。

また実施例、比較例とも、設計上ではオフセット電圧の
発生しない形状としである。具体的には、第２１図の等
価回路図において、ＲＩ２　＝Ｒ２３＝Ｒ３４＝ｌ、と
し、かっｒ’＋２＋Ｒ＋２＋ｒＢ　＝ｒ’２３＋Ｒ２３
＋　ｒ２３およびｒ＋４＋　ＲｌＪ　十ｒ’＋４＝　ｒ
３ａ　＋８３４＋ｒ’３４となるように設計しである。

このようにして作製した実施例および比較例の素子のオ
フセット値と感度（△Ｒ／Ｒ）を第１表に示す。オフセ
ット電圧は第１図および第２０図における端子３−１と
　３−３間に５ｖ印加した時に端子３−２と　３−４の
間に無磁界で発生する電位差とし、△Ｒ／Ｒは２０００
ｅの静磁場中における値とした。オフセット；圧および
△Ｒ／Ｒとも　１００個の素子の平均と、ばらつきを示
しである。

第１表 第１表に示すように本発明の素子は、従来の素子と比較
してオフセット電圧が非常に少く、ばらつきも小さい。

素子使用上、オフセット電圧は通常絶対値でｌｏｍＶ以
内が望まれる。従って本発明の素子は製造上の歩留りも
非常に高い。また素子感度△Ｒ／Ｒも、本発明の素子の
方が、従来の素子に比べ優れている。

作製例２ 作製例１で示したものと全く同様の工程で、第４図に示
した３端子の実施例、および比較例として従来の類似の
形状の３端子素子を作製した。作製した実施例および比
較例の外形は、横３　ｍｍ、縦４＋＋ｏｎであり、感磁
エレメントの長さは１．５ａｕ＋＋、幅は９μｍであり
、配線部の幅は端子部付近で６００μｍとし、設計上で
はオフセット電圧の発生しない構造となっている。この
場合のオフセット電圧とは、第４図の素子の端子部３−
１と　３−３の間に入力を加えたときの、外部磁界が０
における端子３−２の電位と設計上の電位との差で表わ
される。

各感磁エレメントの抵抗値Ｒ１□とＲ２３および配線部
の抵抗値Ｒ１とＲ２が等しくなるように素子を設計すれ
ば、磁界Ｏにおける３−２端子の中点電位は入力端子の
ちょうど半分となる。本試作例においてもＲ１２＝Ｒ２
３、Ｒ１＝Ｒ３となるように素子設計をした。

このような方法によって作製した素子のオフセット値及
び△Ｒ／Ｒを第２表に示す。作製例１の場合と同様にオ
フセット値は５■人力時の値とし、°△Ｒ／Ｒは２００
０ｅの静磁場中に於ける値とした。

第２表 上の結果は、作製例１と同様で本発明の素子は従来の素
子と比較してオフセット電圧が非常に小さいと共にばら
つきも小さい。また素子感度△Ｒ／Ｒも本発明の素子の
方が従来の素子よりも優れている。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、配線部のシート抵
抗値を小さくしであるので磁気抵抗素子の感度を高くで
き、感磁エレメントと配線部との接続部の形状が、位置
ずれによる抵抗変化が極めて少く、かつ平行穆動ずれに
よって磁気抵抗素子の各感磁エレメント間の電気抵抗値
の対称性が変化しないようになっているので、オフセッ
ト電圧の発生を原理的に極めて小さくすることができる
。

さらに本発明の磁気抵抗素子は感磁エレメントが自己整
合的に配線部に接続される構造となっている。

従って、素子の製造上の歩留りが高く、マスクアライン
メントに高い精度を要求することなく容易に作製するこ
とができる。特に感度と信頼性の高い素子を容易に作製
することができるので、量産する場合非常に有利である
。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図および第３図はそれぞれ本発明の実施例
の上面図、 第４図、第５図および第６図はそれｅれ本発明の他の実
施例を示し、第４図ないし第６図において（Ａ）は上面
図、（Ｂ）は図（八）の八−Ａ’線に沿った断面図、第
７図ないし第１１図はそれぞれ本発明のさらに他の実施
例の上面図、 第１２図ないし第１６図はそれぞれ本発明σ実施例にお
ける接続部の拡大図、 第１７図（Ａ）ないしくＧ）はそれぞれ本発明の強磁性
体磁気抵抗素子を作製する方法を説明するための各工程
における上面図と断面図、 第１８図（Ａ）は従来の磁気抵抗素子の一例の上面図、
同図ＣＢ）は図（Ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図、 第１９図（Ａ）は、従来の素子の他の例の上面図、同図
（Ｂ）は図（Ａ）の八−Ａ’線に沿った断面図、同図（
Ｃ）および（Ｄ）はそれぞれ接続部の拡大図、第２０図
は従来の素子の他の例の上面図、第２１図は４端子の強
磁性体磁気抵抗素子の等価回路図である。 １・・・感磁エレメント、 ２、２１．２２・・・配線部、 ｌＯ・・・感磁エレメント端部、 ２０・・・配線部の感磁エレメントとの境界近辺の部分
、 ３　、３−１．３−２．３−３．３−４・・・端子部、
４・・・絶縁性基板、 ５・・・保護膜。 第１図 第３図 ｌ　罵６逓工しメント　　　　　４　基才反唱予−＠ｐ （Ａ）（Ｂ） （Ａ）　　　　　　　　　（Ｂ） 第６図 第７図 第８図 ！埴［ルメント 第９図 第１２図 第１３図 第１７図（Ａ） 第１７図（Ｂ） 第１７図（Ｃ，） 第１７図（Ｄ） 第１７図（Ｆ、） 第１７図（Ｆ） 第１７図（Ｇ） 第１８図（Ａ） ４基板 第１８図ｒＢ＞ 第１９図（Ｂ） 第２０図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）磁気抵抗効果を有する強磁性体膜からなる複数の感
   磁エレメントと、該感磁エレメントに接続しかつ該感磁
   エレメントを形成している薄膜と比較して低いシート抵
   抗を有する金属薄膜からなる複数の配線部とを具備する
   強磁性体磁気抵抗素子において、前記各接続部における
   配線部の幅が感磁エレメントの幅よりも大きく、かつ該
   感磁エレメントの両側に拡幅されていることを特徴とす
   る強磁性体磁気抵抗素子。 ２）前記感磁エレメントの幅が前記配線部との接続部近
   傍の端部において他の部分より広いことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の強磁性体磁気抵抗素子。 ３）前記各接続部は少くとも一つの幾何学的に対称な形
   状をなしていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   または第２項の記載の強磁性体磁気抵抗素子。 ４）前記複数の感磁エレメントと前記配線部との接続部
   は、その境界が一直線または平行な二つの直線上にあっ
   て、前記複数の感磁エレメントが前記配線部に対して自
   己整合的に接続されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項ないし第３項のいずれかの項に記載の強磁性
   体磁気抵抗素子。