JPS6218077A - 磁気抵抗素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気式ロータリーエンコーダ等に用いられる磁
気抵抗素子に関する。

Ｃ従来の技術〕 従来磁気式ロータリーエンコーダ等に用いられる磁気抵
抗素子（以下ＭＲ素子という）は、第４図示のように１
枚の絶縁基板１、例えばガラス基板やアルミナ基板など
（以下単に基板という）の上に互いに近接してかつ平行
に配置された磁気抵抗部２と、この両端に接続されたリ
ード部３とよりなるものである。この場合磁気抵抗部２
はＭＲ素子にするために１９例えばＮｉ−Ｃｏ、　Ｆｅ
−Ｎｉなどの金属間化合物の蒸着膜で構成しであるが、
リード部３は抵抗値を低（することが望ましいのでＡｕ
。

Ｃｕ、Ａ７ｉなどで蒸着した導体膜を使用している。

その結果、このＭＲ素子は製造工程上第５図例示のよう
に基板１上に次の各工程を経て製造されていた。

（１）基板１上にニッケルーコバルト、パーマロイなど
の磁気抵抗材料膜６を蒸着形成する（第５図（イ））。

（２）磁気抵抗部を形成させる部分に一括してレジスト
膜７を形成させる（同図（Ｄ））。

（３）磁気抵抗材料膜６及びレジスト膜７の上にＡｕな
どの導体膜８を蒸着する（同図（ハ））。

（４）　　レジスト膜７を剥離し、この部分の導体膜８
を除去して磁気抵抗材料膜６を露出させる（同図（ニ）
）。

（５）上記の露出した磁気抵抗材料膜６上に磁気抵抗部
２を形成させる部分及び導体膜８上にリード部３を形成
させる部分にレジスト膜９を形成させる　（同図（ネ）
）。

（６）上記レジスト膜９のない露出した導体膜８及び磁
気抵抗材料膜６をエツチングで除去する。

（７）　　レジスト膜９を剥離する（同図（へ））。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述のように従来のＭＲ素子は磁気抵抗部２とリード部
３を各々別々に形成していたため多くの製造工程が必要
である。またＡｕとＮｉ−ＣｏやＦｅ−Ｎｉなどの磁気
抵抗材料とのエツチングレートが異なるため、エツチン
グが不良になることがある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上述のような問題点を解決して簡単な製造工程
で製造可能なＭＲ素子を提供することを目的とする。

かかる目的を達成するために、本発明は磁気抵抗部から
外部に接続するリード部を前記磁気抵抗部と同一組成の
材料とし、かつ該磁気抵抗部に対し断面積を大きく形成
してなるものであり、好ましくは前記基板上に画き得る
パターンで可能な限り大きい断面積としたもので、これ
により磁気抵抗部の抵抗とリード部の抵抗に差を設ける
ようにしたものである。

なおこのリード部の厚さは前記磁気抵抗部の厚さと同一
とし、幅を広くしたものでも良いし、またはリード部の
厚さを前記磁気抵抗部の厚さより厚くしたものでも良い
。

〔作　用〕

上述のように基板上に形成される膜の材質は一種類だけ
であるので、エツチング不良が単純化されるとともに、
材質の相違によるエツチングレートに原因するエツチン
グ不良となることもない。

〔実施例〕

第１図は本発明のＭＲ素子の第１の実施例で、（イ）は
要部平面図、　ＣＩ＋）は磁気抵抗部及びリード部の一
部を拡大した平面図である。図において基板１上に複数
の磁気抵抗部２が接近してかつ平行に設けられているこ
とは従来例と同じである。この磁気抵抗部２両端のリー
ド部４は磁気抵抗部２と同一材料で形成されており、か
つ同一厚さとしである。従ってリード部４の抵抗値を可
能な限り低くするために、パターン上可能な最大限度の
幅で形成して断面積を大きくしである。

この第１実施例のＭＲ素子を製造する工程は第３図示の
通りであるが、以下順に説明する。

（１）同図（イ）に示すように基板１上に従来と同様に
前記金属間化合物などの磁気抵抗材料膜６を蒸着する。

（２）同図（ロ）に示すように磁気抵抗部及びリード部
を形成させる部分にレジスト膜１０を形成させる。

（３）露出している磁気抵抗材料膜６をエツチングする
。

（４）　　同図（ハ）に示すようにレジスト膜１０を剥
離する。

第２図は本発明の第２実施例で（イ）は磁気抵抗部及び
リード部の一部拡大平面図、（ロ）は同図（イ）の一部
縦断面図である。この磁気抵抗部２両端のリード部５は
前記実施例と異なり、その厚さを磁気抵抗部２より厚く
して断面積を大きくし、抵抗値を低くしている。

この第２実施例の製造工程は、例えば前記第１実施例の
製造工程（２）の前に、磁気抵抗部２を形成する部分に
一括してレジスト膜１０を形成し、その後、第１実施例
の製造工程（１）を繰り返してリード部５に相当する部
分の磁気抵抗材料膜６を厚くする。次に上記レジスト膜
１０を剥離してから前記第１実施例の製造工程（２）を
行う。このようにすることにより、第２図（ロ）示のよ
うに磁気抵抗部２は薄く、リード部５は厚いＭＲ素子を
作ることが出来る。

なお第１の実施例と第２の実施例とを併用して、リード
部の幅及び厚さをともに磁気抵抗部２のそれより大きく
しておけばより好ましい。

〔発明の効果〕

上述のように本発明の磁気抵抗素子によれば製造工程が
従来例に比べてはるかに簡単になるばかりでなく、エツ
チングの対象となる物質は一種類のみであるので、エツ
チングレートの相異する問題は起こり得ない。

また、磁気抵抗部の断面に比べてリード部の断面ははる
かに大きく、従ってそれより抵抗値が低いので、漏洩磁
界があってもリード部の抵抗値の変化は無視し得るもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図（イ）　（ＴＩ）は本発明のＭＲ素子の第１の実
施例を示し、第１図（イ）は要部平面図、第１図（０）
は磁気抵抗部及びリード部の一部の拡大平面図、第２図
＜イ）　（［１）は第２の実施例を示し、第２図（イ）
は磁気抵抗部及びリード部の一部拡大平面図、第２図（
ロ）は一部の縦断面図、第３図（イ）　（ＴＴ）　（ハ
）は第１実施例の製造工程を示す説明図、第４図（イ）
（ロ）は従来のＭＲ素子の平面図を示し、第４図（イ）
は要部平面図、第４図（ロ）は一部拡大平面図、第５図
（イ）（ＩＩ）（ハ）（ニ）（ネ）（へ）は従来のＭＲ
素子の製造工程を示す説明図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・磁気抵抗部、４・
・・・・・リード部、５・・・・・・リード部、６・・
・・・・磁気抵抗材料膜。 箋２回 （イ） （ロ） 表板 算３硲 （イ） （ロ） （八） 淳５目 （イラ （ワ） Ｃハ） 算５ン （ニ） （ホン （へ）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）同一基板上に夫々が接近してかつ平行に配置され
   た複数本の磁気抵抗部を設けた磁気抵抗素子において、
   該磁気抵抗部を外部に接続するリード部は前記磁気抵抗
   部と同一組成の材料で、かつ該磁気抵抗部に対し断面積
   を大きく形成してなることを特徴とする磁気抵抗素子。
2. （２）前記リード部は厚さが前記磁気抵抗部の厚さと同
   一であり、幅が前記磁気抵抗部より広いことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗素子。
3. （３）前記リード部は厚さが前記磁気抵抗部の厚さより
   厚いことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
   抵抗素子。