JPS58154282A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
- Publication number
- JPS58154282A JPS58154282A JP57036440A JP3644082A JPS58154282A JP S58154282 A JPS58154282 A JP S58154282A JP 57036440 A JP57036440 A JP 57036440A JP 3644082 A JP3644082 A JP 3644082A JP S58154282 A JPS58154282 A JP S58154282A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding pad
- lead
- magnetoresistive element
- resistance
- magnetic sensing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回転体の回転角度、回転数を計測する磁気抵抗
素子に係わり、特に回転を検出するに好適な磁気抵抗素
子に関するものである。
素子に係わり、特に回転を検出するに好適な磁気抵抗素
子に関するものである。
第1図は従来より提案されている磁気抵抗効果の一例を
示す平面図である。同図において、1は非磁性材で千9
電気的絶縁性を有する例えは”9スフ#Lなどからなる
基板であplこの基板10所定位置には磁気抵抗効果を
有する感磁部2m、2b 。
示す平面図である。同図において、1は非磁性材で千9
電気的絶縁性を有する例えは”9スフ#Lなどからなる
基板であplこの基板10所定位置には磁気抵抗効果を
有する感磁部2m、2b 。
1@Jdがそれぞれ計測するa極幅と同一ピッチで形成
され、またこれらの各感磁部2m、2b、2c。
され、またこれらの各感磁部2m、2b、2c。
2−の両端Kri感磁感磁信号源電源電流受するリード
iB ”a a # 8 b * 8 c @ 3 d
s 3 eが形成され、さらにこれらのリード部3m
、3b、3e、3d、3eの他端側、に#i外部を路と
電気的に接続するボンティングパッド4m、4b、4@
、4ds◆・が形成されている そり1.こりらの感磁
部2・〜2aa’)−ド部3・〜3・およびポンディン
グパッド41〜4・は基板1上k パーマロイを蒸着し
て形成さiたパーマロイパターンで構成されている。
iB ”a a # 8 b * 8 c @ 3 d
s 3 eが形成され、さらにこれらのリード部3m
、3b、3e、3d、3eの他端側、に#i外部を路と
電気的に接続するボンティングパッド4m、4b、4@
、4ds◆・が形成されている そり1.こりらの感磁
部2・〜2aa’)−ド部3・〜3・およびポンディン
グパッド41〜4・は基板1上k パーマロイを蒸着し
て形成さiたパーマロイパターンで構成されている。
このように構成された磁気抵抗素子藏被検出体のa極か
ら磁気信号を大きくとるために一般的には第2園で示す
ように差動方式、つt〕ツブ9フ回路を構成するようK
m!して用られる。すなわち、同図において、mat;
を感al12mの電気抵K 、 llb n感’all
Hbsla 117111112g 、14 t’1l
lA砺1!i2dのそれぞれの電抵抵抗を示し、電源電
圧Vはポンディングパッド4aと4a、4・関に接続さ
tt テ上L IIc a lij Rm −2b s
2 m s 2 d K II場ヲ感知すると、感a
il12m−4dO抵抗変化に対応してボンティングパ
ッド4bと4−とから第3図に示すように正弦波の信号
電圧VlとV、とが゛それぞれ得られる。
ら磁気信号を大きくとるために一般的には第2園で示す
ように差動方式、つt〕ツブ9フ回路を構成するようK
m!して用られる。すなわち、同図において、mat;
を感al12mの電気抵K 、 llb n感’all
Hbsla 117111112g 、14 t’1l
lA砺1!i2dのそれぞれの電抵抵抗を示し、電源電
圧Vはポンディングパッド4aと4a、4・関に接続さ
tt テ上L IIc a lij Rm −2b s
2 m s 2 d K II場ヲ感知すると、感a
il12m−4dO抵抗変化に対応してボンティングパ
ッド4bと4−とから第3図に示すように正弦波の信号
電圧VlとV、とが゛それぞれ得られる。
しかしながら上記構成による磁気抵抗素子において、各
感磁1! 2 a〜!dとこれに対応するポンディング
パッド4a〜4・との間に形成された各リードsamr
8bm3maRda3*ti、各Mンy’イン/Aツド
1R14a〜4・0パタ一ン表面積が大きいため、それ
ぞれ複雑な形状を有するバタ□←ン形状となることから
、動作中の同門温度の変化1表作中のパターン形成の偏
差(バラツ中)等に対して抵抗値が憾々に変動し、ポン
ディングパッド4b、44から出力される正弦波の信号
電圧V1sVlのオフセット電圧v0、り普シ信号電圧
v1とV、との電位差あるいは信号電圧v1+vsの約
1091以下の電圧が第4図に示すように大幅に偏差し
て高精駁の出力信号が得られないという問題があった。
感磁1! 2 a〜!dとこれに対応するポンディング
パッド4a〜4・との間に形成された各リードsamr
8bm3maRda3*ti、各Mンy’イン/Aツド
1R14a〜4・0パタ一ン表面積が大きいため、それ
ぞれ複雑な形状を有するバタ□←ン形状となることから
、動作中の同門温度の変化1表作中のパターン形成の偏
差(バラツ中)等に対して抵抗値が憾々に変動し、ポン
ディングパッド4b、44から出力される正弦波の信号
電圧V1sVlのオフセット電圧v0、り普シ信号電圧
v1とV、との電位差あるいは信号電圧v1+vsの約
1091以下の電圧が第4図に示すように大幅に偏差し
て高精駁の出力信号が得られないという問題があった。
このような問題を改善したものとしては、磁気抵抗素子
の検出回路にオフセットglthl整用の抵抗を接続し
、この抵抗値を11&1]Iすることによって、オフセ
ット量を#景は零近傍となるように設定して用いられて
いた。
の検出回路にオフセットglthl整用の抵抗を接続し
、この抵抗値を11&1]Iすることによって、オフセ
ット量を#景は零近傍となるように設定して用いられて
いた。
しかしながら上紀檎成による磁気抵抗素子によると、オ
フセット量の調整が極めて複雑であるとともに、その調
整作業に多大な労力とpn時1%lIを資し、生産性を
大6に低下させるなどの欠Aがあつ九。
フセット量の調整が極めて複雑であるとともに、その調
整作業に多大な労力とpn時1%lIを資し、生産性を
大6に低下させるなどの欠Aがあつ九。
したがって本発明は、上記従来の欠点を改善す′N
ゐためになされたものするり、その目的とするところは
、各感磁部とポンディングパッド間のIJ −ド部の抵
抗値を個々に一定となるようにリード部を形成し九もの
てめる。
、各感磁部とポンディングパッド間のIJ −ド部の抵
抗値を個々に一定となるようにリード部を形成し九もの
てめる。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
菖5図は本灸明による磁気抵抗素子の一例を示す前記給
1図に相轟する平面1であり、前述の図と同記号は同−
散票となるのてその説明は省略する。 f”l W K
k hて、各部11m11m、2b、!@$2dとポ
ンディングパッド4m、4に、4@、4d、4・間にそ
れぞれ接続される各リード113m’、 3b’、8e
’、3d’。
1図に相轟する平面1であり、前述の図と同記号は同−
散票となるのてその説明は省略する。 f”l W K
k hて、各部11m11m、2b、!@$2dとポ
ンディングパッド4m、4に、4@、4d、4・間にそ
れぞれ接続される各リード113m’、 3b’、8e
’、3d’。
3a’H1それぞれ対応する各部@ @ 2 ” #
2 b h 2 c a2d と各ボンデづングパツド
4m、4b、4・、4d。
2 b h 2 c a2d と各ボンデづングパツド
4m、4b、4・、4d。
4・関の距離に対応してそれぞれ相互間で抵抗値が1t
hlシ同等となるように各リードのIm!!幅を広くし
て形成されている。すなわち各リード部S轟’5sbZ
3c’、 3 / 、 3 @’ 0折抗をそれぞれr
a、rb、re、rd*r・とじたとき、中央WBのポ
ンプイングツくラド4゜に対して両#1部のポンディン
グパッド4a、4・は距離が長くなるので、各リードl
i 3a’t 3 h’s a ” #jd’、3*’
は抵抗値がr a)r b>r @、r @)r d)
r−となるように各−一をJlならせて形成されている
。
hlシ同等となるように各リードのIm!!幅を広くし
て形成されている。すなわち各リード部S轟’5sbZ
3c’、 3 / 、 3 @’ 0折抗をそれぞれr
a、rb、re、rd*r・とじたとき、中央WBのポ
ンプイングツくラド4゜に対して両#1部のポンディン
グパッド4a、4・は距離が長くなるので、各リードl
i 3a’t 3 h’s a ” #jd’、3*’
は抵抗値がr a)r b>r @、r @)r d)
r−となるように各−一をJlならせて形成されている
。
!IILItすれは、感磁部1 m g 2 b @
2 m m g ’の山積は小さいのて、各抵抗(IL
a、lb、ms、ld)の抵抗値を一致させることは容
易であるか、一方これに対応する各ポンディングパッド
lf114m、4b、4@、4d。
2 m m g ’の山積は小さいのて、各抵抗(IL
a、lb、ms、ld)の抵抗値を一致させることは容
易であるか、一方これに対応する各ポンディングパッド
lf114m、4b、4@、4d。
4・の面積が大きいため、リート′紐3 &/、 3b
/、 3 C/。
/、 3 C/。
ad’、3φ′の形状が複雑となるので、その抵抗ra
。
。
rb、re、ra、reをra>rb>r@+r*>r
d>reとなるように各リード豫8m’、 3b’、
3c’、 3d’、 3@’ のパターン線幅、を調整
するととKよって、それぞれ各感11s−リード部−ポ
ンデイングパッドの直列合成mtyrを一致させたもの
である。$6図はその4価回路図を示したものである。
d>reとなるように各リード豫8m’、 3b’、
3c’、 3d’、 3@’ のパターン線幅、を調整
するととKよって、それぞれ各感11s−リード部−ポ
ンデイングパッドの直列合成mtyrを一致させたもの
である。$6図はその4価回路図を示したものである。
また、リード部3畠′、3 b’e 341’@ 3
d’s 3 @’の他の具体例としては膜厚のみを大歯
くする方法もしくは感111Ha、2b。
d’s 3 @’の他の具体例としては膜厚のみを大歯
くする方法もしくは感111Ha、2b。
2・、2dよりも抵抗質化率の小さi金ll1lI等を
用りることにより、各リード1113m’、3に’、3
g’、3/ 。
用りることにより、各リード1113m’、3に’、3
g’、3/ 。
s@′の抵抗1iira、rb、re、rdsrsは各
部imsの抵M鼠a a * b # R@* n a
K対して無視できる1とする仁とができ、し九がって
第7図に示すようにポンディングパッド尋す、4dから
オフセット量の極めて小さい信号電圧v′1.鳴が得ら
れた。また、ポンディングパッド4b、4dから出力さ
れる信号電圧v′1 a v’、を電源電圧Vの14
K設定するKは、両端側のリードIl$a、S・の抵抗
ralr・をそれすれ2re、゛つ塘りrll=gy@
、y@ tt叩reとなるように各リード3a’、3
e’の抵抗rP、reを線幅、*厚で調整もしくは抵抗
変化率の小さい金属膜を使用することKよって容易に設
定可能である。
部imsの抵M鼠a a * b # R@* n a
K対して無視できる1とする仁とができ、し九がって
第7図に示すようにポンディングパッド尋す、4dから
オフセット量の極めて小さい信号電圧v′1.鳴が得ら
れた。また、ポンディングパッド4b、4dから出力さ
れる信号電圧v′1 a v’、を電源電圧Vの14
K設定するKは、両端側のリードIl$a、S・の抵抗
ralr・をそれすれ2re、゛つ塘りrll=gy@
、y@ tt叩reとなるように各リード3a’、3
e’の抵抗rP、reを線幅、*厚で調整もしくは抵抗
変化率の小さい金属膜を使用することKよって容易に設
定可能である。
以上観明したように本発明によれば、磁気抵抗素子自体
にオフセット量を小さく設定することができるので、検
出回路において、オフセット調整用の抵抗が不要となる
ため、調整抵抗およびそのp!!#時間が節約できる。
にオフセット量を小さく設定することができるので、検
出回路において、オフセット調整用の抵抗が不要となる
ため、調整抵抗およびそのp!!#時間が節約できる。
また、特に同時に多相の磁気検出を行なう場合には、相
数の分だけwJA整抵抗抵抗および調整時間が節約とな
るので生産性を大幅に向上させることができるなどの極
めて優れた効果が得られる。
数の分だけwJA整抵抗抵抗および調整時間が節約とな
るので生産性を大幅に向上させることができるなどの極
めて優れた効果が得られる。
第1図ないし第4図は従来の磁気抵抗素子の一例を説明
するための図、第5図ないし第7図は本発明による磁気
抵tlc素子の一例を示す図である。 1・拳−・基板、2m、!b、2s、21 ・m *
・感@ms 8&aab@8@ 、34,3* #
@ 11 * リ )’9.4m、4b、4@、4
d、4・・・・・ポンディングパッド。 代理人 弁理士 薄 1)利 幸 ・′:′: 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 −40404C404e
するための図、第5図ないし第7図は本発明による磁気
抵tlc素子の一例を示す図である。 1・拳−・基板、2m、!b、2s、21 ・m *
・感@ms 8&aab@8@ 、34,3* #
@ 11 * リ )’9.4m、4b、4@、4
d、4・・・・・ポンディングパッド。 代理人 弁理士 薄 1)利 幸 ・′:′: 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 −40404C404e
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、磁場を感知する複数組の感磁部と、前記各感磁It
O出力を外sWA路へ接続するポンディングパッド針と
、前記感Ilsとポンディングパッド部間を接続するり
一ド■とがI/811I性基板上に一体的に形成され、
外部からOII場信号もしくは嶺性体の変位を感知する
磁気抵抗素子4において、前記各感磁部−リード部−ボ
ンディングパッド部の直列袈続合成抵抗がは埋同等とな
るよ?にリード部を形成すゐことを特徴とし九畠気抵抗
素子。 2、前記リード部を感msよ〕小さいtIk抗変化率を
有する金属膜で形成したζζを特徴とする特許跣・求a
lIs第11i記載の磁気抵抗素子、 。 1m記リード部をS磁場と同一材料なμ諭る牛き、線幅
もしくは膜厚を大きくしたことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57036440A JPS58154282A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57036440A JPS58154282A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 磁気抵抗素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58154282A true JPS58154282A (ja) | 1983-09-13 |
JPH0462190B2 JPH0462190B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12469864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57036440A Granted JPS58154282A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58154282A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6218077A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Dai Ichi Seiko Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
JPS64352U (ja) * | 1987-06-19 | 1989-01-05 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5513959A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Nec Corp | Ferromagnetic resistance effect element |
JPS55130187A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Sony Corp | Magnetoelectric transducer |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP57036440A patent/JPS58154282A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5513959A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Nec Corp | Ferromagnetic resistance effect element |
JPS55130187A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Sony Corp | Magnetoelectric transducer |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6218077A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Dai Ichi Seiko Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
JPS64352U (ja) * | 1987-06-19 | 1989-01-05 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0462190B2 (ja) | 1992-10-05 |
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