JPS60140515A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS60140515A JPS60140515A JP25037483A JP25037483A JPS60140515A JP S60140515 A JPS60140515 A JP S60140515A JP 25037483 A JP25037483 A JP 25037483A JP 25037483 A JP25037483 A JP 25037483A JP S60140515 A JPS60140515 A JP S60140515A
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- JP
- Japan
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- film
- lower magnetic
- magnetic material
- insulating film
- pattern
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に薄膜磁
気ヘッドの下部磁性体周辺の高段差部分の平坦化工程を
改良した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである
。
気ヘッドの下部磁性体周辺の高段差部分の平坦化工程を
改良した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである
。
従来、薄膜磁気ヘッドの製造における下部磁性体の形成
方法としては、パーマロイ等の磁性体を蒸着あるいはス
パッタリング法で堆積し、フォトエツチング技術でパタ
ーンニングする方法と、蒸着あるいはスパッタリング法
で０．０５μｍ程度の薄い下地膜を形成した後、エレク
トロフォーミング法で磁性体を形成する方法とがある。
方法としては、パーマロイ等の磁性体を蒸着あるいはス
パッタリング法で堆積し、フォトエツチング技術でパタ
ーンニングする方法と、蒸着あるいはスパッタリング法
で０．０５μｍ程度の薄い下地膜を形成した後、エレク
トロフォーミング法で磁性体を形成する方法とがある。
しかしながら、最近のように、ヘッドの書込み特性の向
上を目的として磁性体を厚膜化する場合には、前者の方
法では磁性膜の微細加工が難しいという問題が生ずる。
上を目的として磁性体を厚膜化する場合には、前者の方
法では磁性膜の微細加工が難しいという問題が生ずる。
また、厚膜化が容易な後者の、エレクトロフォーミング
法は第１図に示す如く、電気めっきを行うための通電用
下地膜３を、蒸着法、スパッタリング法等により０．０
５〜０．３μｍ程度形成し、その後、フォトレジスト膜
を塗布し乾燥した後、露光、現像して磁性体パターン、
部分のレジスト膜を除去し、電気めっき用のレジストマ
スク５を形成する。
法は第１図に示す如く、電気めっきを行うための通電用
下地膜３を、蒸着法、スパッタリング法等により０．０
５〜０．３μｍ程度形成し、その後、フォトレジスト膜
を塗布し乾燥した後、露光、現像して磁性体パターン、
部分のレジスト膜を除去し、電気めっき用のレジストマ
スク５を形成する。
次に、磁性体として、Ｎｉ−Ｆｅ等を電気めっきで析出
させた後、上記レジストマスク５およびその下にある不
要な通電用下地膜３を、スパッタエツチング法、イオン
ミリング法等により除去して磁性体パターン４を形成す
る。上記方法によって形成された磁性体４上に、膜厚０
．５〜２μｍ程度の無機絶縁膜をスパッタリング法で堆
積し、フォトエツチング技術でパターン形成し、ギャッ
プスペーサ６とする。
させた後、上記レジストマスク５およびその下にある不
要な通電用下地膜３を、スパッタエツチング法、イオン
ミリング法等により除去して磁性体パターン４を形成す
る。上記方法によって形成された磁性体４上に、膜厚０
．５〜２μｍ程度の無機絶縁膜をスパッタリング法で堆
積し、フォトエツチング技術でパターン形成し、ギャッ
プスペーサ６とする。
更に、有機絶縁膜を用いて、上記磁性体４周辺の段差を
緩和し、これをパターン形状グして絶縁層７を形成する
。上記磁性体４周辺の段差の緩和を平坦化という。上記
平坦化は磁゛性体４の膜厚が２〜５μｍ程度の場合には
、相当の効果があるが、磁性体４の膜厚が約７μｍ以上
となった場合には、その効果が大きく減退する。
緩和し、これをパターン形状グして絶縁層７を形成する
。上記磁性体４周辺の段差の緩和を平坦化という。上記
平坦化は磁゛性体４の膜厚が２〜５μｍ程度の場合には
、相当の効果があるが、磁性体４の膜厚が約７μｍ以上
となった場合には、その効果が大きく減退する。
このような段差が存在する絶縁層の上に導体コイル８を
形成すると、上記段差の影響で、コイル幅、コイル間隔
が一定にならず、第２図に示す如く、導体コイル８の短
絡、断線等の問題が発生する危険が大きい。
形成すると、上記段差の影響で、コイル幅、コイル間隔
が一定にならず、第２図に示す如く、導体コイル８の短
絡、断線等の問題が発生する危険が大きい。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
る上述の如き問題を解消し、下部磁性体周辺の高段差部
分の平坦化工程を改良して導体コイル形成、上部磁性体
形成の精度を向上させた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することにある。
するところは、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
る上述の如き問題を解消し、下部磁性体周辺の高段差部
分の平坦化工程を改良して導体コイル形成、上部磁性体
形成の精度を向上させた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することにある。
本発明の上記目的は、基板上に下部磁性体、ギャップ材
、有機樹脂絶縁膜、導体コイル、上部磁性体等を順次形
成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下部磁
性体をエレクトロフォーミング法により形成し、エレク
トロフォーミング法用のマスク材を用いて前記下部磁性
体周辺の段差を平坦化することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法によって達成される。
、有機樹脂絶縁膜、導体コイル、上部磁性体等を順次形
成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下部磁
性体をエレクトロフォーミング法により形成し、エレク
トロフォーミング法用のマスク材を用いて前記下部磁性
体周辺の段差を平坦化することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法によって達成される。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第３図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例である薄膜磁
気ヘッドの製造工程の要部を示す断面図である。図にお
いて、記号１〜１０は第１図に示したと同じ構成要素を
示しており、５Ａは後述する平坦化パターン、１１は保
護膜を示している。また、第４図は第３図のＢ−Ｂ方向
矢絣断面図である。
気ヘッドの製造工程の要部を示す断面図である。図にお
いて、記号１〜１０は第１図に示したと同じ構成要素を
示しており、５Ａは後述する平坦化パターン、１１は保
護膜を示している。また、第４図は第３図のＢ−Ｂ方向
矢絣断面図である。
本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法を以下説明する。
まず、第３図（Ａ）に示す如く、セラミック基板１の全
面に無機絶縁膜をスパッタリング法で堆積し、平坦な下
地膜２を形成する。該下地膜２上に下部磁性体３をエレ
クトロフォーミング法で形成するためのめっき通電用下
地膜３を、蒸着、スパッタリング法等で堆積する。次に
、該通電用下地膜３上に、下部磁性体と同程度の膜厚を
有する絶縁膜を形成し、フォトエツチング技術で下部磁
性体パターン部分の上記絶縁膜を除去し、電気めっき用
のマスク材５を形成する。
面に無機絶縁膜をスパッタリング法で堆積し、平坦な下
地膜２を形成する。該下地膜２上に下部磁性体３をエレ
クトロフォーミング法で形成するためのめっき通電用下
地膜３を、蒸着、スパッタリング法等で堆積する。次に
、該通電用下地膜３上に、下部磁性体と同程度の膜厚を
有する絶縁膜を形成し、フォトエツチング技術で下部磁
性体パターン部分の上記絶縁膜を除去し、電気めっき用
のマスク材５を形成する。
上記マスク材５を用いて、Ｎｉ−Ｆｅ等を析出させ、下
部磁性体パターン４を得る。その後、不要となったマス
ク材である絶縁膜５をフォトエツチング技術等によりを
除去するが、このとき、第３図（Ｂ）および第４図に示
す如く、パターン形状にテーパエツチングを行い、上記
マスク材５の一部を平坦化材（平坦化パターン）５Ａと
して残す。この平坦化パターンの大きさは、第３図（Ｂ
）、第４図に示す如く、下部磁性体４を囲むように、ま
た、この平坦化パターン上に導体パターンが形成される
ような形状、大きさであることが望ましい。
部磁性体パターン４を得る。その後、不要となったマス
ク材である絶縁膜５をフォトエツチング技術等によりを
除去するが、このとき、第３図（Ｂ）および第４図に示
す如く、パターン形状にテーパエツチングを行い、上記
マスク材５の一部を平坦化材（平坦化パターン）５Ａと
して残す。この平坦化パターンの大きさは、第３図（Ｂ
）、第４図に示す如く、下部磁性体４を囲むように、ま
た、この平坦化パターン上に導体パターンが形成される
ような形状、大きさであることが望ましい。
上記平坦化パターン５Ａを形成した後、前記通電用下地
膜３をスパッタエツチング法あるいはイオンミリング法
によって除去し、下部磁性体４と平坦化パターン５Ａの
形成を完了する。
膜３をスパッタエツチング法あるいはイオンミリング法
によって除去し、下部磁性体４と平坦化パターン５Ａの
形成を完了する。
次に、上記下部磁性体４．平坦化パターン５Ａの上に膜
厚約０．５〜２μｍの無機絶縁膜をスパッタリング法で
堆積した後、フォトエツチング技術でパターンを形成し
ギャップスペーサ６とする。下部磁性体４の上部磁性体
の接続部１２の無機絶縁膜は除却する。続いて、該ギャ
ップスペーサ６上に有機絶縁膜を形成し第１Ｉ＠縁膜と
する。
厚約０．５〜２μｍの無機絶縁膜をスパッタリング法で
堆積した後、フォトエツチング技術でパターンを形成し
ギャップスペーサ６とする。下部磁性体４の上部磁性体
の接続部１２の無機絶縁膜は除却する。続いて、該ギャ
ップスペーサ６上に有機絶縁膜を形成し第１Ｉ＠縁膜と
する。
次に、上記第１絶縁膜上にスパッタリング法。
イオンミリング法あるいはエレクトロフォーミング法を
用いて、線幅５〜１０μ−１線間隔２〜６μ■の導体コ
イル８を形成する。次に、これを覆うように前記第１絶
縁膜と同様に第２絶縁膜を形成し上記第１絶縁膜と合わ
せて有機絶縁膜７とする。
用いて、線幅５〜１０μ−１線間隔２〜６μ■の導体コ
イル８を形成する。次に、これを覆うように前記第１絶
縁膜と同様に第２絶縁膜を形成し上記第１絶縁膜と合わ
せて有機絶縁膜７とする。
下部磁性体４の上部磁性体との接続部１２の無機絶縁膜
は除却する。
は除却する。
その後、Ｎｉ−Ｆｅ等から成る磁性体をスパッタリング
法で堆積してフォトエツチング技術によりパターン形成
するか、エレクトロフォーミング法を用いてパターン形
成し、上部磁゛性体９および引出し線１０とする。上部
磁性体９と下部磁性体４は前記接続部において接続され
る。こ°れら素子全体を保護するために、前記下地膜２
と同様に無機絶縁膜から成る保護膜１１をスパッタリン
グ法で堆積して素子形成を完了する。
法で堆積してフォトエツチング技術によりパターン形成
するか、エレクトロフォーミング法を用いてパターン形
成し、上部磁゛性体９および引出し線１０とする。上部
磁性体９と下部磁性体４は前記接続部において接続され
る。こ°れら素子全体を保護するために、前記下地膜２
と同様に無機絶縁膜から成る保護膜１１をスパッタリン
グ法で堆積して素子形成を完了する。
上記実施例においては、平坦化パターン５Ａを形成した
ことにより、導体コイル８が形成される部分は第５図に
示す如く、段差が大幅に緩和されるため、導体コイル形
成時における微細加工が容易になり、また、安定した導
体コイル形成が可能となる。なお、前出の第４図は、第
５図のＣ−Ｃ断面図に相当するものである。
ことにより、導体コイル８が形成される部分は第５図に
示す如く、段差が大幅に緩和されるため、導体コイル形
成時における微細加工が容易になり、また、安定した導
体コイル形成が可能となる。なお、前出の第４図は、第
５図のＣ−Ｃ断面図に相当するものである。
また、上記実施例によれば、下部磁性体４形成時の通電
用下地膜３が平坦化パターン５Ａの下に残るため、これ
を非磁性体で構成することが望ましく１例えば−、金（
Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）
等が用い得る。但し、上記下地膜３を、充分薄くするこ
とにより、Ｎｉ−Ｆｅ等の磁性体を使用することも可能
であり、磁束の漏れは防止可能である。
用下地膜３が平坦化パターン５Ａの下に残るため、これ
を非磁性体で構成することが望ましく１例えば−、金（
Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）
等が用い得る。但し、上記下地膜３を、充分薄くするこ
とにより、Ｎｉ−Ｆｅ等の磁性体を使用することも可能
であり、磁束の漏れは防止可能である。
なお、前記平坦化パターン５Ａとして無機質を用いるこ
とにより、該平坦化パターン５Ａを、媒体対向面に露出
させることも可能である。
とにより、該平坦化パターン５Ａを、媒体対向面に露出
させることも可能である。
以上述べた如く、本発明によれば、基板上に下部磁性体
、ギャップ材、有機樹脂絶縁膜、導体コイル、上部磁性
体等を順次形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において
、前記下部磁性体をエレクトロフォーミング、法により
形成する際、エレクトロフォーミング法用のマスク材を
用いて前記下部磁性体周辺の断差を平坦化するようにし
たので、下部磁性体周辺の段差の平坦化方法を改良し、
導体コイル形成、上部磁性体形成の精度を向上させるこ
とが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現できるとい
う顕著な効果を奏するものである。
、ギャップ材、有機樹脂絶縁膜、導体コイル、上部磁性
体等を順次形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において
、前記下部磁性体をエレクトロフォーミング、法により
形成する際、エレクトロフォーミング法用のマスク材を
用いて前記下部磁性体周辺の断差を平坦化するようにし
たので、下部磁性体周辺の段差の平坦化方法を改良し、
導体コイル形成、上部磁性体形成の精度を向上させるこ
とが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現できるとい
う顕著な効果を奏するものである。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は従来の製造方法によって形成さ
れた薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図、第２図は第１
図（Ｃ）のＡ−Ａ断面図、第３図（Ａ）〜（Ｃ）は本発
明の一実施例である製造方法によって形成された薄膜磁
気ヘッドの断面図、第４図は第３図（Ｃ）のＢ−Ｂ断面
図、第５図は導体コイル部の平面図である。 １：セラミック基板、２：下地膜、３：通電用下地膜、
４：下部磁性体、５：マスク材、５Ａ：平坦化パターン
、６：ギャップスペーサ、７：有機絶縁膜、８：導体コ
イル、９：上部磁性体。 第１図 第２図 第 ４ 図 第 ５ 図
れた薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図、第２図は第１
図（Ｃ）のＡ−Ａ断面図、第３図（Ａ）〜（Ｃ）は本発
明の一実施例である製造方法によって形成された薄膜磁
気ヘッドの断面図、第４図は第３図（Ｃ）のＢ−Ｂ断面
図、第５図は導体コイル部の平面図である。 １：セラミック基板、２：下地膜、３：通電用下地膜、
４：下部磁性体、５：マスク材、５Ａ：平坦化パターン
、６：ギャップスペーサ、７：有機絶縁膜、８：導体コ
イル、９：上部磁性体。 第１図 第２図 第 ４ 図 第 ５ 図
Claims (1)
- （１）基板上に下部磁性体、ギャップ材、有機樹脂絶縁
膜、導体コイル、上部磁性体等を順次形成する薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、前記下部磁性体をエレクト
ロフォーミング法により形成する際、エレクトロフォー
ミング法用のマスク材を用いて前記下部磁性体周辺の段
差を平坦化することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25037483A JPS60140515A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25037483A JPS60140515A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140515A true JPS60140515A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17206966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25037483A Pending JPS60140515A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140515A (ja) |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP25037483A patent/JPS60140515A/ja active Pending
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