JPH01241107A - 磁性薄膜パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッドの作成に適用される磁性薄膜
パターンの形成方法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、例えばインダクティブ型の薄膜磁気ヘッドの
磁路を構成する磁性簿膜、あるいは磁気抵抗効果素子を
用いたシールド型の薄膜磁気ヘッドの磁気シールドを目
的とした磁性薄膜等の形成方法に係るもので、基板に導
電薄層を形成し、この導電薄層上に所要パターンのメッ
キレジストを形成゛した後、磁性薄膜をメッキし、しか
る後メッキレジストを剥離しさらに磁性薄膜をマスクに
導電薄層を除去するようにすることにより、目的の形状
の磁性薄膜を歩留りよく精確に形成できるようにしたも
のである。

〔従来の技術〕

従来の薄膜磁気ヘッド、例えばインダクティブ型ので薄
膜磁気ヘッドであれ、磁気抵抗効果素子を用いたシール
ド型の薄膜磁気ヘッドであれ、そこに必要とされるのは
数μｍ厚さの薄膜強磁性体である。現在、一般にプロセ
スの簡略化、寸法精度の確保から主としてパーマロイの
メッキで作るのが一般的である。

第３図及び第４図はインダクティブ型の薄膜磁気ヘッド
の平面図及びその中心部の断面図を示す。

同図において、（１）は非磁性基板、（２）及び（３）
は記録、再生用の磁路として作用する薄膜強磁性体、（
４）はコイル導体、（５）は絶縁層、（６）はスライダ
ー面を示す。

第５図及び第６図は磁気抵抗効果素子を用いたシールド
型の薄膜磁気ヘッドの平面図及びその中心部の断面図を
示す。同図において、（１１）は非磁性基板、（１２）
は磁気抵抗効果素子、（１３）及び（１４）は磁気抵抗
効果素子（１２）の前後に接続された電極、（１５）は
バイアス導体、（１６）及び（１７）は磁気抵抗効果素
子（１２）を磁気的にシールドするための薄膜強磁性体
、（１８）は絶縁層、（１９）はスライダー面を示す。

［発明が解決しようとする課題〕 上述の薄膜磁気ヘッド、特に第３図及び第４図に示すイ
ンダクティブ型の薄膜磁気ヘッドの磁路として使われる
薄膜強磁性体（２）　（３）は、ギャップ部を構成する
先端の厚さが出力波形、出力の周波数特性に影響を与え
るため、厚さの均一性が問題となる。しかし、磁路に用
いる薄膜強磁性体（２）　（３）の寸法は数百μｍ程度
であり、基板（１）に占める面積比は極めて低い。これ
は第５図及び第６図に示す磁気抵抗効果素子を用いたシ
ールド型あ薄膜磁気ヘッドのシールド用の薄膜強磁性体
（１６）　（１７）においても同様である。

このように極めて面積の小さいものを厚さを精確に制御
して電気メッキすることは難しく、大きく厚さがばらつ
いたりする。またメッキされる分の面積が極めて小さい
とメッキされる部分の電流密度が大きくばらつくため、
メッキされた薄膜強磁性体の磁気特性、特に磁歪が大き
くずれることにな゛る。この場合、第７図のようにイダ
タティブ型の薄膜磁気ヘッドの薄膜強磁性体（２）　（
３）の先端のトラック幅ｄの狭い部分即ちトラック幅部
分の磁区が矢印で示した磁気的な容易軸方向に対する１
８０度磁メトなっている必要があるのに、磁区が大きく
乱れた形状をとることになる。このような場合、インダ
クティブ型の薄膜磁気ヘッドの再生出力波形の歪、通称
ウィグルという現象が生じ易い。

また、磁気抵抗効果素子を用いたシールド型の薄膜磁気
ヘッドにおいては再生波形にパルス的なノイズがのった
り、波形の歪になったりする。極端な場合には出力レベ
ルそのものが変化したりする。

薄膜磁気ヘッドにおいて数μｍ厚の薄膜強磁性体をメッ
キ法で目的の形状に形成する場合、形状の精度を保つこ
とが必要である。インダクティブ型の薄膜磁気ヘッドの
磁路の薄膜強磁性体においても、磁気抵抗効果素子を用
いたシールド型の薄膜磁気ヘッドのシールドの薄膜強磁
性体においても、その厚さの制御とともに、磁区制御に
必要とされる磁気特性を確保するためには、メッキ法で
形成する場合、目的の形状が全体の面積（基板）に対し
わずかであること、及び目的の形状の薄膜強磁性体の磁
区制御のために一定の磁気的異方性をつけるため、目的
の形状の外枠として基板の上にメッキ用の下地の電極を
形成した面に１０μｍ前後の幅のメッキレジストパター
ンを形成して薄膜強磁性体たとえばＮ１ｃｅを全面メッ
キすることが考えられる。

しかし、目的の形状の薄膜強磁性体以外のメッキされた
薄膜強磁性体を湿式エツチングで除去する場合、目的の
形状の薄膜強磁性体（パーマロイ）がエツチングされな
いようにすることが必要であるが、明確な方法が提示さ
れていない。

本発明は、上述の点に鑑み、目的の形状の磁性薄膜を歩
留りよ（精確に形成できるようにした磁性薄膜パターン
の形成方法を提供するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、基板（２１）上にメッキ用の下地電極となる
導電薄層（２２）を形成する工程と、所要パターンのメ
ッキレジスト（２３）を形成する工程と、磁性薄膜（２
６）をメッキする工程と、メッキレジスト（２３）を剥
離する工程と、磁性薄膜（２６）をマスクに導電薄層（
２２）を除去する工程を有する。

メッキレシス）　（２３）としては、目的の磁性薄膜（
２４）の輪郭形状に沿うパターンに形成する。

磁性薄膜（２６）をマスクに導電薄層（２２）を除去し
た後は、目的の形状の磁性薄膜（２４）のみをレジスト
等で被覆して目的の形状の磁性薄膜以外の不要の磁性薄
膜（２５）を除去するようになす。

〔作用〕

上述の方法によれば、導電薄層（２２）上に所要パター
ンのメッキレジスト（２３）を形成した後、磁性薄膜（
２６）をメッキすると、磁性薄膜（２６）はメッキレシ
ス）　（２３）以外の部分にメッキされる。次いでメッ
キレシス）　（２３）を除去したのち、その下の露出し
た導電薄層（２２）を磁性薄膜（２６）をマスクして選
択的に除去することにより、爾後メッキレジストで囲ま
れた目的の形状の磁性薄膜（２４）をレジストで覆って
それ以外の不要の磁性薄膜（２５）を湿式エツチングで
除去する際、エツチング液が目的の形状の磁性薄膜（２
４）側に浸透されず目的の形状の磁性薄膜（２４）が精
確に形成される。

また、メッキレジスト（２３）を目的の磁性薄膜（２４
）の形状に沿うパターンに形成して磁性薄膜（２６）を
広い範囲にわたってメッキし、爾後目的の形状の磁性薄
膜（２４）を残してそれ以外の不要の磁性薄膜（２５）
を除去している。これにより、目的の磁性薄膜（２４）
が極小面積であっても厚さが均一に制御され、電流密度
も均一になって磁区制御に必要とされる磁気特性が保持
される。

〔実施例〕

以下、第１図を参照して本発明による磁性薄膜パターン
の形成方法の実施例を説明する。

先ず、第１図へ及びＦに示すように例えば非磁性基板（
２１）上の全面にメッキ用の下地電極（２２）を薄くグ
被着形成し、この下地電極（２２）上に目的の薄膜強磁
性体の輪郭形状に沿うように幅１０μｍ前後のメッキレ
ジスト（２３）をパターン形成する。下地電極（２２）
としてはメッキされる薄膜強磁性体と同じ材質のものが
適する。メッキされる薄膜強磁性体としてはパーマロイ
（ＮｉＦｅ）を主に使用するため、下地電極としてはパ
ーマロイ（ＮｉＦｅ）が適し、スパッタ等の方法で数千
人程度の厚さで形成する。基板（２１）との密着強度が
必要な場合には、ＴｉやＣｒなどを下地にしてパーマロ
イをスパッタ等で形成したものをメッキ用の下地電極と
してもよい。

次に、第１図Ｂ及びＧに示すようにメッキレシス）　（
２３）以外の部分に例えばパーマロイによる薄膜強磁性
体（２６）　（（２４）　（２５）　）を電気メッキす
る。

次に、第１図Ｃに示すようにメッキレジスト（２３）を
除去した後、メッキレジスト除去で露出した下地電極（
２４）の部分をスパッタエツチングして除去する。

次に、第１図りに示すように目的の形状の薄膜強磁性体
（２４）より少し大きな形状のレジス）　（２７）で目
的の形状の薄膜強磁性体（２４）を被覆する。

次に、湿式エツチングして目的の形状の薄膜強磁性体（
２４）以外のメッキされた不要の薄膜強磁性体（２５）
を除去し、次いでレジス）　（２７）を除去して第１図
Ｅ及びＨに示すように目的の形状の薄膜強磁性体（２４
）を形成する。

尚、メッキ用の下地電極（２２）として密着強度を上げ
るためにＴｉやＣｒ等を形成した上にパーマロイ等の数
千人程度の層を設けた場合、第１図Ｅで説明したように
湿式エツチングを行った時にパーマロイ等の強磁性体用
のエツチング液では完全に除去されないときには、スパ
ッタエツチングあるいはＴｉ、　Ｃｒなどの湿式エツチ
ング液で除去すればよい。この場合、ＴｉやＣｒは数百
人程度と薄く、例えレジストの下のＴ１やＣｒを多少エ
ツチングしてもエツチング速度が非常に遅いためレジス
トの下を浸透して目的の形状の薄膜強磁性体をエツチン
グすることはなく、問題は生じない。

これ以後の工程は、例えばインダクティブ型の薄膜磁気
ヘッドであれば、下層の磁路となる薄膜強磁性体（２４
）上に第３図及び第４図に示すと同様に絶縁層を介して
コイル導体、上層の磁路となる薄膜強磁性体を形成して
インダク、ティブ型の薄膜磁気ヘッドを作成する。

又、磁気抵抗効果素子を用いたシールド型の薄膜磁気ヘ
ッドであれば、上述のようにして形成した下方シールド
磁性体となる薄膜強磁性体（２４）上に第５図及び第６
図に示すと同様に絶縁層を介して磁気抵抗効果素子、電
極、バイアス導体、上層シールド磁性体となる薄膜強磁
性体を形成して磁気抵抗効果素子を用いたシールド型の
薄膜磁気ヘッドを作成する。

かかる方法によれば、薄膜強磁性体（２６）を電気メッ
キし、メッキレジスト（２３）を剥離した後、下地電極
（２２）の露出した部分をスパッタエツチングして除去
することにより、その後の工程で目的の形状の薄膜強磁
性体（２４）をレジス）　（２７）にて被覆し湿式エツ
チングでそれ以外の不要の薄膜強磁性体（２５）を選択
除去するときに、エツチング液が目的の形状の薄膜強磁
性体（２４）側に浸透せず、目的の形状の薄膜強磁性体
（２４）を精確に形成することができる。

因みに例えば第２図に示すように、下地電極（２２）上
にメッキレシス）　（２３＞を形成して薄膜強磁性体（
２６）　（（２４）（２５））を電気メッキしく同図Ａ
）、メッキレシス）　（２３）を剥離しく同図Ｂ）、次
で下地電極（２２）の露出した部分を除去しないでレジ
ス）　（２７）を目的の形状の薄膜強磁性体（２４）に
被覆した場合（同図Ｃ）には、その後、不要の薄膜強磁
性体（２５）を除去するための湿式エツチングを行うと
、同図りに示すように目的の形状の薄膜強磁性体（２４
）の一部が、レジスト（２７）下のパーマロイによる゛
下地電極（２２）をエツチングして浸透したエツチング
液によってエツチングされ、目的の形状にならないこと
が多発する。このようにエツチング液によって目的の形
状の薄膜強磁性体（２４）の一部でも除去されるとトラ
ック幅に相当する先端の幅の狭い部分では極めて大きな
問題となる。然るに、上述の拳法のように第１図Ｃの工
程でメッキレジスト（２３）下の部分の下地電極（２２
）を除去すること１ミよ：す、第２図りに示す如き目的
の形状の薄膜強磁性体（２４）の一部がエツチングされ
るという現象は生じない。

又、上述の拳法においては、目的の薄膜強磁性体の輪郭
形状に沿うメッキレシス）　（２３）を形成した後、メ
ッキレシス）　（２３）以外の全面に薄膜強磁性体（２
６）を電気メッキしている。このため、全体としてメッ
キされる面積は大きいのでメッキ厚を精確に制御するこ
とが可能となり、また電流密度のばらつきもなくなる。

従って、極めて面積の小さい目的の形状の薄膜強磁性体
（２４）であっても厚さを精確に制御することができる
と共に、磁区制御に必要とされる磁気特性を確保するこ
とができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、所要パターンのメッキレジスフを介し
て磁性薄膜をメッキした佐に、メッキレジストを除去し
、さらにその下の露出したメッキ用下地電極である導電
薄層を磁性薄膜をマスクに選択的に除去することにより
、その後、目的の形状の磁性薄膜以外の不要の磁性薄膜
をエツチング除去するときに目的の形状の磁性薄膜側へ
のエツチング液の浸透を防止することができ、目的の形
状の磁性薄膜を歩留りよく精確に形成する巳とが可能に
なる。

従って、本発明は特にトラック幅の小さい例えば１０数
μｍ以下の薄膜磁気ヘッドの作成に適用して好適ならし
めるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ−Ｅは本発明による磁性薄膜パターンの形成方
法の一例を示す工程図、第１図Ｆ、Ｇ及びＨは第１図Ａ
、Ｂ及びＥの平面図、第２図Ａ〜Ｄは参考のための工程
図、第３図及び第４図は本発明の説明に供するインダク
ティブ型の薄膜磁気ヘッドの例を示す平面図及びその断
面図、第５図及び第６図は本発明の説明に供する磁気抵
抗効果素子を用いたシールド型の薄膜磁気ヘッドの例を
示す平面図及びその断面図、第７図はインダクティブ型
薄膜磁気ヘッドの磁路を構成する薄膜強磁性体の磁区を
示す平面図である。 （２１）は非磁性基板、（２２）はメッキ用の下地電極
、（２３）はメッキレジスト、（２６）　Ｃ（２４）　
（２５）　）は薄膜強磁性体、（２７）はレジストであ
る。 代　　理　　人　　　　　伊　　藤　　　　　頁間　　
　　　　　　松　　隈　　秀　　盛第１図 ネ　Ｔ　　７４ト　（クリ　・ 第１ ２Ｉ・−弁組（・１基級 ２２−　　メウキ用の下埋電！を ２３・−メッキレ・ラスト ２６　Ｃ２４，２５］・−ｊ！月−饗１ダ１ミ、３ｆｔ
、１ｉイネ２７−Ｌ　ジ′スト ０工程１月 図 第２図 インタ゛フチイア　！の５！Ｊ梗工管へ・ノドの　平面
口第３図 インタ゛７’５−＋７’型の３線担免へ１．トーのむ面
ｎ第４図 石ＡｆｉＪ坂Ｉに２７）釆紮蚤と用・・五ンールに竺薄
躬１亀会）−、ド゛の平面１月第５図 ５腺？ｌＪ代Ｉ六クカ菜を多Σ用・・ｔンールト・實Ｊ
車繰τｈチへ７ト゛の性向Ｉａ第６図 インタ゛°クナイア゛型の１１更確ガヘ、ｌ−・の磁鋒
春６Ｅと求Ｔ平面１の第７図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に導電薄層を形成する工程と、 所要パターンのメッキレジストを形成する工程と、 磁性薄膜をメッキする工程と、 上記メッキレジストを剥離する工程と、 上記磁性薄膜をマスクに上記導電薄層を除去する工程を
   有することを特徴とする磁性薄膜パターンの形成方法。