JP3837691B2 - 磁性薄膜の製造方法、磁気ヘッド、及び、磁気シールド - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は磁性薄膜の製造方法、磁気ヘッド、及び、磁気シールドに関するものであり、特に、ハードディスクドライブ(HDD)の誘導型薄膜磁気ヘッド用上部磁極コアや薄膜トランス等の磁気デバイスに用いる内部応力の大きな高飽和磁束密度の磁性薄膜の組成変動及び膜厚変動を抑制するための手段に特徴のある磁性薄膜の製造方法、磁気ヘッド、及び、磁気シールドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、コンピュータの外部記憶装置であるハードディスクは、年率倍のスピードで記録密度が向上し、磁気ヘッドの素子サイズも小さく、記録媒体の高保磁力化が進んでおり、この様な高保磁力の記録媒体に対しても十分な書き込み能力を有する磁性材料が要求されている。
【0003】
この様な誘導型薄膜磁気ヘッドの書込用磁極材料としては、NiFe合金薄膜が一般的に用いられているが、例えば、飽和磁束密度がBs =1.0T(テスラ)のNi80Fe20、即ち、パーマロイや、Bs =1.5TのNi50Fe50、即ち、50パーマロイが用いられている。
このパーマロイ及び50パーマロイの内部応力は夫々約5×108 dyn/cm2 及び約2×109 dyn/cm2 であり、膜厚としては1.5〜4μmの範囲で使用されることが多い。
【0004】
この様なパーマロイ等の磁性薄膜によって薄膜磁気ヘッドの磁極を形成する際には、主に電気メッキ法が用いられており、基板上にスパッタリング法や真空蒸着法によってメッキベース層と呼ばれる厚さが10〜数100Åの金属膜を形成したのち、メッキベース層上にフォトリソグラフィー技術を用いて磁極形状を含む形状に抜かれたレジストパターンを形成し、次いで、電気メッキ法によってレジストパターンでマスクされていない部分に選択的に磁性薄膜を成長させたのち、レジストパターンを除去し、露出したメッキベース層をArイオンを用いたイオンミーリングによって除去することによって磁極形状の磁性薄膜パターンを形成している。
【0005】
例えば、表面にSiO2 膜を形成したAl2 O3 −TiC基板上に密着性を改善するために厚さが、例えば、10nmのTi膜をスパッタリング法によって成膜したのち、厚さが、例えば、50nmのNiFe膜をスパッタリング法によって成膜してメッキベース層を形成している。
【0006】
次いで、硫酸ニッケル(NiSO4 ・6H2 O)及び硫酸第一鉄(FeSO4 ・7H2 O)に対し、ほう酸(H3 BO3 )を添加してpHを2.5に調整するとともに、塩化アンモニウム(NH4 Cl)を添加して導電性を調整し、界面活性剤であるドデシル硫酸ナトリウムを添加した30℃のメッキ浴を用いて電気メッキすることによってパーマロイ或いは50パーマロイ等のNiFe合金薄膜を得ている。
【0007】
一方、近年の記録媒体の高保磁力化の進展に伴って、誘導型薄膜磁気ヘッドを構成する上部磁極コア、或いは、上部磁極コア及び下部磁極層として、飽和磁束密度Bs のより高い材料を用いることが必要になり、この様な高飽和磁束密度化の要請に伴って、最も磁束の集中する部分においてはBs =1.5〜2.0Tが必須であるとされている。
【0008】
この様な高飽和磁束密度化に応える磁性薄膜として、CoNiFeが開発されており(必要ならば、特願2000−7487号公報参照)、このCoNiFeはパーマロイや50パーマロイより優れた磁気特性を有しており、例えば、Co64Ni12Fe24の飽和磁束密度はBs ≒2Tであり、ヘッド磁界を従来よりも大きくすることができる。
【0009】
この様な電気メッキ法により作製されるCoNiFe膜の内部応力はウェハ面内部分布を有し、0.5〜10×1010dyn/cm2 程度となるが、パーマロイ或いは50パーマロイに比べて大きく、ミクロンオーダーの厚さで成膜した場合、剥離が生じやすいという問題がある。
因に、Co64Ni12Fe24の内部応力は約7×1010dyn/cm2 となる。
【0010】
この様に磁性薄膜に剥離が生ずると、剥離した磁性薄膜、即ち、金属片によって他部を損傷したり、別の工程で粉塵を発生させたりして、製造装置トラブルの原因となるため、磁極材料として採用することが困難であった。
【0011】
図4参照
図4は、剥離なく成膜可能な膜厚の最大パターン面積依存性を示す図であり、図から明らかなように、最大パターン面積の増加に伴って成膜可能膜厚が低下することが理解される。
なお、曲線は、実測値に基づいて最小二乗法によって求めたものである。
【0012】
したがって、最大パターン面積を小さくすることによって応力の大きなCoNiFe膜もミクロンオーダーで剥離なく成膜することが可能であり、例えば、現状における磁極パターンの面積は〜1000μm2 であるので、2μm程度の厚膜化が可能であることが判明した。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、実際には、磁極パターンの他に、メッキによる膜面内の組成分布の均一性を向上させるために、磁極パターンの近傍周囲に、磁極パターンより面積の大きな所謂捨てメッキパターンを設けるのが通常であり、この様な捨てメッキパターンの面積は10000μm2 を越えてしまうので、約1μm以上の膜厚に成膜した場合に剥離が生ずることになる。
【0014】
図5参照
図5は従来の磁極形成用レジストパターンの概略的平面図であり、レジストパターン31に設けた上部磁極形成用開口32の周囲を覆うように大面積の捨てメッキ用開口34を設けており、この捨てメッキ用開口34の面積は通常10000μm2 を越えてしまう。
なお、上部磁極の先端のライトポール部に接続している部分は、上部磁極のライトポール部の組成変動或いは膜厚変動を抑制するために設けた磁極付加部形成用開口33である。
【0015】
この様な剥離が生ずると電気抵抗が変化して導通が悪くなるので、基板面内における電流密度分布も変化し、剥離の生じた部分近傍と、剥離の生じていない部分において電流密度が異なり、組成分布及び膜厚分布に不均一性が生ずることになる。
一方、剥離を防止するために、捨てメッキパターンを設けない場合には、基板面内の組成分布及び膜厚分布を劣化させ、製造歩留りの低下を招くことになる。
【0016】
この様な問題を解決するために、例えば、約7×1010dyn/cm2 の内部応力を有するCo64Ni12Fe24膜の膜厚を1μm以下とし、磁極として足りない厚みをパーマロイ等を重ねて成膜して補うことも提案されているが、この場合の磁極の実効的な飽和磁束密度Bs は2Tを下回ることになり、CoNiFeを用いた効果が減ずることになる。
【0017】
したがって、剥離を生ずることなく、50パーマロイより高飽和磁束密度の磁性薄膜を所望の厚さに、且つ、組成分布及び膜厚分布を劣化させることなく成膜することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
図1は、メッキマスクを構成するレジストフレームの形状を示す概略的平面図であり、この図1を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図1参照
(1)本発明は、磁性薄膜の製造方法において、基板上に、少なくとも一つの磁性薄膜形成用のメッキパターン用開口2と、一つの磁性薄膜形成用のメッキパターン用開口2に対して複数の繰り返しパターンからなる捨てメッキパターン用開口3とからなるメッキパターン用開口2,3を有するメッキマスク1を設け、このメッキマスク1をマスクとして内部応力が0.5×1010dyn/cm2 以上の磁性薄膜を選択的に電気メッキ法によって成膜する際に、磁性薄膜形成用のメッキパターン用開口2と個々の捨てメッキパターン用開口3の面積を3000μm2 以下とすることを特徴とする。
【0019】
この様に、磁性薄膜形成用のメッキパターン用開口2と個々の捨てメッキパターン用開口3の面積を3000μm2 以下とすることによって、厚膜の成膜が困難な内部応力が0.5×1010dyn/cm2 以上の磁性薄膜、特に、CoNiFe薄膜を1.5μm以上の膜厚に成膜することが可能になる。
【0021】
また、捨てメッキパターン用開口3を設けることによって、目的とする磁性薄膜を組成分布及び膜厚分布の均一性を保った状態で成膜することが可能になり、且つ、この捨てメッキパターン用開口3の面積も3000μm2 以下としているので成膜したメッキ膜が剥離することがない。
【0022】
(2)また、本発明は、上記(1)において、磁性薄膜が、少なくともCo、Ni、及び、Feを含む3元以上の合金であることを特徴とする。
【0023】
この様な磁性薄膜として、Co、Ni、及び、Feを含む3元以上の合金とすることによって、飽和磁束密度の高い磁性薄膜、例えば、1.5T以上の飽和磁束密度の磁性薄膜とすることができる。
なお、磁性薄膜の比抵抗を高めるために、CoNiFeに、Cr、Mo、或いは、W等の非磁性金属元素を添加しても良いものである。
【0024】
(3)また、本発明は、磁気ヘッドにおいて、誘導型薄膜磁気ヘッドの上部磁極または下部磁極の少なくとも一部に上記(1)または(2)に記載の製造方法によって製造した磁性薄膜を用いたことを特徴とする。
【0025】
この様に、上記(1)または(2)に記載の製造方法による磁性薄膜を上部磁極または下部磁極の少なくとも一部に適用することによって、高保磁力の記録媒体に対応する磁気ヘッドを構成することができ、それによって、高密度記録化が可能になる。
なお、この場合には、上部磁極及び下部磁極の全体を構成しても良いし、また、何方か一方を構成しても良いし、或いは、上部磁極及び下部磁極の少なくとも先端部のチップ状磁極コアとして用いても良いものである。
【0026】
(4)また、本発明は、磁気シールドにおいて、上記(1)または(2)に記載の製造方法によって製造した磁性薄膜を用いたことを特徴とする。
【0027】
この様に、上記(1)または(2)に記載の製造方法による磁性薄膜を磁気シールドに用いることによって、効果的に磁気シールドすることができる。
なお、この場合の磁気シールドとしては、MRヘッドの上下の磁気シールド層或いは磁気測定装置等の他の磁気デバイスの磁気シールド層等が対象となる。
【0028】
【発明の実施の形態】
ここで、図2を参照して、本発明の第1の実施の形態を説明する。
なお、本発明の実施の形態において用いるメッキ装置は、従来技術として一般に用いられているパドル装置を用い、このパドル装置によってメッキ浴を攪拌しながら電解メッキを行うものであり、パドルの形状、磁性薄膜を堆積させる基板との距離、即ち、カソードとの距離、及び、回転速度等は必要に応じて任意に設定するものであり、特に限定されるものではなく、また、基板等の構成は試作用の構成として説明する。
【0029】
図2(a)及び(b)参照
図2(a)はレジストパターンの概略的平面図であり、また、図2(b)は図2(a)のA−A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図であり、まず、表面にSiO2 膜12を形成したシリコン基板11上に、スパッタリング法によって厚さが、例えば、10nmのTi膜13を形成し、引き続いて厚さが、例えば、50nmのCoNiFeメッキベース層14を形成する。
【0030】
次いで、レジストを塗布し、露光・現像することによって上部磁極形成用開口16及び複数の繰り返しパターンからなる捨てメッキ用開口17を有するレジストパターン15を形成する。
この場合、上部磁極形成用開口16は、w1 =40μm、h1 =10μm、h2 =10μmで、600μm2 の面積とし、捨てメッキ用開口17は、d1 =d2 =50μmで、2500μm2 の面積とする。
【0031】
以降は、従来と同様に、メッキ浴として、硫酸第一鉄(FeSO4 ・7H2 O)、硫酸ニッケル(NiSO4 ・6H2 O)、及び、硫酸コバルト(CoSO4 ・7H2 O)を混合し、ほう酸を30g/リットル添加することによって、pHを2.0〜3.5、例えば、2.5に調整するとともに、塩化アンモニウムによって導電性を調整し、さらに、界面活性剤であるドデシル硫酸ナトリウムを0.2g/リットル添加したものを用いる。
なお、硫酸第一鉄、硫酸ニッケル、及び、硫酸コバルトの混合量は、
硫酸コバルト 0.0425〜0.425mol/リットル
硫酸ニッケル 0.1 〜0.438mol/リットル
硫酸第一鉄 0.0075〜0.075mol/リットル
とすることが好適であるが、上記の比に限られるものではなく、所望する膜組成或いは磁気特性に応じて適宜変更されるものである。
【0032】
この様なメッキ浴を用いて電界メッキを行った結果、内部応力が約7×1010dyn/cm2 のCo64Ni12Fe24を上部磁極材料として必要な1.5μm以上の厚さまで成膜することが可能になり、したがって、飽和磁束密度が実効的にBs ≒2Tの上部磁極を形成することが可能になる。
因に、メッキパターンの面積が700μm2 の場合には、2.6μmまで剥離することなく成膜することができた。
【0033】
以降は、レジストパターン15を除去したのち、捨てメッキパターンを選択的に除去し、次いで、Arイオンを用いたイオンミーリングによってCoNiFeメッキベース層14及びTi膜13の露出部を除去すれば良い。
【0034】
次に、図3を参照して本発明の第2の実施の形態を説明するが、目的とする磁性薄膜がMRヘッドの磁気シールド層である以外は、上記の第1の実施の形態と全く同様であるので、説明は簡単にする。
図3(a)及び(b)参照
図3(a)はレジストパターンの概略的平面図であり、また、図3(b)は図2(a)のA−A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図であり、まず、表面にSiO2 膜22を形成したシリコン基板21上に、スパッタリング法によって厚さが、例えば、10nmのTi膜23を形成し、引き続いて厚さが、例えば、50nmのCoNiFeメッキベース層24を形成する。
【0035】
次いで、レジストを塗布し、露光・現像することによって磁気シールド層形成用開口26及び複数の繰り返しパターンからなる捨てメッキ用開口27を有するレジストパターン25を形成する。
この場合、磁気シールド層形成用開口26は、w2 =40μm、h3 =20μmで、800μm2 の面積とし、捨てメッキ用開口27は、d1 =d2 =50μmで、2500μm2 の面積とする。
【0036】
以降は、上記の第1の実施の形態と同様に電界メッキを行うことによって、磁気シールド層を形成する。
この場合も磁気シールド層の膜厚を1.5μm以上にすることが可能になる。
【0037】
以上、説明したように、従来大面積のまま設けていた捨てメッキパターンをある程度小さな面積に細分化することによって、ある程度の膜厚まで剥離することなく、高飽和密度の磁性膜膜を成膜することができる。
【0038】
この場合、上述の図4の成膜可能膜厚の最大パターン面積依存性と、磁極等に必要な膜厚を考慮すると、細分化した各捨てメッキ用開口17,27の面積は、3000μm2 以下にすることが望ましく、それによって、1.5μm以上の膜厚の磁性薄膜を成膜することが可能になる。
なお、捨てメッキ用開口17,27の面積があまり小さすぎると異常析出が発生し、膜厚分布が悪くなるので注意を要する。
【0039】
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、メッキ浴の導電性を高めるための試薬として塩化アンモニウムを用いているが、塩化アンモニウムに限られるものではなく、塩化ナトリウム、或いは、硫酸アンモニウムを添加しても良いものである。
【0040】
また、上記の実施の形態においては、サッカリンナトリウム等の有機添加剤、即ち、光沢剤を含まないメッキ浴を用いているが、サッカリンナトリウム等の有機添加剤を添加した場合にも適用されるものである。
【0041】
また、上記の実施の形態の説明においては、磁性薄膜をCo、Ni、及び、Feのみによって構成しているが、このような3元のCoNiFe膜に限られるものではなく、3元のCoNiFe膜にCr、Mo、或いは、W等の非磁性金属元素を添加しても良く、それによって磁性薄膜の比抵抗を高めることができる。
【0042】
なお、非磁性金属元素の添加によって、飽和飽和密度Bs は1.9Tより若干低下するものの、50NiFeの飽和飽和密度、Bs =1.5Tより大きくすることができ、且つ、添加量は少ないので、組成変動量も、非磁性金属元素を添加しない場合とほぼ同程度にすることができる。
【0043】
また、上記の実施の形態の説明においては、誘導型の薄膜磁気ヘッドの上部磁極層或いは下部磁極層に用いることを前提に説明しているが、本発明はこの様な用途に限られるものではなく、再生専用の単独のMRヘッドの上下の磁気シールド層として用いても良いものであり、更には、誘導型の薄膜磁気ヘッドとMRヘッドを積層させた複合型薄膜磁気ヘッドの上下の磁気シールド層及び上下の磁極層の全体若しくはその一部として用いても良いものである。
なお、本発明の成膜方法を用いて実機の複合型薄膜磁気ヘッドを製作する場合には、基板としてAl2 O3 −TiC基板を用いれば良い。
【0044】
また、上下の磁極層として用いる場合も、上下の磁極層の全てを本発明の製造方法によって形成する必要は必ずしもなく、何方か一方を構成しても良いし、或いは、上部磁極及び下部磁極の少なくとも先端部のチップ状磁極コアとして用いても良いものである。
【0045】
さらに、本発明は磁気ヘッドに用いる磁性薄膜に限られるものではなく、例えば、磁気測定装置等における磁気シールド材或いは磁気トランス等として用いることができる。
【0046】
【発明の効果】
本発明によれば、内部応力が0.5×1010dyn/cm2 以上のCo,Ni,Feを含む高飽和磁束密度の磁性薄膜を成膜する際に、捨てメッキパターンを3000μm2 以下のパターンに細分化しているので、磁極層や磁気シールド層として必要な膜厚を剥離することなく成膜することが可能になり、ひいては、薄膜磁気ヘッドの高周波化、高記録密度化に寄与し、さらには、高性能HDD装置等を組み込んだ磁気記憶装置の普及に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理的構成の説明図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態のレジストパターンの概略的構成図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態のレジストパターンの概略的構成図である。
【図4】成膜可能膜厚の最大パターン面積依存性の説明図である。
【図5】従来の磁極形成用レジストパターンの概略的平面図である。
【符号の説明】
1 メッキマスク
2 メッキパターン用開口
3 メッキパターン用開口
11 シリコン基板
12 SiO2 膜
13 Ti膜
14 CoNiFeメッキベース層
15 レジストパターン
16 上部磁極形成用開口
17 捨てメッキ用開口
21 シリコン基板
22 SiO2 膜
23 Ti膜
24 CoNiFeメッキベース層
25 レジストパターン
26 磁気シールド層形成用開口
27 捨てメッキ用開口
31 レジストパターン
32 上部磁極形成用開口
33 磁極付加部形成用開口
34 捨てメッキ用開口
Claims (4)
- 基板上に、少なくとも一つの磁性薄膜形成用のメッキパターン用開口と、前記一つの磁性薄膜形成用のメッキパターン用開口に対して複数の繰り返しパターンからなる捨てメッキパターン用開口とからなるメッキマスクを設け、前記メッキマスクをマスクとして内部応力が0.5×1010dyn/cm2 以上の磁性薄膜を選択的に電気メッキ法によって成膜する際に、前記磁性薄膜形成用のメッキパターン用開口と前記個々の捨てメッキパターン用開口の面積を3000μm2 以下とすることを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
- 上記磁性薄膜が、少なくともCo、Ni、及び、Feを含む3元以上の合金であることを特徴とする請求項1記載の磁性薄膜の製造方法。
- 誘導型薄膜磁気ヘッドの上部磁極または下部磁極の少なくとも一部に請求項1または2に記載の製造方法によって製造した磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。
- 請求項1または2に記載の製造方法によって製造した磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁気シールド。
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