JPS63168810A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS63168810A JPS63168810A JP31185086A JP31185086A JPS63168810A JP S63168810 A JPS63168810 A JP S63168810A JP 31185086 A JP31185086 A JP 31185086A JP 31185086 A JP31185086 A JP 31185086A JP S63168810 A JPS63168810 A JP S63168810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon film
- core layer
- upper core
- layer
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 16
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 33
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に上部
コア層を高精度に加工するのに適した薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関する。
コア層を高精度に加工するのに適した薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関する。
従来、この種の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第３図
に示すように、非磁性基板１上に下部コア層２を形成し
た後に磁気ギャップｇを形成する絶縁層３を積層し、し
かる後に絶縁層４を積層し、導体コイル層５を平面螺旋
状に形成して絶縁層６をさらに積層し、この後に上部コ
ア層７を形成していた。
に示すように、非磁性基板１上に下部コア層２を形成し
た後に磁気ギャップｇを形成する絶縁層３を積層し、し
かる後に絶縁層４を積層し、導体コイル層５を平面螺旋
状に形成して絶縁層６をさらに積層し、この後に上部コ
ア層７を形成していた。
上部コア層７を所定の形状に加工するにあたっては、一
様に形成された上部コア層７上に怒光性有機樹脂でなる
フォトレジスト層８をスピンコード法等により形成し、
フォトレジスト層８“を選択的に露光および現像して所
定の形状にパターニングしてからこのフォトレジスト層
８をマスクとしてエツチングを行うことにより、上部コ
ア層７を所定の形状に加工していた。
様に形成された上部コア層７上に怒光性有機樹脂でなる
フォトレジスト層８をスピンコード法等により形成し、
フォトレジスト層８“を選択的に露光および現像して所
定の形状にパターニングしてからこのフォトレジスト層
８をマスクとしてエツチングを行うことにより、上部コ
ア層７を所定の形状に加工していた。
また、フォトレジスト層８の代わりにＴｉ膜を使用する
方法も知られているが、Ｔｉはエツチングレートが上部
コア層７を形成するパーマロイ等の磁性材のそれに比べ
て１／２程度であるので、膜厚をかなり厚く形成する必
要があった。具体的には、上部コアＮ７の膜厚の１／２
以上にする必要があった。
方法も知られているが、Ｔｉはエツチングレートが上部
コア層７を形成するパーマロイ等の磁性材のそれに比べ
て１／２程度であるので、膜厚をかなり厚く形成する必
要があった。具体的には、上部コアＮ７の膜厚の１／２
以上にする必要があった。
上述した従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上部コ
ア層７をエツチングする際のマスクとなるフォトレジス
ト層８を感光性有機樹脂でなるフォトレジスト材のスピ
ンコード等により形成していたので、第３図からも判る
ように、上部コア層７の先端コア部分と後部コア部分と
ではフォトレジスト層８の厚さが異なることになり、こ
のためこのような状態のフォトレジスト層８をマスクと
して上部コア層７のエツチングを行うと、第４図に拡大
して示すように、先端コア部分でフォトレジスト層８が
厚いために必要なコア幅りに対して完成したものはコア
幅がｌと広く形成されてしまうという問題点があった。
ア層７をエツチングする際のマスクとなるフォトレジス
ト層８を感光性有機樹脂でなるフォトレジスト材のスピ
ンコード等により形成していたので、第３図からも判る
ように、上部コア層７の先端コア部分と後部コア部分と
ではフォトレジスト層８の厚さが異なることになり、こ
のためこのような状態のフォトレジスト層８をマスクと
して上部コア層７のエツチングを行うと、第４図に拡大
して示すように、先端コア部分でフォトレジスト層８が
厚いために必要なコア幅りに対して完成したものはコア
幅がｌと広く形成されてしまうという問題点があった。
特に、′ａ膜磁気ヘッドでは、先端コア部分のコア幅が
トラック幅となるのでコア幅の寸法にはきわめて高い精
度が要求され、従来の薄１ｌｌＴ６１気ヘッドの製造方
法では高い寸法精度が出しにくいので、製品の歩留りが
低下するという欠点があった。
トラック幅となるのでコア幅の寸法にはきわめて高い精
度が要求され、従来の薄１ｌｌＴ６１気ヘッドの製造方
法では高い寸法精度が出しにくいので、製品の歩留りが
低下するという欠点があった。
一方、フォトレジスト層８の代わりにＴｉ膜を使用する
製造方法の場合には、Ｔｉのエツチングレートが上部コ
ア層７を形成するパーマロイ等の磁性材のそれの１７２
程度なので、Ｔｉ膜の膜厚を厚くする必要があるが、Ｔ
ｉ ｉｌｌの形成速度はきわめて遅く必要な膜厚を得
るのに多大の時間がかかるという問題点があった。具体
的には、Ｔｉのエツチングレートはパーマロイの１７２
程度であるが、例えばＴｉを３μｍの膜厚に成膜するた
めには５時間以上の時間が必要である。
製造方法の場合には、Ｔｉのエツチングレートが上部コ
ア層７を形成するパーマロイ等の磁性材のそれの１７２
程度なので、Ｔｉ膜の膜厚を厚くする必要があるが、Ｔ
ｉ ｉｌｌの形成速度はきわめて遅く必要な膜厚を得
るのに多大の時間がかかるという問題点があった。具体
的には、Ｔｉのエツチングレートはパーマロイの１７２
程度であるが、例えばＴｉを３μｍの膜厚に成膜するた
めには５時間以上の時間が必要である。
なお、Ｔｉ膜の代わりに／１．０．膜を使用することも
考えられるが、Ａｃｔ ｏ、ｘでは緻密な膜を成膜する
ことが困難であり、Ａ１＊Ｏｘ膜はエツチングのための
マスクには適していない。
考えられるが、Ａｃｔ ｏ、ｘでは緻密な膜を成膜する
ことが困難であり、Ａ１＊Ｏｘ膜はエツチングのための
マスクには適していない。
一般的に、従来の感光性有機樹脂でなるフォトレジスト
材に代わるマスクに適した材料の条件としては、 ■ エツチングレートが小さいこと、すなわち上部コア
層を形成する磁性材に対する選択比が小さいこと、 ■ 上部コア層を形成する磁性材がおかされにくい材料
であること、 ■ 緻密な膜が成膜可能であること、 などを挙げることができる。
材に代わるマスクに適した材料の条件としては、 ■ エツチングレートが小さいこと、すなわち上部コア
層を形成する磁性材に対する選択比が小さいこと、 ■ 上部コア層を形成する磁性材がおかされにくい材料
であること、 ■ 緻密な膜が成膜可能であること、 などを挙げることができる。
本発明の目的は、上述の点に鑑み、従来使用されていた
感光性有機樹脂でなるフォトレジスト層の代わりに炭素
膜を使用して上部コア層のエツチングのためのマスクを
薄く形成することにより、上部コア層を高い寸法精度で
加工することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
することにある。
感光性有機樹脂でなるフォトレジスト層の代わりに炭素
膜を使用して上部コア層のエツチングのためのマスクを
薄く形成することにより、上部コア層を高い寸法精度で
加工することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
することにある。
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上部コア層の上
面に炭素膜を成膜する工程と、前記炭素股上にフォトレ
ジスト層を選択的に形成する工程と、前記フォトレジス
ト層をマスクとして反応性スパッタエツチングないしは
反応性イオンビームエツチングを行うことにより前記炭
素膜を所定形状にパターニングする工程と、前記所定形
状にバターニングされた炭素膜をマスクとしてエツチン
グを行うことにより前記上部コア層を所定形状に加工す
る工程とを含むことを特徴とする。
面に炭素膜を成膜する工程と、前記炭素股上にフォトレ
ジスト層を選択的に形成する工程と、前記フォトレジス
ト層をマスクとして反応性スパッタエツチングないしは
反応性イオンビームエツチングを行うことにより前記炭
素膜を所定形状にパターニングする工程と、前記所定形
状にバターニングされた炭素膜をマスクとしてエツチン
グを行うことにより前記上部コア層を所定形状に加工す
る工程とを含むことを特徴とする。
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上部コア層の
上面に炭素膜を成膜し、炭素膜上にフォトレジスト層を
選択的に形成し、フォトレジスト層をマスクとして反応
性スパッタエツチングないしは反応性イオンビームエツ
チングを行うことにより炭素膜を所定形状にバターニン
グし、所定形状にパターニングされた炭素膜をマスクと
してエツチングを行うことにより上部コア層を所定形状
に加工する。
上面に炭素膜を成膜し、炭素膜上にフォトレジスト層を
選択的に形成し、フォトレジスト層をマスクとして反応
性スパッタエツチングないしは反応性イオンビームエツ
チングを行うことにより炭素膜を所定形状にバターニン
グし、所定形状にパターニングされた炭素膜をマスクと
してエツチングを行うことにより上部コア層を所定形状
に加工する。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照しながら説明する。
第１図（ａｌおよび伯）は、本発明の一実施例に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法の一工程をそれぞれ示す断面図
である。
膜磁気ヘッドの製造方法の一工程をそれぞれ示す断面図
である。
本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法においても、上部
コア層７を一様に形成する工程までは、従来の薄膜磁気
ヘッドの製造方法における工程と同様である。
コア層７を一様に形成する工程までは、従来の薄膜磁気
ヘッドの製造方法における工程と同様である。
すなわち、まず非磁性基板１上にパーマロイ。
センダスト、アモルファス金属等の磁性材の蒸着。
スパッタリング等を行い、エツチング等によりパターン
形成することにより、所定形状の下部コア層２を形成す
る。
形成することにより、所定形状の下部コア層２を形成す
る。
次に、Ｓ ｉｏ、、Ａｌ！ｏ、等の蒸着、スパッタリン
グ等を行うことにより、磁気ギャップｇを形成するｗＡ
Ａｌ２Ｓ３積層する。
グ等を行うことにより、磁気ギャップｇを形成するｗＡ
Ａｌ２Ｓ３積層する。
続いて、Ｓｉｎｇ、Ａｌｚ ０３．ポリイミド等の蒸着
、スパッタリング等を行うことにより、絶縁層４を積層
する。
、スパッタリング等を行うことにより、絶縁層４を積層
する。
さらに、Ｃｕ、Ａｊｌ等の非磁性導電材の蒸着。
スパッタリング等を行い、エツチング等によりパターン
形成することにより、導電コイル層５を平面螺旋状に形
成する。
形成することにより、導電コイル層５を平面螺旋状に形
成する。
次に、Ｓ ｉａｔ 、Ａｌｔ Ｏｉ 、ポＩＪイミ）’
Ｖの蒸着、スパッタリングを行うことにより、ｉ？ｉ１
コイル層５上に絶縁層６を形成する。
Ｖの蒸着、スパッタリングを行うことにより、ｉ？ｉ１
コイル層５上に絶縁層６を形成する。
続いて、パーマロイ、センダスト、アモルファス金属等
の磁性材の蒸着、スパッタリングを行うことにより、上
部コアＮ７を一様に形成する。
の磁性材の蒸着、スパッタリングを行うことにより、上
部コアＮ７を一様に形成する。
このような従来と同様な工程を経て形成された上部コア
層７を所定形状に加工するにあたって、本実施例の薄Ｉ
Ｉｌ磁気ヘッドの製造方法では、第１図ｉａｌに示すよ
うに、上部コア層７上にスパッタリング等により炭素膜
９をほぼ均一な厚みに形成する０例えば、上部コア層７
がパーマロイで形成されているとすると、パーマロイの
エツチングレートが炭素のエツチングレートの５倍強で
あるので、上部コア層７が５μｍの厚さであれば炭素膜
９の厚みは１μｍ程度であればよい。
層７を所定形状に加工するにあたって、本実施例の薄Ｉ
Ｉｌ磁気ヘッドの製造方法では、第１図ｉａｌに示すよ
うに、上部コア層７上にスパッタリング等により炭素膜
９をほぼ均一な厚みに形成する０例えば、上部コア層７
がパーマロイで形成されているとすると、パーマロイの
エツチングレートが炭素のエツチングレートの５倍強で
あるので、上部コア層７が５μｍの厚さであれば炭素膜
９の厚みは１μｍ程度であればよい。
続いて、第１開山）に示すように、炭素膜９上にフォト
レジスト［ＩＱを薄く形成する。そして、このフォトレ
ジスト層１０を選択的に露光および現像して所定形状に
バターニングし、バターニングされたフォトレジスト層
１０をマスクとして０：の雰囲気中で反応性スパッタエ
ツチングまたは反応性イオンビームエツチングを行うこ
とにより、炭素膜９を所定形状にバターニングする。
レジスト［ＩＱを薄く形成する。そして、このフォトレ
ジスト層１０を選択的に露光および現像して所定形状に
バターニングし、バターニングされたフォトレジスト層
１０をマスクとして０：の雰囲気中で反応性スパッタエ
ツチングまたは反応性イオンビームエツチングを行うこ
とにより、炭素膜９を所定形状にバターニングする。
次に、所定形状にバターニングされた炭素膜９をマスク
としてエツチングを行うことにより、第２図に示すよう
な所定形状に上部コア層７を加工する。
としてエツチングを行うことにより、第２図に示すよう
な所定形状に上部コア層７を加工する。
以上説明したように、本発明によれば、上部コア層の上
面に炭素膜を薄く形成しこの炭素膜を反応性スパッタエ
ツチングないしは反応性イオンビームエツチングでバタ
ーニングすることにより、上部コア層をエツチングする
ための薄いマスクを形成することができ、上部コア層を
高精度で加工することが可能となって薄膜磁気ヘッドの
製造歩留りが向上するという効果がある。
面に炭素膜を薄く形成しこの炭素膜を反応性スパッタエ
ツチングないしは反応性イオンビームエツチングでバタ
ーニングすることにより、上部コア層をエツチングする
ための薄いマスクを形成することができ、上部コア層を
高精度で加工することが可能となって薄膜磁気ヘッドの
製造歩留りが向上するという効果がある。
また、上部コア層上に形成する炭素膜は薄くてすむので
、マスクの形成時間が短縮され、加工効率が向上すると
いう効果がある。
、マスクの形成時間が短縮され、加工効率が向上すると
いう効果がある。
第１図［ａｌおよび山）は、本発明の一実施例に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法における一工程をそれぞれ示す
断面図、 第２図は、本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法によっ
て形成された上部コア層を例示する平面図、 第３図は、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を
示す断面図、 第４図は、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における他
の工程を示す要部拡大断面図である。 図において、 １・・・・・基板、 ２・・・・・下部コア層、 ３．４．６・絶縁層、 ５・・・・・導体コイル層、 ７・・・・・上部コア層、 ９・・・・・炭素膜、 １０・・・・・フォトレジスト層、 ｇ・・・・・磁気ギャップである。
膜磁気ヘッドの製造方法における一工程をそれぞれ示す
断面図、 第２図は、本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法によっ
て形成された上部コア層を例示する平面図、 第３図は、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を
示す断面図、 第４図は、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における他
の工程を示す要部拡大断面図である。 図において、 １・・・・・基板、 ２・・・・・下部コア層、 ３．４．６・絶縁層、 ５・・・・・導体コイル層、 ７・・・・・上部コア層、 ９・・・・・炭素膜、 １０・・・・・フォトレジスト層、 ｇ・・・・・磁気ギャップである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 上部コア層の上面に炭素膜を成膜する工程と、前記炭素
膜上にフォトレジスト層を選択的に形成する工程と、 前記フォトレジスト層をマスクとして反応性スパッタエ
ッチングないしは反応性イオンビームエッチングを行う
ことにより前記炭素膜を所定形状にパターニングする工
程と、 前記所定形状にパターニングされた炭素膜をマスクとし
てエッチングを行うことにより前記上部コア層を所定形
状に加工する工程と、 を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31185086A JPS63168810A (ja) | 1986-12-30 | 1986-12-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31185086A JPS63168810A (ja) | 1986-12-30 | 1986-12-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63168810A true JPS63168810A (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=18022165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31185086A Pending JPS63168810A (ja) | 1986-12-30 | 1986-12-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63168810A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0373793A2 (en) * | 1988-12-14 | 1990-06-20 | Hewlett-Packard Company | Lift-off process for patterning shields in thin magnetic recording heads |
| US6878619B2 (en) | 2002-05-14 | 2005-04-12 | Fujitsu Limited | Method for fabricating semiconductor device |
-
1986
- 1986-12-30 JP JP31185086A patent/JPS63168810A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0373793A2 (en) * | 1988-12-14 | 1990-06-20 | Hewlett-Packard Company | Lift-off process for patterning shields in thin magnetic recording heads |
| US6878619B2 (en) | 2002-05-14 | 2005-04-12 | Fujitsu Limited | Method for fabricating semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03252907A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製法 | |
| JPS62245509A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| US4614563A (en) | Process for producing multilayer conductor structure | |
| US4944831A (en) | Process for obtaining a pattern, in ferromagnetic material having differently sloping sides | |
| JPS63168810A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH02295117A (ja) | 銅薄膜パターニング方法 | |
| JPS63138513A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JP3867017B2 (ja) | パターン形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法 | |
| JPS6339110A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS5877016A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH07118849A (ja) | 導体薄膜パターンの形成方法 | |
| JPS62211924A (ja) | リフト・オフ法 | |
| JPH03259409A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2000207709A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0271412A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6177113A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH01173308A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH01319108A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH02247808A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPS59157820A (ja) | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPS58153218A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS6059514A (ja) | ダブルアジマスヘツドの製造方法 | |
| JPH0765318A (ja) | 薄膜形成方法とそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS61104482A (ja) | 磁気バブルメモリ素子の作成方法 | |
| JPH01134931A (ja) | 微細パターン形成方法 |