JPS62211924A - リフト・オフ法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 リフト・オフ法であって、リフト・オフで除去される被
膜の下に該被膜と密着の悪い被膜を設けておくことによ
り、リフ１−・オフで形成されるパターンの完全な平坦
化を可能とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は磁気バブルメモリ素子等の作製に用いられるリ
フト・オフ法に関するものである。

磁気バブルメモリ素子は、バブルの書き込み、分割、あ
るいは読み出し等いわゆるゲート動作を行うコンダクタ
パターンと、情報（バブル）を蓄えるパーマロイパター
ンからなり、ゲート部では、コンダクタパターンの段差
がその上のパーマロイパターンに反映して動作特性が劣
化するのを防くため、コンダクタパターン段差の平坦化
がおこなわれている。

〔従来の技術〕

コンダクタパターンの平坦化を行う方法として、従来は
、レジスト・リフト・オフ法と樹脂プレーナー法が用い
られてきた。レジスト・リフト・オフ法は第３図ａに示
すように、イオンミリングでコンダクタパターン１を形
成した後、フォトレジスト２を残したまま第３図すのよ
うにＳｉＯを蒸着し、アセトン中に浸漬して第３図Ｃに
示すようにコンダクタパターン１上の５ｉ０３をフォト
レジスト２とともに除去する平坦化法である。また樹脂
プレーナー法は、第４図ａに示すようにコンダクタ−パ
ターン１を形成後、第４図すに示すようにシリコン系の
ＰＣＯ２（ポリラダーオルガノシロキササン樹脂）、或
いはポリイミド系樹脂等の耐熱性熱硬化樹脂６をスピン
コードし、熱処理するものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来のレジスト・リフト・オフ法では、レジスト２
を容易に溶解させるためにはその厚さをコンダクタパタ
ーン１の２〜３倍程度が必要とされている。このためフ
ォトレジスト２の影になる部分にはＳｉＯが蒸着されず
、リフトオフ後、その部分に溝４ができる。またレジス
トを溶解させるにはＳｉＯ等の膜形成時の温度を低温（
１００°Ｃ以下）にする必要があるので、膜形成には密
着等の点で不利である。

一方樹脂プレーナー法では、プロセス的には非常に簡単
ではあるが、３５０〜４００℃の高温で処理されるので
、ストレス（歪）が増加する上、完全な平坦化は望めな
い。

本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、簡易
な方法で完全な平坦化ができるリフト・オフ法を提供す
ることを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

第１図は本発明の詳細な説明するための図である。

第１図において、１３はリフト・オフで除去される被膜
に対して密着の悪い被膜、１６はリフト・オフで平坦化
されるパターン、１７はリフト・オフで除去される被膜
である。

本発明方法は、まずａ図に示すようにリフト・オフで平
坦化されるパターン１６の上にリフト・オフで除去され
る被膜に対し密着性の悪い被膜１３を形成する。次にｂ
図に示すようにリフト・オフで除去される被膜１７を全
面に形成する。次に０図に示すように洗浄又は溶剤中浸
漬等によりパターン１６上のみ被膜１７を除去する。最
後にｄ図に示すようにパターン１６上の被膜１３を除去
するのである。

〔作　用〕

リフト・オフで除去される被膜の下に、該被膜と密着の
悪い被膜を設けておくことにより、リフト・オフで除去
すべき被膜を容易に除去することができる。また密着の
悪い被膜を薄くすることにより該被膜の影による溝ばて
きず、完全な平坦化が可能となる。

〔実施例〕

第２図は本発明の実施例を示す図であり、ａ〜ｈはその
工程を説明する図である。

本実施例は磁気バブルメモリ素子を例にしたもので、ま
ず第２図ａの如く、バブル結晶１０上にスペーサーとな
るＳｉＪを５００人スパッタし、その上にＴａＭｏ／Ａ
ｕ／ＴａＭｏを２００人／　３６００人７２００人蒸着
しコンダクタ−膜１２を形成する。次にその上に第２図
すの如く、ポリイミド樹脂（例えばＤｕ　Ｐｏｎｔ社製
バイラリン）をスピンコードし、１３０〜１４０℃で３
０分間熱処理して樹脂膜１３′　（リフト・オフで除去
される被膜）を形成後、フォトレジスト１４を２５００
〜３０００人の厚さにスピンコードする。

次に第２図Ｃに示すように露光・現像してフォトレジス
トパターン１５を形成する。この時完全にイミド化して
いない樹脂膜１３′の露出している部分も溶解する。次
に第２図ｄに示すようにイオンミリングによりコンダク
タ−膜１２をエツチングしてコンダクタ−パターン１６
′　（リフト・オフで形成されるパターン）を形成した
後、アセトン中浸漬でレジストを除去し、その後２５０
℃６０分の熱処理で樹脂＋ｔ％１３′をフルキエアーす
る。

次に第２図ｅに示すようにＳｉＯ□をＲＦスパッタリン
グ（パワー密度］、　５　Ｗ　／　ｃＪ以下）し、第２
図ｒの如＜　４０００人の厚さにＳｉＯ□膜１７′を形
成する。

次に第２図ｇの如くスクラバー洗浄、又はアルコール中
超音波洗浄を行い樹脂膜１３′上のＳｉｎｇ膜１７′の
み剥離する。最後に第２図りの如く酸素プラズマ処理に
より樹脂膜１３′を除去する。

このように形成される本実施例は、ポリイミド樹脂とＳ
ｉＯ□とが非常に密着性が悪（、樹脂表面をイオンミリ
ング或いは酸素ブラスマでエツチングしてミクロな凹凸
を形成しても、その上のＳｉＯ□膜との密着は良くない
。従ってＳｉＯ□膜はスクラバー洗浄又はアルコール中
超音波洗浄で容易に除去することができる。

本実施例によれば、作製が容易であり。且つ樹脂膜１３
′の厚さを薄くすることができるので５ｉ０２スパッタ
リング時に影を作らず、完全な平坦化ができる。

［発明の効果〕 以上述べてきたように、本発明によれば、極めて簡易な
方法で、容易に完全な平坦化ができ、実用的には極めて
有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は本
発明の詳細な説明するための図、第３図は従来のレジス
ト・リフト・オフ法を説明するための図、 第４図は従来の樹脂プレーナー法を説明するだめの図で
ある。 第１図、第２図において、 １０はバブル結晶、 １１はスペーサー、 １２はコンダクタ−膜、 １３はリフト・オフで除去される被膜に対して密着の悪
い被膜、 １３′は樹脂膜、 １４はフォトレジスト、 １５はフォトレジスｊ−パターン、 １Ｇはリフト・オフで形成されるバクーン、１６′はコ
ンダクタパターン、 エフはリフト・オフで除去される被膜、１７′ｂまＳｉ
Ｏ□膜である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、リフト・オフで平坦化されるパターン（１６）の上
   に、リフト・オフで除去される被膜（１７）に対し密着
   の悪い被膜（１３）を形成し、その上にリフト・オフで
   除去される被膜（１７）を形成した後、洗浄又は溶剤中
   浸漬等により前記被膜（１３）の上のみ被膜（１７）を
   剥離することを特徴とするリフト・オフ法。 ２、上記リフト・オフで平坦化されるパターン（１６）
   にＡｌ、Ａｌ合金、又はＡｕ等の導電性金属を用い、リ
   フト・オフで除去される被膜（１７）にスパッタまたは
   イオンビームスパッタ等によるＳｉＯ＿２膜を用い、被
   膜（１３）にポリイミド樹脂を用いて磁気バブルメモリ
   素子を作製することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載のリフト・オフ法。