JPS6115491B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法の改善に
関するものであり、更に詳細には薄膜磁気ヘツド
のコイル導体の製造方法の改善に関するものであ
る。

第１図には薄膜磁気ヘツドの構成を示す。図中
１は基板、２は電気メツキの下地としてのメタラ
イズ層である。３は薄膜磁気ヘツドのコアの一部
となる下部磁性体であり、パーマロイなどの磁性
膜で形成される。４は同じく上部磁性体であり、
５はヘツドギヤツプも兼ねるコイル導体でヘツド
ギヤツプ部においてコイル導体５の厚さはギヤツ
プ長Lg、巾はギヤツプ深さDgにひとしい。

上記の構成の薄膜磁気ヘツドは蒸着、電気メツ
キ、スパツタリング、フオトエツチングを利用し
て製造されている。

第２図には薄膜磁気ヘツドの製造プロセスの概
略を示す。ガラスなどの絶縁性の基板１の上にメ
ツキ下地としてメタライズ層２を蒸着などによつ
て形成し（イ図）、次に電気メツキなどによつて
パーマロイなどの磁性膜を形成後、前記磁性膜の
フオトエツチングなどによつて、コアの一部であ
る下地磁性体３を形成する（ロ図）。つづいて電
気メツキなどによりコイル導体５を形成し（ハ
図）下部磁性体３と同様に上部磁性体４を形成し
（ニ図）最後にメタライズ層２の不要部分を除去
し（ホ図）、第１図に示す薄膜磁気ヘツドを製造
している。

第２図ハに示すコイル導体５の形成のプロセス
について更に詳細に述べると、前記コイル導体６
はヘツドギヤツプを兼ねており、コイル導体５の
厚さ、巾はそれぞれギヤツプ長Lg、ギヤツプ深
さDgに対応しており形状的にも精度よく形成さ
れる必要がある。また記録時にコイル導体５を流
れる記録電流による発熱を小さくする上から電気
抵抗の小さい材料で形成される必要がある。コイ
ル導体５での発熱、ヘツドの記録、再生時の各種
の損失を小さくする必要性などから一般に薄膜磁
気ヘツドではギヤツプ長Lg、即ちコイル導体５
の厚さは１μ・ｍ以上になつており、コイル導体
５形成に関しては膜成長速度の速い製膜方法が必
要である。上記の要件を満すコイル導体の製造方
法の一つとして銅のパターンメツキが従来から用
いられている。

第３図にはコイル導体５形成のプロセスの一実
施例を詳細に示す。図中、６はパターンメツキに
より所定の形状のコイル導体５を得るためのレジ
ストパターンである。以下図に基づいて各プロセ
スについて説明する。

基板１上のメタライズ層２の上に電気メツキ、
蒸着、フオトエツチングなどを利用して薄膜磁気
ヘツドのコアの一部である下部磁性体３が形成さ
れている（イ図）。コイル導体５の形状に応じた
所定のレジストパターン６を上記メタライズ層
２、下部磁性体３上に形成し（ロ図）、次に電気
メツキにより銅などの電気抵抗の小さい材料をメ
タライズ層２、下部磁性体３上のレジストパター
ン６が存在しない部分に付着せしめ（このような
メツキ方法をパターンメツキと称している）（ハ
図）最後にレジストパターン６を適宜なレジスト
剥離剤で除去して所望のコイル導体５を下部磁性
体３などの上に形成している（ニ図）。

従来のコイル導体５の製造プロセスは以上のよ
うにメタライズ層２、下部磁性体３をパターンメ
ツキの下地としているため、パターンメツキに際
して下部磁性体３の一部がメツキ液によつて溶か
され、薄膜磁気ヘツドのコアの一部の欠除を生じ
良好な特性の薄膜磁気ヘツドを得る上で好ましく
なかつた。

加えてコイル導体５の形成のプロセス（第２図
ハ）に先立つて下部磁性体３の形成のプロセス
（第２図ロ）のフオトエツチングにおいて、エツ
チングのカスがメタライズ層２の表面に残つた
り、レジスト除去において完全に除去されずに下
部磁性体３の表面に残存するフオトレジストなど
のために、パターンメツキにおいて、所定の個所
にメツキ膜が付着せずにメツキ不良を生じてコイ
ル導体５が所定のパターンに形成されず、このた
めコイルの断線がおこるなどの問題点があり、薄
膜磁気ヘツドの製造における歩留り低下の原因の
一つとなつていた。

この発明は上記のような従来のプロセスで生じ
る欠点を除去するためになされたものであり、第
２図ハ、詳細には第３図に示すコイル導体５の形
成のプロセスを改良したもので、電気抵抗の小さ
い材料のスパツタ膜で必要箇所を覆うことによ
り、コイル導体５が所定のパターンに精度よくメ
ツキで形成され、かつメツキ時にコアが損傷され
るのを防ぎ、このことによつて薄膜磁気ヘツドの
製造における歩留りの向上を計ることを目的とし
ている。

以下、この発明の一実施例を説明する。第４図
において、７はメタライズ層２、下部磁性体３の
露出面を覆つている電気抵抗の小さい材料のスパ
ツタ膜であり、８はスパツタ膜７の不要部分を除
去するためのエツチングレジストである。

第２図ハに示すコイル導体５の形成について本
発明によるものを第４図で以下詳細に説明をおこ
なう。基板１上のメタライズ層２（下部磁性体３
を電気メツキ以外の方法で製造する場合はメタラ
イズ層２は必ずしも必要でない。以下、基板１又
はメタライズ層２を総称して基材を称す）の上に
下部磁性体３が電気メツキ、フオトエツチングな
どによつて形成されている（イ図）。次に電気抵
抗の小さい材料のスパツタリングにより、メタラ
イズ層２、下部磁性体３の露出面をスパツタ膜７
で覆う（ロ図）。このときスパツタ膜７の膜厚は
メツキ下地および下部磁性体３の保護膜としての
機能を果すに必要な最小限の厚さにする。スパツ
タ膜７の厚さは材料および下地磁性体３の形状に
よつて差異はあるが一つの目安として0.1μ・ｍ
程度である。

次にスパツタ膜７の上にコイル導体５の形状に
応じてレジストパターン６を形成し（ハ図）、銅
などの電気抵抗の小さい材料をパターンメツキで
スパツタ膜７の上に形成する（ニ図）。このとき
メツキ下地は下部磁性体３やメタライズ層２に対
して密着性のよいスパツタ膜７であり、その表面
にはエツチングのカスやレジストの痕跡が存在し
ていないため、きわめて信頼性の高いメツキ膜、
すなわち、コイル導体５が得られる。また下部磁
性体３はパターンメツキに際してメツキ液に直接
ふれないためメツキ液によつて損われることはな
い。この後適宜なレジスト剥離用を用いてレジス
トパターン６を除去し（ホ図）、次にスパツタ膜
７の不要部分を除去するためエツチングレジスト
８を形成し（ヘ図）、スパツタ膜７の不要部分を
フオトエツチングなどで除去し（ト図）、最後に
エツチングレジスト８を除去し（チ図）コイル導
体５を完成している。

なお第４図ではスパツタ膜７の不要部分をコイ
ル導体５をパターンメツキで形成後除去している
が（ヘ―チ）、スパツタ膜７を除去せず、スパツ
タ膜７の上に上部磁性体４を形成しても、スパツ
タ膜７が0.1μ．ｍ程度でコイル導体５の厚さ、
すなわちギヤツプ長Lgに比較して約一桁小さく
ヘツド特性への影響はほとんどなく、この場合第
４図ヘ〜チのプロセスは省略することができ、ス
パツタ膜７の不要部分の除去は全行程を示す第２
図に於て第２図ホのメタライズ層２除去のときに
一括しておこなえばよい。

なお、上記実施例ではコイル導体５をパターン
メツキによつて形成しているが、下部磁性体３、
コイル導体５の材料の種類によつては、全面メツ
キをおこないフオトエツチングによりコイル導体
５を形成してもよく、この場合にも上記実施例と
同様の効果を奏する。

以上のように、この発明によればコイル導体５
の製造プロセスにおいて、下部磁性体３の保護膜
と電気メツキの下地を兼ねるスパツタ膜７でメタ
ライズ層２、下部磁性体の露出面を覆う構成にし
たので、コイル導体５を電気メツキで形成する際
に下部磁性体３がメツキ液で損われることなく、
またレジストの痕跡などによるメツキ不良を防止
することができ、コイル導体５を精度よく形成す
ることが可能になり、薄膜磁気ヘツドの製造の歩
留り向上の上で効果が大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜磁気ヘツドの構成図で、同図イは
平面図、同図ロは同図イのロ−ロ線断面図、
同図ハは同図イのハ―ハ線断面図である。第
２図イ〜ホは薄膜磁気ヘツドの製造工程の概略を
示す断面図であり、第３図イ〜ニは従来のコイル
導体の製造工程を示す断面図であり、第４図イ〜
チはこの発明の薄膜磁気ヘツドのコイル導体の製
造方法における一実施例を示す断面図である。 図中１は基板、２はメタライズ層、３は下部磁
性体、４は上部磁性体、５はコイル導体、６はレ
ジストパターン、７はスパツタ膜、８はエツチン
グレジストである。なお、図中、同一符号は同一
又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ コア用の下部磁性体が形成されている基材上
   に導電性の材料のスパツタ膜を堆積し、前記下部
   磁性体、基材の露出部分をスパツタ膜で覆う第１
   工程、電気メツキにより前記スパツタ膜上にコイ
   ル導体を形成する第２工程、コイル導体形成後、
   適宜な時期にスパツタ膜の不要部分を除去する第
   ３の工程を備えた薄膜磁気ヘツドの製造方法。