JPH0258880A - 半導体磁気抵抗素子 - Google Patents
半導体磁気抵抗素子Info
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- JPH0258880A JPH0258880A JP63210308A JP21030888A JPH0258880A JP H0258880 A JPH0258880 A JP H0258880A JP 63210308 A JP63210308 A JP 63210308A JP 21030888 A JP21030888 A JP 21030888A JP H0258880 A JPH0258880 A JP H0258880A
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- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体の磁気抵抗効果を利用して磁界の変化
を検出する各種センサ、例えば、回転センサ、位置検出
センサ等に用いられる半導体磁気抵抗素子に関するもの
である。
を検出する各種センサ、例えば、回転センサ、位置検出
センサ等に用いられる半導体磁気抵抗素子に関するもの
である。
従来の技術
従来、半導体に磁界を加えると抵抗が増加する現象は磁
気抵抗効果として知られておシ、この性質を利用した半
導体磁気抵抗素子は、位置検出、歯車の回転検出センサ
等に用いられている。従来の半導体磁気抵抗素子を、第
６図に示す。第６図は、従来の半導体磁気抵抗素子の最
も基本的なものの上面図である。第７図は、第６図の半
導体磁気抵抗素子をｃ −ｃ’で切ったときの断面図で
ある。
気抵抗効果として知られておシ、この性質を利用した半
導体磁気抵抗素子は、位置検出、歯車の回転検出センサ
等に用いられている。従来の半導体磁気抵抗素子を、第
６図に示す。第６図は、従来の半導体磁気抵抗素子の最
も基本的なものの上面図である。第７図は、第６図の半
導体磁気抵抗素子をｃ −ｃ’で切ったときの断面図で
ある。
第６図で、１は基板であり、アルミナ等の基材が用いら
れる。２は半導体磁気抵抗膜であり、電子移動度が高い
、という理由からＩｎＳｂが一般に用いられる。３は端
子電極であり、４は短絡電極である。３，４の電極材料
としてはＣｕ等が用いられる。前記短絡電極４は、磁気
抵抗効果の効率を高めるだめに必要であり、前記短絡電
極で区切られた半導体の寸法１とＷの比Ｗ／１は一般に
はＷ／１＝１０が用いられる。第６図に示した半導体磁
気抵抗素子は、一般には第８図に示すように２つの半導
体磁気抵抗素子５，６を直列接続して端子７−９間に電
圧を印加して、端子チー８間に発生する電圧を出力とし
て取り出す。
れる。２は半導体磁気抵抗膜であり、電子移動度が高い
、という理由からＩｎＳｂが一般に用いられる。３は端
子電極であり、４は短絡電極である。３，４の電極材料
としてはＣｕ等が用いられる。前記短絡電極４は、磁気
抵抗効果の効率を高めるだめに必要であり、前記短絡電
極で区切られた半導体の寸法１とＷの比Ｗ／１は一般に
はＷ／１＝１０が用いられる。第６図に示した半導体磁
気抵抗素子は、一般には第８図に示すように２つの半導
体磁気抵抗素子５，６を直列接続して端子７−９間に電
圧を印加して、端子チー８間に発生する電圧を出力とし
て取り出す。
次に、第６図、及び第８図の半導体磁気抵抗素子の製造
方法を第９図を用いて以下に述べる。まず、基板１上に
Ｉｎ５ｂＯ層２′を形成する。これには、ＩｎＳｂの単
結晶を研摩して薄片化したもの、またはＩｎＳｂの蒸着
膜が用いられる（第９図（ａ））。
方法を第９図を用いて以下に述べる。まず、基板１上に
Ｉｎ５ｂＯ層２′を形成する。これには、ＩｎＳｂの単
結晶を研摩して薄片化したもの、またはＩｎＳｂの蒸着
膜が用いられる（第９図（ａ））。
次に端子電極、及び短絡電極用の金属膜１ｏを蒸着又は
、メツキ法で成膜する（第９図（ｂ））。次に、フォト
リングラフィ技術及びエツチング技術を用いて所望の電
極パターンを形成する（第９図（Ｃ））。
、メツキ法で成膜する（第９図（ｂ））。次に、フォト
リングラフィ技術及びエツチング技術を用いて所望の電
極パターンを形成する（第９図（Ｃ））。
最後にフォトリングラフィ技術及びエツチング技術を用
いて、不要部分のＩｎＳｂを取り除いて所望の半導体磁
気抵抗素子のパターンを形成する（第９図（ｄ））。前
記エツチングにはエツチング液を用いる湿式法等が用い
られる。
いて、不要部分のＩｎＳｂを取り除いて所望の半導体磁
気抵抗素子のパターンを形成する（第９図（ｄ））。前
記エツチングにはエツチング液を用いる湿式法等が用い
られる。
以上で磁気抵抗素子の基本形状は形成されるが、最終の
素子としては、最後に保護膜を形成した後、前記端子電
極とリード線が接続されるのが一般である。以上が従来
の半導体磁気抵抗素子及び、その製造法である。
素子としては、最後に保護膜を形成した後、前記端子電
極とリード線が接続されるのが一般である。以上が従来
の半導体磁気抵抗素子及び、その製造法である。
発明が解決しようとする課題
ところで、従来の半導体磁気抵抗素子では、外部リード
線との接続が容易に出来るという点で、電極材料にＣｕ
を用いることが多い。しかしながら、前述したような方
法で得られるＣｕ膜は、ＩｎＳｂ膜に対して密着力が弱
いという欠点を有している。密着力を上げるためには、
Ｃｕ成膜時に温度を上げる方法が一般に用いられるが、
ＣｕとＩｎＳｂは、反応しやすいために、このような方
法ではかえって密着力を低下させる結果になる。以上の
ようなことから、ＣｕをＩｎＳｂ上に直接形成した構造
をもつ従来の素子では、前記端子電極及び短絡電極の剥
がれ等の不良が発生しやすいと言う問題がある。
線との接続が容易に出来るという点で、電極材料にＣｕ
を用いることが多い。しかしながら、前述したような方
法で得られるＣｕ膜は、ＩｎＳｂ膜に対して密着力が弱
いという欠点を有している。密着力を上げるためには、
Ｃｕ成膜時に温度を上げる方法が一般に用いられるが、
ＣｕとＩｎＳｂは、反応しやすいために、このような方
法ではかえって密着力を低下させる結果になる。以上の
ようなことから、ＣｕをＩｎＳｂ上に直接形成した構造
をもつ従来の素子では、前記端子電極及び短絡電極の剥
がれ等の不良が発生しやすいと言う問題がある。
本発明は、前記問題点に鑑みて、半導体磁気抵抗素子の
電極部分の密着力を強くして、電極のはがれ等の不良発
生率が低い半導体磁気抵抗素子を提供するものである。
電極部分の密着力を強くして、電極のはがれ等の不良発
生率が低い半導体磁気抵抗素子を提供するものである。
課題を解決するだめの手段
そのために本発明では、Ｃｕを主材料とする複数個の端
子電極及び複数個の短絡電極を有するＩｎＳｂ半導体磁
気抵抗素子の、前記端子電極及び前記短絡電極と、工ｎ
Ｓｂ半導体磁気抵抗膜との間にＴｉまたはＴｉ化合物の
層、あるいはＯｒまたはＯｒ化合物の層を形成した構造
にしている。
子電極及び複数個の短絡電極を有するＩｎＳｂ半導体磁
気抵抗素子の、前記端子電極及び前記短絡電極と、工ｎ
Ｓｂ半導体磁気抵抗膜との間にＴｉまたはＴｉ化合物の
層、あるいはＯｒまたはＯｒ化合物の層を形成した構造
にしている。
作用
本発明の構造では、複数個のＣｕの短絡電極及び端子電
極とＩ ｎｓｂとの間には必ずＴｉまたはＴｉ化合物あ
るいはａｒまたはＯｒ化合物の層が存在する。Ｔｉ及び
Ｔｉ化合物、Ｇ ｒ 薦Ｃｒ化合物は、Ｃｕ及び工ｎｓ
ｂに対して密着性が良いだけでなく、耐熱性に富む材料
であシ、高温状態においてもＩｎＳｂやＣｕと反応を起
こすことはない。
極とＩ ｎｓｂとの間には必ずＴｉまたはＴｉ化合物あ
るいはａｒまたはＯｒ化合物の層が存在する。Ｔｉ及び
Ｔｉ化合物、Ｇ ｒ 薦Ｃｒ化合物は、Ｃｕ及び工ｎｓ
ｂに対して密着性が良いだけでなく、耐熱性に富む材料
であシ、高温状態においてもＩｎＳｂやＣｕと反応を起
こすことはない。
更に、電位面においてもＩｎＳｂ、Ｃｕと整合が取れる
ので短絡電極としての効果はＣｕ電極を直接ＩｎＳｂ上
に形成していた従来のものに劣ることはない。その結果
、半導体磁気抵抗素子として、前記短絡電極及び前記端
子電極の密着力が増大し、従来の密着力の弱さに起因し
ていた、剥がれ等の不良の発生率を低減することが出来
る。
ので短絡電極としての効果はＣｕ電極を直接ＩｎＳｂ上
に形成していた従来のものに劣ることはない。その結果
、半導体磁気抵抗素子として、前記短絡電極及び前記端
子電極の密着力が増大し、従来の密着力の弱さに起因し
ていた、剥がれ等の不良の発生率を低減することが出来
る。
実施例
本発明による実施例を図面を用いて説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の第１の実施例によシ作成した半導体磁
気抵抗素子の上面図であり、第２図は、第１図をＡ−人
′で切ったときの断面図である。第１図で、１は基板で
あり、本実施例ではアルミナ基板を用いた。２は半導体
磁気抵抗膜であり、ＩｎＳ ｂの蒸着膜を用いた。３は
端子電極である。
気抵抗素子の上面図であり、第２図は、第１図をＡ−人
′で切ったときの断面図である。第１図で、１は基板で
あり、本実施例ではアルミナ基板を用いた。２は半導体
磁気抵抗膜であり、ＩｎＳ ｂの蒸着膜を用いた。３は
端子電極である。
４は短絡電極である。３及び４には０１１の蒸着膜を用
いている。前記端子電極３及び短絡電極４と半導体磁気
抵抗膜２の間には、第２図に示したようにＴｉ層１１を
形成している。このＴｉ層１１は、蒸着によって形成し
た。次に、本実施例の半導体磁気抵抗素子の製造方法を
第３図に基づき説明する。まず、アルミナの基板１上に
Ｉｎ５ｂＯ層２′を蒸着する（第３図（ａ））。次にＴ
１１１′を蒸着して、更にＣｕ１２を蒸着する（第３図
（ｂ））。本実施例では、Ｔｉを約０．１ミクロン、Ｃ
ｕを約１ミクロン蒸着した。次に、フォトリソ技術及び
エツチング技術を用いてＴｉとＣｕを所望の端子電極、
及び短絡電極のパターンに形成する（第３図（Ｃ））。
いている。前記端子電極３及び短絡電極４と半導体磁気
抵抗膜２の間には、第２図に示したようにＴｉ層１１を
形成している。このＴｉ層１１は、蒸着によって形成し
た。次に、本実施例の半導体磁気抵抗素子の製造方法を
第３図に基づき説明する。まず、アルミナの基板１上に
Ｉｎ５ｂＯ層２′を蒸着する（第３図（ａ））。次にＴ
１１１′を蒸着して、更にＣｕ１２を蒸着する（第３図
（ｂ））。本実施例では、Ｔｉを約０．１ミクロン、Ｃ
ｕを約１ミクロン蒸着した。次に、フォトリソ技術及び
エツチング技術を用いてＴｉとＣｕを所望の端子電極、
及び短絡電極のパターンに形成する（第３図（Ｃ））。
次に、フォトリソ技術、及び、エツチング技術を用いて
１ｎＳｂを所望の形状に形成する（第３図（ｄ））。最
後に保護膜を形成し、前記、端子電極とリード線を接続
して、半導体磁気抵抗素子の製造工程は終了する。
１ｎＳｂを所望の形状に形成する（第３図（ｄ））。最
後に保護膜を形成し、前記、端子電極とリード線を接続
して、半導体磁気抵抗素子の製造工程は終了する。
（実施例２）
第４図は本発明の第２の実施例により作成した半導体磁
気抵抗素子の上面図であり、第５図は、第４図をＢ−Ｂ
’で切ったときの断面図である。前記実施例１において
Ｔｉ層１１をＯｒ層１３に変えた点以外は前記実施例１
と同じであるので、各部及び、製造方法の詳細な説明は
省略する。なお、本実施例では、Ｏｒ層１３の厚さは０
．１ミクロンとした。
気抵抗素子の上面図であり、第５図は、第４図をＢ−Ｂ
’で切ったときの断面図である。前記実施例１において
Ｔｉ層１１をＯｒ層１３に変えた点以外は前記実施例１
と同じであるので、各部及び、製造方法の詳細な説明は
省略する。なお、本実施例では、Ｏｒ層１３の厚さは０
．１ミクロンとした。
ここで、実施例１及び２ではＴ１又はＣｒ層を用いたが
、ＴｉとＮｉ 、ＯｒとＮｉ等の化合物を用いる事も可
能である。
、ＴｉとＮｉ 、ＯｒとＮｉ等の化合物を用いる事も可
能である。
発明の効果
以上のように本発明の構造をとることにより、端子電極
部分の引っ張り強度は、約１０％増大する。更に、耐湿
試験での結果でも、電極部分の剥がれ等の不良は、約２
０％低減する。また、電極成膜時の温度等の製造工程上
の温度の制約に対しても余裕が取れるので、生産性も高
くなるという効果も得られる。
部分の引っ張り強度は、約１０％増大する。更に、耐湿
試験での結果でも、電極部分の剥がれ等の不良は、約２
０％低減する。また、電極成膜時の温度等の製造工程上
の温度の制約に対しても余裕が取れるので、生産性も高
くなるという効果も得られる。
第１図は本発明の第１の実施例による半導体磁気抵抗素
子の上面図、第２図は第１図のムー人′における断面図
、第３図は本発明の第１の実施例の製造工程を示す断面
図、第４図は本発明の第２の実施例による半導体磁気抵
抗素子の上面図、第６図は、第４図のＢ−Ｂ’における
断面図、第６図。 第８図は従来の半導体磁気抵抗素子の上面図、第７図は
、第６図のｃ −ｃ’における断面図、第９図は、従来
の半導体磁気抵抗素子の製造工程を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・半導体磁気抵抗膜
、３・・・・・・端子電極、４・・・・・・短絡電極、
１１・・・・・・Ｔｉ層、１３・山・・Ｃｒ層。 １図 第３図 （α） ２ 図 第 図 第 図 第 図 第 図
子の上面図、第２図は第１図のムー人′における断面図
、第３図は本発明の第１の実施例の製造工程を示す断面
図、第４図は本発明の第２の実施例による半導体磁気抵
抗素子の上面図、第６図は、第４図のＢ−Ｂ’における
断面図、第６図。 第８図は従来の半導体磁気抵抗素子の上面図、第７図は
、第６図のｃ −ｃ’における断面図、第９図は、従来
の半導体磁気抵抗素子の製造工程を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・半導体磁気抵抗膜
、３・・・・・・端子電極、４・・・・・・短絡電極、
１１・・・・・・Ｔｉ層、１３・山・・Ｃｒ層。 １図 第３図 （α） ２ 図 第 図 第 図 第 図 第 図
Claims (2)
- （１）Ｃｕを主材料とする複数個の端子電極及び複数個
の短絡電極を有し、前記端子電極及び前記短絡電極と、
ＩｎＳｂ半導体磁気抵抗膜との間にＴｉまたはＴｉ化合
物の層を形成したことを特徴とする半導体磁気抵抗素子
。 - （２）ＴｉまたはＴｉ化合物に代えて、ＣｒまたはＣｒ
化合物を用いた請求項１記載の半導体磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63210308A JPH0258880A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63210308A JPH0258880A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258880A true JPH0258880A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16587258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63210308A Pending JPH0258880A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258880A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1124271A1 (en) * | 1998-08-07 | 2001-08-16 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor and method for fabricating the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5015480A (ja) * | 1973-06-08 | 1975-02-18 | ||
| JPS56167378A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Electromagnetic converting element and manufacture thereof |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63210308A patent/JPH0258880A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5015480A (ja) * | 1973-06-08 | 1975-02-18 | ||
| JPS56167378A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Electromagnetic converting element and manufacture thereof |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1124271A1 (en) * | 1998-08-07 | 2001-08-16 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor and method for fabricating the same |
| EP1124271A4 (en) * | 1998-08-07 | 2005-01-26 | Asahi Chemical Ind | MAGNETIC SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME |
| EP1813954A1 (en) * | 1998-08-07 | 2007-08-01 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Magnetic sensor and production method thereof |
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