JPS61194616A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61194616A JPS61194616A JP3263285A JP3263285A JPS61194616A JP S61194616 A JPS61194616 A JP S61194616A JP 3263285 A JP3263285 A JP 3263285A JP 3263285 A JP3263285 A JP 3263285A JP S61194616 A JPS61194616 A JP S61194616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic head
- film magnetic
- copper
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、とくに記録再生効率に
優れ、信頼性が高く作製が容易な薄膜磁気ヘッドに関す
る。
優れ、信頼性が高く作製が容易な薄膜磁気ヘッドに関す
る。
従来、半導体技術を用いて作製する素子の配線材料には
作製が容易であるためアルミニウム又は特開昭５２−５
２５８５号に示すようなアルミニウムより信頼性を高め
たＡＱ−Ｃｕなどアルミニウムの合金が主として用いら
れたきたが、しかしアルミニウムは融点が低く、エレク
トロマイグレーションによって断線しやすいので、大電
流を流して使用する場合、たとえば大きな記録電流を流
す薄膜磁気ヘッドに使った場合、信頼性に乏しし１とし
）う欠点があった。
作製が容易であるためアルミニウム又は特開昭５２−５
２５８５号に示すようなアルミニウムより信頼性を高め
たＡＱ−Ｃｕなどアルミニウムの合金が主として用いら
れたきたが、しかしアルミニウムは融点が低く、エレク
トロマイグレーションによって断線しやすいので、大電
流を流して使用する場合、たとえば大きな記録電流を流
す薄膜磁気ヘッドに使った場合、信頼性に乏しし１とし
）う欠点があった。
本発明の目的はエレクトロマイグレーションの小さい銅
を配線材料として用い、基板等との密着性を高めるなど
加工法を検討して、信頼性が高し）薄膜磁気ヘッドを工
業的に提供することにある６〔発明の概要〕 銅はエレクトロマイグレーションが小さく、比抵抗も小
さいので、配線材料として好適であるがＳｉＯ□、ＡＱ
、Ｏ，、ポリイミド樹脂など薄膜ヘッドを構成する材料
との密着性が悪く、再現性良く大量に素子を作製するこ
とが回連であった。本発明は銅をアルミニウム合金など
を複合化することによって密着性を高め作製歩留りを向
上させ。
を配線材料として用い、基板等との密着性を高めるなど
加工法を検討して、信頼性が高し）薄膜磁気ヘッドを工
業的に提供することにある６〔発明の概要〕 銅はエレクトロマイグレーションが小さく、比抵抗も小
さいので、配線材料として好適であるがＳｉＯ□、ＡＱ
、Ｏ，、ポリイミド樹脂など薄膜ヘッドを構成する材料
との密着性が悪く、再現性良く大量に素子を作製するこ
とが回連であった。本発明は銅をアルミニウム合金など
を複合化することによって密着性を高め作製歩留りを向
上させ。
配線材料として銅を用いたヘッドを工業的に生産するこ
とを可能にしたものである。
とを可能にしたものである。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
第１図は薄膜ヘッド主要部の一断面を示す。基板］上に
下部磁性層２．絶縁層３，４を介して上部磁性層５が形
成されている０作動空隙９を構成する無機絶縁層３上に
コイル導体６が形成されており、有機絶縁Ｍ４中に埋め
込まれている。このような構造の薄膜磁気ヘッドはごく
一般的なもので、本発明はこのような構造によって限定
されるものではない。コイル導体６は幅３μｍ、導体間
隔２μｍ、高さ３μｍでリフトオフ法で形成した。リフ
トオフ法は一例を特願昭５６−１１６４０３に示すよう
な薄膜加工形成技術で公知の技術であり膜形成は真空蒸
着法で行なった。コイルは２造構造をしており、下部磁
性層側にアルミニウム７が約０．１μｍの厚みで上部磁
性層側に銅８が約２．９ μｍの厚みで形成されている
６本実施例においては無機絶縁層３の材料はＳｉｎ、で
ある。従来の半導体素子のようにアルミニウムの単一層
で導体を形成すると、寿命（断線するまでの時間）が短
い。
下部磁性層２．絶縁層３，４を介して上部磁性層５が形
成されている０作動空隙９を構成する無機絶縁層３上に
コイル導体６が形成されており、有機絶縁Ｍ４中に埋め
込まれている。このような構造の薄膜磁気ヘッドはごく
一般的なもので、本発明はこのような構造によって限定
されるものではない。コイル導体６は幅３μｍ、導体間
隔２μｍ、高さ３μｍでリフトオフ法で形成した。リフ
トオフ法は一例を特願昭５６−１１６４０３に示すよう
な薄膜加工形成技術で公知の技術であり膜形成は真空蒸
着法で行なった。コイルは２造構造をしており、下部磁
性層側にアルミニウム７が約０．１μｍの厚みで上部磁
性層側に銅８が約２．９ μｍの厚みで形成されている
６本実施例においては無機絶縁層３の材料はＳｉｎ、で
ある。従来の半導体素子のようにアルミニウムの単一層
で導体を形成すると、寿命（断線するまでの時間）が短
い。
たとえば温度２５０℃で直流電流ｌＸ１０”Ａ／ｄを流
して試験したところ約２５ｈで断線した。
して試験したところ約２５ｈで断線した。
これに対しアルミニウム層の上部に銅層を形成した本発
明の実施例では同一の試験条件で１０００ ｈ以上断線
しなかった。
明の実施例では同一の試験条件で１０００ ｈ以上断線
しなかった。
また、銅の単一層で導体を形成しようとするとＳｉｎ、
との密着性が悪く、パターン形成不良が多発した。とく
にリフトオフ法では、膜形成時に十分温度をあげられな
い場合が多いので、密着性不良を生じやすい、これに対
しアルミニウムはＳｉｎ、や銅に対し密着性が良好で、
不良はほとんど起こらなかった。一般に薄膜ヘッドに使
われている絶縁材料、 Ａ Ｑ ｘ ＯｘやＳｉｎ、に
対してアルミニウムは良好な密着性を示し、ホトレジス
ト材、ポリイミド樹脂などの有機絶縁材料に対しては密
着性は良くないが、薄いＣｒ層を介すれば実用上十分な
密着強度が得られた。
との密着性が悪く、パターン形成不良が多発した。とく
にリフトオフ法では、膜形成時に十分温度をあげられな
い場合が多いので、密着性不良を生じやすい、これに対
しアルミニウムはＳｉｎ、や銅に対し密着性が良好で、
不良はほとんど起こらなかった。一般に薄膜ヘッドに使
われている絶縁材料、 Ａ Ｑ ｘ ＯｘやＳｉｎ、に
対してアルミニウムは良好な密着性を示し、ホトレジス
ト材、ポリイミド樹脂などの有機絶縁材料に対しては密
着性は良くないが、薄いＣｒ層を介すれば実用上十分な
密着強度が得られた。
本実施例に示したようなアルミニウムの効果を得るには
一般にアルミニウム層の厚みが０．１μｍあれば十分で
あり、これ以上厚くするとかえって、厚い銅パターンの
形成が困難になる等の問題を生じるので望ましくない。
一般にアルミニウム層の厚みが０．１μｍあれば十分で
あり、これ以上厚くするとかえって、厚い銅パターンの
形成が困難になる等の問題を生じるので望ましくない。
またエレクトロマイグレーションは導体線幅に大きく依
存し、アルミニウムの場合、線幅が５μｍ以下になると
マイグレーションが顕著になり、寿命が極端に短かくな
るので、導体を銅とアルミニウムとの複合化することは
とくに実用」：有利と考えられる。
存し、アルミニウムの場合、線幅が５μｍ以下になると
マイグレーションが顕著になり、寿命が極端に短かくな
るので、導体を銅とアルミニウムとの複合化することは
とくに実用」：有利と考えられる。
本発明によれば、信頼性の高い導体が容易に形成できる
ので、高性能で高信頼性の薄膜磁気ヘッドが得られる。
ので、高性能で高信頼性の薄膜磁気ヘッドが得られる。
第１図は本発明の実施例の薄膜磁気ヘッド主要断面図で
ある。
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも１部は、銅とアルミニウム合金との２層
構造からなる導体が絶縁層上に形成されていることを特
徴とした薄膜磁気ヘッド。 ２、最小線幅が５μｍ以下であることを特徴とした特許
請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 ３、前記アルミニウム合金は、ＳｉＯ＿２上か、Ａｌ＿
２Ｏ＿３上か、またはＣｒを介して前記絶縁層上に形成
されていることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載
の薄膜磁気ヘッド。 ４、アルミニウム合金層の厚みが０．１μｍ以下である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気
ヘッド。 ５、導体パターンはリフトオフ法によつて形成されるこ
とを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3263285A JPS61194616A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3263285A JPS61194616A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194616A true JPS61194616A (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=12364227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3263285A Pending JPS61194616A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194616A (ja) |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP3263285A patent/JPS61194616A/ja active Pending
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