JPS59135623A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS59135623A JPS59135623A JP843583A JP843583A JPS59135623A JP S59135623 A JPS59135623 A JP S59135623A JP 843583 A JP843583 A JP 843583A JP 843583 A JP843583 A JP 843583A JP S59135623 A JPS59135623 A JP S59135623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- thickness
- gap
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）の
両側面に絶縁物からなるギャップ層を介して磁性体より
なるシールド層を設けた構造の薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関する。
両側面に絶縁物からなるギャップ層を介して磁性体より
なるシールド層を設けた構造の薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来、強磁性体に磁界を印加したとき電気的抵抗値が変
化する磁気抵抗効果を利用したシールド型磁気ヘッドの
原理的構成としては、第１図（Ｃ示すような、短冊状素
子の両側面に磁気シールドを持つ磁気抵抗効果形ヘッド
（以下ＭＲヘッドという）が考えられていた。この例で
は記録媒体１と垂直（ｙ方向）に強磁性薄板よりなるＭ
Ｒ素子２を当接捷たは近接させＭＲ素子２の長手方向（
２方向）の両端に電極３，４を配置し、電極３，４間に
定電流ｉｉ流し、記録媒体１のｙ方向の信号磁界による
２方向の抵抗値変化を電極３，４間の電圧変化より検出
する。ＭＲ素子２に入る磁気記録媒体１からの信号磁界
は磁気シールド部５，６とＭＲ素子２との間を分布定数
的に伝搬し減衰する。
化する磁気抵抗効果を利用したシールド型磁気ヘッドの
原理的構成としては、第１図（Ｃ示すような、短冊状素
子の両側面に磁気シールドを持つ磁気抵抗効果形ヘッド
（以下ＭＲヘッドという）が考えられていた。この例で
は記録媒体１と垂直（ｙ方向）に強磁性薄板よりなるＭ
Ｒ素子２を当接捷たは近接させＭＲ素子２の長手方向（
２方向）の両端に電極３，４を配置し、電極３，４間に
定電流ｉｉ流し、記録媒体１のｙ方向の信号磁界による
２方向の抵抗値変化を電極３，４間の電圧変化より検出
する。ＭＲ素子２に入る磁気記録媒体１からの信号磁界
は磁気シールド部５，６とＭＲ素子２との間を分布定数
的に伝搬し減衰する。
このような構造のＭＲヘッドにおいて、記録波長が２μ
ｍ以下の短波長領域では、０．５μｍ以下の狭い磁気ギ
ャップが必要と々る。しかし、ギャップ長が０．５７１
ｍ以下の狭ギャップになると、電極部とシールド部材や
磁性基板との間で絶縁不良となるので、再生電圧が得ら
れず、このような狭ギャップＭＲヘッドを実用化するに
至っていない。
ｍ以下の短波長領域では、０．５μｍ以下の狭い磁気ギ
ャップが必要と々る。しかし、ギャップ長が０．５７１
ｍ以下の狭ギャップになると、電極部とシールド部材や
磁性基板との間で絶縁不良となるので、再生電圧が得ら
れず、このような狭ギャップＭＲヘッドを実用化するに
至っていない。
第２図を用いて従来の製造方法について説明する。
図に示すように、磁性を有する基板１の上にＳｉＯやＡ
ｌ２Ｏ３々どをスパッタして絶縁体層２全形成する。絶
縁体層２上にＭＲ膜を電子ビーム蒸着法で蒸着し、これ
をエツチングすることにより所定の形状のＭＲ素子３を
形成する。このＭＲ素子３と絶縁体層２」二にＣｒ と
Ａｕの二重層を被着し、エツチングにより電極部４ ｆ
Ｍ Ｒ素子３の両端に設ける。そして、ＭＲ素子３と
電極部４の上部に磁気ギャップとなる絶縁体層５とシー
ルド層６とを順次形成し、さらにＳｉＯ’ｉシールド層
６上に層着上ることによりＭＲヘッドの保護層７とする
。このような構成のＭＲヘッドにおいて、磁気ギャップ
となる絶縁体層２，６の厚みが○。５μｍ以下となると
、シールド層６や基板１と電極部４との絶縁性が悪くな
る。特にＭＲ素子３と電極部４の段差部分８では実効的
な厚みが薄くなるので、絶縁性がとれなくなる。電極部
４とシールド層６との間に絶縁性がとれないということ
は、ＭＲ素子３に流れるべき電流がシールド層６に流れ
てし甘い、ＭＲヘッドとして再生電圧が出す、実用にな
らないので、狭ギャップ化には限界があった。
ｌ２Ｏ３々どをスパッタして絶縁体層２全形成する。絶
縁体層２上にＭＲ膜を電子ビーム蒸着法で蒸着し、これ
をエツチングすることにより所定の形状のＭＲ素子３を
形成する。このＭＲ素子３と絶縁体層２」二にＣｒ と
Ａｕの二重層を被着し、エツチングにより電極部４ ｆ
Ｍ Ｒ素子３の両端に設ける。そして、ＭＲ素子３と
電極部４の上部に磁気ギャップとなる絶縁体層５とシー
ルド層６とを順次形成し、さらにＳｉＯ’ｉシールド層
６上に層着上ることによりＭＲヘッドの保護層７とする
。このような構成のＭＲヘッドにおいて、磁気ギャップ
となる絶縁体層２，６の厚みが○。５μｍ以下となると
、シールド層６や基板１と電極部４との絶縁性が悪くな
る。特にＭＲ素子３と電極部４の段差部分８では実効的
な厚みが薄くなるので、絶縁性がとれなくなる。電極部
４とシールド層６との間に絶縁性がとれないということ
は、ＭＲ素子３に流れるべき電流がシールド層６に流れ
てし甘い、ＭＲヘッドとして再生電圧が出す、実用にな
らないので、狭ギャップ化には限界があった。
発明の目的
本発明はギャップ層の厚みを０．５１ｔｍ以下にしたと
きに問題となる電極部とシールド層との絶縁不良全解消
し、狭ギヤツプ形成を実現するとともに、出力低下する
ことなく周波数特性のよいＭＲヘッドヲイ与ることを目
的とする。
きに問題となる電極部とシールド層との絶縁不良全解消
し、狭ギヤツプ形成を実現するとともに、出力低下する
ことなく周波数特性のよいＭＲヘッドヲイ与ることを目
的とする。
発明の構成
本発明は、上下シールド層間にギャップ層を介してＭＲ
素子、電極部を設けているＭＲヘッドの製造方法におい
て、電極部をエツチングにより形成する工程で、電極部
」二に設けられた絶縁体薄膜よりなるマスクを、外部導
線取り出し部具外の電極部上に残しておき、さらにこの
絶縁体薄膜およびＭＲ素子上にギャップ層となる絶縁体
膜を形成するものである。
素子、電極部を設けているＭＲヘッドの製造方法におい
て、電極部をエツチングにより形成する工程で、電極部
」二に設けられた絶縁体薄膜よりなるマスクを、外部導
線取り出し部具外の電極部上に残しておき、さらにこの
絶縁体薄膜およびＭＲ素子上にギャップ層となる絶縁体
膜を形成するものである。
この方法によると、ＭＲ素子とシールド層との間の絶縁
体膜の厚みを従来法によるそれと同等とし、電極部とギ
ャップ層との間の電極部上のみに絶縁体層を二重に形成
し、シールド層と電極部との実効的な絶縁性を高めるこ
とができるので、ＭＲヘッドの狭ギャップ化を可能とす
るものである。
体膜の厚みを従来法によるそれと同等とし、電極部とギ
ャップ層との間の電極部上のみに絶縁体層を二重に形成
し、シールド層と電極部との実効的な絶縁性を高めるこ
とができるので、ＭＲヘッドの狭ギャップ化を可能とす
るものである。
実施例の説明
以下、本発明の方法について、実施例にもとづいて詳細
に説明する。
に説明する。
実施例１
まず、Ｓ ｉＯ２を層間絶縁に使用した例につき、第４
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
捷ず従来の方法と同じ手順で基板１１上に絶縁体層１２
を介してＭＲ素子１３を蒸着およびスパッタエツチング
により形成し、さらに、電極部を形成するだめのＣｒ、
！：Ａｕとの二重層１４′ヲ蒸着形成する（第３図Ａ）
。この二重層１４′の電極部とすべき部分上にマスクと
してＳ ｉＯ２層１５′ヲ被着する。そして、これら全
体の−ににフォトレジスト全塗布し、電極部形成のため
のレジストパターン１６を露光現像する（第３図Ｂ）。
を介してＭＲ素子１３を蒸着およびスパッタエツチング
により形成し、さらに、電極部を形成するだめのＣｒ、
！：Ａｕとの二重層１４′ヲ蒸着形成する（第３図Ａ）
。この二重層１４′の電極部とすべき部分上にマスクと
してＳ ｉＯ２層１５′ヲ被着する。そして、これら全
体の−ににフォトレジスト全塗布し、電極部形成のため
のレジストパターン１６を露光現像する（第３図Ｂ）。
このレジストパターン１６をマスクにして８１０２層１
６′の反応性イオンエツチングをし、所定のパターンの
８１０２層１６を形成する（第３図Ｃ）。次に、レジス
トパターン１６およびＳ ｘ Ｏ２層１５をマスクにし
てＣｒとＡｕの二重層１４′全ケミカルエツチングし、
電極部１４を形成する（第３図Ｄ）。その際電極部１４
を１μｍ以上オーバーエツチングすることにより電極部
ｅ上に１μｍ以上オーバーエツチングすることにより電
極部９」二に１７ｚｍ以上のひさし状の８１０２層１４
を形成する。そして、レジストパターン１６を剥離した
のち、ＭＲ素子１３とＳｉ０２層１６の上部に８１０２
などを被着してギャップ層１７を形成しく第３図Ｅ）、
さらにその」二にシールド層と保護層を順次形成する。
６′の反応性イオンエツチングをし、所定のパターンの
８１０２層１６を形成する（第３図Ｃ）。次に、レジス
トパターン１６およびＳ ｘ Ｏ２層１５をマスクにし
てＣｒとＡｕの二重層１４′全ケミカルエツチングし、
電極部１４を形成する（第３図Ｄ）。その際電極部１４
を１μｍ以上オーバーエツチングすることにより電極部
ｅ上に１μｍ以上オーバーエツチングすることにより電
極部９」二に１７ｚｍ以上のひさし状の８１０２層１４
を形成する。そして、レジストパターン１６を剥離した
のち、ＭＲ素子１３とＳｉ０２層１６の上部に８１０２
などを被着してギャップ層１７を形成しく第３図Ｅ）、
さらにその」二にシールド層と保護層を順次形成する。
それからＭＲ素子１３側を磁気記録媒体との摺接面に仕
上ｆる。
上ｆる。
以上のようにして作製されたＭＲヘッドの要部の構造を
第３図Ｆに示す。図において、１８がシールド層、１７
は保護層である。
第３図Ｆに示す。図において、１８がシールド層、１７
は保護層である。
このＭＲへノドにおいて、ＭＲ素子１３」二に形成され
ているギャップ層１７の厚みｋｑとし、電極部１４」二
に形成されたＳ ｉＯ２層１５の厚み２ｔとすると、Ｍ
Ｒ素子１３とシールド層１８との間の絶縁体層の厚みは
ｑであるが、電極部１４とシールド層１８との間の絶縁
体層の厚みはｑ ＋ ｔとなるので、電極部１４とシー
ルド層１８との間の絶縁性が高められ、ＭＲ累子１３に
流れる電流が７一ルド層１８に分流することを効果的に
防止することができる。すなわち、電極部１４上に設け
たＳ ｔｏ ２層１５の先端を図の破線で囲んだ部分２
０に示すようにひさし状に張出させているので、との段
差部分２ｏの絶縁体層の膜厚が増大し、絶縁性が高めら
れる。
ているギャップ層１７の厚みｋｑとし、電極部１４」二
に形成されたＳ ｉＯ２層１５の厚み２ｔとすると、Ｍ
Ｒ素子１３とシールド層１８との間の絶縁体層の厚みは
ｑであるが、電極部１４とシールド層１８との間の絶縁
体層の厚みはｑ ＋ ｔとなるので、電極部１４とシー
ルド層１８との間の絶縁性が高められ、ＭＲ累子１３に
流れる電流が７一ルド層１８に分流することを効果的に
防止することができる。すなわち、電極部１４上に設け
たＳ ｔｏ ２層１５の先端を図の破線で囲んだ部分２
０に示すようにひさし状に張出させているので、との段
差部分２ｏの絶縁体層の膜厚が増大し、絶縁性が高めら
れる。
実施例２
次に、電極部形成のためのレジスタパターンをその１寸
絶縁体層の一部に使用した例につき、第６図を用いて説
明する。なお、第４図に示した実施例１と対応する部分
には同じ符号全村１〜ている。
絶縁体層の一部に使用した例につき、第６図を用いて説
明する。なお、第４図に示した実施例１と対応する部分
には同じ符号全村１〜ている。
実施例１と同じ手順で、基板１１」二に絶縁体層１２Ｍ
Ｒ素子１３、ＣｒおよびＡｕの二重層１４′を順次形成
する（第４図Ａ）。二重層１４′上にフォトレジストを
塗布し、電極パターンを密着露光により形成する。パタ
ーン化されたレジスト全１１０℃で３０分、さらに１６
０℃で２時間ポストベークすることによって、アルカリ
系エツチング液にも侵されないように硬化する（第４図
Ｂ）。
Ｒ素子１３、ＣｒおよびＡｕの二重層１４′を順次形成
する（第４図Ａ）。二重層１４′上にフォトレジストを
塗布し、電極パターンを密着露光により形成する。パタ
ーン化されたレジスト全１１０℃で３０分、さらに１６
０℃で２時間ポストベークすることによって、アルカリ
系エツチング液にも侵されないように硬化する（第４図
Ｂ）。
次ニ、レジストパターン２１をマスクにして、電極部二
重層１４′ヲケミカルエツチングする。その際１７ｚｍ
以上オーバーエツチングして、レジストパターン１８に
電極部１４の上部に１７ｚｍ以上のひさし状の部分全形
成する（第４図Ｃ）。これを真空中において３００℃で
３０分間熱処理することにより、レジストパターン２１
のひさし状になっている部分を軟化させ、それで電極部
１４の側面を僚い（第４図Ｄ）、さらにギャップ層１７
を９、、 形成する（第４図Ｅ）。とのギャップ層１７上に実施例
１と同じ手順でシールド層と保護層を形成したのち、外
部導線を取り出す部分のレジストを０２ プラズマによ
り灰化する。ついで、ＭＲヘッドにその形状を仕上げる
。
重層１４′ヲケミカルエツチングする。その際１７ｚｍ
以上オーバーエツチングして、レジストパターン１８に
電極部１４の上部に１７ｚｍ以上のひさし状の部分全形
成する（第４図Ｃ）。これを真空中において３００℃で
３０分間熱処理することにより、レジストパターン２１
のひさし状になっている部分を軟化させ、それで電極部
１４の側面を僚い（第４図Ｄ）、さらにギャップ層１７
を９、、 形成する（第４図Ｅ）。とのギャップ層１７上に実施例
１と同じ手順でシールド層と保護層を形成したのち、外
部導線を取り出す部分のレジストを０２ プラズマによ
り灰化する。ついで、ＭＲヘッドにその形状を仕上げる
。
このようにフォトレジストを絶縁材料として用いると、
工程が簡略化できるだけでなく、レジストにはピンホー
ルがきわめて少なく、電極部の側面も覆うことができる
ので、薄膜によっても良好な絶縁性が得られる。
工程が簡略化できるだけでなく、レジストにはピンホー
ルがきわめて少なく、電極部の側面も覆うことができる
ので、薄膜によっても良好な絶縁性が得られる。
このように本発明では上下磁性体間に絶縁体層を介して
ＭＲ素子、電極部である非磁性導体薄膜を形成するＭＲ
ヘッドの製造方法において、電極部をその上に形成した
。たとえばフォトレジストあるいはＳ ｉＯ２などから
なる第１の絶縁体薄膜をマスクにしてエツチングすると
ともに、前記第１の絶縁体薄膜マスクの少なくとも一部
分を残し、かつ、前記第１の絶縁体薄膜上およびＭＲ素
子」二にギャップ層となる第２の絶縁体膜を形成してい
る。
ＭＲ素子、電極部である非磁性導体薄膜を形成するＭＲ
ヘッドの製造方法において、電極部をその上に形成した
。たとえばフォトレジストあるいはＳ ｉＯ２などから
なる第１の絶縁体薄膜をマスクにしてエツチングすると
ともに、前記第１の絶縁体薄膜マスクの少なくとも一部
分を残し、かつ、前記第１の絶縁体薄膜上およびＭＲ素
子」二にギャップ層となる第２の絶縁体膜を形成してい
る。
ここで、フォトレジストについては特（て制約がなく、
赤感光基のないレジスト、たとえばポリイミド系樹脂を
使用することもできる。
赤感光基のないレジスト、たとえばポリイミド系樹脂を
使用することもできる。
斗だ、実施例ではＳｉＯ２絶縁体層について述べたが、
他の酸化物、たとえばＡｌ２Ｏ３絶縁体層でもよいし、
丑だ、８１３Ｎ４．ＳＩＣなどの無機物の絶縁体層であ
ってもよい。
他の酸化物、たとえばＡｌ２Ｏ３絶縁体層でもよいし、
丑だ、８１３Ｎ４．ＳＩＣなどの無機物の絶縁体層であ
ってもよい。
発明の効果
本発明の製造方法によれば、電極部と磁気ギャップを構
成する絶縁体層との間に絶縁体薄膜を形成するので、電
極部とシールド層との間の絶縁性を高めることができ、
ＭＲヘッドの狭ギャップ化がはかれ、周波数特性の良い
ヘッドを得るととができる。また、電極部を絶縁体マス
クよりも１μｍ以上オーバーエツチングすれば、電極部
の段差部分における絶縁体膜厚が実質的に増加すること
になり、さらに絶縁性の良好なＭＲヘッドを得ることが
できる。
成する絶縁体層との間に絶縁体薄膜を形成するので、電
極部とシールド層との間の絶縁性を高めることができ、
ＭＲヘッドの狭ギャップ化がはかれ、周波数特性の良い
ヘッドを得るととができる。また、電極部を絶縁体マス
クよりも１μｍ以上オーバーエツチングすれば、電極部
の段差部分における絶縁体膜厚が実質的に増加すること
になり、さらに絶縁性の良好なＭＲヘッドを得ることが
できる。
第１図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの原１１／、
−７ 理的な構造を示す斜視図、第２図はその一例を示す断面
図である。第３図Ａ、Ｆは、本発明にかかる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するだめの工程図、第４図は同じ
く他の実施例を説明するだめの工程図である。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・絶縁体層、１
３・・・・・・磁気抵抗効果素子、１４・・・・・・電
極部、１５・・・・・・ＳｉＯ２層、１６・・・・・・
レジストパターン、１７・・・・・・ギャップ層、２１
・・・・・・レジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 埴 １３８− ＬｊＪトｏｏいイ） ＼ ＼へＮどトー 一
−７ 理的な構造を示す斜視図、第２図はその一例を示す断面
図である。第３図Ａ、Ｆは、本発明にかかる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するだめの工程図、第４図は同じ
く他の実施例を説明するだめの工程図である。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・絶縁体層、１
３・・・・・・磁気抵抗効果素子、１４・・・・・・電
極部、１５・・・・・・ＳｉＯ２層、１６・・・・・・
レジストパターン、１７・・・・・・ギャップ層、２１
・・・・・・レジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 埴 １３８− ＬｊＪトｏｏいイ） ＼ ＼へＮどトー 一
Claims (2)
- （１）磁気抵抗効果素子を電気的に少なくとも一部分が
重なるよう形成された非磁性導体薄膜上に所定の形状の
第１の絶縁体薄膜を形成したのち、この第１の絶縁体薄
膜全マスクにして前記非磁性導体薄膜をエツチングする
とともに、前記第１の絶縁体薄膜マスクの少なくとも一
部分を残し、さらに、前記第１の絶縁体簿膜上および前
記磁気抵抗効果素子上に第２の絶縁体膜を形成すること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （２）非磁性導体薄膜上第１の絶縁体薄膜よりも１μｍ
以上オーバーエツチングすることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP843583A JPS59135623A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP843583A JPS59135623A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135623A true JPS59135623A (ja) | 1984-08-03 |
Family
ID=11693042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP843583A Pending JPS59135623A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59135623A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61115216A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
-
1983
- 1983-01-20 JP JP843583A patent/JPS59135623A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61115216A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4685014A (en) | Production method of thin film magnetic head | |
| JPS59138390A (ja) | 超電導スイツチング装置 | |
| JPS59135623A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0575237A (ja) | 導体パターン形成方法 | |
| JP3819470B2 (ja) | 薄膜インダクタ及びその製造方法 | |
| JPS5916430B2 (ja) | ジヨセフソン接合素子とその製造方法 | |
| JPH0766462A (ja) | 超伝導回路 | |
| JPH04223307A (ja) | シールド付チップ型コイル | |
| JP2649209B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0620230A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 | |
| JPH01269217A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2001194633A (ja) | 光導波回路装置及びその製造方法 | |
| JPS62170011A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS58147183A (ja) | ジヨセフソン集積回路の製造方法 | |
| JP2809466B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS61107519A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS59104721A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH0320809B2 (ja) | ||
| JPH01217717A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS61271877A (ja) | ジヨゼフソン素子の作成方法 | |
| JPS58145177A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS6226617A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0721533A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6238517A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS5860420A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |