JPS61107519A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS61107519A JPS61107519A JP22830684A JP22830684A JPS61107519A JP S61107519 A JPS61107519 A JP S61107519A JP 22830684 A JP22830684 A JP 22830684A JP 22830684 A JP22830684 A JP 22830684A JP S61107519 A JPS61107519 A JP S61107519A
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- JP
- Japan
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- film
- thin film
- magneto
- photoresist
- magnetoresistive
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（イ）産業上の利用分野
本発明に、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法に関し
、特に磁気抵抗薄膜の酸化による悪影響”を低減するこ
とができる製造方法に関するもので６る◎ （ロ）従来の技術 一般的な磁気抵抗効果型磁気ヘッドの基本的な構成の斜
視図を第２図に示す。ここで、（１）は磁気抵抗薄膜を
形成する几めのガラス等の基板、（２）は磁気抵抗効果
を有するパーマロイ等の磁気抵抗薄ｍｓ ｔｓ）ｒｉｈ
ｌｓ Ａｕ、Ｃｕ等の金属よシなる信号検出用導体膜で
める。更にその上ｒｃは８１０２等の絶縁体よりなる保
護膜〔図示せず〕が形成される。この様なＩｍ成の磁気
ヘッドの動作原理は、配分媒体からの磁界により磁気抵
抗薄膜
、特に磁気抵抗薄膜の酸化による悪影響”を低減するこ
とができる製造方法に関するもので６る◎ （ロ）従来の技術 一般的な磁気抵抗効果型磁気ヘッドの基本的な構成の斜
視図を第２図に示す。ここで、（１）は磁気抵抗薄膜を
形成する几めのガラス等の基板、（２）は磁気抵抗効果
を有するパーマロイ等の磁気抵抗薄ｍｓ ｔｓ）ｒｉｈ
ｌｓ Ａｕ、Ｃｕ等の金属よシなる信号検出用導体膜で
める。更にその上ｒｃは８１０２等の絶縁体よりなる保
護膜〔図示せず〕が形成される。この様なＩｍ成の磁気
ヘッドの動作原理は、配分媒体からの磁界により磁気抵
抗薄膜
【２）の磁気感応部の抵抗が変化し、それを信号
検出用導体（３＋により検出するというものでるる。 そして、この様なヘッドを形成す♂従来の製造方法は第
３図に示すよう罠なっており、先ず磁気抵抗薄膜（２）
を基板（１１上＃′ｃ蒸着、スパッタ等で形成後（第３
１１（ａ）参照〕、ホトレジスト【４】をマスクとして
化学エツチング法、イオンエツチング法等によりこの磁
気抵抗薄膜（２）をバターニングして（第３図（ｂ）参
照）残ったホトレジスト（４］を除去し、信号検出用導
体膜（３）を上記と同様の方法により形成する（第３図
（ｅ）参照〕。次に、上述した同様のバターニング法に
より信号検出用導体（３）をパターニングしｔ後（第３
図（山参照〕残ったホトレジスト［４Ｊ を除去し、そ
の上Ｋｓ１０２等の絶縁物から成る保護膜（５）を形成
するＣ９／Ｉ、５図（ｅ）参照）（ハ）発明が解決しよ
うとする問題点 然し乍ら、この従来技術による製造方法においてｒｉ、
磁気抵抗薄膜のパターニングの際に一旦空気中に試料を
取り出しホトレジストを塗布すると謂う工程が必要で６
つ几。ところが、磁気抵抗薄膜はその膜厚が数百又とい
う非常に薄い膜であるため、これを空気中に取り出すと
その表面が酸化されて有効な膜厚が減少し、更にその酸
化によろ影響が磁気抵抗効果素子の特性管劣化させる原
因になることが知られている（Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｅｔ。 Ｔｓｃｈｎｏ７．．１７１４）ｙ Ｊｕ、ｇ、／人ｕｆ
、１９８０）。 に）問題点を解決するための手段 本発明は上記し念問題点を解決するためＫ。 基板表面上に磁気抵抗薄膜とその磁気抵抗薄膜の酸化を
防ぐ保護絶縁膜とを連続して形成すると共に、磁気抵抗
薄膜と保護絶縁膜とをパターン化しｔ後ｖｃ藏気抵抗薄
膜の磁気感応部以外の部分上に形成された保護絶縁膜に
スルーホールを形成し。 磁気抵抗薄膜と信号検出用導体とがそのスルーホールを
通して電気的に接続されるようにしたものである。 （ホ）作 用 上記した本発明磁気ヘッドの製造方法では。 その製造工程中における磁気抵抗薄膜の酸化による悪影
響を低減すると共に、エツチングによる磁気抵抗薄膜の
磁気感応部への悪影響を排除するようにしたものである
。 （へ）実 施 例 以下１本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方
法について第１図を参照しながら説明する。尚、従来と
同一＃ｌ我要素についてに同一図番を附す。
゛先ず、ガラス
等の基板ｌｌｔ上に膜厚数百λのパーマロイ等の磁気抵
抗薄膜（２）及び膜厚数千大の５ｔ０２の保護絶縁膜（
６）をスパッタ法により途中空気中に取り出すことなく
連続形成する（第１図（ａ）参照）。 次に、通常よく知られている方法でホトレジスト
検出用導体（３＋により検出するというものでるる。 そして、この様なヘッドを形成す♂従来の製造方法は第
３図に示すよう罠なっており、先ず磁気抵抗薄膜（２）
を基板（１１上＃′ｃ蒸着、スパッタ等で形成後（第３
１１（ａ）参照〕、ホトレジスト【４】をマスクとして
化学エツチング法、イオンエツチング法等によりこの磁
気抵抗薄膜（２）をバターニングして（第３図（ｂ）参
照）残ったホトレジスト（４］を除去し、信号検出用導
体膜（３）を上記と同様の方法により形成する（第３図
（ｅ）参照〕。次に、上述した同様のバターニング法に
より信号検出用導体（３）をパターニングしｔ後（第３
図（山参照〕残ったホトレジスト［４Ｊ を除去し、そ
の上Ｋｓ１０２等の絶縁物から成る保護膜（５）を形成
するＣ９／Ｉ、５図（ｅ）参照）（ハ）発明が解決しよ
うとする問題点 然し乍ら、この従来技術による製造方法においてｒｉ、
磁気抵抗薄膜のパターニングの際に一旦空気中に試料を
取り出しホトレジストを塗布すると謂う工程が必要で６
つ几。ところが、磁気抵抗薄膜はその膜厚が数百又とい
う非常に薄い膜であるため、これを空気中に取り出すと
その表面が酸化されて有効な膜厚が減少し、更にその酸
化によろ影響が磁気抵抗効果素子の特性管劣化させる原
因になることが知られている（Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｅｔ。 Ｔｓｃｈｎｏ７．．１７１４）ｙ Ｊｕ、ｇ、／人ｕｆ
、１９８０）。 に）問題点を解決するための手段 本発明は上記し念問題点を解決するためＫ。 基板表面上に磁気抵抗薄膜とその磁気抵抗薄膜の酸化を
防ぐ保護絶縁膜とを連続して形成すると共に、磁気抵抗
薄膜と保護絶縁膜とをパターン化しｔ後ｖｃ藏気抵抗薄
膜の磁気感応部以外の部分上に形成された保護絶縁膜に
スルーホールを形成し。 磁気抵抗薄膜と信号検出用導体とがそのスルーホールを
通して電気的に接続されるようにしたものである。 （ホ）作 用 上記した本発明磁気ヘッドの製造方法では。 その製造工程中における磁気抵抗薄膜の酸化による悪影
響を低減すると共に、エツチングによる磁気抵抗薄膜の
磁気感応部への悪影響を排除するようにしたものである
。 （へ）実 施 例 以下１本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方
法について第１図を参照しながら説明する。尚、従来と
同一＃ｌ我要素についてに同一図番を附す。
゛先ず、ガラス
等の基板ｌｌｔ上に膜厚数百λのパーマロイ等の磁気抵
抗薄膜（２）及び膜厚数千大の５ｔ０２の保護絶縁膜（
６）をスパッタ法により途中空気中に取り出すことなく
連続形成する（第１図（ａ）参照）。 次に、通常よく知られている方法でホトレジスト
【４）
のマスクを形成し、イオンエツチング等の方法により保
護絶縁膜１６】及び磁気抵抗薄膜（２）を磁気抵抗素子
にパターニングしく第１図の）参照〕、ホトレジスト【
４）を除去する。 そして、新たにホトレジスト（４）のマスクを形成し、
この試料を真空槽内に入れたｖｋ、磁気抵抗薄膜（２）
の磁気感応部以外の部分で信号検出用導体との接続部分
とな°るべき箇所の磁気抵抗薄膜（２）の上に形成され
た保護絶縁膜（６］をＣＦ４ガスヶ用いてイオンエツチ
ングを行なう（第１図（Ｃ）参照〕。この工程により磁
気抵抗薄膜（２）をエツチングすることなく、その上に
形成された保護絶縁膜（６）を除去することが可能とな
る。 その後、この試料を空気中に取り出すことなくホトレジ
スト１４）を除去し、更に連続して同一真空槽内でＣｕ
等の信号検出用導体膜〔３）をスパッタ法で形成する（
第３図（ｄ）参照〕。 次に、上述した同様の方法にエフホトレジスト１４Ｊの
マスクを形成し、イオンエツチング法等により官号検出
用導体（３）のパタ−ニングを行なう（第１図（ｅ）参
照）。更に、残り几ホトレジスト［４３を除去しＳｉＯ
ｘ等の保護膜を形成する。 （ト）発明の効果 上述しｔ如く本発明に依れば、磁気抵抗薄膜の特性を劣
化させることなく、即ち磁気抵抗薄膜を直接空気中に露
出させることなく磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造する
ことが出来るので、特性ｏ良いヘッドを歩留り良−く得
ることが出来る。ま几、磁気抵抗薄膜の酸化を防ぐのに
保護絶縁７１！ｔを連続形成するよりにしているので、
その後の工程で磁気感応部上の絶縁ｌｌｉを除去する必
要がなく。 エツチングによる磁気感応部への悪影響を排除すること
が出来る＠
のマスクを形成し、イオンエツチング等の方法により保
護絶縁膜１６】及び磁気抵抗薄膜（２）を磁気抵抗素子
にパターニングしく第１図の）参照〕、ホトレジスト【
４）を除去する。 そして、新たにホトレジスト（４）のマスクを形成し、
この試料を真空槽内に入れたｖｋ、磁気抵抗薄膜（２）
の磁気感応部以外の部分で信号検出用導体との接続部分
とな°るべき箇所の磁気抵抗薄膜（２）の上に形成され
た保護絶縁膜（６］をＣＦ４ガスヶ用いてイオンエツチ
ングを行なう（第１図（Ｃ）参照〕。この工程により磁
気抵抗薄膜（２）をエツチングすることなく、その上に
形成された保護絶縁膜（６）を除去することが可能とな
る。 その後、この試料を空気中に取り出すことなくホトレジ
スト１４）を除去し、更に連続して同一真空槽内でＣｕ
等の信号検出用導体膜〔３）をスパッタ法で形成する（
第３図（ｄ）参照〕。 次に、上述した同様の方法にエフホトレジスト１４Ｊの
マスクを形成し、イオンエツチング法等により官号検出
用導体（３）のパタ−ニングを行なう（第１図（ｅ）参
照）。更に、残り几ホトレジスト［４３を除去しＳｉＯ
ｘ等の保護膜を形成する。 （ト）発明の効果 上述しｔ如く本発明に依れば、磁気抵抗薄膜の特性を劣
化させることなく、即ち磁気抵抗薄膜を直接空気中に露
出させることなく磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造する
ことが出来るので、特性ｏ良いヘッドを歩留り良−く得
ることが出来る。ま几、磁気抵抗薄膜の酸化を防ぐのに
保護絶縁７１！ｔを連続形成するよりにしているので、
その後の工程で磁気感応部上の絶縁ｌｌｉを除去する必
要がなく。 エツチングによる磁気感応部への悪影響を排除すること
が出来る＠
第１図（＆）乃至（ｅ）は本発明方法による磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの製造工程を示す断面図、第２図は一般
的な磁気抵抗効果型磁気ヘッドの基本的な１ｌｌＩｌｉ
ｌＣの斜視図、第３図（〜乃至（ｅ）は従来方法による
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程を示す断直図でめ
る〇 （υ・・・基板、（２）・・・磁気抵抗薄膜、（３）・
・・傷号検出用導体、（６）−・・保護絶縁膜。 出臥三洋電機株式会社
果型磁気ヘッドの製造工程を示す断面図、第２図は一般
的な磁気抵抗効果型磁気ヘッドの基本的な１ｌｌＩｌｉ
ｌＣの斜視図、第３図（〜乃至（ｅ）は従来方法による
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程を示す断直図でめ
る〇 （υ・・・基板、（２）・・・磁気抵抗薄膜、（３）・
・・傷号検出用導体、（６）−・・保護絶縁膜。 出臥三洋電機株式会社
Claims (1)
- （１）基板表面上に磁気抵抗薄膜とその磁気抵抗薄膜の
酸化を防ぐ保護絶縁膜とを連続して形成すると共に、磁
気抵抗薄膜と保護絶縁膜とをパターン化した後に磁気抵
抗薄膜の磁気感応部以外の部分上に形成された保護絶縁
膜にスルーホールを形成し、磁気抵抗薄膜と信号検出用
導体とがそのスルーホールを通して電気的に接続される
ようにした事を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22830684A JPS61107519A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22830684A JPS61107519A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107519A true JPS61107519A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16874372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22830684A Pending JPS61107519A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61107519A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0751498A2 (en) * | 1995-06-29 | 1997-01-02 | Sony Corporation | Thin-film magnetic head and method for producing same |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP22830684A patent/JPS61107519A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0751498A2 (en) * | 1995-06-29 | 1997-01-02 | Sony Corporation | Thin-film magnetic head and method for producing same |
| EP0751498A3 (en) * | 1995-06-29 | 1998-05-13 | Sony Corporation | Thin-film magnetic head and method for producing same |
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