JPS6040198B2 - 磁電変換素子及びその製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は高い積感度を有し、量産性、高信頼性をもつ
ホール素子、磁気抵抗効果素子などの薄膜滋霞変換素子
及びその製法に関する。

従来において、ｍ−Ｖ族化合物半導体薄膜を厚さ２．０
仏仇以下で、基板上に付着形成して滋電変摸索子を製作
しようとすると、マィカ等の天然物の結晶のへキ関面以
外では、高移動度の化合物半導体薄膜を製作することは
不可能であった。

マィカ基板をそのままホール素子基板として使用するこ
とは、そり、ゆがみ等が生じやすく不適当であり、通常
はこのマィカ上に例えば蒸着で形成されたｌｎＳｂ等の
高移動度の化合物半導体薄膜を、フェライト基板上に転
写接着させて磁電変換素子を製作していた。又、別の方
法として例えばガラス基板の表面にあらかじめ５ｒ程度
の厚さに三温度法でｌｎＳｂを蒸着し、その蒸着膜に対
しゾーンメルトを加え、．結晶粒子を大きくする等の処
理を加え、更にその結晶素子を大とされた層を研磨によ
ってうすくするという複雑な工程を経るものもあった。

このためホール素子や磁気抵抗素子等の磁電変換素子を
製作するために好都合の厚さ１．０〃肌別後で高い移動
度を有するｍ−Ｖ族の化合物半導体薄膜を放熱のよい基
板上に直接形成し得ることは不可能であった。

この発明者は高移動度化合物半導体薄膜が形成される基
板の厚さが或る値より厚くなると急速に移動度が低下す
ることを見出してこの発明をするに至った。

この発明の目的は比較的簡単に作ることができしかも感
度が高い磁電変換素子及びその製造法を提供することに
ある。

この発明においては表面の粗度が２００Ａ以下であり、
かつ少なくとも表面が絶縁性の基板上に直接密着して厚
さが０．５〜３．０ム凧の高移動度化合物半導体薄膜が
形成され、その半導体薄膜上にオ−ミック接触した電極
が形成される。

このようにこの発明の磁電変換素子はその感磁部半導体
薄膜の基板との接触面の凹凸が少〈、その凹凸による半
導体薄膜への影響が少なく、特に表面組度が２００Ａ以
下としているため、基板に直接形成された薄膜でも、ま
た基板上の薄膜を溶融して結晶化することなく、高移動
度が得られている。

しかし基板の表面組度が２００Ａより粗くなると、これ
に直接形成された半導体薄膜の移動度が急に低下し、感
度が悪いものとなる。基板に直接形成する半導体薄膜は
厚さを０．５仏の以下にすると、ピンホールができたり
して良好な腹を作ることが困難であり、また電極を作る
ことも困難となり、更にインピーダンスが非常に高いも
のとなって好ましくない。またこの薄膜の厚さを３．０
一肌以上にすると、積感度が低下し、インピーダンスも
低すぎるものとなる。基板としては基板本体の上に絶縁
膜を形成したものでもよい。その場合、基板本体の表面
粗度は２００Ａ以下にされ、また絶縁膜の厚さは３．０
３〜０．５ム肌とされる。この発明の磁電変換素子の基
本構造の例を第１図に平面図、第２図に断面図にて示す
。基板１は表面粗度が２００Ａ以下であり、かつ表面が
絶縁性のものであり、第２図では単体の無機材質基板と
して構成されている。その基板１上に高移動度の化合物
半導体薄膜２が形成され、更にその上の適当な個所に電
極３ａ〜３ｄがオーミック接触して形成される。これら
電極３ａ〜３ｄにリード線４ａ〜４ｄの一端がそれぞれ
半田５ａ〜５ｄで接続されている。半導体薄膜２の中央
部にある感磁部上には保護被膜６が形成される。これら
基板１を含めて全体がモールド樹脂８内に埋層される。
感磁部上の保護被膜６は必要に応じて省略してもよい。
基板１は一般の磁電変換素子に用いられているものでよ
いが、その耐熱性において少くとも４００℃程度でも安
定な材質のものがよい。

従ってフェライト基板、セラミック基板、ガラス基板、
単結晶シリコン基板、サファイア基板、鉄、パーマロィ
等の強磁性体基板が好ましい。基板１は少くともその表
面、即ち半導体薄膜２が形成される面が絶縁性であり、
かつ、平滑でなければならない。その平滑度、即ち表面
粗度は凹凸で２００Ａ以下とされる。第４図に参考のた
めにこの発明の素子に用いるフェライト基板の表面粗度
のデータを示した。第５図に基板の表面組度と、その上
に形成した化合物半導体薄膜２の移動度との関係を示し
た。

基板１として厚さ０．３帆のサファイアを用い、半導体
薄膜２として厚さが１．０一肌のｌｎＳｂ、ｌｎＡｓ及
びＧａＡｓの各場合は曲線１３，１４及び１５となった
。この図から基板１の表面相度が２００Ａ以上になると
、移動度が急に低下することが理解される。従ってこの
発明では基板１の表面組度を少くとも２００△の凹凸以
下にする。基板１としては第３図に示すように、基板本
体１１上に絶縁層１２を形成したものを使用してもよい
。

特に、基板本体１１が半導体、導体等の性質を有する場
合は必ず絶縁層１２を形成する。この絶縁層１２の上面
は前述の理由から表面組度が凹凸で２００Ａ以下のもの
とする。フェライト基板、強磁性体基板、シリコン基板
等を基板本体１１とする場合は絶縁層１２を形成する。
又、ガラス基板、フェライト基板等などのように半導体
薄膜２に対して、キャリャ−を供給し、あるいはトラッ
プし、又は散乱を生じて移動度を下げる原因となる原子
が基板から移行するおそれがある場合も絶縁層１２を設
けてこれらの原子の移行を阻止する効果も兼ねさせる。
この絶縁層１２としては一般に酸化物の絶縁体が用いら
れる。

特に好ましいものとしてＡＩ２０３、Ｓｉ０２、Ｔｉ０
２等があり、これらの混合物やマィカ等も用いられる。
こうした絶縁層１２の形成方法は一般に行なわれている
方法でよく、スパッタ一、電子ビーム蒸着、ＣＶＤ（化
学的気相成長）等の方法が用いられる。シリコンを基板
本体１１とする場合は表面を加熱酸化等で酸化すること
により絶縁層１２を形成してもよい。絶縁層１２の厚さ
は、表面のシ−ト抵抗が１×１び。

○以上であればよく、このためには少くとも２００Ａ以
上の厚さが必要である。更に厚さが非常に大きくなると
、表面の粗度が大となり、このため通常は１．０仏、好
ましくは５０００Ａ以下の厚さがよい。感磁部半導体薄
膜２は通常の磁電変換素子として用いられる高移動度の
半導体薄膜を用いることができ、ホール素子の場合は、
ｌｎＳｂ、ｌｎ船、Ｇａ船、ＩＭｓＰ、ｌｎＧａＳｂ等
のｍ−Ｖ族の二大、三元の金属間化合物の半導体で、電
子濃度は１×１び６〜５×ｌｑ８個／洲、電子移動度２
０００〜８００００仇／Ｖ．ｓｅｃの範囲内にあり、そ
の単結晶もしくは多結晶の薄膜が用いられる。

磁気抵抗効果を利用する素子に適用する場合は従来の磁
気抵抗素子に用いられる材料は何れのものでも用いるこ
とができ、好ましいものとしては高移動度のｌｎＳｂ、
ＩＭｓ、ＩｎｃａＳは等の山一Ｖ族の二九、三元の金属
間化合物の半導体薄膜で、電子濃度１×１び６〜５×１
び３個／塊、電子移動度２０００〜８００００の／Ｖ．
ｓｅｃの範囲の多結晶又は単結晶である。

第５図に示したように基板１の表面の粗度と半導体薄膜
２の移動度とは相関があり、例えばｌｎＳｂでは移動度
が１５０００の／Ｖ．ｓｅｃ以上で厚さ１山の薄膜を安
定して製作しようとすると曲線１３から少くとも基板１
の表面の粗度は凹凸にして２００Ａ以下でなくてはなら
ない。

ｌｎ船の場合は移動度がｌｏｏ００の／Ｖ．ｓｅｃ以上
で、厚さ１．０仏の薄膜を得ようとすると、曲線１４か
ら基板１の粗度は２００Ａ以下でなくてはならない。又
、Ｇａ俗の場合は移動度が５０００の／Ｖ．ｓｅｃ以上
で、厚さ１．０山の薄膜を得ようとすると、曲線１５か
ら基板の表面１の粗度は１００△以下でなくてはならな
い。以上の事実からこの発明の磁電変換素子は表面の相
度が２００Ａ以内である基板１上に厚さ０．３〜５．０
山ｍの範囲の化合物半導体薄膜２を彼着し、その薄膜を
感磁部とする。

化合物半導体薄膜２の彼着法は一般に用いられているｍ
−Ｖ族の化合物半導体の薄膜を形成する方法でよいが、
化合物半導体２のためストィキオメトリーでなければな
らない。

好ましい方法として基板１を加熱した状態で行う真空蒸
着法がありこの場合できあがる薄膜２は多結晶である。
又、気相成長によって多結晶の半導体薄膜２を形成する
方法もある。この半導体薄膜２の感磁部の形状、電極３
ａ〜３ｄ形状は特に限定はなく、通常の磁電変換素子で
用いられているものと同様のものとすることができる。

ホール素子の例では、一般にホール素子感磁部パターン
として用いられているものは何でもよい。感滋部を小さ
く、１肋以下にしたいときは感磁部パターンは対称形が
製作上好ましい。磁抵抗素子の例では一般に磁気抵抗素
子に用いられているものは何でもよいが、感度を上げる
ために用いられるラスタパターン状のショートバー電極
をもつ感磁部は好ましい例である。オーミック電極３ａ
〜３ｄは、感磁部半導体薄膜２とオーミック接触を電気
的に有する材料で作られ、このために一般的に用いられ
ているものでよい。

電極３ａ〜３ｄの製作方法は一般に行なわれている方法
でよく、パターン蒸着、無電解〆ッキ等の方法、あるい
はこれらを併用する方法がある。しかし、好ましい例と
してオーミック電極形成を半導体薄膜と接触する部分を
無電解のパターンメッキで行なう方法がある。こ）でい
うパターンメッキ法とは、フオトレジストを用いた湿式
の無電解〆ッキ法で、かつ、レジスト上に金属は付着せ
ず、所望の半導体薄膜の表面にのみ金属を付着せしめる
メッキ法をいみする。その金属の付着面にのみであれば
、金属の付着をよくする触媒等の付着処理がなされてい
てもよく、又、なされていなくても金属が付着しさえす
ればよい。オーミック電極３ａ〜３ｄの好ましい厚さは
ボンディング時に破壊されないこと及び十分なパターン
形成精度が得られるという二つの条件より、０．３〜１
０ｖｍの範囲、より好ましくは１．０〜８．０山肌の範
囲がよい。

又、一層で形成してもよく、二層三層の多眉でもよい。
半導体薄膜２の感磁部の表面には一般に保護被膜６とし
て適当なパシベーションを行ってもよい。この保護膜６
は必須ではないが、通常好まギる不純物の汚染等から磁
電変換素子の感磁部を保護する効果を有している。この
保護膜６の材質は通常の半導体素子におけるパシベーシ
ョン層に用いられているものでよく、Ｓｉ０２、山２０
３、Ｓｉ３Ｎ４等及びこれらの多眉被膜や混合被膜が用
いられる。又樹脂が用いられる場合もあり、シリコン樹
脂やボリィミド樹脂が好ましい例である。電極３ａ〜３
ｄに通常リード線４ａ〜４ｄがボンディングされる。

そのボンディングのためには通常の素子のボンディング
に用いられている方法は、どの方法でも用いることがで
きるが、好ましいものとしてはワイアボンデイング、ハ
ンダボンディング等があり、ハイブリッド１．Ｃ．基板
等にこの発明の滋電変換素子をボンディングするときは
、フェイスダウンボンディングにより行なわれる。ハン
ダボンディングで使用されるハンダは、融点が少くとも
１４３ｑｏ以上であることが好ましく、より好ましくは
１８３ｑｏ以上である。この発明の磁電変換素子は通常
樹脂モールドされるが、モールド樹脂８の材質は、一般
に電子素子のモールドに使用されている樹脂を用いれば
よい。好ましいものは熱硬化性樹脂で、ェポキシ樹脂、
フェノールェポキシ樹脂等がある。この発明の磁電変換
素子の製造法において、高移動度の化合物半導体薄膜を
基板上に形成する工程は加熱した表面粗度２００△以下
の平滑度を有し、表面が絶縁性の基板上に真空蒸着によ
り高移動度の化合物半導体薄膜を彼着形成する工程であ
る。

この主工程に加え、更にその半導体薄膜の特性向上の手
段が加えられることも好ましく行なわれる。この手段と
しては例えば熱処理、薄膜内の結晶の再溶融等である。
この半導体薄膜形成工程は使用する化合物半導体薄膜材
料によって若干工程条件は異る。電極形成工程は、高移
動度の化合物半導体薄膜にオーミック接触電極を形成す
る工程である。

この電極形成工程はパターン状にオーミック接触をする
金属の薄膜を蒸着、スパッタ−、メッキ等の方法で半導
体薄膜上に付着形成し、しかるのち、ボンディングを行
うときに破壊されない強度をもつ金属層をその上に贋層
し厚付けすることから成る。この厚付ムナ部分の厚さは
少くともｌＡｍ以上で１０仏の以下である。又、この厚
付マナ層の材質は最初にオーミック電極用として用いら
れた金属と同一でもよく、又違ったものでもよい。半導
体薄膜のエッチング工程は、高移動度半導体薄膜の一部
の不要部分をフオトリソグラフィーの方法によりエッチ
ングして除去することで、磁電変換素子の感磁部を形成
する工程であり、必要に応じて電極金属の薄膜の一部を
エッチングし、不要部を除去するようにしてもよい。

エッチング工程と電極形成工程とは順序を入れかえても
よい。上記三つの主製造工程の他に更に通常の磁電変換
素子製作の工程に用いられている各種の付加工程を必要
に応じて付け加える。

このようにして製作されたこの発明の磁電変換素子では
半導体薄膜２はその膜厚が薄く、かつ高移動度のため感
度が高く、更に無機材質の基板１上に直接半導体薄膜を
被着する場合は放熱がよく、高温でも使える。

しかも従来、高感度素子の製作で行なわれていた転写工
程やマイクロソーンメルト等の工程が不要であり、製造
工程が簡単化された。更に煮沸テスト、高温度放置テス
トやプレッシャークッカーテスト等の信頼性テストにお
ける不平衡電圧の変化が極めて少く、素子の耐湿性、信
頼性が大きく向上した。実施例 １ 表面粗度が５０〜１００Ａの３比仰角のフェライト基板
上に、厚さ０．３仏ののＳｉ０２絶縁層をスパッタ一に
より形成した。

その絶縁層上に厚さ１．０仏ｍ、電子移動度１８０００
の／Ｖ．ｓｅｃのｌｎＳｂ薄膜を基板を加熱しながら真
空蒸着により形成した。次に、コダック社製マイクロフ
オトレジスト７５２を使用し、通常行なわれている方法
で、ｌｎＳｂ薄膜の表面にフオトレジスト被膜を形成し
た。

その後、室町化学製の無電解〆ッキ液、ＭＫ−４００を
使用し、液温２８００、３粉ふ間無電解〆ッキを行い銅
を厚さ１．０仏で所要の部分のみに付着させオーミック
接触電極用の金属層を形成した。その無電解〆ツキ液を
かえて、更に銅の厚付けを行うため、シップレー社の無
電解〆ッキ液、ＣＰ−８０２を用い、液温５０００で３
粉ご間メッキを行い、更に２．０仏の銅を付着せしめた
。こうして二段のパターンメッキ法の工程を終えたあと
上記のメッキ用のフオトレジストをトリクレンで除去し
た。次に上記のフオトレジストを再度用い、フオトリソ
グラフィーの手法により不要なｌｎＳｂ及び一部の不要
な銅を塩化第２鉄の塩酸酸性水溶液で、エッチング除去
し、ホール素子の感磁部及び４つの電極部を形成した。

その後上記のフオトレジストを使用し、フオトリソグラ
フィの手法により、ホール素子の電極部のみを残してそ
の他の部分にレジストの被膜を形成したのち、溶融ハン
ダ槽につけることにより、電極部のみにハンダをつけた
。

ついで上記しジストを除去し、このような工程でホール
素子を一辺が３７肌角のフェライトウェーハ−上に約２
０の固を同時に形成した。このウエーハーをダイシング
カツターにかけ、１．８肌〜１．７肋の方形ホール素子
チップに切断した。

その各ホール素子チップに４本のりード線をハンダ付け
した後、大きさが２．４肋×２．８肋で高さが１．５肌
のヱポキシ樹脂の箱に入れ、日本ベルノックス社製のモ
ールド用ェポキシ樹脂Ｍ旧−２６４でモールドしてこの
発明の磁電変換素子としてのホール素子を製作した。こ
うして製作したホール素子の電気特性は入出力抵抗値が
３５００、積感度が３０凧Ｖ／肌Ａ．Ｋ．○であった。

この素子の使用温度の上限は、従釆のものが１２０００
であったのに対し、２０００上り、１４０００となつた
。従来のものと比較したときのこのホール素子の信頼性
テストの結果を表１に示した。

表 １． 信頼性テストによる不平衡電圧の変動高
（Ｖｕの温定条件、入力電流５ｍＡ）このことから、従
来のホール素子として最も優れていると云われているマ
ィカ基板にｌｎＳｂを蒸着してフェライト基板に転写し
て製作したものに比して、不平衡電圧の経時変動が極め
て少な〈なつた。

実施例 ２ 表面組度が５０〜１００Ａの約５仇肋角のセラミック基
板上に厚さが３〆ｍのＳｊ０２絶縁層を電子ビーム蒸着
により形成した。

その絶縁層上に厚さ１．０〃肌、電子移動度２００００
の／Ｖ．ｓｅｃのｌｎＳｂ薄膜を、基板を加熱しながら
真空蒸着により形成した。その他は実施例１の場合と全
く同様の工程を施した。こうして製作したホール素子の
電気特性は入出力抵抗値が３４００、積感度が３２ｍＶ
′ｍＡ．Ｋ．○であった。

この素子の使用温度の上限は、従来のものが１２０００
であったが、この実施例２の素子は２０℃上り、１４０
ｑ０となった。従来のものと比較したときのこのホール
素子の信頼性テストの結果を表２に示した。ス
／−軍 Ｖｕの塩 、入 電肌５ｍＡ このことから、従来のホール素子として最も優れている
と云われているマィカ基板に【ｎＳｂを蒸着してセラミ
ック基板上に転写して製作したものに比して、不平衡電
圧の経時変動が極めて少〈なつた。

実施例 ３ 表面粗度が５０〜１００Ａで直径が約５仇収、厚さが０
．３側のサファイア基板上に厚さ１．０ムｍ、移動度１
００００ｃ治／Ｖ．ｓｅｃのｌｎ瓜を基板を加熱しなが
ら蒸着した。

次にコダック社マイクロフオトレジスト７５２を使用し
、フオトリソグラフィーの方法でｌｎＡｓ薄膜の表面に
ホール素子の感磁部とする部分のみにフオトレジスト被
膜を形成した。

ついでｌｎを厚さ１００Ａ真空蒸着した後、トリクレン
でフオトレジストを除去し、感磁部上のフオトレジスト
被膜及び蒸着膜を除去した。上記フオトレジストを用い
、再度、感磁部上にフオトレジスト被膜をフオトリソグ
ラフィーの方法で形成した。その後第１実施例について
行った無電解〆ッキ液法による電極の形成、その他につ
いて同様のことを行ってホール素子を形成した。こうし
て製作したホール素子の電気特性は、入出力抵抗値が４
０００、積感度が１７ｍＶ／ｍＡ．Ｋ．Ｇであった。

この素子の使用温度の上限は、基板としてサファイアを
使用したためと半導体がｍＡｓでハンドギャップエネル
ギーがｌｎＳｂより大きいため、１８０ｏｏでの連続使
用が可能であった。又、耐湿性は実施例１及び２と同等
であった。実施例 ４ 表面相度が６０△で３７肋角、厚さが０．５柳のフェラ
イト基板上にＳｉ０２と川２０３とを重量比で１：１の
絶縁層をスパッタ一により厚さ０．２仏肌に形成した。

その絶縁層の表面に高さ１．５りの、移動度２８０００
の／Ｖ．ｓｅｃのｌｎＳｂの多結晶薄膜を基板を加熱し
ながら真空蒸着した。次にコダック社製マイクロフオト
レジスト７５２を使用し、通常行なわれている方法でｌ
ｎＳｂ薄膜の表面にフオトレジスト被膜を形成した。

その後室町化学製の無電綾〆ッキ液ＭＫ−４００を使用
し、液温２８００、３び分間無電解〆ツキを行い、銅を
厚さ１．０山で所要の部分のみに付着させ、オーミック
接触電極用の金属層及びラスタパタ−ン状のショートバ
ー電極を形成した。その無電解〆ッキ液をかえて、更に
銅の厚付けを行うため、シツプレ一社の無電解〆ッキ液
、ＣＰ−８０２を用い、液温５０ｏｏで３０分間メッキ
を行い、更に２．０山の銅を付着せしめた。こうして２
段のパターンメッキ法の工程を終えたあと、上記のメッ
キ用のフオトレジストをトリクレンで除去した。次に上
記のフオトレジストを再度用い、フオトリソグラフィ−
の手法により不要なｌｎＳｂ及び一部の不要な銅を塩化
第２鉄の塩酸酸性水溶液で、エッチング除去し、第６図
に示すような磁気抵抗素子の感磁部及び３つの電極部を
形成した。

なお、第６図においてｌｎＳｂの半導体薄膜２上にラス
夕状のショートバー電極１６が形成されて磁気抵抗素子
感磁部１７及び１８が形成され、これら感磁部１７，１
８の各一端は接続用電極１９で連結され、各他端及び接
続用電極１９に電極３ａ，３ｂ及び３ｃが形成される。
ショートバー電極１６の幅は２０仏の、隣接ショートバ
ー電極１６間の半導体薄膜２の幅は４０り凧である。ラ
スタパターン状の磁気抵抗素子の感磁部１７，１８の電
極方向の幅は４００ムｍであって、１個の感磁部の素子
抵抗値は５０００に設計されており、設計上は電極３ａ
及び３ｃ間、電極３ｂ及び３ｃ間の磁気抵抗素子の抵抗
値は同一である。電極３ａ〜３ｃ，１６及び１９は同時
に形成された。このように、所望の部分に無電解〆ッキ
によりオーム性接触の電極が形成される。次の工程では
、上記フオトレジストを使用し、フオトリソグラフィの
手法により磁気抵抗素子の電極部３ａ〜３ｃのみを残し
てその他の部分にレジストの被膜を形成したのち、溶融
ハンダ槽につけることにより、電極部のみにハンダをつ
けた。

ついでそのレジストを除去し、このようにして第６図に
示した磁気抵抗素子チップを一辺が３７側角のフェライ
トウェーハ−上に約３００個形成した。このウエーハー
をダイシングカツターにかけ、１．８職×２．仇奴の長
方形の磁気抵抗素子チップに切断した。次に３個の外部
接続用の電極３ａ〜３ｃに３本のりード線をハング付け
し、高さ１．０柳、大きさが２．４側×２．９帆のェポ
キシ樹脂の箱に入れ、日本ベルノックス社製のモールド
用ェポキシ樹脂ＭＥ−２６４でモールドしてこの発明の
磁電変換素子である片側に３本のりード線が出た磁気抵
抗効果素子を得た。このようにして製作した磁気抵抗素
子の抵抗値の不平衡、即ち、１べレット上の２個の磁気
抵抗素子の抵抗値のずれの平均値は次の如くであった。

表 ３． △Ｒは２個の１チップ上の磁気抵抗素子の無磁界時の抵
抗値のずれ、設計抵抗値は５０００である。

このようにこの発明の磁気抵抗効果素子では、極めて良
好な結果が得られた。

従ってｌ△ＲＩが３％以下が要求される無接触ポテンシ
オメーター等に使うときの歩蟹は従来のものに比して非
常によい。また耐湿度特性は実施例１、２、３と同様で
あった。即ち「 この発明の磁気抵抗効果素子は耐縦性
の向上が著しいことがわかった。

従来法によって製作した素子は６０午○、９５％の相対
湿度中の放置テストで、２０加時間の寿命であったが、
この発明の素子は１２０独特間の寿命を有することがわ
かった。このときの判断基準は土１０％以下の電気特性
の変動範囲をこえた磁気抵抗効果素子は不良との判断基
準にもとずし・て寿命を決めた。こうして製作した磁気
抵抗効果素子の感度は、抵抗変化率で示すと、初期値の
５５％の抵抗変化が雛．Ｇの磁束密度の磁界を加えて得
られた。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の磁電変換素子をホール素子に適用し
た例を示す平面図、第２図はそのＡＡ線断面図、第３図
はこの発明の磁電変換素子をホ−ル素子に適用した他の
例を示す第２図と対応した断面図、第４図はこの本発明
の素子に用いられる基板の表面の粗度の例を示す曲線図
、第５図は基板の表面組度とその上に真空蒸着によって
形成された半導体薄膜の移動度と関係を示す曲線図、第
６図はこの発明の滋露変換素子を磁気抵抗効果素子に適
用した例を示す平面図である。 １：基板、２：半導体薄膜、３ａ〜３ｄ：電極、４ａ〜
４ｄ：リード線、５ａ〜５ｄ：ハンダ、６：保護膜、８
：モールド樹脂、１１：基板本体、１２：絶縁層。 オー図 氷２図 ネ３図 ＊Ａ図 氷５図 汁６図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 表面の粗度が２００Å以下であり、かつ少くとも表
   面が絶縁性の基板と、その基板の表面に直接密着形成さ
   れた厚さ０．５〜３０μｍの高移動度化合物半導体薄膜
   と、その半導体薄膜上に形成されたオーミツク接触電極
   とを具備する磁電変換素子。 ２ 上記基板は基板本体と、その基板本体の表面に形成
   された厚さが０．０３〜０．５μｍの範囲の絶縁層とよ
   り成り、その絶縁層の表面の粗度は２００Å以下とされ
   ている特許請求の範囲第１項記載の磁電変換素子。 ３ 上記基板は表面の粗度が２００Å以下の絶縁体であ
   る特許請求の範囲第１項記載の磁電変換素子。 ４ 表面の粗度が２００Å以下であり、かつ少くとも表
   面が絶縁性の基板上に、蒸着により厚さ０．５〜３．０
   μｍの高移動度の化合物半導体薄膜を被着する工程と、
   その被着された半導体薄膜上に厚さが０．５μｍ以上の
   導電性金属層をオーミツク接触する状態で形成する工程
   と、上記半導体薄膜をエツチングする工程とを少くとも
   含む磁電変換素子の製造法。