JPS6040198B2 - 磁電変換素子及びその製造法 - Google Patents
磁電変換素子及びその製造法Info
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- JPS6040198B2 JPS6040198B2 JP55070991A JP7099180A JPS6040198B2 JP S6040198 B2 JPS6040198 B2 JP S6040198B2 JP 55070991 A JP55070991 A JP 55070991A JP 7099180 A JP7099180 A JP 7099180A JP S6040198 B2 JPS6040198 B2 JP S6040198B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H10N50/01—Manufacture or treatment
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高い積感度を有し、量産性、高信頼性をもつ
ホール素子、磁気抵抗効果素子などの薄膜滋霞変換素子
及びその製法に関する。
ホール素子、磁気抵抗効果素子などの薄膜滋霞変換素子
及びその製法に関する。
従来において、m−V族化合物半導体薄膜を厚さ2.0
仏仇以下で、基板上に付着形成して滋電変摸索子を製作
しようとすると、マィカ等の天然物の結晶のへキ関面以
外では、高移動度の化合物半導体薄膜を製作することは
不可能であった。
仏仇以下で、基板上に付着形成して滋電変摸索子を製作
しようとすると、マィカ等の天然物の結晶のへキ関面以
外では、高移動度の化合物半導体薄膜を製作することは
不可能であった。
マィカ基板をそのままホール素子基板として使用するこ
とは、そり、ゆがみ等が生じやすく不適当であり、通常
はこのマィカ上に例えば蒸着で形成されたlnSb等の
高移動度の化合物半導体薄膜を、フェライト基板上に転
写接着させて磁電変換素子を製作していた。又、別の方
法として例えばガラス基板の表面にあらかじめ5r程度
の厚さに三温度法でlnSbを蒸着し、その蒸着膜に対
しゾーンメルトを加え、.結晶粒子を大きくする等の処
理を加え、更にその結晶素子を大とされた層を研磨によ
ってうすくするという複雑な工程を経るものもあった。
とは、そり、ゆがみ等が生じやすく不適当であり、通常
はこのマィカ上に例えば蒸着で形成されたlnSb等の
高移動度の化合物半導体薄膜を、フェライト基板上に転
写接着させて磁電変換素子を製作していた。又、別の方
法として例えばガラス基板の表面にあらかじめ5r程度
の厚さに三温度法でlnSbを蒸着し、その蒸着膜に対
しゾーンメルトを加え、.結晶粒子を大きくする等の処
理を加え、更にその結晶素子を大とされた層を研磨によ
ってうすくするという複雑な工程を経るものもあった。
このためホール素子や磁気抵抗素子等の磁電変換素子を
製作するために好都合の厚さ1.0〃肌別後で高い移動
度を有するm−V族の化合物半導体薄膜を放熱のよい基
板上に直接形成し得ることは不可能であった。
製作するために好都合の厚さ1.0〃肌別後で高い移動
度を有するm−V族の化合物半導体薄膜を放熱のよい基
板上に直接形成し得ることは不可能であった。
この発明者は高移動度化合物半導体薄膜が形成される基
板の厚さが或る値より厚くなると急速に移動度が低下す
ることを見出してこの発明をするに至った。
板の厚さが或る値より厚くなると急速に移動度が低下す
ることを見出してこの発明をするに至った。
この発明の目的は比較的簡単に作ることができしかも感
度が高い磁電変換素子及びその製造法を提供することに
ある。
度が高い磁電変換素子及びその製造法を提供することに
ある。
この発明においては表面の粗度が200A以下であり、
かつ少なくとも表面が絶縁性の基板上に直接密着して厚
さが0.5〜3.0ム凧の高移動度化合物半導体薄膜が
形成され、その半導体薄膜上にオ−ミック接触した電極
が形成される。
かつ少なくとも表面が絶縁性の基板上に直接密着して厚
さが0.5〜3.0ム凧の高移動度化合物半導体薄膜が
形成され、その半導体薄膜上にオ−ミック接触した電極
が形成される。
このようにこの発明の磁電変換素子はその感磁部半導体
薄膜の基板との接触面の凹凸が少〈、その凹凸による半
導体薄膜への影響が少なく、特に表面組度が200A以
下としているため、基板に直接形成された薄膜でも、ま
た基板上の薄膜を溶融して結晶化することなく、高移動
度が得られている。
薄膜の基板との接触面の凹凸が少〈、その凹凸による半
導体薄膜への影響が少なく、特に表面組度が200A以
下としているため、基板に直接形成された薄膜でも、ま
た基板上の薄膜を溶融して結晶化することなく、高移動
度が得られている。
しかし基板の表面組度が200Aより粗くなると、これ
に直接形成された半導体薄膜の移動度が急に低下し、感
度が悪いものとなる。基板に直接形成する半導体薄膜は
厚さを0.5仏の以下にすると、ピンホールができたり
して良好な腹を作ることが困難であり、また電極を作る
ことも困難となり、更にインピーダンスが非常に高いも
のとなって好ましくない。またこの薄膜の厚さを3.0
一肌以上にすると、積感度が低下し、インピーダンスも
低すぎるものとなる。基板としては基板本体の上に絶縁
膜を形成したものでもよい。その場合、基板本体の表面
粗度は200A以下にされ、また絶縁膜の厚さは3.0
3〜0.5ム肌とされる。この発明の磁電変換素子の基
本構造の例を第1図に平面図、第2図に断面図にて示す
。基板1は表面粗度が200A以下であり、かつ表面が
絶縁性のものであり、第2図では単体の無機材質基板と
して構成されている。その基板1上に高移動度の化合物
半導体薄膜2が形成され、更にその上の適当な個所に電
極3a〜3dがオーミック接触して形成される。これら
電極3a〜3dにリード線4a〜4dの一端がそれぞれ
半田5a〜5dで接続されている。半導体薄膜2の中央
部にある感磁部上には保護被膜6が形成される。これら
基板1を含めて全体がモールド樹脂8内に埋層される。
感磁部上の保護被膜6は必要に応じて省略してもよい。
基板1は一般の磁電変換素子に用いられているものでよ
いが、その耐熱性において少くとも400℃程度でも安
定な材質のものがよい。
に直接形成された半導体薄膜の移動度が急に低下し、感
度が悪いものとなる。基板に直接形成する半導体薄膜は
厚さを0.5仏の以下にすると、ピンホールができたり
して良好な腹を作ることが困難であり、また電極を作る
ことも困難となり、更にインピーダンスが非常に高いも
のとなって好ましくない。またこの薄膜の厚さを3.0
一肌以上にすると、積感度が低下し、インピーダンスも
低すぎるものとなる。基板としては基板本体の上に絶縁
膜を形成したものでもよい。その場合、基板本体の表面
粗度は200A以下にされ、また絶縁膜の厚さは3.0
3〜0.5ム肌とされる。この発明の磁電変換素子の基
本構造の例を第1図に平面図、第2図に断面図にて示す
。基板1は表面粗度が200A以下であり、かつ表面が
絶縁性のものであり、第2図では単体の無機材質基板と
して構成されている。その基板1上に高移動度の化合物
半導体薄膜2が形成され、更にその上の適当な個所に電
極3a〜3dがオーミック接触して形成される。これら
電極3a〜3dにリード線4a〜4dの一端がそれぞれ
半田5a〜5dで接続されている。半導体薄膜2の中央
部にある感磁部上には保護被膜6が形成される。これら
基板1を含めて全体がモールド樹脂8内に埋層される。
感磁部上の保護被膜6は必要に応じて省略してもよい。
基板1は一般の磁電変換素子に用いられているものでよ
いが、その耐熱性において少くとも400℃程度でも安
定な材質のものがよい。
従ってフェライト基板、セラミック基板、ガラス基板、
単結晶シリコン基板、サファイア基板、鉄、パーマロィ
等の強磁性体基板が好ましい。基板1は少くともその表
面、即ち半導体薄膜2が形成される面が絶縁性であり、
かつ、平滑でなければならない。その平滑度、即ち表面
粗度は凹凸で200A以下とされる。第4図に参考のた
めにこの発明の素子に用いるフェライト基板の表面粗度
のデータを示した。第5図に基板の表面組度と、その上
に形成した化合物半導体薄膜2の移動度との関係を示し
た。
単結晶シリコン基板、サファイア基板、鉄、パーマロィ
等の強磁性体基板が好ましい。基板1は少くともその表
面、即ち半導体薄膜2が形成される面が絶縁性であり、
かつ、平滑でなければならない。その平滑度、即ち表面
粗度は凹凸で200A以下とされる。第4図に参考のた
めにこの発明の素子に用いるフェライト基板の表面粗度
のデータを示した。第5図に基板の表面組度と、その上
に形成した化合物半導体薄膜2の移動度との関係を示し
た。
基板1として厚さ0.3帆のサファイアを用い、半導体
薄膜2として厚さが1.0一肌のlnSb、lnAs及
びGaAsの各場合は曲線13,14及び15となった
。この図から基板1の表面相度が200A以上になると
、移動度が急に低下することが理解される。従ってこの
発明では基板1の表面組度を少くとも200△の凹凸以
下にする。基板1としては第3図に示すように、基板本
体11上に絶縁層12を形成したものを使用してもよい
。
薄膜2として厚さが1.0一肌のlnSb、lnAs及
びGaAsの各場合は曲線13,14及び15となった
。この図から基板1の表面相度が200A以上になると
、移動度が急に低下することが理解される。従ってこの
発明では基板1の表面組度を少くとも200△の凹凸以
下にする。基板1としては第3図に示すように、基板本
体11上に絶縁層12を形成したものを使用してもよい
。
特に、基板本体11が半導体、導体等の性質を有する場
合は必ず絶縁層12を形成する。この絶縁層12の上面
は前述の理由から表面組度が凹凸で200A以下のもの
とする。フェライト基板、強磁性体基板、シリコン基板
等を基板本体11とする場合は絶縁層12を形成する。
又、ガラス基板、フェライト基板等などのように半導体
薄膜2に対して、キャリャ−を供給し、あるいはトラッ
プし、又は散乱を生じて移動度を下げる原因となる原子
が基板から移行するおそれがある場合も絶縁層12を設
けてこれらの原子の移行を阻止する効果も兼ねさせる。
この絶縁層12としては一般に酸化物の絶縁体が用いら
れる。
合は必ず絶縁層12を形成する。この絶縁層12の上面
は前述の理由から表面組度が凹凸で200A以下のもの
とする。フェライト基板、強磁性体基板、シリコン基板
等を基板本体11とする場合は絶縁層12を形成する。
又、ガラス基板、フェライト基板等などのように半導体
薄膜2に対して、キャリャ−を供給し、あるいはトラッ
プし、又は散乱を生じて移動度を下げる原因となる原子
が基板から移行するおそれがある場合も絶縁層12を設
けてこれらの原子の移行を阻止する効果も兼ねさせる。
この絶縁層12としては一般に酸化物の絶縁体が用いら
れる。
特に好ましいものとしてAI203、Si02、Ti0
2等があり、これらの混合物やマィカ等も用いられる。
こうした絶縁層12の形成方法は一般に行なわれている
方法でよく、スパッタ一、電子ビーム蒸着、CVD(化
学的気相成長)等の方法が用いられる。シリコンを基板
本体11とする場合は表面を加熱酸化等で酸化すること
により絶縁層12を形成してもよい。絶縁層12の厚さ
は、表面のシ−ト抵抗が1×1び。
2等があり、これらの混合物やマィカ等も用いられる。
こうした絶縁層12の形成方法は一般に行なわれている
方法でよく、スパッタ一、電子ビーム蒸着、CVD(化
学的気相成長)等の方法が用いられる。シリコンを基板
本体11とする場合は表面を加熱酸化等で酸化すること
により絶縁層12を形成してもよい。絶縁層12の厚さ
は、表面のシ−ト抵抗が1×1び。
○以上であればよく、このためには少くとも200A以
上の厚さが必要である。更に厚さが非常に大きくなると
、表面の粗度が大となり、このため通常は1.0仏、好
ましくは5000A以下の厚さがよい。感磁部半導体薄
膜2は通常の磁電変換素子として用いられる高移動度の
半導体薄膜を用いることができ、ホール素子の場合は、
lnSb、ln船、Ga船、IMsP、lnGaSb等
のm−V族の二大、三元の金属間化合物の半導体で、電
子濃度は1×1び6〜5×lq8個/洲、電子移動度2
000〜80000仇/V.secの範囲内にあり、そ
の単結晶もしくは多結晶の薄膜が用いられる。
上の厚さが必要である。更に厚さが非常に大きくなると
、表面の粗度が大となり、このため通常は1.0仏、好
ましくは5000A以下の厚さがよい。感磁部半導体薄
膜2は通常の磁電変換素子として用いられる高移動度の
半導体薄膜を用いることができ、ホール素子の場合は、
lnSb、ln船、Ga船、IMsP、lnGaSb等
のm−V族の二大、三元の金属間化合物の半導体で、電
子濃度は1×1び6〜5×lq8個/洲、電子移動度2
000〜80000仇/V.secの範囲内にあり、そ
の単結晶もしくは多結晶の薄膜が用いられる。
磁気抵抗効果を利用する素子に適用する場合は従来の磁
気抵抗素子に用いられる材料は何れのものでも用いるこ
とができ、好ましいものとしては高移動度のlnSb、
IMs、IncaSは等の山一V族の二九、三元の金属
間化合物の半導体薄膜で、電子濃度1×1び6〜5×1
び3個/塊、電子移動度2000〜80000の/V.
secの範囲の多結晶又は単結晶である。
気抵抗素子に用いられる材料は何れのものでも用いるこ
とができ、好ましいものとしては高移動度のlnSb、
IMs、IncaSは等の山一V族の二九、三元の金属
間化合物の半導体薄膜で、電子濃度1×1び6〜5×1
び3個/塊、電子移動度2000〜80000の/V.
secの範囲の多結晶又は単結晶である。
第5図に示したように基板1の表面の粗度と半導体薄膜
2の移動度とは相関があり、例えばlnSbでは移動度
が15000の/V.sec以上で厚さ1山の薄膜を安
定して製作しようとすると曲線13から少くとも基板1
の表面の粗度は凹凸にして200A以下でなくてはなら
ない。
2の移動度とは相関があり、例えばlnSbでは移動度
が15000の/V.sec以上で厚さ1山の薄膜を安
定して製作しようとすると曲線13から少くとも基板1
の表面の粗度は凹凸にして200A以下でなくてはなら
ない。
ln船の場合は移動度がloo00の/V.sec以上
で、厚さ1.0仏の薄膜を得ようとすると、曲線14か
ら基板1の粗度は200A以下でなくてはならない。又
、Ga俗の場合は移動度が5000の/V.sec以上
で、厚さ1.0山の薄膜を得ようとすると、曲線15か
ら基板の表面1の粗度は100△以下でなくてはならな
い。以上の事実からこの発明の磁電変換素子は表面の相
度が200A以内である基板1上に厚さ0.3〜5.0
山mの範囲の化合物半導体薄膜2を彼着し、その薄膜を
感磁部とする。
で、厚さ1.0仏の薄膜を得ようとすると、曲線14か
ら基板1の粗度は200A以下でなくてはならない。又
、Ga俗の場合は移動度が5000の/V.sec以上
で、厚さ1.0山の薄膜を得ようとすると、曲線15か
ら基板の表面1の粗度は100△以下でなくてはならな
い。以上の事実からこの発明の磁電変換素子は表面の相
度が200A以内である基板1上に厚さ0.3〜5.0
山mの範囲の化合物半導体薄膜2を彼着し、その薄膜を
感磁部とする。
化合物半導体薄膜2の彼着法は一般に用いられているm
−V族の化合物半導体の薄膜を形成する方法でよいが、
化合物半導体2のためストィキオメトリーでなければな
らない。
−V族の化合物半導体の薄膜を形成する方法でよいが、
化合物半導体2のためストィキオメトリーでなければな
らない。
好ましい方法として基板1を加熱した状態で行う真空蒸
着法がありこの場合できあがる薄膜2は多結晶である。
又、気相成長によって多結晶の半導体薄膜2を形成する
方法もある。この半導体薄膜2の感磁部の形状、電極3
a〜3d形状は特に限定はなく、通常の磁電変換素子で
用いられているものと同様のものとすることができる。
着法がありこの場合できあがる薄膜2は多結晶である。
又、気相成長によって多結晶の半導体薄膜2を形成する
方法もある。この半導体薄膜2の感磁部の形状、電極3
a〜3d形状は特に限定はなく、通常の磁電変換素子で
用いられているものと同様のものとすることができる。
ホール素子の例では、一般にホール素子感磁部パターン
として用いられているものは何でもよい。感滋部を小さ
く、1肋以下にしたいときは感磁部パターンは対称形が
製作上好ましい。磁抵抗素子の例では一般に磁気抵抗素
子に用いられているものは何でもよいが、感度を上げる
ために用いられるラスタパターン状のショートバー電極
をもつ感磁部は好ましい例である。オーミック電極3a
〜3dは、感磁部半導体薄膜2とオーミック接触を電気
的に有する材料で作られ、このために一般的に用いられ
ているものでよい。
として用いられているものは何でもよい。感滋部を小さ
く、1肋以下にしたいときは感磁部パターンは対称形が
製作上好ましい。磁抵抗素子の例では一般に磁気抵抗素
子に用いられているものは何でもよいが、感度を上げる
ために用いられるラスタパターン状のショートバー電極
をもつ感磁部は好ましい例である。オーミック電極3a
〜3dは、感磁部半導体薄膜2とオーミック接触を電気
的に有する材料で作られ、このために一般的に用いられ
ているものでよい。
電極3a〜3dの製作方法は一般に行なわれている方法
でよく、パターン蒸着、無電解〆ッキ等の方法、あるい
はこれらを併用する方法がある。しかし、好ましい例と
してオーミック電極形成を半導体薄膜と接触する部分を
無電解のパターンメッキで行なう方法がある。こ)でい
うパターンメッキ法とは、フオトレジストを用いた湿式
の無電解〆ッキ法で、かつ、レジスト上に金属は付着せ
ず、所望の半導体薄膜の表面にのみ金属を付着せしめる
メッキ法をいみする。その金属の付着面にのみであれば
、金属の付着をよくする触媒等の付着処理がなされてい
てもよく、又、なされていなくても金属が付着しさえす
ればよい。オーミック電極3a〜3dの好ましい厚さは
ボンディング時に破壊されないこと及び十分なパターン
形成精度が得られるという二つの条件より、0.3〜1
0vmの範囲、より好ましくは1.0〜8.0山肌の範
囲がよい。
でよく、パターン蒸着、無電解〆ッキ等の方法、あるい
はこれらを併用する方法がある。しかし、好ましい例と
してオーミック電極形成を半導体薄膜と接触する部分を
無電解のパターンメッキで行なう方法がある。こ)でい
うパターンメッキ法とは、フオトレジストを用いた湿式
の無電解〆ッキ法で、かつ、レジスト上に金属は付着せ
ず、所望の半導体薄膜の表面にのみ金属を付着せしめる
メッキ法をいみする。その金属の付着面にのみであれば
、金属の付着をよくする触媒等の付着処理がなされてい
てもよく、又、なされていなくても金属が付着しさえす
ればよい。オーミック電極3a〜3dの好ましい厚さは
ボンディング時に破壊されないこと及び十分なパターン
形成精度が得られるという二つの条件より、0.3〜1
0vmの範囲、より好ましくは1.0〜8.0山肌の範
囲がよい。
又、一層で形成してもよく、二層三層の多眉でもよい。
半導体薄膜2の感磁部の表面には一般に保護被膜6とし
て適当なパシベーションを行ってもよい。この保護膜6
は必須ではないが、通常好まギる不純物の汚染等から磁
電変換素子の感磁部を保護する効果を有している。この
保護膜6の材質は通常の半導体素子におけるパシベーシ
ョン層に用いられているものでよく、Si02、山20
3、Si3N4等及びこれらの多眉被膜や混合被膜が用
いられる。又樹脂が用いられる場合もあり、シリコン樹
脂やボリィミド樹脂が好ましい例である。電極3a〜3
dに通常リード線4a〜4dがボンディングされる。
半導体薄膜2の感磁部の表面には一般に保護被膜6とし
て適当なパシベーションを行ってもよい。この保護膜6
は必須ではないが、通常好まギる不純物の汚染等から磁
電変換素子の感磁部を保護する効果を有している。この
保護膜6の材質は通常の半導体素子におけるパシベーシ
ョン層に用いられているものでよく、Si02、山20
3、Si3N4等及びこれらの多眉被膜や混合被膜が用
いられる。又樹脂が用いられる場合もあり、シリコン樹
脂やボリィミド樹脂が好ましい例である。電極3a〜3
dに通常リード線4a〜4dがボンディングされる。
そのボンディングのためには通常の素子のボンディング
に用いられている方法は、どの方法でも用いることがで
きるが、好ましいものとしてはワイアボンデイング、ハ
ンダボンディング等があり、ハイブリッド1.C.基板
等にこの発明の滋電変換素子をボンディングするときは
、フェイスダウンボンディングにより行なわれる。ハン
ダボンディングで使用されるハンダは、融点が少くとも
143qo以上であることが好ましく、より好ましくは
183qo以上である。この発明の磁電変換素子は通常
樹脂モールドされるが、モールド樹脂8の材質は、一般
に電子素子のモールドに使用されている樹脂を用いれば
よい。好ましいものは熱硬化性樹脂で、ェポキシ樹脂、
フェノールェポキシ樹脂等がある。この発明の磁電変換
素子の製造法において、高移動度の化合物半導体薄膜を
基板上に形成する工程は加熱した表面粗度200△以下
の平滑度を有し、表面が絶縁性の基板上に真空蒸着によ
り高移動度の化合物半導体薄膜を彼着形成する工程であ
る。
に用いられている方法は、どの方法でも用いることがで
きるが、好ましいものとしてはワイアボンデイング、ハ
ンダボンディング等があり、ハイブリッド1.C.基板
等にこの発明の滋電変換素子をボンディングするときは
、フェイスダウンボンディングにより行なわれる。ハン
ダボンディングで使用されるハンダは、融点が少くとも
143qo以上であることが好ましく、より好ましくは
183qo以上である。この発明の磁電変換素子は通常
樹脂モールドされるが、モールド樹脂8の材質は、一般
に電子素子のモールドに使用されている樹脂を用いれば
よい。好ましいものは熱硬化性樹脂で、ェポキシ樹脂、
フェノールェポキシ樹脂等がある。この発明の磁電変換
素子の製造法において、高移動度の化合物半導体薄膜を
基板上に形成する工程は加熱した表面粗度200△以下
の平滑度を有し、表面が絶縁性の基板上に真空蒸着によ
り高移動度の化合物半導体薄膜を彼着形成する工程であ
る。
この主工程に加え、更にその半導体薄膜の特性向上の手
段が加えられることも好ましく行なわれる。この手段と
しては例えば熱処理、薄膜内の結晶の再溶融等である。
この半導体薄膜形成工程は使用する化合物半導体薄膜材
料によって若干工程条件は異る。電極形成工程は、高移
動度の化合物半導体薄膜にオーミック接触電極を形成す
る工程である。
段が加えられることも好ましく行なわれる。この手段と
しては例えば熱処理、薄膜内の結晶の再溶融等である。
この半導体薄膜形成工程は使用する化合物半導体薄膜材
料によって若干工程条件は異る。電極形成工程は、高移
動度の化合物半導体薄膜にオーミック接触電極を形成す
る工程である。
この電極形成工程はパターン状にオーミック接触をする
金属の薄膜を蒸着、スパッタ−、メッキ等の方法で半導
体薄膜上に付着形成し、しかるのち、ボンディングを行
うときに破壊されない強度をもつ金属層をその上に贋層
し厚付けすることから成る。この厚付ムナ部分の厚さは
少くともlAm以上で10仏の以下である。又、この厚
付マナ層の材質は最初にオーミック電極用として用いら
れた金属と同一でもよく、又違ったものでもよい。半導
体薄膜のエッチング工程は、高移動度半導体薄膜の一部
の不要部分をフオトリソグラフィーの方法によりエッチ
ングして除去することで、磁電変換素子の感磁部を形成
する工程であり、必要に応じて電極金属の薄膜の一部を
エッチングし、不要部を除去するようにしてもよい。
金属の薄膜を蒸着、スパッタ−、メッキ等の方法で半導
体薄膜上に付着形成し、しかるのち、ボンディングを行
うときに破壊されない強度をもつ金属層をその上に贋層
し厚付けすることから成る。この厚付ムナ部分の厚さは
少くともlAm以上で10仏の以下である。又、この厚
付マナ層の材質は最初にオーミック電極用として用いら
れた金属と同一でもよく、又違ったものでもよい。半導
体薄膜のエッチング工程は、高移動度半導体薄膜の一部
の不要部分をフオトリソグラフィーの方法によりエッチ
ングして除去することで、磁電変換素子の感磁部を形成
する工程であり、必要に応じて電極金属の薄膜の一部を
エッチングし、不要部を除去するようにしてもよい。
エッチング工程と電極形成工程とは順序を入れかえても
よい。上記三つの主製造工程の他に更に通常の磁電変換
素子製作の工程に用いられている各種の付加工程を必要
に応じて付け加える。
よい。上記三つの主製造工程の他に更に通常の磁電変換
素子製作の工程に用いられている各種の付加工程を必要
に応じて付け加える。
このようにして製作されたこの発明の磁電変換素子では
半導体薄膜2はその膜厚が薄く、かつ高移動度のため感
度が高く、更に無機材質の基板1上に直接半導体薄膜を
被着する場合は放熱がよく、高温でも使える。
半導体薄膜2はその膜厚が薄く、かつ高移動度のため感
度が高く、更に無機材質の基板1上に直接半導体薄膜を
被着する場合は放熱がよく、高温でも使える。
しかも従来、高感度素子の製作で行なわれていた転写工
程やマイクロソーンメルト等の工程が不要であり、製造
工程が簡単化された。更に煮沸テスト、高温度放置テス
トやプレッシャークッカーテスト等の信頼性テストにお
ける不平衡電圧の変化が極めて少く、素子の耐湿性、信
頼性が大きく向上した。実施例 1 表面粗度が50〜100Aの3比仰角のフェライト基板
上に、厚さ0.3仏ののSi02絶縁層をスパッタ一に
より形成した。
程やマイクロソーンメルト等の工程が不要であり、製造
工程が簡単化された。更に煮沸テスト、高温度放置テス
トやプレッシャークッカーテスト等の信頼性テストにお
ける不平衡電圧の変化が極めて少く、素子の耐湿性、信
頼性が大きく向上した。実施例 1 表面粗度が50〜100Aの3比仰角のフェライト基板
上に、厚さ0.3仏ののSi02絶縁層をスパッタ一に
より形成した。
その絶縁層上に厚さ1.0仏m、電子移動度18000
の/V.secのlnSb薄膜を基板を加熱しながら真
空蒸着により形成した。次に、コダック社製マイクロフ
オトレジスト752を使用し、通常行なわれている方法
で、lnSb薄膜の表面にフオトレジスト被膜を形成し
た。
の/V.secのlnSb薄膜を基板を加熱しながら真
空蒸着により形成した。次に、コダック社製マイクロフ
オトレジスト752を使用し、通常行なわれている方法
で、lnSb薄膜の表面にフオトレジスト被膜を形成し
た。
その後、室町化学製の無電解〆ッキ液、MK−400を
使用し、液温2800、3粉ふ間無電解〆ッキを行い銅
を厚さ1.0仏で所要の部分のみに付着させオーミック
接触電極用の金属層を形成した。その無電解〆ツキ液を
かえて、更に銅の厚付けを行うため、シップレー社の無
電解〆ッキ液、CP−802を用い、液温5000で3
粉ご間メッキを行い、更に2.0仏の銅を付着せしめた
。こうして二段のパターンメッキ法の工程を終えたあと
上記のメッキ用のフオトレジストをトリクレンで除去し
た。次に上記のフオトレジストを再度用い、フオトリソ
グラフィーの手法により不要なlnSb及び一部の不要
な銅を塩化第2鉄の塩酸酸性水溶液で、エッチング除去
し、ホール素子の感磁部及び4つの電極部を形成した。
使用し、液温2800、3粉ふ間無電解〆ッキを行い銅
を厚さ1.0仏で所要の部分のみに付着させオーミック
接触電極用の金属層を形成した。その無電解〆ツキ液を
かえて、更に銅の厚付けを行うため、シップレー社の無
電解〆ッキ液、CP−802を用い、液温5000で3
粉ご間メッキを行い、更に2.0仏の銅を付着せしめた
。こうして二段のパターンメッキ法の工程を終えたあと
上記のメッキ用のフオトレジストをトリクレンで除去し
た。次に上記のフオトレジストを再度用い、フオトリソ
グラフィーの手法により不要なlnSb及び一部の不要
な銅を塩化第2鉄の塩酸酸性水溶液で、エッチング除去
し、ホール素子の感磁部及び4つの電極部を形成した。
その後上記のフオトレジストを使用し、フオトリソグラ
フィの手法により、ホール素子の電極部のみを残してそ
の他の部分にレジストの被膜を形成したのち、溶融ハン
ダ槽につけることにより、電極部のみにハンダをつけた
。
フィの手法により、ホール素子の電極部のみを残してそ
の他の部分にレジストの被膜を形成したのち、溶融ハン
ダ槽につけることにより、電極部のみにハンダをつけた
。
ついで上記しジストを除去し、このような工程でホール
素子を一辺が37肌角のフェライトウェーハ−上に約2
0の固を同時に形成した。このウエーハーをダイシング
カツターにかけ、1.8肌〜1.7肋の方形ホール素子
チップに切断した。
素子を一辺が37肌角のフェライトウェーハ−上に約2
0の固を同時に形成した。このウエーハーをダイシング
カツターにかけ、1.8肌〜1.7肋の方形ホール素子
チップに切断した。
その各ホール素子チップに4本のりード線をハンダ付け
した後、大きさが2.4肋×2.8肋で高さが1.5肌
のヱポキシ樹脂の箱に入れ、日本ベルノックス社製のモ
ールド用ェポキシ樹脂M旧−264でモールドしてこの
発明の磁電変換素子としてのホール素子を製作した。こ
うして製作したホール素子の電気特性は入出力抵抗値が
3500、積感度が30凧V/肌A.K.○であった。
した後、大きさが2.4肋×2.8肋で高さが1.5肌
のヱポキシ樹脂の箱に入れ、日本ベルノックス社製のモ
ールド用ェポキシ樹脂M旧−264でモールドしてこの
発明の磁電変換素子としてのホール素子を製作した。こ
うして製作したホール素子の電気特性は入出力抵抗値が
3500、積感度が30凧V/肌A.K.○であった。
この素子の使用温度の上限は、従釆のものが12000
であったのに対し、2000上り、14000となつた
。従来のものと比較したときのこのホール素子の信頼性
テストの結果を表1に示した。
であったのに対し、2000上り、14000となつた
。従来のものと比較したときのこのホール素子の信頼性
テストの結果を表1に示した。
表 1. 信頼性テストによる不平衡電圧の変動高
(Vuの温定条件、入力電流5mA)このことから、従
来のホール素子として最も優れていると云われているマ
ィカ基板にlnSbを蒸着してフェライト基板に転写し
て製作したものに比して、不平衡電圧の経時変動が極め
て少な〈なつた。
(Vuの温定条件、入力電流5mA)このことから、従
来のホール素子として最も優れていると云われているマ
ィカ基板にlnSbを蒸着してフェライト基板に転写し
て製作したものに比して、不平衡電圧の経時変動が極め
て少な〈なつた。
実施例 2
表面組度が50〜100Aの約5仇肋角のセラミック基
板上に厚さが3〆mのSj02絶縁層を電子ビーム蒸着
により形成した。
板上に厚さが3〆mのSj02絶縁層を電子ビーム蒸着
により形成した。
その絶縁層上に厚さ1.0〃肌、電子移動度20000
の/V.secのlnSb薄膜を、基板を加熱しながら
真空蒸着により形成した。その他は実施例1の場合と全
く同様の工程を施した。こうして製作したホール素子の
電気特性は入出力抵抗値が3400、積感度が32mV
′mA.K.○であった。
の/V.secのlnSb薄膜を、基板を加熱しながら
真空蒸着により形成した。その他は実施例1の場合と全
く同様の工程を施した。こうして製作したホール素子の
電気特性は入出力抵抗値が3400、積感度が32mV
′mA.K.○であった。
この素子の使用温度の上限は、従来のものが12000
であったが、この実施例2の素子は20℃上り、140
q0となった。従来のものと比較したときのこのホール
素子の信頼性テストの結果を表2に示した。ス
/−軍 Vuの塩 、入 電肌5mA このことから、従来のホール素子として最も優れている
と云われているマィカ基板に【nSbを蒸着してセラミ
ック基板上に転写して製作したものに比して、不平衡電
圧の経時変動が極めて少〈なつた。
であったが、この実施例2の素子は20℃上り、140
q0となった。従来のものと比較したときのこのホール
素子の信頼性テストの結果を表2に示した。ス
/−軍 Vuの塩 、入 電肌5mA このことから、従来のホール素子として最も優れている
と云われているマィカ基板に【nSbを蒸着してセラミ
ック基板上に転写して製作したものに比して、不平衡電
圧の経時変動が極めて少〈なつた。
実施例 3
表面粗度が50〜100Aで直径が約5仇収、厚さが0
.3側のサファイア基板上に厚さ1.0ムm、移動度1
0000c治/V.secのln瓜を基板を加熱しなが
ら蒸着した。
.3側のサファイア基板上に厚さ1.0ムm、移動度1
0000c治/V.secのln瓜を基板を加熱しなが
ら蒸着した。
次にコダック社マイクロフオトレジスト752を使用し
、フオトリソグラフィーの方法でlnAs薄膜の表面に
ホール素子の感磁部とする部分のみにフオトレジスト被
膜を形成した。
、フオトリソグラフィーの方法でlnAs薄膜の表面に
ホール素子の感磁部とする部分のみにフオトレジスト被
膜を形成した。
ついでlnを厚さ100A真空蒸着した後、トリクレン
でフオトレジストを除去し、感磁部上のフオトレジスト
被膜及び蒸着膜を除去した。上記フオトレジストを用い
、再度、感磁部上にフオトレジスト被膜をフオトリソグ
ラフィーの方法で形成した。その後第1実施例について
行った無電解〆ッキ液法による電極の形成、その他につ
いて同様のことを行ってホール素子を形成した。こうし
て製作したホール素子の電気特性は、入出力抵抗値が4
000、積感度が17mV/mA.K.Gであった。
でフオトレジストを除去し、感磁部上のフオトレジスト
被膜及び蒸着膜を除去した。上記フオトレジストを用い
、再度、感磁部上にフオトレジスト被膜をフオトリソグ
ラフィーの方法で形成した。その後第1実施例について
行った無電解〆ッキ液法による電極の形成、その他につ
いて同様のことを行ってホール素子を形成した。こうし
て製作したホール素子の電気特性は、入出力抵抗値が4
000、積感度が17mV/mA.K.Gであった。
この素子の使用温度の上限は、基板としてサファイアを
使用したためと半導体がmAsでハンドギャップエネル
ギーがlnSbより大きいため、180ooでの連続使
用が可能であった。又、耐湿性は実施例1及び2と同等
であった。実施例 4 表面相度が60△で37肋角、厚さが0.5柳のフェラ
イト基板上にSi02と川203とを重量比で1:1の
絶縁層をスパッタ一により厚さ0.2仏肌に形成した。
使用したためと半導体がmAsでハンドギャップエネル
ギーがlnSbより大きいため、180ooでの連続使
用が可能であった。又、耐湿性は実施例1及び2と同等
であった。実施例 4 表面相度が60△で37肋角、厚さが0.5柳のフェラ
イト基板上にSi02と川203とを重量比で1:1の
絶縁層をスパッタ一により厚さ0.2仏肌に形成した。
その絶縁層の表面に高さ1.5りの、移動度28000
の/V.secのlnSbの多結晶薄膜を基板を加熱し
ながら真空蒸着した。次にコダック社製マイクロフオト
レジスト752を使用し、通常行なわれている方法でl
nSb薄膜の表面にフオトレジスト被膜を形成した。
の/V.secのlnSbの多結晶薄膜を基板を加熱し
ながら真空蒸着した。次にコダック社製マイクロフオト
レジスト752を使用し、通常行なわれている方法でl
nSb薄膜の表面にフオトレジスト被膜を形成した。
その後室町化学製の無電綾〆ッキ液MK−400を使用
し、液温2800、3び分間無電解〆ツキを行い、銅を
厚さ1.0山で所要の部分のみに付着させ、オーミック
接触電極用の金属層及びラスタパタ−ン状のショートバ
ー電極を形成した。その無電解〆ッキ液をかえて、更に
銅の厚付けを行うため、シツプレ一社の無電解〆ッキ液
、CP−802を用い、液温50ooで30分間メッキ
を行い、更に2.0山の銅を付着せしめた。こうして2
段のパターンメッキ法の工程を終えたあと、上記のメッ
キ用のフオトレジストをトリクレンで除去した。次に上
記のフオトレジストを再度用い、フオトリソグラフィ−
の手法により不要なlnSb及び一部の不要な銅を塩化
第2鉄の塩酸酸性水溶液で、エッチング除去し、第6図
に示すような磁気抵抗素子の感磁部及び3つの電極部を
形成した。
し、液温2800、3び分間無電解〆ツキを行い、銅を
厚さ1.0山で所要の部分のみに付着させ、オーミック
接触電極用の金属層及びラスタパタ−ン状のショートバ
ー電極を形成した。その無電解〆ッキ液をかえて、更に
銅の厚付けを行うため、シツプレ一社の無電解〆ッキ液
、CP−802を用い、液温50ooで30分間メッキ
を行い、更に2.0山の銅を付着せしめた。こうして2
段のパターンメッキ法の工程を終えたあと、上記のメッ
キ用のフオトレジストをトリクレンで除去した。次に上
記のフオトレジストを再度用い、フオトリソグラフィ−
の手法により不要なlnSb及び一部の不要な銅を塩化
第2鉄の塩酸酸性水溶液で、エッチング除去し、第6図
に示すような磁気抵抗素子の感磁部及び3つの電極部を
形成した。
なお、第6図においてlnSbの半導体薄膜2上にラス
夕状のショートバー電極16が形成されて磁気抵抗素子
感磁部17及び18が形成され、これら感磁部17,1
8の各一端は接続用電極19で連結され、各他端及び接
続用電極19に電極3a,3b及び3cが形成される。
ショートバー電極16の幅は20仏の、隣接ショートバ
ー電極16間の半導体薄膜2の幅は40り凧である。ラ
スタパターン状の磁気抵抗素子の感磁部17,18の電
極方向の幅は400ムmであって、1個の感磁部の素子
抵抗値は5000に設計されており、設計上は電極3a
及び3c間、電極3b及び3c間の磁気抵抗素子の抵抗
値は同一である。電極3a〜3c,16及び19は同時
に形成された。このように、所望の部分に無電解〆ッキ
によりオーム性接触の電極が形成される。次の工程では
、上記フオトレジストを使用し、フオトリソグラフィの
手法により磁気抵抗素子の電極部3a〜3cのみを残し
てその他の部分にレジストの被膜を形成したのち、溶融
ハンダ槽につけることにより、電極部のみにハンダをつ
けた。
夕状のショートバー電極16が形成されて磁気抵抗素子
感磁部17及び18が形成され、これら感磁部17,1
8の各一端は接続用電極19で連結され、各他端及び接
続用電極19に電極3a,3b及び3cが形成される。
ショートバー電極16の幅は20仏の、隣接ショートバ
ー電極16間の半導体薄膜2の幅は40り凧である。ラ
スタパターン状の磁気抵抗素子の感磁部17,18の電
極方向の幅は400ムmであって、1個の感磁部の素子
抵抗値は5000に設計されており、設計上は電極3a
及び3c間、電極3b及び3c間の磁気抵抗素子の抵抗
値は同一である。電極3a〜3c,16及び19は同時
に形成された。このように、所望の部分に無電解〆ッキ
によりオーム性接触の電極が形成される。次の工程では
、上記フオトレジストを使用し、フオトリソグラフィの
手法により磁気抵抗素子の電極部3a〜3cのみを残し
てその他の部分にレジストの被膜を形成したのち、溶融
ハンダ槽につけることにより、電極部のみにハンダをつ
けた。
ついでそのレジストを除去し、このようにして第6図に
示した磁気抵抗素子チップを一辺が37側角のフェライ
トウェーハ−上に約300個形成した。このウエーハー
をダイシングカツターにかけ、1.8職×2.仇奴の長
方形の磁気抵抗素子チップに切断した。次に3個の外部
接続用の電極3a〜3cに3本のりード線をハング付け
し、高さ1.0柳、大きさが2.4側×2.9帆のェポ
キシ樹脂の箱に入れ、日本ベルノックス社製のモールド
用ェポキシ樹脂ME−264でモールドしてこの発明の
磁電変換素子である片側に3本のりード線が出た磁気抵
抗効果素子を得た。このようにして製作した磁気抵抗素
子の抵抗値の不平衡、即ち、1べレット上の2個の磁気
抵抗素子の抵抗値のずれの平均値は次の如くであった。
示した磁気抵抗素子チップを一辺が37側角のフェライ
トウェーハ−上に約300個形成した。このウエーハー
をダイシングカツターにかけ、1.8職×2.仇奴の長
方形の磁気抵抗素子チップに切断した。次に3個の外部
接続用の電極3a〜3cに3本のりード線をハング付け
し、高さ1.0柳、大きさが2.4側×2.9帆のェポ
キシ樹脂の箱に入れ、日本ベルノックス社製のモールド
用ェポキシ樹脂ME−264でモールドしてこの発明の
磁電変換素子である片側に3本のりード線が出た磁気抵
抗効果素子を得た。このようにして製作した磁気抵抗素
子の抵抗値の不平衡、即ち、1べレット上の2個の磁気
抵抗素子の抵抗値のずれの平均値は次の如くであった。
表 3.
△Rは2個の1チップ上の磁気抵抗素子の無磁界時の抵
抗値のずれ、設計抵抗値は5000である。
抗値のずれ、設計抵抗値は5000である。
このようにこの発明の磁気抵抗効果素子では、極めて良
好な結果が得られた。
好な結果が得られた。
従ってl△RIが3%以下が要求される無接触ポテンシ
オメーター等に使うときの歩蟹は従来のものに比して非
常によい。また耐湿度特性は実施例1、2、3と同様で
あった。即ち「 この発明の磁気抵抗効果素子は耐縦性
の向上が著しいことがわかった。
オメーター等に使うときの歩蟹は従来のものに比して非
常によい。また耐湿度特性は実施例1、2、3と同様で
あった。即ち「 この発明の磁気抵抗効果素子は耐縦性
の向上が著しいことがわかった。
従来法によって製作した素子は60午○、95%の相対
湿度中の放置テストで、20加時間の寿命であったが、
この発明の素子は120独特間の寿命を有することがわ
かった。このときの判断基準は土10%以下の電気特性
の変動範囲をこえた磁気抵抗効果素子は不良との判断基
準にもとずし・て寿命を決めた。こうして製作した磁気
抵抗効果素子の感度は、抵抗変化率で示すと、初期値の
55%の抵抗変化が雛.Gの磁束密度の磁界を加えて得
られた。
湿度中の放置テストで、20加時間の寿命であったが、
この発明の素子は120独特間の寿命を有することがわ
かった。このときの判断基準は土10%以下の電気特性
の変動範囲をこえた磁気抵抗効果素子は不良との判断基
準にもとずし・て寿命を決めた。こうして製作した磁気
抵抗効果素子の感度は、抵抗変化率で示すと、初期値の
55%の抵抗変化が雛.Gの磁束密度の磁界を加えて得
られた。
第1図はこの発明の磁電変換素子をホール素子に適用し
た例を示す平面図、第2図はそのAA線断面図、第3図
はこの発明の磁電変換素子をホ−ル素子に適用した他の
例を示す第2図と対応した断面図、第4図はこの本発明
の素子に用いられる基板の表面の粗度の例を示す曲線図
、第5図は基板の表面組度とその上に真空蒸着によって
形成された半導体薄膜の移動度と関係を示す曲線図、第
6図はこの発明の滋露変換素子を磁気抵抗効果素子に適
用した例を示す平面図である。 1:基板、2:半導体薄膜、3a〜3d:電極、4a〜
4d:リード線、5a〜5d:ハンダ、6:保護膜、8
:モールド樹脂、11:基板本体、12:絶縁層。 オー図 氷2図 ネ3図 *A図 氷5図 汁6図
た例を示す平面図、第2図はそのAA線断面図、第3図
はこの発明の磁電変換素子をホ−ル素子に適用した他の
例を示す第2図と対応した断面図、第4図はこの本発明
の素子に用いられる基板の表面の粗度の例を示す曲線図
、第5図は基板の表面組度とその上に真空蒸着によって
形成された半導体薄膜の移動度と関係を示す曲線図、第
6図はこの発明の滋露変換素子を磁気抵抗効果素子に適
用した例を示す平面図である。 1:基板、2:半導体薄膜、3a〜3d:電極、4a〜
4d:リード線、5a〜5d:ハンダ、6:保護膜、8
:モールド樹脂、11:基板本体、12:絶縁層。 オー図 氷2図 ネ3図 *A図 氷5図 汁6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 表面の粗度が200Å以下であり、かつ少くとも表
面が絶縁性の基板と、その基板の表面に直接密着形成さ
れた厚さ0.5〜30μmの高移動度化合物半導体薄膜
と、その半導体薄膜上に形成されたオーミツク接触電極
とを具備する磁電変換素子。 2 上記基板は基板本体と、その基板本体の表面に形成
された厚さが0.03〜0.5μmの範囲の絶縁層とよ
り成り、その絶縁層の表面の粗度は200Å以下とされ
ている特許請求の範囲第1項記載の磁電変換素子。 3 上記基板は表面の粗度が200Å以下の絶縁体であ
る特許請求の範囲第1項記載の磁電変換素子。 4 表面の粗度が200Å以下であり、かつ少くとも表
面が絶縁性の基板上に、蒸着により厚さ0.5〜3.0
μmの高移動度の化合物半導体薄膜を被着する工程と、
その被着された半導体薄膜上に厚さが0.5μm以上の
導電性金属層をオーミツク接触する状態で形成する工程
と、上記半導体薄膜をエツチングする工程とを少くとも
含む磁電変換素子の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55070991A JPS6040198B2 (ja) | 1980-05-28 | 1980-05-28 | 磁電変換素子及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55070991A JPS6040198B2 (ja) | 1980-05-28 | 1980-05-28 | 磁電変換素子及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56167378A JPS56167378A (en) | 1981-12-23 |
JPS6040198B2 true JPS6040198B2 (ja) | 1985-09-10 |
Family
ID=13447511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55070991A Expired JPS6040198B2 (ja) | 1980-05-28 | 1980-05-28 | 磁電変換素子及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6040198B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62131589A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-13 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 強磁性体磁気抵抗素子の製造法 |
JPH0258880A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体磁気抵抗素子 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4960485A (ja) * | 1972-10-12 | 1974-06-12 | ||
JPS54146983A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of hall element |
JPS5526637A (en) * | 1978-08-16 | 1980-02-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacturing of semiconductor device |
-
1980
- 1980-05-28 JP JP55070991A patent/JPS6040198B2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4960485A (ja) * | 1972-10-12 | 1974-06-12 | ||
JPS54146983A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of hall element |
JPS5526637A (en) * | 1978-08-16 | 1980-02-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacturing of semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56167378A (en) | 1981-12-23 |
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