JPH05218528A - 磁電変換素子 - Google Patents
磁電変換素子Info
- Publication number
- JPH05218528A JPH05218528A JP4020921A JP2092192A JPH05218528A JP H05218528 A JPH05218528 A JP H05218528A JP 4020921 A JP4020921 A JP 4020921A JP 2092192 A JP2092192 A JP 2092192A JP H05218528 A JPH05218528 A JP H05218528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- semiconductor thin
- conversion element
- substrate
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 14
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 表面がガラス被覆処理された基板上に磁伝変
換素子の感磁薄膜となる半導体薄膜を直接形成した場合
に、その結晶構造の大きな違いに起因して高い電子移動
度を持つ良好な特性の半導体薄膜を得ることが難しいと
いう問題を解決し、高い電子移動度を持つ良好な特性の
半導体薄膜を得る。 【構成】 基板１のガラス被覆面２上に、中間層として
感磁薄膜となる半導体４と同じ結晶構造を有する高抵抗
半導体薄膜３を形成する。 【効果】 本発明の磁電変換素子及びその製造方法によ
れば、ガラス被覆処理した基板表面上に良好な結晶性の
半導体薄膜を容易に形成することができる。
換素子の感磁薄膜となる半導体薄膜を直接形成した場合
に、その結晶構造の大きな違いに起因して高い電子移動
度を持つ良好な特性の半導体薄膜を得ることが難しいと
いう問題を解決し、高い電子移動度を持つ良好な特性の
半導体薄膜を得る。 【構成】 基板１のガラス被覆面２上に、中間層として
感磁薄膜となる半導体４と同じ結晶構造を有する高抵抗
半導体薄膜３を形成する。 【効果】 本発明の磁電変換素子及びその製造方法によ
れば、ガラス被覆処理した基板表面上に良好な結晶性の
半導体薄膜を容易に形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁電変換素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】高感度の要求されるホール素子、磁気抵
抗素子等の磁電変換素子の感磁薄膜としては、高い電子
移動度が必要とされることから、Ｉｎx Ｇａ1ーx Ａｓy
Ｓｂ1ー y 薄膜（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）等の半導体薄
膜が広く用いられている。又、高感度の磁電変換素子を
実現するために、従来より図２、図３のように強磁性材
料の基板とチップにより感磁薄膜を挟むことで磁気集束
効果を狙ったサンドイッチ構造を用いることも広く行わ
れていた。この場合に用いられる強磁性材料の基板とし
てはフェライト基板等が用いられているが、フェライト
基板は表面粗度が大きく、磁電変換素子の素子化プロセ
スに適当でないことから、一般には図２のようにフェラ
イト基板表面をガラスグレーズ等の処理により平滑化し
た上で感磁薄膜を形成する方法や、図３のように、予
め、マイカ等の上に形成した感磁薄膜を接着剤を用いて
フェライト基板上に転写する方法等が行われていた。し
かし、第１の方法では半導体薄膜をガラス被覆面に直接
形成するために、その結晶構造の大きな違いに起因して
高い電子移動度を持つ良好な特性の半導体薄膜を得るこ
とが難しいという問題を持っていることから、最近、Ｃ
ａＦ2 等の半導体薄膜に悪影響を与えることの少ない弱
結合界面を持つ物質を中間層として用いることで改善し
ようとする試み等がなされているが、良好な結晶性のＣ
ａＦ2 等を低コストで再現性良くガラス被覆面に形成す
ることが難しく、未だ、量産技術として完成するには至
っていない。又、第２の方法では弱結合界面を持つ層状
物質であるマイカ等の上に良好な特性の感磁薄膜を形成
することは可能であり、これを接着剤を用いてフェライ
ト基板上に転写することもできるが、工程が複雑となる
こと、接着剤の存在により耐熱性において接着樹脂のガ
ラス転移点の制約を受ける等の問題を持っていた。
抗素子等の磁電変換素子の感磁薄膜としては、高い電子
移動度が必要とされることから、Ｉｎx Ｇａ1ーx Ａｓy
Ｓｂ1ー y 薄膜（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）等の半導体薄
膜が広く用いられている。又、高感度の磁電変換素子を
実現するために、従来より図２、図３のように強磁性材
料の基板とチップにより感磁薄膜を挟むことで磁気集束
効果を狙ったサンドイッチ構造を用いることも広く行わ
れていた。この場合に用いられる強磁性材料の基板とし
てはフェライト基板等が用いられているが、フェライト
基板は表面粗度が大きく、磁電変換素子の素子化プロセ
スに適当でないことから、一般には図２のようにフェラ
イト基板表面をガラスグレーズ等の処理により平滑化し
た上で感磁薄膜を形成する方法や、図３のように、予
め、マイカ等の上に形成した感磁薄膜を接着剤を用いて
フェライト基板上に転写する方法等が行われていた。し
かし、第１の方法では半導体薄膜をガラス被覆面に直接
形成するために、その結晶構造の大きな違いに起因して
高い電子移動度を持つ良好な特性の半導体薄膜を得るこ
とが難しいという問題を持っていることから、最近、Ｃ
ａＦ2 等の半導体薄膜に悪影響を与えることの少ない弱
結合界面を持つ物質を中間層として用いることで改善し
ようとする試み等がなされているが、良好な結晶性のＣ
ａＦ2 等を低コストで再現性良くガラス被覆面に形成す
ることが難しく、未だ、量産技術として完成するには至
っていない。又、第２の方法では弱結合界面を持つ層状
物質であるマイカ等の上に良好な特性の感磁薄膜を形成
することは可能であり、これを接着剤を用いてフェライ
ト基板上に転写することもできるが、工程が複雑となる
こと、接着剤の存在により耐熱性において接着樹脂のガ
ラス転移点の制約を受ける等の問題を持っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来の問題点
等を解決し、高感度で、かつ、耐熱性の優れた信頼性の
高い磁電変換素子及びその製造方法を提供することにあ
る。
等を解決し、高感度で、かつ、耐熱性の優れた信頼性の
高い磁電変換素子及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の磁電変換素子
は、表面がガラス被覆処理された基板上に高抵抗半導体
薄膜が形成され、かつ該高抵抗半導体薄膜上に形成され
た半導体薄膜を感磁薄膜としたことを特徴とする。本発
明の磁電変換素子の構造をホール素子を例として示した
ものを図１に示す。
は、表面がガラス被覆処理された基板上に高抵抗半導体
薄膜が形成され、かつ該高抵抗半導体薄膜上に形成され
た半導体薄膜を感磁薄膜としたことを特徴とする。本発
明の磁電変換素子の構造をホール素子を例として示した
ものを図１に示す。
【０００５】本発明の磁電変換素子は感磁薄膜として用
いられる高い電子移動度を持つ半導体薄膜を得る目的
で、直接基板のガラス表面上に半導体薄膜を形成するの
ではなく、予め感磁薄膜と同一の結晶構造を持ち、か
つ、感磁薄膜に比べて無視できる程度に十分に高抵抗の
半導体薄膜を中間層として形成することで、高い電子移
動度を持つ半導体薄膜を得ることを実現するものであ
る。
いられる高い電子移動度を持つ半導体薄膜を得る目的
で、直接基板のガラス表面上に半導体薄膜を形成するの
ではなく、予め感磁薄膜と同一の結晶構造を持ち、か
つ、感磁薄膜に比べて無視できる程度に十分に高抵抗の
半導体薄膜を中間層として形成することで、高い電子移
動度を持つ半導体薄膜を得ることを実現するものであ
る。
【０００６】即ち、本発明においては半導体薄膜をガラ
ス被覆面に直接形成した場合に、その結晶構造の大きな
違いに起因して高い電子移動度を持つ良好な特性の半導
体薄膜を得ることが難しいという問題を解決するため
に、感磁薄膜である半導体薄膜と基板との間の成長界面
を半導体薄膜−ガラスとするのでなく、高い電子移動度
を持つ良好な特性の半導体薄膜を得ることが容易な感磁
薄膜と同一の結晶構造を持ち、かつ、電気的には無視す
ることができる高抵抗の半導体薄膜との界面、即ち、半
導体薄膜−半導体薄膜としたものである。
ス被覆面に直接形成した場合に、その結晶構造の大きな
違いに起因して高い電子移動度を持つ良好な特性の半導
体薄膜を得ることが難しいという問題を解決するため
に、感磁薄膜である半導体薄膜と基板との間の成長界面
を半導体薄膜−ガラスとするのでなく、高い電子移動度
を持つ良好な特性の半導体薄膜を得ることが容易な感磁
薄膜と同一の結晶構造を持ち、かつ、電気的には無視す
ることができる高抵抗の半導体薄膜との界面、即ち、半
導体薄膜−半導体薄膜としたものである。
【０００７】本発明の磁電変換素子で感磁薄膜として用
いられる半導体薄膜としては、感磁薄膜として使用可能
な高い電子移動度を持つ半導体薄膜であれば何でも良い
が、一般に磁電変換素子の感磁薄膜として広く用いられ
ているＩｎx Ｇａ1ーx ＡｓyＳｂ1ーy 薄膜（０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１）は良く用いられ、その中でも特にＩｎ
Ｓｂ、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ等の薄膜は好ましく用いられ
る。更に、これらの感磁薄膜が形成される高抵抗半導体
薄膜としては、感磁薄膜と同一の結晶構造を持ち、か
つ、感磁薄膜に比べて無視できる程度に十分に高抵抗の
半導体薄膜であれば何でも良いが、バンドギャップが広
く、結晶性が完全でない場合には容易に高抵抗となるＧ
ａＡｓ、ＩｎＰ等の薄膜は良く用いられ、その中でも特
に半絶縁性ＧａＡｓ薄膜は好ましく用いられる。
いられる半導体薄膜としては、感磁薄膜として使用可能
な高い電子移動度を持つ半導体薄膜であれば何でも良い
が、一般に磁電変換素子の感磁薄膜として広く用いられ
ているＩｎx Ｇａ1ーx ＡｓyＳｂ1ーy 薄膜（０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１）は良く用いられ、その中でも特にＩｎ
Ｓｂ、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ等の薄膜は好ましく用いられ
る。更に、これらの感磁薄膜が形成される高抵抗半導体
薄膜としては、感磁薄膜と同一の結晶構造を持ち、か
つ、感磁薄膜に比べて無視できる程度に十分に高抵抗の
半導体薄膜であれば何でも良いが、バンドギャップが広
く、結晶性が完全でない場合には容易に高抵抗となるＧ
ａＡｓ、ＩｎＰ等の薄膜は良く用いられ、その中でも特
に半絶縁性ＧａＡｓ薄膜は好ましく用いられる。
【０００８】又、本発明において用いられる表面がガラ
ス被覆処理された基板としては、フェライト基板表面を
ガラスグレーズ等の処理により平滑化したものが良く用
いられる。次に本発明の製造方法について説明する。本
発明の磁電変換素子の製造方法は表面がガラス被覆処理
された基板上に半絶縁性ＧａＡｓ薄膜を形成する工程と
前記半絶縁性ＧａＡｓ薄膜上にＩｎx Ｇａ1ー x Ａｓy Ｓ
ｂ1ーy 薄膜（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を形成する工程
を含むことを特徴とする。
ス被覆処理された基板としては、フェライト基板表面を
ガラスグレーズ等の処理により平滑化したものが良く用
いられる。次に本発明の製造方法について説明する。本
発明の磁電変換素子の製造方法は表面がガラス被覆処理
された基板上に半絶縁性ＧａＡｓ薄膜を形成する工程と
前記半絶縁性ＧａＡｓ薄膜上にＩｎx Ｇａ1ー x Ａｓy Ｓ
ｂ1ーy 薄膜（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を形成する工程
を含むことを特徴とする。
【０００９】本発明の製造方法において表面がガラス被
覆処理された基板上に半絶縁性ＧａＡｓ薄膜を形成する
工程は、半絶縁性とみなせる程度に十分に高抵抗の薄膜
が得られる形成方法であれば何でも良いが、真空蒸着
法、スパッター蒸着法等は好ましく用いられる。又、本
発明の製造方法において半絶縁性ＧａＡｓ薄膜上にＩｎ
x Ｇａ1ーx Ａｓ y Ｓｂ1ーy 薄膜（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１）を形成する工程は、高い電子移動度を持つ結晶性の
良好な薄膜が得られる形成方法であれば何でも良く、真
空蒸着法、分子線エピタシキー法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶ
Ｄ法、スパッター蒸着法等は好ましく用いられる。
覆処理された基板上に半絶縁性ＧａＡｓ薄膜を形成する
工程は、半絶縁性とみなせる程度に十分に高抵抗の薄膜
が得られる形成方法であれば何でも良いが、真空蒸着
法、スパッター蒸着法等は好ましく用いられる。又、本
発明の製造方法において半絶縁性ＧａＡｓ薄膜上にＩｎ
x Ｇａ1ーx Ａｓ y Ｓｂ1ーy 薄膜（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１）を形成する工程は、高い電子移動度を持つ結晶性の
良好な薄膜が得られる形成方法であれば何でも良く、真
空蒸着法、分子線エピタシキー法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶ
Ｄ法、スパッター蒸着法等は好ましく用いられる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の製造方法の１例について実施
例を用いて説明する。
例を用いて説明する。
【００１１】
【実施例１】基板サイズ５０ｍｍ角、厚さ０．３ｍｍの
Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板の表面にガラスグレーズ処理
を行い、膜厚１５μｍのガラス被覆層を形成した。次
に、ＲＦマグネトロンスパッター装置を用いて、基板温
度３００℃、スパッター時Ａｒガス圧３×１０-2Ｔｏｒ
ｒの成膜条件にて膜厚２０００Åの半絶縁性のＧａＡｓ
薄膜を形成した。更に、抵抗ボート加熱の真空蒸着装置
を用いて基板温度４００℃、蒸着時の真空度５×１０-5
Ｔｏｒｒの成膜条件にて１時間のＩｎＳｂ蒸着を行っ
た。続いて、ＩｎＳｂ薄膜の特性評価を行ったところ、
厚さ１μｍ、シート抵抗１４５Ω、電子移動度２８００
０ｃｍ2 ／Ｖｓの結果が得られた。基板のガラス表面上
に同一の蒸着条件を用いて、直接ＩｎＳｂ薄膜を形成し
たサンプルと比較した結果を表１に示す。中間層である
半絶縁性のＧａＡｓ薄膜の存在により、４倍以上の電子
移動度の改善が認められた。次に得られたＩｎＳｂ薄膜
上で、フォトリソグラフィー技術を用いて電極形成、パ
ターンエッチングを行ない、多数のホール素子パターン
を作製した。これをダイシングにより個別のホール素子
に分離した上で、リードフレームのアイランド上にダイ
ボンドを行い、続いて、ホール素子上面に磁気集束用の
フェライトのチップをのせた上で、ワイヤボンド、モー
ルド、タイバーカットを行うことで、図１に示すような
構造のホール素子を作製した。作製したホール素子の特
性を表１と同様に、ガラス表面上に直接ＩｎＳｂ薄膜を
形成したサンプルと比較した結果を表２に示す。膜特性
を反映して４倍以上の出力電圧が得られた。
Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板の表面にガラスグレーズ処理
を行い、膜厚１５μｍのガラス被覆層を形成した。次
に、ＲＦマグネトロンスパッター装置を用いて、基板温
度３００℃、スパッター時Ａｒガス圧３×１０-2Ｔｏｒ
ｒの成膜条件にて膜厚２０００Åの半絶縁性のＧａＡｓ
薄膜を形成した。更に、抵抗ボート加熱の真空蒸着装置
を用いて基板温度４００℃、蒸着時の真空度５×１０-5
Ｔｏｒｒの成膜条件にて１時間のＩｎＳｂ蒸着を行っ
た。続いて、ＩｎＳｂ薄膜の特性評価を行ったところ、
厚さ１μｍ、シート抵抗１４５Ω、電子移動度２８００
０ｃｍ2 ／Ｖｓの結果が得られた。基板のガラス表面上
に同一の蒸着条件を用いて、直接ＩｎＳｂ薄膜を形成し
たサンプルと比較した結果を表１に示す。中間層である
半絶縁性のＧａＡｓ薄膜の存在により、４倍以上の電子
移動度の改善が認められた。次に得られたＩｎＳｂ薄膜
上で、フォトリソグラフィー技術を用いて電極形成、パ
ターンエッチングを行ない、多数のホール素子パターン
を作製した。これをダイシングにより個別のホール素子
に分離した上で、リードフレームのアイランド上にダイ
ボンドを行い、続いて、ホール素子上面に磁気集束用の
フェライトのチップをのせた上で、ワイヤボンド、モー
ルド、タイバーカットを行うことで、図１に示すような
構造のホール素子を作製した。作製したホール素子の特
性を表１と同様に、ガラス表面上に直接ＩｎＳｂ薄膜を
形成したサンプルと比較した結果を表２に示す。膜特性
を反映して４倍以上の出力電圧が得られた。
【００１２】
【実施例２】基板サイズ５０ｍｍ角、厚さ０．３ｍｍの
Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板の表面にガラスグレーズ処理
を行い、膜厚１５μｍのガラス被覆層を形成した。次
に、ＲＦマグネトロンスパッター装置を用いて、基板温
度３００℃、スパッター時Ａｒガス圧３×１０-2Ｔｏｒ
ｒの成膜条件にて膜厚２０００Åの半絶縁性のＧａＡｓ
薄膜を形成した。更に、抵抗ボート加熱の真空蒸着装置
を用いて基板温度４００℃、蒸着時の真空度３×１０-5
Ｔｏｒｒの成膜条件にて１時間のＩｎＡｓ蒸着を行っ
た。続いて、ＩｎＡｓ薄膜の特性評価を行ったところ、
厚さ１μｍ、シート抵抗１６５Ω、電子移動度７０００
ｃｍ2 ／Ｖｓの結果が得られた。基板のガラス表面上に
同一の蒸着条件を用いて、直接ＩｎＡｓ薄膜を形成した
サンプルと比較した結果を表３に示す。中間層である半
絶縁性のＧａＡｓ薄膜の存在により、２倍程度の電子移
動度の改善が認められた。次に得られたＩｎＡｓ薄膜上
で、フォトリソグラフィー技術を用いて電極形成、パタ
ーンエッチングを行ない、多数のホール素子パターンを
作製した。これをダイシングにより個別のホール素子に
分離した上で、リードフレームのアイランド上にダイボ
ンドを行い、続いて、ホール素子上面に磁気集束用のフ
ェライトのチップをのせた上で、ワイヤボンド、モール
ド、タイバーカットを行うことで、図１に示すような構
造のホール素子を作製した。作製したホール素子の特性
を表３と同様に、ガラス表面上に直接ＩｎＡｓ薄膜を形
成したサンプルと比較した結果を表４に示す。膜特性を
反映して２倍程度の出力電圧が得られた。
Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板の表面にガラスグレーズ処理
を行い、膜厚１５μｍのガラス被覆層を形成した。次
に、ＲＦマグネトロンスパッター装置を用いて、基板温
度３００℃、スパッター時Ａｒガス圧３×１０-2Ｔｏｒ
ｒの成膜条件にて膜厚２０００Åの半絶縁性のＧａＡｓ
薄膜を形成した。更に、抵抗ボート加熱の真空蒸着装置
を用いて基板温度４００℃、蒸着時の真空度３×１０-5
Ｔｏｒｒの成膜条件にて１時間のＩｎＡｓ蒸着を行っ
た。続いて、ＩｎＡｓ薄膜の特性評価を行ったところ、
厚さ１μｍ、シート抵抗１６５Ω、電子移動度７０００
ｃｍ2 ／Ｖｓの結果が得られた。基板のガラス表面上に
同一の蒸着条件を用いて、直接ＩｎＡｓ薄膜を形成した
サンプルと比較した結果を表３に示す。中間層である半
絶縁性のＧａＡｓ薄膜の存在により、２倍程度の電子移
動度の改善が認められた。次に得られたＩｎＡｓ薄膜上
で、フォトリソグラフィー技術を用いて電極形成、パタ
ーンエッチングを行ない、多数のホール素子パターンを
作製した。これをダイシングにより個別のホール素子に
分離した上で、リードフレームのアイランド上にダイボ
ンドを行い、続いて、ホール素子上面に磁気集束用のフ
ェライトのチップをのせた上で、ワイヤボンド、モール
ド、タイバーカットを行うことで、図１に示すような構
造のホール素子を作製した。作製したホール素子の特性
を表３と同様に、ガラス表面上に直接ＩｎＡｓ薄膜を形
成したサンプルと比較した結果を表４に示す。膜特性を
反映して２倍程度の出力電圧が得られた。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】
【表３】
【００１６】
【表４】
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁電変換
素子及びその製造方法によれば、ガラス被覆処理したフ
ェライト等の基板表面上に磁電変換素子の感磁部として
適した高い電子移動度を持つ良好な結晶性の半導体薄膜
を容易に形成することができることから、高感度で、か
つ、耐熱性の優れた信頼性の高い磁電変換素子を提供す
ることができる。
素子及びその製造方法によれば、ガラス被覆処理したフ
ェライト等の基板表面上に磁電変換素子の感磁部として
適した高い電子移動度を持つ良好な結晶性の半導体薄膜
を容易に形成することができることから、高感度で、か
つ、耐熱性の優れた信頼性の高い磁電変換素子を提供す
ることができる。
【図１】本発明の磁電変換素子の構造をホール素子を例
として示した図。
として示した図。
【図２】従来の磁電変換素子の構造をホール素子を例と
して示した図。
して示した図。
【図３】従来の磁電変換素子の別の構造をホール素子を
例として示した図。
例として示した図。
１ 基板（フェライト基板） ２ ガラス被覆層 ３ 高抵抗半導体薄膜（半絶縁性ＧａＡｓ薄膜） ４ 感磁半導体薄膜（Ｉｎx Ｇａ1ーx Ａｓy Ｓｂ1ーy
薄膜） ５ 電極 ６ フェライトチップ ７ ボンディングワイヤ ８ リード ９ モールド樹脂 １０ 接着剤
薄膜） ５ 電極 ６ フェライトチップ ７ ボンディングワイヤ ８ リード ９ モールド樹脂 １０ 接着剤
Claims (1)
- 【請求項１】 表面がガラス被覆処理された基板上に高
抵抗半導体薄膜が形成され、かつ該高抵抗半導体薄膜上
に形成された半導体薄膜を感磁薄膜としたことを特徴と
する磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02092192A JP3264962B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 磁電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02092192A JP3264962B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 磁電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218528A true JPH05218528A (ja) | 1993-08-27 |
| JP3264962B2 JP3264962B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=12040691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02092192A Expired - Lifetime JP3264962B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 磁電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3264962B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0779031A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Showa Denko Kk | 磁電変換素子 |
| JPH07111347A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Showa Denko Kk | ホール素子 |
| JP2007093468A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 電子部品 |
-
1992
- 1992-02-06 JP JP02092192A patent/JP3264962B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0779031A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Showa Denko Kk | 磁電変換素子 |
| JPH07111347A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Showa Denko Kk | ホール素子 |
| JP2007093468A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3264962B2 (ja) | 2002-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3047656B2 (ja) | ＩｎＳｂ薄膜の製造方法 | |
| US5198795A (en) | Magnetoelectric transducer and process for producing the same | |
| US4584552A (en) | Hall element with improved composite substrate | |
| JPS5948970A (ja) | 磁電変換素子 | |
| JP5048033B2 (ja) | 半導体薄膜素子の製造方法 | |
| JPH05218528A (ja) | 磁電変換素子 | |
| KR20050113196A (ko) | 반도체 센서 및 그 제조 방법 | |
| JP2000138403A (ja) | 薄膜磁気センサ― | |
| CN208000937U (zh) | 一种磁阻传感器 | |
| JPH02170584A (ja) | 磁電変換素子およびその製造方法 | |
| JPH0419699B2 (ja) | ||
| JPH08204250A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58175833A (ja) | 化合物半導体薄膜構造体の製造法 | |
| JPH03106085A (ja) | 磁電変換素子 | |
| JPS6029914A (ja) | 薄膜ヘツド | |
| JPS59111321A (ja) | 化合物半導体薄膜構造体及びその製造方法 | |
| JP3551134B2 (ja) | 磁気トンネル効果素子の製造方法 | |
| JP2566028B2 (ja) | 超伝導素子の製造加工方法 | |
| JP2569623B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH09148652A (ja) | 磁電変換素子及びその製造方法 | |
| JPS6246559A (ja) | 撮像デバイス用電極の製造方法 | |
| JP2000277830A (ja) | 半導体薄膜素子 | |
| JPH02226778A (ja) | ホール素子とその製造方法 | |
| KR19980082233A (ko) | 고감도 홀소자용 InSb박막의 제조방법 | |
| JPS60143681A (ja) | 磁電変換素子の製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010710 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011218 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081228 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081228 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091228 Year of fee payment: 8 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091228 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 11 |