JP5048033B2 - 半導体薄膜素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の方法で製造される半導体薄膜素子は、より詳しくは、動作層の組成がInxGa1-xAsySb1-y(0≦x≦1,0≦y≦1)からなることを特徴とする。
半絶縁性のGaAs基板の上に、MBE法を用いて1ミクロンの厚さのInSbの成長を行った。ドーパントとしてSiを用い、InSbの層に均一にドーピングを行った。基板の温度は410°C、SiのKセルの温度は1110°Cであった。成長レートは1ミクロン/時間で行い、60分間成膜した。
2 InxGa1-xAsySb1-y 薄膜(動作層)
3 GaAsySb1-y等の半導体絶縁層(バッファ層)
4 金属(配線部)
5 ドープされたSn原子
6 ドープされたSn原子(変調ドープ)
7 InAs薄膜(動作層1)
8 InSb薄膜(動作層2)
10 金属(ショートバー電極)
11 保護膜
13 GaAsySb1-y等の半導体絶縁層(中間層)
21 フェライト基板
22 チップ接着層
23 金ワイヤー
24 フェライト
25 接着層
Claims (2)
- 基板上に直接的にまたは有機物接着層もしくはバッファ層を介して間接的に積層されたInSb膜からなる化合物半導体薄膜層を動作層とし、該動作層中にドーパントとしてSnを含む半導体薄膜素子の製造方法であって、
前記動作層およびIII−V族化合物半導体層の各層を分子線エピタキシー法(MBE法)により形成する際に、前記Snを基板温度380℃ないし440℃の範囲、SnのKセル温度500℃以上かつ1000℃以下の範囲でドーピングすることを特徴とする半導体薄膜素子の製造方法。 - 前記Snのドーピング際の基板温度が410℃ないし440℃の範囲であり、SnのKセル温度が700℃ないし800℃の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の半導体薄膜素子の製造方法。
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