JPH02170584A - 磁電変換素子およびその製造方法 - Google Patents
磁電変換素子およびその製造方法Info
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- JPH02170584A JPH02170584A JP63323678A JP32367888A JPH02170584A JP H02170584 A JPH02170584 A JP H02170584A JP 63323678 A JP63323678 A JP 63323678A JP 32367888 A JP32367888 A JP 32367888A JP H02170584 A JPH02170584 A JP H02170584A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁電変換素子に関し、特に素子の薄型化を計る
と同時にリードの強度を向上させた磁電変換素子に関す
るものである。
と同時にリードの強度を向上させた磁電変換素子に関す
るものである。
［従来の技術］
磁電変換素子としては、一般に言うイオン注入法により
感磁部を形成したホール素子、エピタキシャル成長法に
より感磁部を形成したホール素子、蒸着法により感磁部
を形成したホール素子、電気抵抗が磁界によって変化す
る磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子、磁気トランジ
スタ等のように一般に磁気信号を人力し、電気信号の出
力を取り出す素子が知られている。
感磁部を形成したホール素子、エピタキシャル成長法に
より感磁部を形成したホール素子、蒸着法により感磁部
を形成したホール素子、電気抵抗が磁界によって変化す
る磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子、磁気トランジ
スタ等のように一般に磁気信号を人力し、電気信号の出
力を取り出す素子が知られている。
近年、磁電変換素子、なかでもホール素子等はビデオカ
セットレコーダ、カセットテープレコーダ、コンパクト
ディスクプレーヤ等に用いられるブラシレスモータに広
く使用されており、その高感度とともに素子の小型化、
薄型化が要求されている。
セットレコーダ、カセットテープレコーダ、コンパクト
ディスクプレーヤ等に用いられるブラシレスモータに広
く使用されており、その高感度とともに素子の小型化、
薄型化が要求されている。
従来は素子の薄型化を計るために、第７図に示すような
構成の素子に対してホール素子基板の裏面を研磨するこ
とによる薄型化、リードの薄型化、ワイヤボンディング
ループの高さの最適化等の努力がなされている。
構成の素子に対してホール素子基板の裏面を研磨するこ
とによる薄型化、リードの薄型化、ワイヤボンディング
ループの高さの最適化等の努力がなされている。
第７図に示した素子は、リード４０１上に接着剤５を介
して基板１が接合されている。基板１上にはホール素子
感磁部２が形成されており、さらにホール素子感磁部２
上には電極３が形成されている。電極３に接続されたボ
ンディングワイヤ６はリード４０１，４０２に接続され
ている。このような素子全体はモールド用のエポキシ樹
脂７によって封止されている。
して基板１が接合されている。基板１上にはホール素子
感磁部２が形成されており、さらにホール素子感磁部２
上には電極３が形成されている。電極３に接続されたボ
ンディングワイヤ６はリード４０１，４０２に接続され
ている。このような素子全体はモールド用のエポキシ樹
脂７によって封止されている。
悪くなる。さらに、リートを薄くするとリードの強度が
低下し、信頼性上問題があり、素子の薄型化を計ること
が困難であった。
低下し、信頼性上問題があり、素子の薄型化を計ること
が困難であった。
そこで、本発明の目的は上述した問題点を解消し、歩留
まりが良く、信頼性が高く、薄型化しかつ小型化した６
ｎ電変換素子を提供することにある。
まりが良く、信頼性が高く、薄型化しかつ小型化した６
ｎ電変換素子を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
このような目的を達成するために、本発明は、リードに
装着された磁電変換素子において、リードの磁電変換素
子の直下部の厚さをｄ１、直下部以外の厚さをｄ２とし
た時、０≦ｄ、＜ｄ２であることを特徴とする。
装着された磁電変換素子において、リードの磁電変換素
子の直下部の厚さをｄ１、直下部以外の厚さをｄ２とし
た時、０≦ｄ、＜ｄ２であることを特徴とする。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来の方法では、例えば、ホール素子用
の基板１として、ＧａＡｓ等のように脆い材料を用いた
場合、基板１の裏面を研摩すると、基板の脆さのために
割れ等により歩留まりが著しく［作 用］ 本発明によれば、磁電変換素子が装着されるリードの直
下部の厚さが、リードの直下部以外の厚さよりも薄いこ
とから、素子の薄型化および小型化を計ることができる
。
の基板１として、ＧａＡｓ等のように脆い材料を用いた
場合、基板１の裏面を研摩すると、基板の脆さのために
割れ等により歩留まりが著しく［作 用］ 本発明によれば、磁電変換素子が装着されるリードの直
下部の厚さが、リードの直下部以外の厚さよりも薄いこ
とから、素子の薄型化および小型化を計ることができる
。
［実施例コ
以下、図面を参照して本発明の実施例をより詳細に説明
する。
する。
以下の実施例においては、ホール素子を例として説明す
る。
る。
第１図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ本発明のホール
素子の構成を模式的に示す平面図および側面図である。
素子の構成を模式的に示す平面図および側面図である。
第１図においてリード４１０上に接着剤５を介して基板
１が接合されている。基板１上にはホール素子感磁部２
が形成され、さらにホール素子感磁部２上には電極３が
形成されている。電極３からはボンディングワイヤ６が
延びてリード４１０，４１１゜４１２および４１３に接
続している。さらに素子はエポキシ樹脂７により封止さ
れている。
１が接合されている。基板１上にはホール素子感磁部２
が形成され、さらにホール素子感磁部２上には電極３が
形成されている。電極３からはボンディングワイヤ６が
延びてリード４１０，４１１゜４１２および４１３に接
続している。さらに素子はエポキシ樹脂７により封止さ
れている。
ただし、本発明においては、ホール素子が搭載されるア
イランド部は凹形状に加工されているか貫通孔が設けら
れている。そのため、ホール素子が搭載されているアイ
ランド部は厚さは、他のリード４１１，４１２および４
１３の厚さと比較して薄くなっている。
イランド部は凹形状に加工されているか貫通孔が設けら
れている。そのため、ホール素子が搭載されているアイ
ランド部は厚さは、他のリード４１１，４１２および４
１３の厚さと比較して薄くなっている。
ここで、ホール素子直下部のリードのアイランド部の厚
みをｄ３、リードの直下部以外の厚さをｄ２としたとき
、０≦ｄ＋＜ｄ２の範囲にあることが好ましく、特に素
子の薄型化を実現するためには、できるだけｄｌは薄い
ことが望ましく、ｄ、；０であることは特に好ましい。
みをｄ３、リードの直下部以外の厚さをｄ２としたとき
、０≦ｄ＋＜ｄ２の範囲にあることが好ましく、特に素
子の薄型化を実現するためには、できるだけｄｌは薄い
ことが望ましく、ｄ、；０であることは特に好ましい。
この場合、第１図は後述する第６図に示すような構成と
なる。
なる。
リード４１０のアイランド部の形状は、穴、溝等、いず
れの形状でも良いが、ホール素子基板の形にあった矩形
の穴が良く用いられる。
れの形状でも良いが、ホール素子基板の形にあった矩形
の穴が良く用いられる。
リード４１０の凹形状の位置は、凹形状の中心とアイラ
ンド部の中心とが一致することが望ましい。
ンド部の中心とが一致することが望ましい。
リード４１０直下部のアイランド部に加工された凹形状
の大きさはホール素子基板が入る大きさであればよく、
リード４１０のアイランド部全体を薄く加工することも
よく行われる。
の大きさはホール素子基板が入る大きさであればよく、
リード４１０のアイランド部全体を薄く加工することも
よく行われる。
火凰■±
直径５０ｍ＋ｎ、厚さ３００４ｍのノンドープＧａＡｓ
半絶縁付基板に、Ｓビを１５０ｋｅＶの加速電圧で、注
入量５ Ｘ １０１２ｃｍ−２の条件のもとで、イオン
注入した後、アニーリングを行い、引き続いてメサエッ
チングによりホール素子感磁部２を形成し、更に続いて
入出力用オーミック電極３をＡｕ／Ｎｉ／Ａｕ−Ｇｅの
構成で形成することで、ホール素子を作製した。
半絶縁付基板に、Ｓビを１５０ｋｅＶの加速電圧で、注
入量５ Ｘ １０１２ｃｍ−２の条件のもとで、イオン
注入した後、アニーリングを行い、引き続いてメサエッ
チングによりホール素子感磁部２を形成し、更に続いて
入出力用オーミック電極３をＡｕ／Ｎｉ／Ａｕ−Ｇｅの
構成で形成することで、ホール素子を作製した。
その後、ダイシングを行い直径５０ｍｍの基板を切断し
て０．４ｍｍ角の多数の素子を作製した。
て０．４ｍｍ角の多数の素子を作製した。
次に、ホール素子が搭載されるリードのアイランド部が
凹形状に加工されたリードを作製するために、第２図に
示すように厚さｄ ＝ ０．５ｍｍ 、縦、ｅ、＝３０
ｍｍ、横ｕ２＝１５０＋ｎｍの銅板８を用意し、型を用
いて凹形状の中心とアイランド部の中心とが一致するよ
うに打ち抜くことで、第３図（Ａ）および（Ｂ） に示
されるように、アイランド部の大きさＩ１、 ３ ＝
１．２１１１［１１角で、アイランド部のホール素子が
搭載される部分の厚さｄｌ＝４０μｍ１アイランド部の
凹部以外の厚さｄ２＝２００μｍのリード４２０゜４２
１．４２２および４２３を作製した。
凹形状に加工されたリードを作製するために、第２図に
示すように厚さｄ ＝ ０．５ｍｍ 、縦、ｅ、＝３０
ｍｍ、横ｕ２＝１５０＋ｎｍの銅板８を用意し、型を用
いて凹形状の中心とアイランド部の中心とが一致するよ
うに打ち抜くことで、第３図（Ａ）および（Ｂ） に示
されるように、アイランド部の大きさＩ１、 ３ ＝
１．２１１１［１１角で、アイランド部のホール素子が
搭載される部分の厚さｄｌ＝４０μｍ１アイランド部の
凹部以外の厚さｄ２＝２００μｍのリード４２０゜４２
１．４２２および４２３を作製した。
続いて、ダイシングにより得られた個々の素子ベレット
を、作製したり−ト４２０のアイランド部上に、接着剤
５を介して素子ベレットがアイランド部に形成された凹
部に挿入されるように、ダイボンディングした。
を、作製したり−ト４２０のアイランド部上に、接着剤
５を介して素子ベレットがアイランド部に形成された凹
部に挿入されるように、ダイボンディングした。
次に、ワイヤボンディングを行った後に、トランスファ
ーモールド法によりエポキシ樹脂７を用いて封止し、全
体の膜厚が０．７ｍｍの第１図に示した構成のホール素
子を作製した。
ーモールド法によりエポキシ樹脂７を用いて封止し、全
体の膜厚が０．７ｍｍの第１図に示した構成のホール素
子を作製した。
このような素子を作製することにより、薄膜化と小型化
が実現できた。
が実現できた。
実施例２
実施例１と同様の手順で、直径５０＋ｎｍ、厚さ３００
μｍのノンドープＧａＡｓ半絶縁性の基板に、Ｓｉ＋を
１５０ｋｅＶの加速電圧で、注入ｆｆｉ ５ Ｘ １０
１１０ｌ２”の条件のもとで、イオン注入を行なった後
、アニーリングを行い、引き続いてメサエッチングによ
りホール素子感磁部２を形成し、更に続いて、入出力用
のオーミック電極３をＡｕ／Ｎｉ／Ａｕ−Ｇｅの構成で
形成することにより、ホール素子を作製した。
μｍのノンドープＧａＡｓ半絶縁性の基板に、Ｓｉ＋を
１５０ｋｅＶの加速電圧で、注入ｆｆｉ ５ Ｘ １０
１１０ｌ２”の条件のもとで、イオン注入を行なった後
、アニーリングを行い、引き続いてメサエッチングによ
りホール素子感磁部２を形成し、更に続いて、入出力用
のオーミック電極３をＡｕ／Ｎｉ／Ａｕ−Ｇｅの構成で
形成することにより、ホール素子を作製した。
その後、ダイシングを行い直径５０１の基板を切断して
０．４ｍｍ角の多数の素子を作製した。
０．４ｍｍ角の多数の素子を作製した。
次に、第４図のように、ホール素子が挿入されるアイラ
ンド部が穴加工されたリート４３０を作製するために、
実施例１と同様に、第２図に示した厚さ０．５ｍｍ 、
縦３０ｍｍ、横１５０ｍｍの銅板８を用意し、型を用い
てアイランド部の中心に穴があくように打ち抜くことで
アイランド部の大きさ１３＝１．２ｍｍ角であり、アイ
ランド部の中心に大きさＪ２４＝ ０．６ｍｍ角があい
た。厚さｄ２＝ ２００ μｍのり−ト４３０を作製し
た。
ンド部が穴加工されたリート４３０を作製するために、
実施例１と同様に、第２図に示した厚さ０．５ｍｍ 、
縦３０ｍｍ、横１５０ｍｍの銅板８を用意し、型を用い
てアイランド部の中心に穴があくように打ち抜くことで
アイランド部の大きさ１３＝１．２ｍｍ角であり、アイ
ランド部の中心に大きさＪ２４＝ ０．６ｍｍ角があい
た。厚さｄ２＝ ２００ μｍのり−ト４３０を作製し
た。
次に、ダイシングにより得られた個別の素子ベレットを
、作製したリート４３０のアイランド部にダイボンディ
ングするために、第５図に示すようにリード４３０の裏
面に、厚さ５０μｍのポリテトラフルオロエチレンから
なる接着テープ９を貼りつけ、接着剤５を介して、素子
ベレットがアイランド部に形成された穴にはいるように
ダイボンディングを行った。
、作製したリート４３０のアイランド部にダイボンディ
ングするために、第５図に示すようにリード４３０の裏
面に、厚さ５０μｍのポリテトラフルオロエチレンから
なる接着テープ９を貼りつけ、接着剤５を介して、素子
ベレットがアイランド部に形成された穴にはいるように
ダイボンディングを行った。
次に接着テープ９を剥離した後、電極３をポンデイグワ
イヤ６を介してリード４３０．４３１ と接続した。続
いてトランスファーモールド法によりエポキシ樹脂７で
封止を行ない、第６図に示すような全体の厚さが０．６
５ｍｍのホール素子を作製した。
イヤ６を介してリード４３０．４３１ と接続した。続
いてトランスファーモールド法によりエポキシ樹脂７で
封止を行ない、第６図に示すような全体の厚さが０．６
５ｍｍのホール素子を作製した。
このようにして、薄型化して小型化した素子を作製する
ことができた。
ことができた。
以上では、本発明の磁電変換素子の一例として、ホール
素子を例にとって説明してきたが、磁気抵抗効果を利用
した磁電変換素子についても本発明はすべて有効に適用
できる。さらにまた、これらの効果と他の効果を併用し
た磁電変換素子も勿論本発明の範囲内にある。
素子を例にとって説明してきたが、磁気抵抗効果を利用
した磁電変換素子についても本発明はすべて有効に適用
できる。さらにまた、これらの効果と他の効果を併用し
た磁電変換素子も勿論本発明の範囲内にある。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、磁電変換素子が
装着されるリードの直下部の厚さが、リードの直下部以
外の厚さよりも薄いことから、素子の薄型化および小型
化を計ることができる。
装着されるリードの直下部の厚さが、リードの直下部以
外の厚さよりも薄いことから、素子の薄型化および小型
化を計ることができる。
また、本発明によれば、素子の薄型化のためにアイラン
ド部においては磁電変換素子が装着され−゛る部分以外
の厚さを薄くする必要がないので、リードの強度を十分
数ることが可能であり、信顆性を向上させることができ
る。
ド部においては磁電変換素子が装着され−゛る部分以外
の厚さを薄くする必要がないので、リードの強度を十分
数ることが可能であり、信顆性を向上させることができ
る。
さらに、また、リードから電極面までの高さが低くなる
ことから、ボンディングワイヤが短くて済み、ワイヤボ
ンディング時のワイヤループの調整が容易となり、ワイ
ヤボンディングの歩留まりが大幅に向上するとともに従
来不可能であった量産化が可能となる。
ことから、ボンディングワイヤが短くて済み、ワイヤボ
ンディング時のワイヤループの調整が容易となり、ワイ
ヤボンディングの歩留まりが大幅に向上するとともに従
来不可能であった量産化が可能となる。
第１図（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれ本発明の磁電変換
素子の一実施例を示す平面図および断面−図、 第２図は本発明の実施例におけるリートの作製に用いら
れる銅板の斜視図、 第３図は本発明のホール素子の作製に用いられるリード
を示し、図（Ａ）は平面図、図（Ｂ）はａ −ｂ！ｓに
沿った断面図、 第４図は本発明の他のホール素子の作製に用いられるリ
ードを示し、図（Ａ）は平面図、図（Ｂ）はｃ−ｄ線に
沿った断面図、 第５図は第４図に示したリードを用いてホール素子を作
製する一行程を示す素子の断面図、第６図は本発明の磁
電変換素子の他の実施例を示す側面図、 第７図は従来の磁電変換素子の一例を示す側面図である
。 １・・・基板、 ２・・・ホール素子感磁部、 ３・・・電極、 ５・・・接着剤、 ６・・・ボンディングワイヤ、 ７・・・エポキシ樹脂、 ８・・−銅板、 ９・・・接着テープ、 ４０１．４０２，４１０，４１１，４１２，４１３，４
２０，４２１，４２２゜４２３．４３０，４３１ ・・
・リード。 第２図 第３図 第６図 第５図 ７エボ午シ４會を月西 第７図
素子の一実施例を示す平面図および断面−図、 第２図は本発明の実施例におけるリートの作製に用いら
れる銅板の斜視図、 第３図は本発明のホール素子の作製に用いられるリード
を示し、図（Ａ）は平面図、図（Ｂ）はａ −ｂ！ｓに
沿った断面図、 第４図は本発明の他のホール素子の作製に用いられるリ
ードを示し、図（Ａ）は平面図、図（Ｂ）はｃ−ｄ線に
沿った断面図、 第５図は第４図に示したリードを用いてホール素子を作
製する一行程を示す素子の断面図、第６図は本発明の磁
電変換素子の他の実施例を示す側面図、 第７図は従来の磁電変換素子の一例を示す側面図である
。 １・・・基板、 ２・・・ホール素子感磁部、 ３・・・電極、 ５・・・接着剤、 ６・・・ボンディングワイヤ、 ７・・・エポキシ樹脂、 ８・・−銅板、 ９・・・接着テープ、 ４０１．４０２，４１０，４１１，４１２，４１３，４
２０，４２１，４２２゜４２３．４３０，４３１ ・・
・リード。 第２図 第３図 第６図 第５図 ７エボ午シ４會を月西 第７図
Claims (1)
- （１）リードに装着された磁電変換素子において、該リ
ードの磁電変換素子の直下部の厚さをｄ＿１、該直下部
以外の厚さをｄ＿２とした時、０≦ｄ＿１＜ｄ＿２であ
ることを特徴とする磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63323678A JP2849100B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 磁電変換素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63323678A JP2849100B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 磁電変換素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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