JP3197297B2 - 高感度ホール素子の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性材料を用いて磁気
増幅を行うことで高感度化をはかったホール素子の新規
な製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ホール素子の磁気増幅方法として
は図７のようにホール素子を形成する基板の裏面に強磁
性材料を接着する方法、図８のようにホール素子感磁部
の表面に強磁性材料よりなる磁気増幅チップを配置する
方法などが行われていた。又、より大きな磁気増幅効果
を得るために図９のように基板側に強磁性材料を配置す
る第１の方法とホール素子感磁部の表面に強磁性材料を
配置する第２の方法を組み合わせることも良く行われて
いた。しかし、第２の方法ではホール素子の大きさがコ
ストダウン等のために小さくなると、素子組立上の機械
的精度のため対応できず、特に、ホール素子ペレットサ
イズが０．５０ｍｍ角以下の場合、図１０に示すような
予め磁気増幅チップ形状に高精度の凸加工を施した磁性
材料板を、ホール素子の形成された基板のホール素子パ
ターンに顕微鏡等を用いて正確に位置合わせして接着し
た後、個別の磁気増幅チップに分離する方法以外、ホー
ル素子の感磁部表面に量産的に磁気増幅チップを配置す
ることは不可能であった。

【０００３】しかし、この場合においても接着時に正確
な位置合わせが必要であること、接着時に接着剤がホー
ル素子の電極を汚染しやすいこと等、製造プロセス上の
問題が残っていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は以上説
明した問題点を解消し、磁気増幅効果により高感度特性
を持つ小型ホール素子の量産的な製造方法を提供するこ
とにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者の製造方法は、
小型のホール素子感磁部上に、従来は組立上に必要な精
度が得られず不可能であった磁気増幅チップをウェハー
全面に同時に精度良く形成することを可能にしたもの
で、ホール素子の形成された基板の表面にフォトレジス
トまたは感光性樹脂を用いて凹部を形成する工程と、磁
性材料よりなる板を磁気増幅チップ形状に加工する工程
と、前記凹部に磁気増幅チップ形状の凸部を接着する工
程と、前記凹部の段差部を形成するフォトレジストまた
は感光性樹脂を除去する工程と、前記板を磁気増幅チッ
プに分離する工程よりなることを特徴とする。

【０００６】本発明の製造方法において行われるホール
素子の形成された基板の表面に凹部を形成する工程は、
ホール素子の感磁部上に配置される磁気増幅チップがは
まるようにホール素子表面に凹部を形成するものである
ことから、凹部の形は磁気増幅チップの接着面と同じで
あることが好ましく、凹部の大きさも接着面と同じ程度
であることが好ましい。また、ホール素子上に形成され
る凹部の位置は、磁気増幅チップが感磁部真上に形成さ
れる必要から通常凹部の中心がホール素子感磁部の中心
と一致するように形成される。

【０００７】本発明の製造方法において用いられる凹部
の深さは、磁気増幅チップ接着時に磁気増幅チップ接着
面の接着剤がホール素子パターン接着部以外に薄く広が
らない様な深さであればよいが、通常の場合２μｍは必
要であり、５μｍ以上であることは好ましく、接着時に
要求される正確な位置合わせを可能とする自己整合機能
を付与するという観点からは１０μｍ以上であることは
特に好ましいものである。

【０００８】本発明の製造方法において用いられる凹部
は、ホール素子表面に２μｍ以上の段差が形成できるも
のであれば何を用いて形成してもよいが、フォトレジス
トや感光性樹脂等を用いて形成することは特に好ましい
ことである。本発明の製造方法において用いられる凹部
は磁気増幅チップの自己整合機能の付与及び電極部の汚
染防止という点で、図３ｄの様に磁気増幅チップ接着部
に隣接した部分にのみ形成してもよいが、特に電極部の
汚染防止やプロセス中の保護膜効果を完全なものにする
ために図３ｂ，ｃのように電極部ぎりぎりまで形成して
も良く、図３ａのように接着部を除いた全ての部分を覆
う形で形成することは特に好ましい。

【０００９】本発明でいう磁気増幅チップ形状とは、図
６に示すような磁性材料よりなる板をエッチングあるい
はダイシングソー等を用いた機械加工，レーザー加工等
により磁気増幅チップとなる部分（凸部）以外が薄くな
るようにしたものをいう。本発明の製造方法における磁
性材料よりなる板の磁気増幅チップ形状への加工は図６
ｂのように片面のみ行われていても、図６ａのように両
面より行われていても良い。

【００１０】本発明の製造方法において磁気増幅チップ
に用いられる磁性材料は、一般に残留磁化の小さい、透
磁率の高い材料が用いられ、その中でもフェライト、パ
ーマロイ、センダスト等は好ましく用いられる。本発明
の製造方法において行われる凹部に磁気増幅チップ形状
の凸部を接着する工程は、予め凹部に適量の接着剤を滴
下しておいても良いが図１ｄのようにガラス板等に薄く
塗布した接着剤に磁気増幅チップ形状の凸部を押しつけ
ることで、凸部接着面のみに接着剤をつけることは特に
好ましい方法として用いられる。

【００１１】本発明の製造方法において行われる基板に
接着した磁気増幅チップ形状の板を磁気増幅チップに分
離する工程はエッチングあるいはダイシングソー等を用
いた機械加工等により行われるが、エッチングにより行
われる場合、磁気増幅チップ上面に予め保護のためにフ
ォトレジスト、エポキシ樹脂、イミド系樹脂、ポリイミ
ド樹脂、シリコン樹脂等を形成しておくことも好ましく
行われる。エッチングの方法はウェットエッチング、ド
ライエッチングのいずれでも良いが、ウェットエッチン
グは簡便なことから好ましく、特にスプレーエッチング
は好ましく用いられる。

【００１２】本発明の製造方法において行われる凹部の
段差部を形成する材料を除去する工程は、ウェットエッ
チングやドライエッチングを用いる方法、感光性樹脂の
剥離液や有機溶剤を用いる方法、アッシングを用いる方
法等がある。以下、本発明のホール素子の製造方法の一
例を図１に示し説明する。図１ａに示すようにホール素
子パターンの形成された基板１の表面に、図１ｂのよう
にフォトレジストを用いフォトリソグラフィーの手法で
凹部を形成しておき、図１ｃに示すようにフォトリソグ
ラフィー、エッチング技術を用いて両面より磁気増幅チ
ップ形状に加工したパーマロイ板を図１ｄのようにガラ
ス板に薄く塗布した接着剤に磁気増幅チップ形状の凸部
を押しつけることで、凸部接着面のみに接着剤をつけ
る。次に図１ｅのように基板表面の凹部と磁気増幅チッ
プ形状の凸部がはめあうように位置合わせをした上で接
着する。続いて図１ｆのように、ガラス板に薄く塗布し
たフォトレジストに磁気増幅チップ形状の凸部を押しつ
けることで、凸部上面のみにフォトレジストを形成した
上で、図１ｇのようにエッチングにより個別の磁気増幅
チップに分離する。続いて図１ｈのように凹部の段差部
を形成するフォトレジストをアッシングにより取り去
る。これをダイシングにより個別のホール素子ペレット
に切断し、ダイボンド、ワイヤボンド、モールドをする
ことで図４のごとくホール素子感磁部の表面に磁気増幅
チップを精度良く配置した小型のホール素子を作製す
る。

【００１３】次に、本発明の別の製造方法について説明
する。本発明の製造方法はホール素子の形成された基板
の表面にフォトレジストまたは感光性樹脂を用いて凹部
を形成する工程と、磁性材料を支持用物体に固定する工
程と、前記磁性材料を磁気増幅チップに加工する工程
と、前記凹部に磁気増幅チップを接着する工程と、前記
凹部の段差部を形成するフォトレジストまたは感光性樹
脂を除去する工程と、前記磁気増幅チップを支持用物体
より分離する工程よりなることを特徴とする。

【００１４】まず、図１ａに示すようにホール素子パタ
ーンの形成された基板の表面に、図１ｂのようにフォト
レジストを用いフォトリソグラフィーの手法で凹部を形
成する。次に、図１ｃに示すようなフォトリソグラフィ
ー、エッチング技術を用いて両面より磁気増幅チップ形
状に加工したパーマロイ板のかわりに、図２ａに示すよ
うに磁性材料よりなる板を支持用物体に固定した上で、
図２ｂに示すように前記板を個別の磁気増幅チップに分
離することでホール素子の形成された基板の表面の凹部
に対応して、精度良く整然と並んだ磁気増幅チップを形
成したものを用いる。これを図２ｃに示すように基板表
面の凹部と磁気増幅チップの凸部がはめあうように位置
合わせをした上で接着する。次に磁気増幅チップを支持
用物体より離すことで、図２ｄに示すようなホール素子
感磁部上に整然と並んだ磁気増幅チップを形成する。そ
して、基板表面の凹部の段差部を形成しているフォトレ
ジストをアッシングにより除去し図２ｅのように仕上げ
る。これをダイシングにより個別のホール素子ペレット
に切断し、ダイボンド、ワイヤボンド、モールドをする
ことで図４のような小型のホール素子を作製する。

【００１５】本発明の製造方法においては、ホール素子
の形成された基板の表面の凹部により磁気増幅チップの
合わせに自己整合機能を持つことから、個別の磁気増幅
チップをチップトレーのような支持用物体に整然と並べ
たものを用いてホール素子感磁部上の凹部に磁気増幅チ
ップをのせても良い。本発明の製造方法においては、ホ
ール素子の裏面に第２の磁性材料を配置するためにホー
ル素子の形成された基板の裏面に磁性材料よりなる板を
接着することも好ましく行われる。

【００１６】

【作用】本発明の高感度ホール素子の製造方法によれ
ば、従来不可能であった小型のホール素子においても、
ホール素子感磁部の表面に量産的に磁気増幅チップを配
置することが可能となり、又、従来の素子組立上の機械
的精度に比べて、磁気増幅チップの形成精度が飛躍的に
向上することから、高感度で、かつ感度ばらつきの少な
いホール素子を提供することができる。更に、本発明の
製造方法によればホール素子感磁部における凹部による
電極表面の汚染防止機能やプロセス中の保護膜機能によ
り信頼性の高いホール素子を歩留まり良く製造すること
ができる。

【００１７】

【実施例】

【００１８】

【実施例１】半絶縁性で厚さ３００μｍ、片面を鏡面研
磨した直径２インチのＧａＡｓ基板を１２枚セットした
ホルダ−を基板導入室より準備室を通して大型の分子線
エピタキシ−装置の超高真空である成長室へセットし
た。この基板ホルダ−を水平回転させるとともにＧａＡ
ｓ基板を基板加熱ヒ−タ−により輻射加熱し、基板の鏡
面側に対向して装着されているＩｎ、Ａｓの蒸発源よ
り、Ｉｎ、Ａｓを６０分間蒸発させ、厚さ１．０μｍの
ＩｎＡｓ鏡面単結晶薄膜をＧａＡｓの基板の鏡面側に成
長させた。次に、このＧａＡｓ基板上に成長したＩｎＡ
ｓ薄膜の表面にフォトリソグラフィ−の手法によりレジ
ストパタ−ンを所要の形状で形成したのち、電極となる
金属層を形成し、しかるのちレジストを除去した。次い
で、表面に第２回目のレジストパタ−ンをフォトリソグ
ラフィ−の手法により形成した。このレジストをマスク
として、ウェットエッチングによりＩｎＡｓ上に形成し
た電極層の一部とＩｎＡｓ薄膜をエッチングした。さら
に、全面に絶縁層として厚さ０．３μｍＳｉ₃Ｎ₄をプラ
ズマＣＶＤ法により基板加熱温度３００℃で形成した。
前述のフォトリソグラフィ−法によりレジストパタ−ン
を形成し、電極部上のＳｉ₃Ｎ₄を反応性イオンエッチン
グにより除去した。これらの工程により、１枚の基板上
に約８５００個の図１ａに示したような０．３６ｍｍ角
のホ−ル素子パターンを作製した。

【００１９】次に東京応化製フォトレジストＯＭＲ−８
３を用いてホール素子パターン上に図１ｂに示すような
厚さ２．５μｍよりなる凹部を形成した。次に、図１ｃ
のような予め厚さ１５０μｍのパーマロイ板をフォトリ
ソグラフィー・エッチング技術を用いて両面より各々６
５μｍまでエッチングした磁気増幅チップ形状にしたも
のを、図１ｄのように住友３Ｍ製エポキシ接着剤“１８
３８Ａ、Ｂ”をガラス板に薄く塗布した上で、磁気増幅
チップ形状の凸部を接着剤に押しつけることで、凸部接
着面のみに接着剤をつけた。続いて、図１ｅのように基
板表面の凹部と磁気増幅チップ形状の凸部がはめあうよ
うに位置合わせをした上で接着した。更に、図１ｆのよ
うに、ガラス板に薄く塗布したフォトレジストに磁気増
幅チップ形状の凸部を押しつけることで、凸部上面のみ
にフォトレジストを形成した上で、硫酸−過酸化水素水
系のエッチング液を用いてスプレーエッチングをするこ
とで、図１ｇのように個別の磁気増幅チップに分離し
た。

【００２０】この後、基板表面の凹部をつくっているレ
ジストＯＭＲ−８３をアッシングして除去し図１ｈのよ
うな構造に仕上げた。これをダイシングにより０．４ｍ
ｍ角の個別のホール素子ペレットに切断し、自動ダイボ
ンダ−によりリ−ド上にこのチップをダイボンドし、次
に、自動ワイヤ−ボンダ−でリ−ドとホ−ル素子の電極
部をＡｕワイヤ−で接続した。トランスファ−モ−ルダ
−によりエポキシモ−ルドしたのち、このモ−ルドされ
た素子のダイバ−カット、リ−ドカットを行い、個々の
樹脂モ−ルドされた図４のようなホール素子感磁部の表
面に磁気増幅チップを精度良く安定して配置した小型の
ホール素子を作製した。

【００２１】こうして製作したホ−ル素子の代表的な特
性を表１に示した。磁気増幅構造を持たない素子に比べ
て、磁気増幅効果により約１．５倍の高感度化を実現し
た。又、表２に本発明のホール素子の感度ばらつきの量
を比較のため、従来の機械的方法で磁気増幅チップをの
せた０．８ｍｍ角の大きなホール素子の感度ばらつきの
量と比較した。

【００２２】本発明のホール素子は、磁気増幅チップの
高さ、のせる位置等が従来の機械的精度で決まる素子に
比べて厳密に精度良く決まることから、従来磁気増幅チ
ップをのせることが難しかった０．４ｍｍ角という小型
のホール素子でありながら、得られた素子の感度ばらつ
きは従来法の１／３程度となっている。

【００２３】

【実施例２】半絶縁性で厚さ３００μｍ、片面を鏡面研
磨した直径２インチのＧａＡｓ基板を１２枚セットした
ホルダ−を基板導入室より準備室を通して大型の分子線
エピタキシ−装置の超高真空である成長室へセットし
た。この基板ホルダ−を水平回転させるとともにＧａＡ
ｓ基板を基板加熱ヒ−タ−により輻射加熱し、基板の鏡
面側に対向して装着されているＩｎ、Ａｓの蒸発源よ
り、Ｉｎ、Ａｓを６０分間蒸発させ、厚さ１．０μｍの
ＩｎＡｓ鏡面単結晶薄膜をＧａＡｓの基板の鏡面側に成
長させた。次に、このＧａＡｓ基板上に成長したＩｎＡ
ｓ薄膜の表面にフォトリソグラフィ−の手法によりレジ
ストパタ−ンを所要の形状で形成したのち、電極となる
金属層を形成し、しかるのちレジストを除去した。次い
で、表面に第２回目のレジストパタ−ンをフォトリソグ
ラフィ−の手法により形成した。このレジストをマスク
として、ウェットエッチングにより、ＩｎＡｓ上に形成
した電極層の一部とＩｎＡｓ薄膜をエッチングした。さ
らに、全面に絶縁層として厚さ０．３μｍＳｉ₃Ｎ₄をプ
ラズマＣＶＤ法により基板加熱温度３００℃で形成し
た。

【００２４】前述のフォトリソグラフィ−法によりレジ
ストパタ−ンを形成し、電極部上のＳｉ₃Ｎ₄を反応性イ
オンエッチングにより除去した。これらの工程により、
１枚の基板上に約８５００個の図１ａに示したような
０．３６ｍｍ角のホ−ル素子パターンを作製した。次に
ホール素子の形成された基板全面に感光性ポリイミドを
用いて厚さ１０μｍの凹部をフォトリソグラフィーの手
法により形成した。

【００２５】更にこの基板を裏面より研磨することで基
板の厚みを１２０μｍとした後、エポキシ樹脂を用いて
３００μｍのフェライトを基板の裏面に接着した。次
に、図１ｃのような予め厚さ１５０μｍのパーマロイ板
をフォトリソグラフィー・エッチング技術を用いて両面
より各々６５μｍまでエッチングした磁気増幅チップ形
状にしたものを、図１ｄのようにガラス板に薄く塗布し
た東芝ケミカル製液状封止剤ケミタイトに磁気増幅チッ
プ形状の凸部を押しつけることで、凸部接着面のみにケ
ミタイトをつけた。続いて、図１ｅのように基板表面の
凹部と磁気増幅チップ形状の凸部がはめあうように位置
合わせをした上で接着した。更に、図１ｆのように、ガ
ラス板に薄く塗布したフォトレジストに磁気増幅チップ
形状の凸部を押しつけることで、凸部上面のみにフォト
レジストを形成した上で、硫酸−過酸化水素水系のエッ
チング液を用いてスプレーエッチングをすることで、図
１ｇのように個別の磁気増幅チップに分離した。

【００２６】そして、基板表面の凹部を形成している感
光性ポリイミドをアッシングにより除去し図１ｈのよう
に仕上げた。これをダイシングにより０．４ｍｍ角の個
別のホール素子ペレットに切断し、自動ダイボンダ−に
よりリ−ド上にこのチップをダイボンドし、次に、自動
ワイヤ−ボンダ−でリ−ドとホ−ル素子の電極部をＡｕ
ワイヤ−で接続した。トランスファ−モ−ルダ−により
エポキシモ−ルドしたのち、このモ−ルドされた素子の
ダイバ−カット、リ−ドカットを行い、個々の樹脂モ−
ルドされた図４のようなホール素子感磁部の表面に磁気
増幅チップを精度良く安定して配置した小型のホール素
子を作製した。

【００２７】こうして製作したホ−ル素子の代表的な特
性を表３に示した。磁気増幅構造を持たない素子に比べ
て、磁気増幅効果により約３倍の高感度化を実現した。
又、作製されたホール素子の感度ばらつきの量は、従来
の機械的方法で磁気増幅チップをのせたものに比べて小
さく、実施例１と同程度であった。

【００２８】

【実施例３】半絶縁性で厚さ３００μｍ、直径２インチ
のＧａＡｓ基板にイオン注入装置を用いて、シリコンイ
オン（Ｓｉ⁺）を加速エネルギー３００ＫｅＶ、ドーズ
量２．３×１０¹²／ｃｍ²で注入した。そして、アルシ
ン（ＡｓＨ₃）雰囲気中８５０℃の温度で１０秒間のラ
ピッドアニール処理を行い、ＧａＡｓ基板の表面にｎ型
の導電層を形成した。次に、このＧａＡｓ基板の表面に
フォトリソグラフィ−の手法によりレジストパタ−ンを
所要の形状で形成したのち、このレジストをマスクとし
て、ウェットエッチングにより、ホール素子感磁部パタ
ーンを形成したのちレジストを除去した。次いで、全面
に絶縁層として厚さ０．３μｍのＳｉ₃Ｎ₄をプラズマＣ
ＶＤ法により基板加熱温度３００℃で形成した。続い
て、電極金属とオーム性接触を形成する部分のＳｉ₃Ｎ₄
をエッチングするために、表面に第２回目のレジストパ
タ−ンをフォトリソグラフィ−の手法により形成した。
このレジストをマスクとして、ウェットエッチングによ
り、Ｓｉ₃Ｎ₄をエッチングした後、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、Ａ
ｕを各々０．２５μｍ、０．０５μｍ、０．３５μｍの
厚さで蒸着し、ついでリフトオフ法によりレジスト及び
レジスト上の金属を除去した。更に、オーミック性接触
を得るために、赤外線加熱炉Ｎ₂ガス雰囲気中で４００
℃５分間の合金化処理を行い１枚の基板上に約８５００
個の図１ａに示したような０．３６ｍｍ角のホ−ル素子
パターンを作製した。

【００２９】次に東京応化製ＯＭＲ−８３を用いてホー
ル素子パターン上に図１ｂに示すような厚さ７μｍより
なる凹部をフォトリソグラフィーの手法により形成し
た。更にこの基板を裏面より研磨することで基板の厚み
を１２０μｍとした後、エポキシ樹脂を用いて３００μ
ｍのフェライトを基板の裏面に接着した。次に、厚さ２
００μｍのＭｎ−Ｚｎフェライトの板を支持用物体とし
てのガラス板にワックスを用いて図２ａのように接着固
定した上で、ダイシングソーを用いて図２ｂのようにガ
ラス板まで切り込むことで、フェライト板の完全切断を
行った。続いて、東芝ケミカル製液状封止剤ケミタイト
をガラス板に薄く塗布した上で、磁気増幅チップの凸部
をケミタイトに押しつけることで、凸部接着面のみにケ
ミタイトをつけた。次に、図２ｃのように基板表面の凹
部と磁気増幅チップの凸部がはめあうように位置合わせ
をした上で接着した。更に、溶剤を用いてワックスを溶
かしてガラス板を取り外すことで、図２ｄのように個別
の磁気増幅チップに分離した。

【００３０】そして、基板表面のレジストＯＭＲ−８３
からなる凹部をアッシングして除去し図２ｅのように仕
上げた。これをダイシングにより０．４ｍｍ角の個別の
ホール素子ペレットに切断し、自動ダイボンダ−により
リ−ド上にこのチップをダイボンドし、次に、自動ワイ
ヤ−ボンダ−でリ−ドとホ−ル素子の電極部をＡｕワイ
ヤ−で接続した。トランスファ−モ−ルダ−によりエポ
キシモ−ルドしたのち、このモ−ルドされた素子のダイ
バ−カット、リ−ドカットを行い、個々の樹脂モ−ルド
された図４のようなホール素子感磁部の表面に磁気増幅
チップを精度良く配置した小型のホール素子を作製し
た。

【００３１】こうして製作したホ−ル素子の代表的な特
性を表４に示す。磁気増幅構造を持たない素子に比べ
て、磁気増幅効果により約３倍の高感度化を実現した。
又、作製されたホール素子の感度ばらつきの量は、従来
の機械的方法で磁気増幅チップをのせたものに比べて小
さく、実施例１と同程度であった。

【００３２】

【表１】

【００３３】

【表２】

【００３４】

【表３】

【００３５】

【表４】

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の高感度ホ
ール素子の製造方法によれば、ホール素子感磁部上に形
成した凹部が磁気増幅チップの凸部と自動的にはまりあ
うことから、正確な位置合わせがなくとも高い精度で磁
気増幅チップを形成することが可能となり、従来不可能
であった小型のホール素子においても、ホール素子感磁
部の表面に量産的に磁気増幅チップを配置することが実
現できる。又、従来の素子組立上の機械的精度に比べて
飛躍的に磁気増幅チップの形成精度が向上することによ
り、高感度で、かつ、感度ばらつきの少ないホール素子
を提供することができる。

【００３７】更に、ホール素子感磁部における凹部の電
極表面の汚染防止機能、プロセス中の保護膜機能により
信頼性の高いホール素子を製造することができる。すな
わち、本発明の高感度ホール素子の製造方法は磁気増幅
タイプのホール素子作製に関して、ホール素子ペレット
の小型化とともに、チップ形成精度の向上による小さな
感度ばらつきにより、大幅な歩留まりの向上及びコスト
ダウンを可能としたものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のホール素子の製造方法を示す説明図。

【図２】本発明のホール素子の別の製造方法を示す説明
図。

【図３】本発明のホール素子の特徴であるホール素子表
面に形成される凹部のいくつかの形成パターンを示す
例。 ａ：磁気増幅チップの接着部以外の全ての部分に形成さ
れている例。 ｂ：磁気増幅チップの接着部と電極部以外に形成されて
いる例。 ｃ：磁気増幅チップの接着部と電極部以外に形成されて
いる例。 ｄ：磁気増幅チップ接着部に隣接した部分のみに形成さ
れている例。

【図４】本発明のホール素子を示す構造図。 ａ：断面透視図。 ｂ：平面透視図。

【図５】本発明の別のホール素子を示す構造図。 ａ：断面透視図。 ｂ：平面透視図。

【図６】本発明で用いる磁性材料よりなる板の磁気増幅
チップ形状への加工例。 ａ：両面より加工されている例。 ｂ：片面のみ加工されている例。

【図７】ホール素子の磁気増幅構造を示す説明図。

【図８】ホール素子の磁気増幅構造を示す説明図。

【図９】ホール素子の磁気増幅構造を示す説明図。

【図１０】小型ホール素子に磁気増幅チップをのせる製
造方法の例。

【符号の説明】

１…基板 ２…ホ−ル素子感磁部 ３…電極 ４…半導体薄膜 ５…磁性材料 ６…凹部 ７…レジスト ８…凹部を形成する材料（感光性樹脂等） ９…支持用物体 １０…Ａｕワイヤ− １１…リ−ド線 １２…接着剤 １３…モ−ルド樹脂

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−100987（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−78250（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−182877（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−187675（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−152185（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−5083（ＪＰ，Ａ) 特許3069143（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 43/06 H01L 43/14

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ホール素子の形成された基板の表面にフ
   ォトレジストまたは感光性樹脂を用いて凹部を形成する
   工程と、磁性材料よりなる板を磁気増幅チップ形状に加
   工する工程と、前記凹部に磁気増幅チップ形状の凸部を
   接着する工程と、前記凹部の段差部を形成するフォトレ
   ジストまたは感光性樹脂を除去する工程と、前記板を磁
   気増幅チップに分離する工程よりなることを特徴とする
   ホール素子の製造方法。
2. 【請求項２】 ホール素子の形成された基板の表面にフ
   ォトレジストまたは感光性樹脂を用いて凹部を形成する
   工程と、磁性材料を支持用物体に固定する工程と、前記
   磁性材料を磁気増幅チップに加工する工程と、前記凹部
   に磁気増幅チップを接着する工程と、前記凹部の段差部
   を形成するフォトレジストまたは感光性樹脂を除去する
   工程と、前記磁気増幅チップを支持用物体より分離する
   工程よりなることを特徴とするホール素子の製造方法。