JP5131775B2 - 電流センサの製造方法 - Google Patents
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Description
まず、半絶縁性GaAs(ガリウムヒ素)基板1の所望の領域にSiイオンを注入し、熱処理を行って注入領域をn形にすることにより、ホール素子の能動層を形成する。この能動層にオーミック電極を形成し、GaAs基板1の一方の面にホール素子としての感磁性部2を形成する(図2(a))。
更に、ラッピング用治具3を取り外してから、GaAs基板4を上にして、すなわち磁性体基板5の裏面に粘着テープ6を貼り付け(図2(e))、ダイシングにより例えば0.55[mm]角の個別チップに分割する(図2(f))。
なお、図3において、4Aは分割後のGaAs基板(チップ)、5Aは磁性体基板(磁性体片)、7はリードフレーム、8は端子引き出し用ワイヤ、9はパッケージ樹脂である。
また、図2(d)の工程による磁性体基板5の接着工程についても、接着剤として単にエポキシ樹脂を用いることしか開示されておらず、エポキシ樹脂の厚さの不均一に起因して接着時に荷重が偏り、GaAs基板4が割れてしまう心配がある。
前記単結晶基板と同等以上の大きさを持ち、かつ、厚さが均一な支持基板の一面と、前記感磁性部が形成された側の前記単結晶基板の一面と、の少なくとも一方に、仮接着剤を均一の厚さに成膜する第2工程と、
前記仮接着剤を介して、前記支持基板の一面と前記感磁性部が形成された側の前記単結晶基板の一面とを所定の接着条件のもとで仮接着する第3工程と、
第3工程により得られた部材の前記単結晶基板の裏面を、前記感磁性部が露出するまで研磨する第4工程と、
第4工程により露出した前記感磁性部の表面に、本接着剤を均一の厚さに成膜する第5工程と、
個々の前記感磁性部を前記支持基板ごと切断して多数のホール素子チップを分割形成する第6工程と、
前記本接着剤を介して、前記ホール素子チップを、電流センサ用の磁性体コアに所定の接着条件のもとで本接着する第7工程と、
第7工程により前記磁性体コアに接着された前記ホール素子チップから前記支持基板を除去し、前記感磁性部に電極を形成してこの感磁性部を覆うように保護膜を形成する第8工程と、
前記磁性体コア及び前記感磁性部を含む磁気回路を構成するように他の磁性体コアを組み付ける第9工程と、
を有し、
前記第2工程では、前記支持基板または前記単結晶基板の一面に前記仮接着剤を適量滴下してスピンコートした後に、ソフトベーク、ハードベークを順次行って前記仮接着剤を均一の厚さに成膜し、更に、
前記第3工程における接着条件として、前記支持基板の一面と前記単結晶基板の一面とを、成膜後の前記仮接着剤を介して1.22〜1.33[kg/cm 2 ]の圧力で加圧し、160〜200[℃]にて3〜10分間加熱し、
前記第5工程では、前記感磁性部の表面に前記本接着剤を希釈してなる混合液を適量滴下してスピンコートした後にプレキュア乾燥を行い、その後、紫外線を照射して所定時間放置することにより前記本接着剤を均一の厚さに成膜し、更に、
前記第7工程における接着条件として、前記ホール素子チップと前記磁性体コアとを、成膜後の前記本接着剤を介して30〜40[kg/cm 2 ]の圧力で加圧し、130〜150[℃]にて30〜90分間加熱するものである。
図1は、この実施形態に係る電流センサの製造工程を示す図である。ここでは、感磁性部を作り込む半導体基板として、電子移動度が大きいIII−V族化合物半導体単結晶基板であるInSb(インジウムアンチモン)基板を用いた電流センサにつき説明する。
例えば、スピンコートにより成膜する場合には、感磁性部11が形成された側のInSb単結晶基板10の面の中心付近に、仮接着剤13としての「ウェハーボンド(登録商標)」を適量滴下し、3000[r/min](60秒間)でスピンコートする。その後、ホットプレート上で100[℃](2分間)のソフトベーク、120[℃](2分間)のハードベークを行う。これにより、仮接着剤13の膜厚は約6[μm]が得られる。
この場合の接着条件は、例えば、InSb単結晶基板10の一面と支持基板12の一面との加圧圧力が1.22〜1.33[kg/cm2]、加熱温度が180[℃]、時間が5分間である。ここで、加熱温度は160〜200[℃]、加熱時間は3〜10分間の範囲であれば、所期の接着作用を得ることができる。
例えば、スピンコートにより成膜する場合には、感磁性部11の面の中心付近に、本接着剤14の混合液を適量滴下し、6000[r/min](60秒間)でスピンコートする。その後、ホットプレート上で80[℃](10分間)のプレキュア乾燥を行い、中心波長が352[nm]のUVランプにて410[mJ/cm2]の紫外線照射をした状態で10分間放置する。
なお、本接着剤14は、次工程のダイシングの際に接着性に影響を与えないように、プレキュア乾燥後に一旦、タックフリー性(粘着性が無くなること)を示すものを用いる。本接着剤14の膜厚は、1〜5[μm]が望ましい。
この場合の接着条件は、例えば、加圧時の圧力が35[kg/cm2]、加熱温度が150[℃]、時間が1時間である。ここで、加圧時の圧力は30〜40[kg/cm2]、加熱温度は130〜150[℃]、加熱時間は30〜90分間の範囲であれば、所期の接着作用を得ることができる。
なお、フェライトコア20の表面には、図示するようにホール素子チップ15を接着する面に厚さ0.5[μm]程度の金属酸化物絶縁膜21を形成する。
なお、この種の構造を持つクランプ式電流センサは、例えば特許第3943263号公報に記載されている。
また、直流から高周波に至る微小電流測定用の電流プローブの実現が可能であると共に、非常に割れやすいInSb等のIII−V族化合物半導体単結晶基板の薄膜化、チップ化により、他の光センサ等のデバイスに応用することもできる。
11:感磁性部(ホール素子パターン)
12:支持基板
13:仮接着剤
14:本接着剤
15:ホール素子チップ
20:フェライトコア
21:金属酸化物絶縁膜
22:電極
23:金属酸化膜保護膜
Claims (1)
- III−V族化合物半導体単結晶基板の鏡面研磨面にホール素子パターンとしての感磁性部を形成する第1工程と、
前記単結晶基板と同等以上の大きさを持ち、かつ、厚さが均一な支持基板の一面と、前記感磁性部が形成された側の前記単結晶基板の一面と、の少なくとも一方に、仮接着剤を均一の厚さに成膜する第2工程と、
前記仮接着剤を介して、前記支持基板の一面と前記感磁性部が形成された側の前記単結晶基板の一面とを所定の接着条件のもとで仮接着する第3工程と、
第3工程により得られた部材の前記単結晶基板の裏面を、前記感磁性部が露出するまで研磨する第4工程と、
第4工程により露出した前記感磁性部の表面に、本接着剤を均一の厚さに成膜する第5工程と、
個々の前記感磁性部を前記支持基板ごと切断して多数のホール素子チップを分割形成する第6工程と、
前記本接着剤を介して、前記ホール素子チップを、電流センサ用の磁性体コアに所定の接着条件のもとで本接着する第7工程と、
第7工程により前記磁性体コアに接着された前記ホール素子チップから前記支持基板を除去し、前記感磁性部に電極を形成してこの感磁性部を覆うように保護膜を形成する第8工程と、
前記磁性体コア及び前記感磁性部を含む磁気回路を構成するように他の磁性体コアを組み付ける第9工程と、
を有し、
前記第2工程では、前記支持基板または前記単結晶基板の一面に前記仮接着剤を適量滴下してスピンコートした後に、ソフトベーク、ハードベークを順次行って前記仮接着剤を均一の厚さに成膜し、更に、
前記第3工程における接着条件として、前記支持基板の一面と前記単結晶基板の一面とを、成膜後の前記仮接着剤を介して1.22〜1.33[kg/cm 2 ]の圧力で加圧し、160〜200[℃]にて3〜10分間加熱し、
前記第5工程では、前記感磁性部の表面に前記本接着剤を希釈してなる混合液を適量滴下してスピンコートした後にプレキュア乾燥を行い、その後、紫外線を照射して所定時間放置することにより前記本接着剤を均一の厚さに成膜し、更に、
前記第7工程における接着条件として、前記ホール素子チップと前記磁性体コアとを、成膜後の前記本接着剤を介して30〜40[kg/cm 2 ]の圧力で加圧し、130〜150[℃]にて30〜90分間加熱することを特徴とする電流センサの製造方法。
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JP2008319506A JP5131775B2 (ja) | 2008-12-16 | 2008-12-16 | 電流センサの製造方法 |
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JP3465280B2 (ja) * | 1993-01-08 | 2003-11-10 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサの製造方法 |
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2008
- 2008-12-16 JP JP2008319506A patent/JP5131775B2/ja not_active Expired - Fee Related
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