JPS6246559A - 撮像デバイス用電極の製造方法 - Google Patents
撮像デバイス用電極の製造方法Info
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- JPS6246559A JPS6246559A JP60185917A JP18591785A JPS6246559A JP S6246559 A JPS6246559 A JP S6246559A JP 60185917 A JP60185917 A JP 60185917A JP 18591785 A JP18591785 A JP 18591785A JP S6246559 A JPS6246559 A JP S6246559A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する′技術分野〕
この発明は手導体岸像デバイスの製造方法Ｃ二関する。
半導体撮像デバイスとして従来ＣＯＤ、ＢＢＤ等が開発
されている。その光慣出部分としてはＭ電荷量が減少す
ること等、解決すべき問題があり、シリコン（３））単
粕晶を使用する場合は良いが、その他の材料ではデバイ
スとして実用化されていない。特１＝バンドギャップの
狭い赤外用材料工ｎｉｂ。
されている。その光慣出部分としてはＭ電荷量が減少す
ること等、解決すべき問題があり、シリコン（３））単
粕晶を使用する場合は良いが、その他の材料ではデバイ
スとして実用化されていない。特１＝バンドギャップの
狭い赤外用材料工ｎｉｂ。
ＧａＳｂ＋ ＩｎＰ＋ ＨｔｍＣｄｌ−ｓＴｅ等Ｃ二お
いては漏れ電流が大きく実用的な索子が作りＣ二くかっ
た。これご二対しＭＩＳ形フォトゲートの場合、その絶
縁膜の形成Ｖｏｗ、ＰＨＰ−１０，Ｎｏ、４． （Ｄｅ
ｃ、 １９７４ ）ＦＰ２００−２０２やＲｌｃｈａｒ
ｄ Ｄ、Ｔｈｏｍ、ａｔ、ａｌ、 ； 工ＥＥＦｔ
ＴｒａｎｒａｃｔｉＯｙｒ・ａｏｎ ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ ｄｅｖｉｃｅｓｙ Ｖｏｗ、ＥＤ−２７＋ Ｎ
ｏ、Ｌ （Ｊａｎ。
いては漏れ電流が大きく実用的な索子が作りＣ二くかっ
た。これご二対しＭＩＳ形フォトゲートの場合、その絶
縁膜の形成Ｖｏｗ、ＰＨＰ−１０，Ｎｏ、４． （Ｄｅ
ｃ、 １９７４ ）ＦＰ２００−２０２やＲｌｃｈａｒ
ｄ Ｄ、Ｔｈｏｍ、ａｔ、ａｌ、 ； 工ＥＥＦｔ
ＴｒａｎｒａｃｔｉＯｙｒ・ａｏｎ ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ ｄｅｖｉｃｅｓｙ Ｖｏｗ、ＥＤ−２７＋ Ｎ
ｏ、Ｌ （Ｊａｎ。
１９８０ ） ＰＰ １６０−１６９ ＋＝示されてい
る。その場合、フォトゲートとしては入射電磁波Ｃ二対
し透明であり、導Ｘｉが７オトゲートＣ二かかるバイア
ス電圧をあまり低下させない程度に高いことが必要であ
る。第１図はナタ、ン（ｒｘ）雀属の厚さ１０ｎｍの透
過率を示したものであるが、導電率もバイアス電圧にほ
とんど影響を与えない程度Ｃ二良好であり、赤外センナ
用フォトゲートの金属材料としては理想的なものと言え
る。
る。その場合、フォトゲートとしては入射電磁波Ｃ二対
し透明であり、導Ｘｉが７オトゲートＣ二かかるバイア
ス電圧をあまり低下させない程度に高いことが必要であ
る。第１図はナタ、ン（ｒｘ）雀属の厚さ１０ｎｍの透
過率を示したものであるが、導電率もバイアス電圧にほ
とんど影響を与えない程度Ｃ二良好であり、赤外センナ
用フォトゲートの金属材料としては理想的なものと言え
る。
第２図はＴ１を用いた従来の７オトゲート構造を示す。
図において１は８１基板、２は基板と同タイプの高不純
物濃度層でチャネルストッパーを形成する。３は絶縁層
で８１の熱酸化族またはＣ！ＶＤ −８１０２膜が使用
される。４は７オトゲートの受光部分、５はフォトゲー
トのリード部分である。４はＴｉ、Ｏｒ等が便われるが
、５はＡＬ、 Ａｕ等が使われる。
物濃度層でチャネルストッパーを形成する。３は絶縁層
で８１の熱酸化族またはＣ！ＶＤ −８１０２膜が使用
される。４は７オトゲートの受光部分、５はフォトゲー
トのリード部分である。４はＴｉ、Ｏｒ等が便われるが
、５はＡＬ、 Ａｕ等が使われる。
ところで７オトゲートを形成する方法として８１０２の
ような酸化族の上（二蒸着やスパッター等の方法により
Ｔ１のような入射！＠波に対し透明で尋電性の膜を付け
、その上ζニフォトレジストで電極パターンを形成して
それ以外の部分をエツチングで取り除くか、またはリフ
トオフ法を使って電極以夕ｔの部分を除去し、しかる後
亀二ポンディ／グパッドまで含めたリード線を形成し、
リード線の一部分または全体が下層の透明電極パターン
の一部と１なるようｌ二する方法が−ｈｌ二とらｉｔて
し）る。
ような酸化族の上（二蒸着やスパッター等の方法により
Ｔ１のような入射！＠波に対し透明で尋電性の膜を付け
、その上ζニフォトレジストで電極パターンを形成して
それ以外の部分をエツチングで取り除くか、またはリフ
トオフ法を使って電極以夕ｔの部分を除去し、しかる後
亀二ポンディ／グパッドまで含めたリード線を形成し、
リード線の一部分または全体が下層の透明電極パターン
の一部と１なるようｌ二する方法が−ｈｌ二とらｉｔて
し）る。
加熱シンターを行なって２居の４電材料すなわち金属間
のオーミックコンタクトを取ると同時【二粘着力を増す
方法がとられるが、ψりえば基板材料が工ｎｓｂの場合
、良質と冨われる５ｉ０２絶線材料でコートしても２５
０℃以上の加熱（二よって表面近傍が変質するため、シ
ンターの効果を得ることが出来ない。そのため２層ｉ二
形仄した金！ＪＩ間の良質のオーミックコンタクトを取
ることが困鋤であった。
のオーミックコンタクトを取ると同時【二粘着力を増す
方法がとられるが、ψりえば基板材料が工ｎｓｂの場合
、良質と冨われる５ｉ０２絶線材料でコートしても２５
０℃以上の加熱（二よって表面近傍が変質するため、シ
ンターの効果を得ることが出来ない。そのため２層ｉ二
形仄した金！ＪＩ間の良質のオーミックコンタクトを取
ることが困鋤であった。
７Ｃ二：おけるオーミック性を改良し、かつ粘着力を増
てことを目的としてなされたものである。
てことを目的としてなされたものである。
本発明はフォトゲートビニリード電極を接続する場合、
真空中もしくは希薄ガス中で、絶縁層上に、フォトゲー
トと第１ ｍ目のリード％ｉ、極となる導電Ｊ傷を連続
して堆積し、しかる後ＣＭ Ｉ ｍ目のリード電極上Ｃ
：第２層目のリード電極となる導電層を形成するように
したことを特徴とする。
真空中もしくは希薄ガス中で、絶縁層上に、フォトゲー
トと第１ ｍ目のリード％ｉ、極となる導電Ｊ傷を連続
して堆積し、しかる後ＣＭ Ｉ ｍ目のリード電極上Ｃ
：第２層目のリード電極となる導電層を形成するように
したことを特徴とする。
以下図面を８照して本発明の一実施例につき説明する。
第３図は本発明［：基づくフォトゲートの構成例を示す
。１０は半導体基板、％ｌ”−Ｉｎ８ｂ等赤外用材料の
場合ｆ二効果を発揮する。１］は第１層目の絶縁膜であ
り、ＣＶＤ −５ｉ０２ 膜まｆｃはＯＶＤ −Ｓｉｎ
ｇとスパッターＳｉｎｇの２Ｊｆ１Ｍが使われる。１２
はＡ１等の金Ｍ蒸制御二よ′り形成されたチャネルスト
ッパーである。１３は第２１鍮目の絶縁層でスパッター
８１０２が使われる。１４ハ７オトゲートでＴＬ Ｃｒ
等が使われるが、Ｓｉｎｇとの粘着性ではＯｒが、入射
電磁波に対する透過率の点ではＴ１が捩れている。１５
は第１譬 」リノード電極金属でｈｐ Ｍ ｉたはＯｒ −Ａｕの
２ ／９／ルΔが使用される。第３図はフォトゲート形
成までを示したもので、実際Ｃ二はこの上Ｃ二パッシベ
ーション用の５ｉ０２ｔ ８１ＢＮ４＋ Ａｊ２ＣＪ３
．またはそれ等を組合わせた膜が形成さｆＬる。また、
ポリイミド樹脂等有機物の絶縁層が用いられることもあ
る。
。１０は半導体基板、％ｌ”−Ｉｎ８ｂ等赤外用材料の
場合ｆ二効果を発揮する。１］は第１層目の絶縁膜であ
り、ＣＶＤ −５ｉ０２ 膜まｆｃはＯＶＤ −Ｓｉｎ
ｇとスパッターＳｉｎｇの２Ｊｆ１Ｍが使われる。１２
はＡ１等の金Ｍ蒸制御二よ′り形成されたチャネルスト
ッパーである。１３は第２１鍮目の絶縁層でスパッター
８１０２が使われる。１４ハ７オトゲートでＴＬ Ｃｒ
等が使われるが、Ｓｉｎｇとの粘着性ではＯｒが、入射
電磁波に対する透過率の点ではＴ１が捩れている。１５
は第１譬 」リノード電極金属でｈｐ Ｍ ｉたはＯｒ −Ａｕの
２ ／９／ルΔが使用される。第３図はフォトゲート形
成までを示したもので、実際Ｃ二はこの上Ｃ二パッシベ
ーション用の５ｉ０２ｔ ８１ＢＮ４＋ Ａｊ２ＣＪ３
．またはそれ等を組合わせた膜が形成さｆＬる。また、
ポリイミド樹脂等有機物の絶縁層が用いられることもあ
る。
ｍ４図は第３図のフォトゲートの形成生）−を示したも
のである。ただしチャネルストッパー１２は省略しであ
る。Ｔ５は感光部がエツチングＣ二より除去される前の
第１Ｉｆｔｉ目のリード電極金属で絹４図（ａ）はフォ
トゲート感光部金属と同時Ｃ二連続して形成された後フ
ォトレジストのパターンニング、エツチングの手法Ｃ二
より不要部分を取り去った段階である。第４図（ｂ）は
Ｓｉｎｇ Ｍ １６がスパッター形成された段階であり
、第４図（ｃ）はリードｆ；１部分がレジン） １７で
パターンニングされた状態を、第４図（〜に１５．１５
ともフォトゲート感光部分がエツチングＣ二より除去さ
れ、透明な７オトゲート１４がＩＳ出した段階を示す。
のである。ただしチャネルストッパー１２は省略しであ
る。Ｔ５は感光部がエツチングＣ二より除去される前の
第１Ｉｆｔｉ目のリード電極金属で絹４図（ａ）はフォ
トゲート感光部金属と同時Ｃ二連続して形成された後フ
ォトレジストのパターンニング、エツチングの手法Ｃ二
より不要部分を取り去った段階である。第４図（ｂ）は
Ｓｉｎｇ Ｍ １６がスパッター形成された段階であり
、第４図（ｃ）はリードｆ；１部分がレジン） １７で
パターンニングされた状態を、第４図（〜に１５．１５
ともフォトゲート感光部分がエツチングＣ二より除去さ
れ、透明な７オトゲート１４がＩＳ出した段階を示す。
この発明によって、例えばＴ１からなるフォトゲート４
の上のＡ１からなるリード電極金属１５の粘着性および
オーミック性が格段直二良くなった。すなわちＴ１を蒸
着した後、一旦蒸着装置から出し、エツチングによりパ
ターンニングを行ない、さらに上ｔｔｓにＡＪを蒸着し
た場合、ＡＪを常温〜１５０℃の間で約１μｍ付けた場
合、ビンセットによりＴｉ −ＡＪ界面を剥がすのは全
く容易であったが、本発明の方法により１５０℃でＴ１
とＡＪの各金属膜を連続して形成した場合、粘着性は極
めて良く、その上Ｃ超音波ポンディングでＡｔ線やＡｕ
線を付けた場合、１０）ｒの垂直な上向きの力（二よっ
ても剥がれることは無かった。コンタクト抵抗ｆ：関し
てｔｉｌ−−二対しＴｉ−Ａ２間、 Ａｌ−Ａｔ間とも
数Ω程度と問題ζ二なる程でなく、電流密度１μＡ／−
の微少電流に対してもオーミック性は良好であった。
の上のＡ１からなるリード電極金属１５の粘着性および
オーミック性が格段直二良くなった。すなわちＴ１を蒸
着した後、一旦蒸着装置から出し、エツチングによりパ
ターンニングを行ない、さらに上ｔｔｓにＡＪを蒸着し
た場合、ＡＪを常温〜１５０℃の間で約１μｍ付けた場
合、ビンセットによりＴｉ −ＡＪ界面を剥がすのは全
く容易であったが、本発明の方法により１５０℃でＴ１
とＡＪの各金属膜を連続して形成した場合、粘着性は極
めて良く、その上Ｃ超音波ポンディングでＡｔ線やＡｕ
線を付けた場合、１０）ｒの垂直な上向きの力（二よっ
ても剥がれることは無かった。コンタクト抵抗ｆ：関し
てｔｉｌ−−二対しＴｉ−Ａ２間、 Ａｌ−Ａｔ間とも
数Ω程度と問題ζ二なる程でなく、電流密度１μＡ／−
の微少電流に対してもオーミック性は良好であった。
第１図はチタン金属の波長に対する透過率を示す図、第
２図は従来の７オトゲート構造を示す図、＃ＩＪ３図は
本発明の方法１：より得られる７オトゲート構造を示す
図、第４図は本党明≦二より得られるフォトゲート構造
を工程順（二示す図である。 ｌＯ・・・半導体基板 １１．１３・・・絶縁層１
４・・・フォトゲート
２図は従来の７オトゲート構造を示す図、＃ＩＪ３図は
本発明の方法１：より得られる７オトゲート構造を示す
図、第４図は本党明≦二より得られるフォトゲート構造
を工程順（二示す図である。 ｌＯ・・・半導体基板 １１．１３・・・絶縁層１
４・・・フォトゲート
Claims (3)
- （１）半導体表面に形成された絶縁膜の上に、入射電磁
波に対して透過性を有する第１の導電性材料および実質
上不透明とみなせる第２の導電性材料を真空中もしくは
希薄ガス中で大気圧に戻すこと無く連続して順次堆積さ
せ、しかる後フォトゲートとなる部分およびリード線と
なる部分の全体または一部を残して前記堆積層を除去し
、次いで第３の導電性材料を全面に堆積させ、次いでリ
ード線となる部分を残して前記第２および第３導電性材
料からなる層を除去することによりＭＩＳ形フォトゲー
ト部を構成することを特徴とする撮像デバイスの製造方
法。 - （２）フォトゲートとなる部分の透明な導電性材料はＴ
＿ｉであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の撮像デバイスの製造方法。 - （３）第２の導電性材料はＡｌであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の撮像デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185917A JPS6246559A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 撮像デバイス用電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60185917A JPS6246559A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 撮像デバイス用電極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246559A true JPS6246559A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0582989B2 JPH0582989B2 (ja) | 1993-11-24 |
Family
ID=16179137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60185917A Granted JPS6246559A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 撮像デバイス用電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6246559A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03183495A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-08-09 | Chisso Corp | 単一の分子量を有するアミノ酸オリゴマーの酵素的合成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5464484A (en) * | 1977-10-31 | 1979-05-24 | Toshiba Corp | Infrared ray array element |
| JPS57102053A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS57208161A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-21 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS58140153A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光学読取りセンサの製造方法 |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP60185917A patent/JPS6246559A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5464484A (en) * | 1977-10-31 | 1979-05-24 | Toshiba Corp | Infrared ray array element |
| JPS57102053A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS57208161A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-21 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS58140153A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光学読取りセンサの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03183495A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-08-09 | Chisso Corp | 単一の分子量を有するアミノ酸オリゴマーの酵素的合成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582989B2 (ja) | 1993-11-24 |
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