JPH04133358A - 半導体装置用電極 - Google Patents
半導体装置用電極Info
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- JPH04133358A JPH04133358A JP2254516A JP25451690A JPH04133358A JP H04133358 A JPH04133358 A JP H04133358A JP 2254516 A JP2254516 A JP 2254516A JP 25451690 A JP25451690 A JP 25451690A JP H04133358 A JPH04133358 A JP H04133358A
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- thermal annealing
- electrode
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は作製工程に熱アニール工程を有する半導体装置
の裏面電極にかんするものである。
の裏面電極にかんするものである。
本発明は熱アニール工程において変質しない電極の構造
に関するものである。
に関するものである。
従来、熱アニール工程を有する熱再結晶化によって多結
晶珪素半導体層を得る多結晶珪素太陽電池などの半導体
装置は、ガラス基板上に設けられる裏面電極として高融
点であるＴｉ、 Ｃｒ、 Ｗなどの金属薄膜をもちいて
いた。
晶珪素半導体層を得る多結晶珪素太陽電池などの半導体
装置は、ガラス基板上に設けられる裏面電極として高融
点であるＴｉ、 Ｃｒ、 Ｗなどの金属薄膜をもちいて
いた。
従来熱アニールによる非晶質珪素の熱多結晶化によって
得られる多結晶珪素半導体装置の作製例としては、絶縁
性基板上に裏面電極として高融点の金属薄膜を成膜し、
これにメタルマスクを用いてＰＩＮまたはＮＩＰの半導
体層を作製し、その後熱アニールにより前記半導体層を
多結晶化させるものであった。
得られる多結晶珪素半導体装置の作製例としては、絶縁
性基板上に裏面電極として高融点の金属薄膜を成膜し、
これにメタルマスクを用いてＰＩＮまたはＮＩＰの半導
体層を作製し、その後熱アニールにより前記半導体層を
多結晶化させるものであった。
しかし、熱アニール時において半導体層がエツチングさ
れた部分の裏面電極は外気に曝される等されるので、そ
の後の熱アニール時において変質してしまう問題があっ
た。
れた部分の裏面電極は外気に曝される等されるので、そ
の後の熱アニール時において変質してしまう問題があっ
た。
本発明は、従来の裏面電極において問題であっった熱ア
ニール時の変質を防ぐための電極構造を発明することを
目的とする。
ニール時の変質を防ぐための電極構造を発明することを
目的とする。
本発明は、絶縁性基板上に設けられた高融点金属の薄膜
と、該高融点金属上に設けられたー導電型を有する半導
体薄膜からなることを特徴とする半導体装置用電極であ
る。
と、該高融点金属上に設けられたー導電型を有する半導
体薄膜からなることを特徴とする半導体装置用電極であ
る。
絶縁性基板とは、ガラス基板、石英基板、等の一般に薄
膜型太陽電池などに用いられている基板をいう。
膜型太陽電池などに用いられている基板をいう。
高融点金属とは、Ｔｉ、 Ｃｒ、 Ｗなどの金属をさす
ものである。
ものである。
一導電型を有する半導体薄膜とは、−導電型を有する元
素であるＰやＢが５０％の濃度で添加された半導体の薄
膜をいう。
素であるＰやＢが５０％の濃度で添加された半導体の薄
膜をいう。
本発明は、金属電極を一導電型を有する半導体薄膜で覆
うことによって熱アニール時における金属電極の変質を
防ぐものである。
うことによって熱アニール時における金属電極の変質を
防ぐものである。
また熱アニール時において、−導電型を有する半導体薄
膜が活性化されシート抵抗の低減化を計ることができる
という別の効果も得ることができるものである。
膜が活性化されシート抵抗の低減化を計ることができる
という別の効果も得ることができるものである。
本実施例は、多結晶珪素太陽電池に本発明を応用したも
のである。
のである。
第１図に本実施例の一部分を示す。
以下本実施例の作製工程を示す。
まず石英基板（１１）上にＴｉ（１２）を公知のスパッ
タ法により１００〜２０００人の厚さに成膜する。
タ法により１００〜２０００人の厚さに成膜する。
つぎに−導電型を有する半導体薄膜であるＰ型の非晶質
珪素半導体（１３）をＰＣＶＤ法により以下の条件で１
０００〜６０００人の厚さに成膜する。
珪素半導体（１３）をＰＣＶＤ法により以下の条件で１
０００〜６０００人の厚さに成膜する。
Ｂ２Ｈｇ／５ＩＨ４＝０．０１〜１ （総流量２５〜
５０ＳＣＣｍ）圧力 ０．０１〜ｌ Ｔｏｒｒ 温度 １００〜４００℃ ＲＦ（１３，５６ＭＨｚ）出力 １０〜８０Ｗその後６
００°Ｃ，Ｎ２雰囲気下において、６〜９６時間の時間
をかけ熱アニールを行ない本発明である電極を得た。こ
の熱アニールを行なうのは金属薄膜であるＴｉ（１２）
の粒径を大きくし、シート抵抗の低減化をはかるためで
ある。
５０ＳＣＣｍ）圧力 ０．０１〜ｌ Ｔｏｒｒ 温度 １００〜４００℃ ＲＦ（１３，５６ＭＨｚ）出力 １０〜８０Ｗその後６
００°Ｃ，Ｎ２雰囲気下において、６〜９６時間の時間
をかけ熱アニールを行ない本発明である電極を得た。こ
の熱アニールを行なうのは金属薄膜であるＴｉ（１２）
の粒径を大きくし、シート抵抗の低減化をはかるためで
ある。
その後メタルマスクを用いてパターンエツチングを行な
い第１図に示す状態を得た。
い第１図に示す状態を得た。
つぎにＰＣＶＤ法によりＰ型非晶質珪素半導体層（１４
）を以下の条件で１００〜５００人本実施例においては
５００人の厚さに成膜した。
）を以下の条件で１００〜５００人本実施例においては
５００人の厚さに成膜した。
ＢＪｓ／５ｉＨ４＝０．０１〜Ｉ （総流量２５〜５
０ｓｅｃｍ）圧力 ０．０１−Ｉ Ｔｏｒｒ 温度 １００〜４００℃ ＲＦ（１３，５６ＭＨｚ）出力 ｌＯ〜８０ＷつぎにＰ
ＣＶＤ法によりＩ型非晶質珪素半導体層（１５）を以下
の条件で０．５〜１８ｍ本実施例においては０．５μｍ
の厚さに成膜した。
０ｓｅｃｍ）圧力 ０．０１−Ｉ Ｔｏｒｒ 温度 １００〜４００℃ ＲＦ（１３，５６ＭＨｚ）出力 ｌＯ〜８０ＷつぎにＰ
ＣＶＤ法によりＩ型非晶質珪素半導体層（１５）を以下
の条件で０．５〜１８ｍ本実施例においては０．５μｍ
の厚さに成膜した。
５ｉＨ４＝ １０〜１０１００５ｅ
圧力 ０．０１〜Ｉ Ｔｏｒｒ
温度 １００〜４００℃
ＲＦ（１３，５６ＭＨ２）出力 １０〜１００Ｗつぎに
ＰＣＶＤ法によりＮ型非晶質珪素半導体層（１６）を以
下の条件で１００〜５００人、本実施例においては５０
０人の厚さに成膜した。
ＰＣＶＤ法によりＮ型非晶質珪素半導体層（１６）を以
下の条件で１００〜５００人、本実施例においては５０
０人の厚さに成膜した。
ＰＨａ／５ｉＨ４＝０．０１−１ （総流量２５〜５
０ｓｅｃｍ）圧力 ０．０１〜Ｉ Ｔｏｒｒ 温度 １００〜４００°Ｃ ＲＦ（１３，５６ＭＨ２）出力 １０〜８０Ｗその後、
Ｎ２雰囲気下６００°Ｃの温度下において上記半導体層
の熱再結晶化を行ない多結晶珪素半導体層を得た。この
状態において裏面電極（１３）は半導体層かエツチング
された部分か表面に露出するが、熱アニール工程におい
て変質することはなかった。
０ｓｅｃｍ）圧力 ０．０１〜Ｉ Ｔｏｒｒ 温度 １００〜４００°Ｃ ＲＦ（１３，５６ＭＨ２）出力 １０〜８０Ｗその後、
Ｎ２雰囲気下６００°Ｃの温度下において上記半導体層
の熱再結晶化を行ない多結晶珪素半導体層を得た。この
状態において裏面電極（１３）は半導体層かエツチング
された部分か表面に露出するが、熱アニール工程におい
て変質することはなかった。
最後に透明電極であるＩＴＯ導電膜（１７）を公知のス
パッタ法により３０００人の厚さに成膜して本実施例で
ある多結晶珪素太陽電池を完成させた。
パッタ法により３０００人の厚さに成膜して本実施例で
ある多結晶珪素太陽電池を完成させた。
本発明の構成をとることによって、熱アニール時におい
て変質しない裏面電極を作製することができ、これをそ
の作製工程において熱アニール工程を有する半導体装置
に応用することによって、信頼性の高い半導体装置を得
ることができた。
て変質しない裏面電極を作製することができ、これをそ
の作製工程において熱アニール工程を有する半導体装置
に応用することによって、信頼性の高い半導体装置を得
ることができた。
なお本発明は多結晶珪素半導体装置に限られるものでは
なく、一般に熱アニール工程を有する半導体装置にも適
用できるものである。
なく、一般に熱アニール工程を有する半導体装置にも適
用できるものである。
本発明の構成をとることによって、 従来において問題
であった、熱アニール時における金属電極の変質を防ぐ
ことができ高信頼性を有する半導体装置を得ることかで
きた。
であった、熱アニール時における金属電極の変質を防ぐ
ことができ高信頼性を有する半導体装置を得ることかで
きた。
第１図は本実施例において作製した多結晶珪素太陽電池
の一部分を示したものである。 （１１）・・・石英基板 （１２）・・・金属薄膜 （３）・・・Ｐ型珪素半導体層 （４）・・・Ｐ型珪素半導体層 （５）・・・■型珪素半導体層 （６）・・・Ｎ型珪素半導体層 （７）・・・透明電極
の一部分を示したものである。 （１１）・・・石英基板 （１２）・・・金属薄膜 （３）・・・Ｐ型珪素半導体層 （４）・・・Ｐ型珪素半導体層 （５）・・・■型珪素半導体層 （６）・・・Ｎ型珪素半導体層 （７）・・・透明電極
Claims (1)
- （１）絶縁性基板上に設けられた高融点金属の薄膜と、
該高融点金属上に設けられた一導電型を有する半導体薄
膜からなることを特徴とする半導体装置用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2254516A JPH04133358A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体装置用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2254516A JPH04133358A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体装置用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133358A true JPH04133358A (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=17266133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2254516A Pending JPH04133358A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 半導体装置用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04133358A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100972780B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2010-07-29 | 주식회사 티지솔라 | 태양전지 및 그 제조방법 |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP2254516A patent/JPH04133358A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100972780B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2010-07-29 | 주식회사 티지솔라 | 태양전지 및 그 제조방법 |
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