JPS60140513A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS60140513A JPS60140513A JP24690983A JP24690983A JPS60140513A JP S60140513 A JPS60140513 A JP S60140513A JP 24690983 A JP24690983 A JP 24690983A JP 24690983 A JP24690983 A JP 24690983A JP S60140513 A JPS60140513 A JP S60140513A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に電極部
の形成工程を簡略化した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
するものである。
の形成工程を簡略化した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
するものである。
薄膜磁気ヘッド（以下、単に「ヘッド」という）のヘッ
ド出力信号を取出すためのリード線を接続する電極部に
は、通常、５ｎ−Ｐｂ半日またはＡｕ膜が用いられてい
る。また、上記電極部とヘッド素子の導体コイルとの接
続には、コイル引出し線導体が用いられている。上記コ
イル引出し線導体は、ヘッド素子の保護のためにヘット
素子上全面に形成されている３０〜５０μｍの無機絶縁
膜の形成前に、上記電極部の下に３０〜５０μｍ程度形
成される。
ド出力信号を取出すためのリード線を接続する電極部に
は、通常、５ｎ−Ｐｂ半日またはＡｕ膜が用いられてい
る。また、上記電極部とヘッド素子の導体コイルとの接
続には、コイル引出し線導体が用いられている。上記コ
イル引出し線導体は、ヘッド素子の保護のためにヘット
素子上全面に形成されている３０〜５０μｍの無機絶縁
膜の形成前に、上記電極部の下に３０〜５０μｍ程度形
成される。
無機絶縁膜形成後、その表面を機械加工することにより
、上記コイル引出し線が無機絶縁膜面に露出し、これが
電極下地膜となる。次に、前述の５ｎ−Ｐｂ半田、また
はＡｕ膜を形成して電極部とする。この電極部および前
記電極下地膜は、厚付けが容易なエレクトロフォーミン
グ法で形成される。
、上記コイル引出し線が無機絶縁膜面に露出し、これが
電極下地膜となる。次に、前述の５ｎ−Ｐｂ半田、また
はＡｕ膜を形成して電極部とする。この電極部および前
記電極下地膜は、厚付けが容易なエレクトロフォーミン
グ法で形成される。
第１図（Ａ）、（Ｂ）に通常行われている薄膜技術によ
って製造されたヘッド素子の断面図を示す。
って製造されたヘッド素子の断面図を示す。
なお、（Ａ）は素子部の縦断面図、（Ｂ）は電極部の横
断面図である。図において、１はセラミック基板、２は
下地膜、３は下部磁性体、４はギャップ膜、５は第１絶
縁膜、６は導体コイル、７は第２絶縁膜、８は上部磁性
体、９はコイル引出し用導体を示している。また、１０
．１４はめっき下地膜、１１は電極下地膜、１２は保護
膜、１６は電極膜を示している。
断面図である。図において、１はセラミック基板、２は
下地膜、３は下部磁性体、４はギャップ膜、５は第１絶
縁膜、６は導体コイル、７は第２絶縁膜、８は上部磁性
体、９はコイル引出し用導体を示している。また、１０
．１４はめっき下地膜、１１は電極下地膜、１２は保護
膜、１６は電極膜を示している。
第１図（Ａ）に示す如く形成されたヘッド素子において
は、前述の如く、導体コイル６と接続するコイル引出し
線導体９（接続部を９Ａとする）を第１図（Ｂ）に示す
電極部を形成する位置まで引出しておく必要がある。以
下、電極部において、上記引出されたコイル引出し線導
体９上に電極膜を形成する過程を、第２図（Ａ）〜（Ｄ
）によって詳細に説明する。
は、前述の如く、導体コイル６と接続するコイル引出し
線導体９（接続部を９Ａとする）を第１図（Ｂ）に示す
電極部を形成する位置まで引出しておく必要がある。以
下、電極部において、上記引出されたコイル引出し線導
体９上に電極膜を形成する過程を、第２図（Ａ）〜（Ｄ
）によって詳細に説明する。
第２図（Ａ）〜（Ｄ）は、第１図（Ｂ）に対応する断面
図である。
図である。
電極部においては、まず、第２図（Ａ）に示す如く、電
極下地膜１１をエレクトロフォーミング法で形成するた
めのめっき下地膜１０として、Ｃｕ 、 Ｎ ｉ 。
極下地膜１１をエレクトロフォーミング法で形成するた
めのめっき下地膜１０として、Ｃｕ 、 Ｎ ｉ 。
Ｆａおよびそれらの合金を、蒸着あるいはスパッタリン
グ法で０．１〜１μｍ堆積する。次に、ホトレジストを
用いて電極下地膜１１をめっきするためのレジストマス
ク１３を形成し、これを用いて、第２図（Ｂ）に示す如
く、めっき法により電極部のみに電極下地膜１１を形成
する。上記電極下地膜１１はめっきが可能で、かつ、電
気抵抗が低い金属が有利であり、通常、Ｃｕ 、 Ｎ
ｉ 、 Ａ ｕが用いられている。
グ法で０．１〜１μｍ堆積する。次に、ホトレジストを
用いて電極下地膜１１をめっきするためのレジストマス
ク１３を形成し、これを用いて、第２図（Ｂ）に示す如
く、めっき法により電極部のみに電極下地膜１１を形成
する。上記電極下地膜１１はめっきが可能で、かつ、電
気抵抗が低い金属が有利であり、通常、Ｃｕ 、 Ｎ
ｉ 、 Ａ ｕが用いられている。
その後、第２図（Ｃ）に示す如く、スパッタリング法で
素子部および電極下地膜１１上を全面覆う無機絶縁膜を
約３０〜５０μｍ形成し保護膜１２とする。
素子部および電極下地膜１１上を全面覆う無機絶縁膜を
約３０〜５０μｍ形成し保護膜１２とする。
次に、上記保護膜１２を、ヘット素子部および電極下地
膜１１部分の段差がなくなり、かつ、電極下地膜１１が
露出する位置Ａ−Ａまで機械加工する。
膜１１部分の段差がなくなり、かつ、電極下地膜１１が
露出する位置Ａ−Ａまで機械加工する。
第２図（Ｃ）にＡ−Ａで示される位置まで加工したら、
加工面を洗浄し、第２図（Ｄ）に示す如く、先に電極下
地膜１１を形成する際に行ったと同様に、めっき用下地
膜１４．レジストマスク１５を形成し、エレクトロフォ
ーミング法を用いて約５〜１５μｍの５ｎ−Ｐｂ半日ま
たはＡｕ膜を形成し電極膜１６とする。
加工面を洗浄し、第２図（Ｄ）に示す如く、先に電極下
地膜１１を形成する際に行ったと同様に、めっき用下地
膜１４．レジストマスク１５を形成し、エレクトロフォ
ーミング法を用いて約５〜１５μｍの５ｎ−Ｐｂ半日ま
たはＡｕ膜を形成し電極膜１６とする。
上述の如く、従来の製造方法においては、電極部は、電
極膜１６と電極下地膜１１との２層構造となっている。
極膜１６と電極下地膜１１との２層構造となっている。
その形成方法は、めっき下地膜堆積−レシストマスク形
成−めっき−レジストマスクおよびめっき下地膜除去、
という工程を２回繰り返す如く構成されており、電極形
成プロセスが長いことが欠点となっている。
成−めっき−レジストマスクおよびめっき下地膜除去、
という工程を２回繰り返す如く構成されており、電極形
成プロセスが長いことが欠点となっている。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
る上述の如き欠点を除去し、電極部形成工程を簡略化し
た薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
するところは、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法におけ
る上述の如き欠点を除去し、電極部形成工程を簡略化し
た薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
本発明の要点は、電極部の形成プロセスを簡略化するた
め、同一のめっき下地膜を用いて、２層のめっき膜を形
成するようにした点にある。
め、同一のめっき下地膜を用いて、２層のめっき膜を形
成するようにした点にある。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
本実施例の製造工程における素子部の形成工程は従来の
製造工程と同じであるので、最初に、先に示した第１図
（Ａ）に基づいて、素子部の形成工程を説明する。
製造工程と同じであるので、最初に、先に示した第１図
（Ａ）に基づいて、素子部の形成工程を説明する。
第１図（Ａ）に示す如く、ヘット素子は、まず、セラミ
ック基板１の全面に無機絶縁膜をスパッタリング法で堆
積し、平担な下地膜を形成する。次に、膜厚約２μｍの
パーマロイをスパッタリング法またはエレクトロフォー
ミング法で堆積し、フォトエツチング技術でパターンを
形成して下部磁性膜３とする。
ック基板１の全面に無機絶縁膜をスパッタリング法で堆
積し、平担な下地膜を形成する。次に、膜厚約２μｍの
パーマロイをスパッタリング法またはエレクトロフォー
ミング法で堆積し、フォトエツチング技術でパターンを
形成して下部磁性膜３とする。
次に、膜厚約１μｍの無機絶縁膜を′スパッタリングあ
るいは蒸着法で堆積し、フォトエツチング技術でパター
ンを形成してギャップ膜４とする。更に、有機絶縁膜を
パターンニングして、第１絶縁膜５とする。
るいは蒸着法で堆積し、フォトエツチング技術でパター
ンを形成してギャップ膜４とする。更に、有機絶縁膜を
パターンニングして、第１絶縁膜５とする。
次に、膜厚ｌ〜４μｍの導体金属をスパッタリング法ま
たはエレクトロフォーミング法で堆積し、フォトエツチ
ング技術によりコイル幅４・−１０μｍ、コイル間隔３
〜６μｍの導体コイル６を形成する。
たはエレクトロフォーミング法で堆積し、フォトエツチ
ング技術によりコイル幅４・−１０μｍ、コイル間隔３
〜６μｍの導体コイル６を形成する。
上記導体コイル６上に前記第１絶縁膜５と同様の方法で
第２絶縁膜７を形成し、前記下部磁性膜３と同様の方法
で上部磁性膜８を形成する。この際、第１図（Ａ）に９
Ａで示す如き導体コイル６との接合部を設け、ヘッド素
子からの電極引出し用導体９のパターンをも同時に、パ
ーマロイ膜で形成する。以下、これを第３図により、詳
細に説明する。
第２絶縁膜７を形成し、前記下部磁性膜３と同様の方法
で上部磁性膜８を形成する。この際、第１図（Ａ）に９
Ａで示す如き導体コイル６との接合部を設け、ヘッド素
子からの電極引出し用導体９のパターンをも同時に、パ
ーマロイ膜で形成する。以下、これを第３図により、詳
細に説明する。
第３図はヘッドの外観を示す平面図であり、２０は素子
部を示している。同図（Ａ）は上記電極引出し導体９の
パターンを示すものであり、同図（Ｂ）は上記電極引出
し導体９を形成後、スパッタリング法または蒸着法でめ
っき下地膜１０となる、電気抵抗の低い金属、例えば、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｕまたはその合金膜を０．１〜２
μｍ堆積した状況を示すものである。
部を示している。同図（Ａ）は上記電極引出し導体９の
パターンを示すものであり、同図（Ｂ）は上記電極引出
し導体９を形成後、スパッタリング法または蒸着法でめ
っき下地膜１０となる、電気抵抗の低い金属、例えば、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｕまたはその合金膜を０．１〜２
μｍ堆積した状況を示すものである。
この際、密着性を改善する目的でＣｒ、Ａｉ、Ｔｉ。
Ｍｏ、Ｎｉ−Ｃｒ合金を、０．０３−０．１μｍ程度、
密着層として堆積すると良い。次に、第３図（Ｂ）に示
す如く、各素子（破線で示されている）の電極部上にめ
っき下地膜１０が残り、かつ、一対の電極部の一方だけ
に接続するように、フォトエツチング技術でめっき下地
膜１０をパターンニングする。なお、上記めっき下地膜
ＩＯは前記セラミック基板１上の全素子とも接続されて
いる必要がある。
密着層として堆積すると良い。次に、第３図（Ｂ）に示
す如く、各素子（破線で示されている）の電極部上にめ
っき下地膜１０が残り、かつ、一対の電極部の一方だけ
に接続するように、フォトエツチング技術でめっき下地
膜１０をパターンニングする。なお、上記めっき下地膜
ＩＯは前記セラミック基板１上の全素子とも接続されて
いる必要がある。
第４図ＣＡ）〜（Ｃ）は第３図（Ｂ）のＢ−Ｂ部分の断
面図であり、電極部の形成工程を示すものである。以下
、電極部の形成工程を説明する。
面図であり、電極部の形成工程を示すものである。以下
、電極部の形成工程を説明する。
まず、第４図（Ａ）に示す如く、フォトレジストを用い
てめっきの際、電極部だけがめっきされるようにレジス
ト膜１３を形成する。次に、所定のめっき液を用いてＣ
ｕ 、 Ｎ ｉまたはＡｕ等を３０〜５０μＭ形成して
電極下地膜１１とする。次に、前記素子部および上記電
極部の全面を覆う無機絶縁膜をスパッタリング法で形成
し、保護膜１２とする。
てめっきの際、電極部だけがめっきされるようにレジス
ト膜１３を形成する。次に、所定のめっき液を用いてＣ
ｕ 、 Ｎ ｉまたはＡｕ等を３０〜５０μＭ形成して
電極下地膜１１とする。次に、前記素子部および上記電
極部の全面を覆う無機絶縁膜をスパッタリング法で形成
し、保護膜１２とする。
続いて、該保護膜】２を、前記素子部および上記電極部
の段差が平担になり、かつ、電極下地膜１１が露出する
位置、第４図（’Ｂ）にＣ−Ｃで示される位置まで機械
加工する。上記機械加工面を洗浄後めっき下地膜１０に
所定の電流を流し、Ａｕあるいは５ｎ−Ｐｂ半田を５〜
１５μｍめっきして、電極膜１６とする。
の段差が平担になり、かつ、電極下地膜１１が露出する
位置、第４図（’Ｂ）にＣ−Ｃで示される位置まで機械
加工する。上記機械加工面を洗浄後めっき下地膜１０に
所定の電流を流し、Ａｕあるいは５ｎ−Ｐｂ半田を５〜
１５μｍめっきして、電極膜１６とする。
続いて、該保護膜１２を、前記素子部および上記電極部
の段差が平担になり、かつ、電極下地膜１１が露出する
まで機械加工する。上記機械加工面を洗浄後めっき下地
膜１０に所定の電流を流し、Ａｕあるいは５ｎ−Ｐｂ半
田を５〜１５μｍめっきして、電極膜１６とする。
の段差が平担になり、かつ、電極下地膜１１が露出する
まで機械加工する。上記機械加工面を洗浄後めっき下地
膜１０に所定の電流を流し、Ａｕあるいは５ｎ−Ｐｂ半
田を５〜１５μｍめっきして、電極膜１６とする。
めっき下地膜１０に通電するためには、基板の通電位置
に上記電極下地膜１１を形成して置き、めっき下地膜１
０と接続する導体を機械加工面に露出させておく必要が
ある。めっき下地膜１０が直接接続している電極下地膜
１１上には、めっき下地膜１０を通ってめっき電流が流
れる。他方の電極下地膜１１上には上記電極部から導体
コイル６、コイル引出し用導体９を通ってめっき電流が
流れて、所定のめっき膜、すなわち電極膜１６を電極部
だけに形成することができる。
に上記電極下地膜１１を形成して置き、めっき下地膜１
０と接続する導体を機械加工面に露出させておく必要が
ある。めっき下地膜１０が直接接続している電極下地膜
１１上には、めっき下地膜１０を通ってめっき電流が流
れる。他方の電極下地膜１１上には上記電極部から導体
コイル６、コイル引出し用導体９を通ってめっき電流が
流れて、所定のめっき膜、すなわち電極膜１６を電極部
だけに形成することができる。
上記工程の終了後、第３図（Ｂ）に示す如く各素子に接
続された状態のめっき下地膜１０を、破線で示される素
子ごとに切離すことが必要である。この切離しおよびヘ
ッドスライダへの加工を行うことにより、薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。
続された状態のめっき下地膜１０を、破線で示される素
子ごとに切離すことが必要である。この切離しおよびヘ
ッドスライダへの加工を行うことにより、薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。
上述の如く、本実施例によれば、電極部を形成するため
のめっき下地膜を２回利用することになり、めっき下地
膜堆積−レシストマスク形成−めっき−レジストマスク
およびめっき下地膜除去、の工程が大幅に簡略化される
という効果がある。
のめっき下地膜を２回利用することになり、めっき下地
膜堆積−レシストマスク形成−めっき−レジストマスク
およびめっき下地膜除去、の工程が大幅に簡略化される
という効果がある。
また、一対の電極部のうちの一方の電極膜は、導体コイ
ルを介して流れるめっき電流によりめっきが行われるた
め、めっき膜の析出の有無により、導体コイルの抵抗異
常を評価することができるという効果もある。
ルを介して流れるめっき電流によりめっきが行われるた
め、めっき膜の析出の有無により、導体コイルの抵抗異
常を評価することができるという効果もある。
以上述べた如く、本発明によれば、電極部をエレクトロ
フォーミング法を用いて形成する工程を含む薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、上部磁性膜形成時に素子部か
らの電極引出し用導体パターンを形成した後、該導体パ
ターンに接続されるめっき下地膜を形成する工程と、該
めっき下地膜を用いて電極下地膜を形成した後、一旦保
護膜で被覆する工程と、該被覆を機械加工して前記電極
下地膜を露出させ、ここに前記めっき下地膜を用いて電
極膜を形成する工程とを含むようにしたので、電極部形
成工程を簡略化した薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現で
きるという顕著な効果を奏するものである。
フォーミング法を用いて形成する工程を含む薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、上部磁性膜形成時に素子部か
らの電極引出し用導体パターンを形成した後、該導体パ
ターンに接続されるめっき下地膜を形成する工程と、該
めっき下地膜を用いて電極下地膜を形成した後、一旦保
護膜で被覆する工程と、該被覆を機械加工して前記電極
下地膜を露出させ、ここに前記めっき下地膜を用いて電
極膜を形成する工程とを含むようにしたので、電極部形
成工程を簡略化した薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現で
きるという顕著な効果を奏するものである。
第１図（Ａ）は従来の製造方法で製造されたヘッド素子
の断面図、同（Ｂ）は電極部の断面図、第２図は電極部
の形成工程を示す断面図、第３図はヘッドの外観を示す
平面図、第４図は第３図（Ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。 １：セラミック基板、２：下地膜、３：下部磁性膜、４
：ギャップ膜、５：第１絶縁膜、６：導体コイル、７：
第２絶縁膜、８：上部磁性膜、９：コイル引出し用導体
、９Ａ：接続点、１０：めっき下地膜、１１：電極下地
膜、１３ニレジスト膜、１６：第１図 囚 ２ 第 ２ 図 第３図 い〕
の断面図、同（Ｂ）は電極部の断面図、第２図は電極部
の形成工程を示す断面図、第３図はヘッドの外観を示す
平面図、第４図は第３図（Ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。 １：セラミック基板、２：下地膜、３：下部磁性膜、４
：ギャップ膜、５：第１絶縁膜、６：導体コイル、７：
第２絶縁膜、８：上部磁性膜、９：コイル引出し用導体
、９Ａ：接続点、１０：めっき下地膜、１１：電極下地
膜、１３ニレジスト膜、１６：第１図 囚 ２ 第 ２ 図 第３図 い〕
Claims (1)
- （１）電極部をエレクトロフォーミング法を用いて形成
する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上
部磁性膜形成時に素子部からの電極引出し用導体パター
ンを形成した後、該導体パターンに接続されるめっき下
地膜を形成する工程と、該めっき下地膜を用いて電極下
地膜を形成した後、一旦保護膜で被覆する工程と、該被
覆を機械加工して前記電極下地膜を露出させ、ここに前
記めっき下地膜を用いて電極膜を形成する工程とを含む
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24690983A JPS60140513A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24690983A JPS60140513A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140513A true JPS60140513A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17155549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24690983A Pending JPS60140513A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140513A (ja) |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24690983A patent/JPS60140513A/ja active Pending
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