JPS60140517A - 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法Info
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- JPS60140517A JPS60140517A JP25109283A JP25109283A JPS60140517A JP S60140517 A JPS60140517 A JP S60140517A JP 25109283 A JP25109283 A JP 25109283A JP 25109283 A JP25109283 A JP 25109283A JP S60140517 A JPS60140517 A JP S60140517A
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- Japan
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- plating
- terminal
- film
- magnetoresistive
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、薄膜技術により形成される磁気抵抗効果型
ヘッド（以下ＭＲヘッド、ＭＲ素子等と略記する）とそ
の製造方法に関するものである。
ヘッド（以下ＭＲヘッド、ＭＲ素子等と略記する）とそ
の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
通常、磁気抵抗効果型ヘッドは少なくとも第１図に示す
ようにＭＲ素子１１と検知電流を供給するための電流端
子１２を有する。磁気媒体摺動面１３より流入する再生
磁束は、ＭＲ素子１１の電気抵抗を変化させ、したがっ
て電流端子１２を流れる検知電流を変化させる。その電
流変化は適当な抵抗（図示せず）間の電位差変化として
得られ、記録信号に応じた再生出力が得られる。
ようにＭＲ素子１１と検知電流を供給するための電流端
子１２を有する。磁気媒体摺動面１３より流入する再生
磁束は、ＭＲ素子１１の電気抵抗を変化させ、したがっ
て電流端子１２を流れる検知電流を変化させる。その電
流変化は適当な抵抗（図示せず）間の電位差変化として
得られ、記録信号に応じた再生出力が得られる。
実際に用いられるＭＲヘッドでは、この他に線形動作を
得るための種々のバイアス手段が設けられたりプッシュ
プル動作のために電流の中点端子 □が設けられたりす
るが、これらはこの発明に直接に関係を持たないので説
明を省略する。
得るための種々のバイアス手段が設けられたりプッシュ
プル動作のために電流の中点端子 □が設けられたりす
るが、これらはこの発明に直接に関係を持たないので説
明を省略する。
このようなＭＲヘッドでは、十分な感度を得るために、
ＭＲ素子１１の厚さは十分に薄く形成する必要があり、
通常は約５００Å以下である。また、電流端子１２は、
ＭＲ素子ｌの電気抵抗より十分に低い電気抵抗となるよ
うに、その材料と厚さが設定される。−例としてＡｕ／
Ｃｒの０．５μｍ厚さの膜等が用いられる。
ＭＲ素子１１の厚さは十分に薄く形成する必要があり、
通常は約５００Å以下である。また、電流端子１２は、
ＭＲ素子ｌの電気抵抗より十分に低い電気抵抗となるよ
うに、その材料と厚さが設定される。−例としてＡｕ／
Ｃｒの０．５μｍ厚さの膜等が用いられる。
このようなＭＲヘッドにおける問題点の一つは、ＭＲ素
子１１と電流端子１２間が異種金属間接合であるために
、腐食電位差の問題により、接続部分が経済的に腐食を
起し、信頼性が低下する点である。ＭＲヘッドの場合は
、特に接続の一方のＭＲ素子１１が５００人程度以下と
薄いので、受ける影響の程度が大きい。
子１１と電流端子１２間が異種金属間接合であるために
、腐食電位差の問題により、接続部分が経済的に腐食を
起し、信頼性が低下する点である。ＭＲヘッドの場合は
、特に接続の一方のＭＲ素子１１が５００人程度以下と
薄いので、受ける影響の程度が大きい。
この問題をのがれるために、端子部をＭＲ部と同一材料
の膜とすると、端子部のバターニングで困難が生ずる。
の膜とすると、端子部のバターニングで困難が生ずる。
すなわち、まず第１に、端子の膜を全面に形成し、その
後不要部分を除去するパターニングの方法では、その除
去にケミカルエツチング、プラズマエツチング、スパッ
タエツチング。
後不要部分を除去するパターニングの方法では、その除
去にケミカルエツチング、プラズマエツチング、スパッ
タエツチング。
イオンミリング等のいずれの方法を用いても、除去すべ
き部分の直下に同種でかつ極めて薄いＭＲ膜が存在する
ため、この機能素子であるＭＲ膜に何らの損傷を与える
ことなく端子部のバターニングを行うことは事実上不可
能である。一方、あらかじめ除去すべき部分にフォトレ
ジスト等の層を設けたのちに端子部の膜を形成し、その
のちフォトレジストをリフトオフして端子パターンを形
成する方法もあるが、この方法でも端子部は厚いために
リフトオフを行い難く、またリフトオフ時に用いるレジ
ストのリムーバー等が薄いＭＲ膜に損傷を与えたりして
不都合が多い。
き部分の直下に同種でかつ極めて薄いＭＲ膜が存在する
ため、この機能素子であるＭＲ膜に何らの損傷を与える
ことなく端子部のバターニングを行うことは事実上不可
能である。一方、あらかじめ除去すべき部分にフォトレ
ジスト等の層を設けたのちに端子部の膜を形成し、その
のちフォトレジストをリフトオフして端子パターンを形
成する方法もあるが、この方法でも端子部は厚いために
リフトオフを行い難く、またリフトオフ時に用いるレジ
ストのリムーバー等が薄いＭＲ膜に損傷を与えたりして
不都合が多い。
ＭＲ素子と端子部を同一材料とし、かつその形成順序を
第１図とは逆にして、端子部を先に形成するようにすれ
ば、第２図にその断面を示すように、一応バターニング
の問題は無くなる。つまり、基板４上に厚い端子部２を
適当な方法でパターン形成し、つぎにＭＲ部１１を形成
する。ＭＲ部のパターニングには周知のいずれの方法を
用いても、端子部はＭＲ部より十分厚く、またデリケー
トな機能素子でもないので、多少のオーバーエッチ等に
よる影響は無視できる。しかしながら、この場合高段差
部分に薄いＭＲ膜が形成されるので、部分１５のような
箇所でＭＲ膜がつながらなかったりする不都合が発生し
易い。
第１図とは逆にして、端子部を先に形成するようにすれ
ば、第２図にその断面を示すように、一応バターニング
の問題は無くなる。つまり、基板４上に厚い端子部２を
適当な方法でパターン形成し、つぎにＭＲ部１１を形成
する。ＭＲ部のパターニングには周知のいずれの方法を
用いても、端子部はＭＲ部より十分厚く、またデリケー
トな機能素子でもないので、多少のオーバーエッチ等に
よる影響は無視できる。しかしながら、この場合高段差
部分に薄いＭＲ膜が形成されるので、部分１５のような
箇所でＭＲ膜がつながらなかったりする不都合が発生し
易い。
第３図のように、ＭＲ部分１１°と端子部１２゛を全く
同一に一体形成してしまう場合、以上のような問題は発
生しないが端子部１２の抵抗がＭＲ部分１１゛のそれと
同等以上になってしまい不都合である。これの端子部分
１゛のみを厚くし、外観上第１図と同様の形とする場合
、その厚くする部分のバターニングで前述と同様の困難
が発生する。
同一に一体形成してしまう場合、以上のような問題は発
生しないが端子部１２の抵抗がＭＲ部分１１゛のそれと
同等以上になってしまい不都合である。これの端子部分
１゛のみを厚くし、外観上第１図と同様の形とする場合
、その厚くする部分のバターニングで前述と同様の困難
が発生する。
発明の目的
この発明は、磁気抵抗効果型素子と電流端子とを同種金
属にすることが容易であり、これらの接合部分での腐食
発生が少なく、経時変化の少ない磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法を提供することを目的とする。
属にすることが容易であり、これらの接合部分での腐食
発生が少なく、経時変化の少ない磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
この発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効果磁性
膜を所定の磁気抵抗効果素子形状がら少なくとも電流端
子パターンにまで連続して延在形成し、この延在形成し
た磁気抵抗効果磁性膜をめっき下地電極として電流端子
をめっき形成したものである。
膜を所定の磁気抵抗効果素子形状がら少なくとも電流端
子パターンにまで連続して延在形成し、この延在形成し
た磁気抵抗効果磁性膜をめっき下地電極として電流端子
をめっき形成したものである。
この発明の第１の製造方法では、基板」二に磁気抵抗効
果磁性膜を実施的に全面に形成し、電流端子のパターニ
ングは、めっきすべき部分のみ露出するフォトレジスト
マスク等を用いてパターンめっきすることにより行う。
果磁性膜を実施的に全面に形成し、電流端子のパターニ
ングは、めっきすべき部分のみ露出するフォトレジスト
マスク等を用いてパターンめっきすることにより行う。
この発明の第２の製造方法では、磁気抵抗効果磁性膜を
予じめ磁気抵抗効果素子と電流端子の占めるパターン形
状に形成し、その後に電流端子をパターンめっきする。
予じめ磁気抵抗効果素子と電流端子の占めるパターン形
状に形成し、その後に電流端子をパターンめっきする。
このようにすることにより、概述の問題なく、相対的に
薄い磁気抵抗効果磁性膜と厚い電流端子を同種材料で構
成することができる。
薄い磁気抵抗効果磁性膜と厚い電流端子を同種材料で構
成することができる。
実施例の説明
第４図ないし第６図にこの発明の一実施例を示す。最初
に、第４図に示すようにガラス基板４上にＭＲ膜１とし
てパーマロイ膜を真空蒸着により５００人の厚さで全面
形成する。つぎに、フォトレジストにより、端子パター
ン部形成が露出するようなめっきマスク６を形成する。
に、第４図に示すようにガラス基板４上にＭＲ膜１とし
てパーマロイ膜を真空蒸着により５００人の厚さで全面
形成する。つぎに、フォトレジストにより、端子パター
ン部形成が露出するようなめっきマスク６を形成する。
このマスク６を用い、ＭＲ膜１をめっき用下地電極とし
て、端子２をパーマロイめっきにより形成する。めっき
膜は１μｍとする。
て、端子２をパーマロイめっきにより形成する。めっき
膜は１μｍとする。
つぎに第５図に示すように、めっき用のレジストのマス
ク６を有機溶剤で除去した後ＭＲ素子部として残るべき
部分をフォトレジスト７で覆い、イオンミリングによる
エツチングを行う。全面に形成したＭＲ膜１のうち、フ
ォトレジスト７と端子２の下の部分に存するもの以外を
除去して第６図のようにＭＲ素子８のパターニングを行
う。このイオンミリングに際して、端子２の上面もＭＲ
膜１の厚さ程度エツチングされるが、端子２はＭＲ膜１
の２０倍程度の厚みがあるので、ここでは無視でき−る
程度の蚤である。もし問題があるようであれば、フォト
レジスト７とともに、端子２にもレジスト層を形成して
エツチングを行えば良い。
ク６を有機溶剤で除去した後ＭＲ素子部として残るべき
部分をフォトレジスト７で覆い、イオンミリングによる
エツチングを行う。全面に形成したＭＲ膜１のうち、フ
ォトレジスト７と端子２の下の部分に存するもの以外を
除去して第６図のようにＭＲ素子８のパターニングを行
う。このイオンミリングに際して、端子２の上面もＭＲ
膜１の厚さ程度エツチングされるが、端子２はＭＲ膜１
の２０倍程度の厚みがあるので、ここでは無視でき−る
程度の蚤である。もし問題があるようであれば、フォト
レジスト７とともに、端子２にもレジスト層を形成して
エツチングを行えば良い。
このように、端子２をパターンめっきで形成することと
し、そのめっきのための下地電極層をＭＲ膜で兼用し、
かつその後の下地電極層除去に際して少なくともＭＲ素
子部を残すことにして、ＭＲ素子のパターニングを兼ね
るものである。そのため、各部のパターニングに全く無
理がなく、またＭＲ素子と端子の材料が同種の場合の形
成方法として本質的に適している。
し、そのめっきのための下地電極層をＭＲ膜で兼用し、
かつその後の下地電極層除去に際して少なくともＭＲ素
子部を残すことにして、ＭＲ素子のパターニングを兼ね
るものである。そのため、各部のパターニングに全く無
理がなく、またＭＲ素子と端子の材料が同種の場合の形
成方法として本質的に適している。
なお、実施例では、ＭＲ素子８と端子２にパーマロイを
用いたが、めっき可能な材料である限り、他の材料でも
この発明の効果を十分に生かすことができる。
用いたが、めっき可能な材料である限り、他の材料でも
この発明の効果を十分に生かすことができる。
また、実施例では端子２がパーマロイそのものであるた
めに、端子引き出し部まで比較的長距離続くこの端子２
がノイズの誘導源になったりする場合がある。このよう
な場合は、端子２のパーマロイの組成をたとえばＮｉ９
０％、ＦｅｌＯ％程度にずらせて高透磁率組成を少し外
してやると良い。この場合腐食電位の点で大幅な不利を
招くことな（、前記の不都合をさけることができる。
めに、端子引き出し部まで比較的長距離続くこの端子２
がノイズの誘導源になったりする場合がある。このよう
な場合は、端子２のパーマロイの組成をたとえばＮｉ９
０％、ＦｅｌＯ％程度にずらせて高透磁率組成を少し外
してやると良い。この場合腐食電位の点で大幅な不利を
招くことな（、前記の不都合をさけることができる。
さらに、前記実施例では全面に形成したＭＲ膜をめっき
電極としたが、あらかじめＭＲ膜を、ＭＲ素子と電流端
子が占める形状にパターニングし、つぎにＭＲ素子が占
める部分のみフォトレジストで覆って、ＭＲ膜をめっき
下地電極として電流端子をパターンめっきしてもよい。
電極としたが、あらかじめＭＲ膜を、ＭＲ素子と電流端
子が占める形状にパターニングし、つぎにＭＲ素子が占
める部分のみフォトレジストで覆って、ＭＲ膜をめっき
下地電極として電流端子をパターンめっきしてもよい。
この場合も各部のパターニングを無理なく行える。しか
も、先の実施例とは異なって、電流端子上面がエツチン
グされることがない。
も、先の実施例とは異なって、電流端子上面がエツチン
グされることがない。
この発明ではすでに明らかなように、ＭＲ部と端子部を
同種材料で形成するのが特徴であるが、めっきが可能で
ある限り、腐食電位差の十分小さい異種材料によりこの
発明を実施できることも明らかである。
同種材料で形成するのが特徴であるが、めっきが可能で
ある限り、腐食電位差の十分小さい異種材料によりこの
発明を実施できることも明らかである。
発明の効果
この発明によれば、磁気抵抗効果素子と電流端子とを基
本的に同種金属とすることが容易であり、これらの接合
部分での腐食発生が少なく、経時劣化の少ない磁気抵抗
効果型ヘッドが得られるという効果がある。
本的に同種金属とすることが容易であり、これらの接合
部分での腐食発生が少なく、経時劣化の少ない磁気抵抗
効果型ヘッドが得られるという効果がある。
第１図は従来の平面図、第２図は他の従来例の断面図、
第３図はさらに他の従来例の断面図、第４図（Ａ）、第
５図（Ａ）および第６図（Ａ）はそれぞれこの発明の一
実施例の製造工程の平面図、第４図（Ｂ）、第５図（Ｂ
）および第６図（Ｂ）はそれぞれ第４図（Ａ）、第５図
（Ａ）および第６図（Ａ）のＡ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ線
断面図である。 １・・・ＭＲ膜、２・・・端子、４・・・ガラス基板、
６・・・マスク、７・・・フォトレジスト、８・・・Ｍ
Ｒ素子第１図 １４ 第２図 第３図 第４図 第５図
第３図はさらに他の従来例の断面図、第４図（Ａ）、第
５図（Ａ）および第６図（Ａ）はそれぞれこの発明の一
実施例の製造工程の平面図、第４図（Ｂ）、第５図（Ｂ
）および第６図（Ｂ）はそれぞれ第４図（Ａ）、第５図
（Ａ）および第６図（Ａ）のＡ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ線
断面図である。 １・・・ＭＲ膜、２・・・端子、４・・・ガラス基板、
６・・・マスク、７・・・フォトレジスト、８・・・Ｍ
Ｒ素子第１図 １４ 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌｌ めっき下地電極部が連続して形成された磁気抵
抗効果素子と、前記めっき下地電極部上に形成されため
っき層からなり前記磁気抵抗効果素子に検知電流を供給
する電流端子とを備えた磁気抵抗効果型ヘッド。 （２）基板上に磁気抵抗効果磁性膜を実質的に全面形成
する工程と、前記磁性膜をめっき用下地電極として磁気
抵抗効果素子のための電流端子をパターンめっきする工
程と、前記下地電極のうち少くとも前記磁気抵抗効果素
子として残る部分と前記電流端子の下層として存する部
分とを残してエツチングする工程とを含む磁気抵抗効果
型ヘッドの製造方法。 （３）前記磁気抵抗効果磁性膜および前記電流端子がＦ
ｅ−Ｎｉ合金よりなる特許請求の範囲第（２）項記載の
磁気抵抗効果型へラドの製造方法。 （４）磁気抵抗効果磁性膜を少なくとも磁気抵抗効果素
子と電流端子の占めるパターン形状に形成する工程と、
前記磁性膜をめっき用下地電極として前記電流端子をパ
ターンめっきする工程を含む磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法。 （５） 前記磁気抵抗効果磁性膜および電流端子がＦｅ
−Ｎｉ合金より成る特許請求の範囲第（４）項記載の磁
気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25109283A JPS60140517A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25109283A JPS60140517A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140517A true JPS60140517A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH0441410B2 JPH0441410B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=17217519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25109283A Granted JPS60140517A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140517A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57167115A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetoresistance head |
| JPS58115622A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気抵抗ヘツド |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP25109283A patent/JPS60140517A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57167115A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetoresistance head |
| JPS58115622A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気抵抗ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0441410B2 (ja) | 1992-07-08 |
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