JPS6074588A - 磁気抵抗素子のパッケ−ジング方法 - Google Patents
磁気抵抗素子のパッケ−ジング方法Info
- Publication number
- JPS6074588A JPS6074588A JP58180264A JP18026483A JPS6074588A JP S6074588 A JPS6074588 A JP S6074588A JP 58180264 A JP58180264 A JP 58180264A JP 18026483 A JP18026483 A JP 18026483A JP S6074588 A JPS6074588 A JP S6074588A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- metallic frame
- magnetoresistive element
- substrate
- ferromagnetic thin
- Prior art date
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、回転磁気エンコーダなどに使用される磁気抵
抗素子の耐湿性、機械的強度を向上させたパンケージン
グ方法に関する。
抗素子の耐湿性、機械的強度を向上させたパンケージン
グ方法に関する。
ＮＧ工作機械等の回転軸の回転数や回転角度（位置）を
正確に測定する手段として、磁気パターンを設けた回転
磁気ドラムと、この回転磁気ドラムの磁気パターンから
の漏れ磁束を検出する固定された磁気抵抗素子とからな
る回転磁気エンコーダが用いられている。
正確に測定する手段として、磁気パターンを設けた回転
磁気ドラムと、この回転磁気ドラムの磁気パターンから
の漏れ磁束を検出する固定された磁気抵抗素子とからな
る回転磁気エンコーダが用いられている。
第１図は従来の回転磁気エンコーダの一例を示す要部側
断面図である０図中、モータ１によって駆動されるシャ
フト２に、円筒面の全周にわたって所定のピッチλで着
磁された磁気パターンを有する磁気記録媒体即ち磁気ド
ラム３が結合されている。また、モータ１のハウジング
が固定された支持台４上には、ガラス基板５上に形成さ
れた強磁性薄膜導体（例えばＮ１−Ｆｅ合金）６と、そ
の表面を覆って形成された保護膜（パッシベーシッン膜
）７よりなる磁気抵抗素子８が固定され、強磁性薄膜導
体６は前記回転ドラム３の円筒面上の磁気パターンと、
狭い間隔（スペーシング）９例えば数十ないし数百μｍ
を隔てて対向している、第２ｖ！ｌおよび第３ｒＩ！Ｊ
は、このような従来の回転磁気エンコーダに使用される
磁気抵抗素子の例を示す要部拡大断面図である。これら
の図中、ガラス基板５の上に強磁性薄膜導体６が被着形
成され、この強磁性薄膜導体６の表面には例えばＳ Ｉ
Ｏ。
断面図である０図中、モータ１によって駆動されるシャ
フト２に、円筒面の全周にわたって所定のピッチλで着
磁された磁気パターンを有する磁気記録媒体即ち磁気ド
ラム３が結合されている。また、モータ１のハウジング
が固定された支持台４上には、ガラス基板５上に形成さ
れた強磁性薄膜導体（例えばＮ１−Ｆｅ合金）６と、そ
の表面を覆って形成された保護膜（パッシベーシッン膜
）７よりなる磁気抵抗素子８が固定され、強磁性薄膜導
体６は前記回転ドラム３の円筒面上の磁気パターンと、
狭い間隔（スペーシング）９例えば数十ないし数百μｍ
を隔てて対向している、第２ｖ！ｌおよび第３ｒＩ！Ｊ
は、このような従来の回転磁気エンコーダに使用される
磁気抵抗素子の例を示す要部拡大断面図である。これら
の図中、ガラス基板５の上に強磁性薄膜導体６が被着形
成され、この強磁性薄膜導体６の表面には例えばＳ Ｉ
Ｏ。
または耐湿性樹脂よりなる保護ｙ！７が被着形成されて
おり、この保護Ｈ＊１により強磁性薄膜導体６の耐湿性
を維持させていた。なお、図中、１０は強磁性薄膜導体
６の信号取り出し用端子、１１は信号の外部引出し用リ
ード線（又はフレキシブル配線板）、１２は端子１０と
リード線１１とを電気的に接続する半田、１３は強磁性
薄膜導体６と端子１０ａを電気的に接続するボンディン
グワイヤ（又はフレキシブル配線板）、１５は端子１０
ａ及びガラス基板５を接着剤１４によりペレット付けし
て固定した（例えばセラミックス製の）底部基板である
。
おり、この保護Ｈ＊１により強磁性薄膜導体６の耐湿性
を維持させていた。なお、図中、１０は強磁性薄膜導体
６の信号取り出し用端子、１１は信号の外部引出し用リ
ード線（又はフレキシブル配線板）、１２は端子１０と
リード線１１とを電気的に接続する半田、１３は強磁性
薄膜導体６と端子１０ａを電気的に接続するボンディン
グワイヤ（又はフレキシブル配線板）、１５は端子１０
ａ及びガラス基板５を接着剤１４によりペレット付けし
て固定した（例えばセラミックス製の）底部基板である
。
しかし、上記のような従来の磁気抵抗素子では、既述の
如く、強磁性薄膜導体６と回転磁気ドラム３との間隔９
を、磁気抵抗素子から十分な出力信号を得る為に、例え
ば数十乃至数百μｍ程度と小さくしなければならず、耐
湿性の保護膜７は強磁性１ｖ膜導体６の上方で高々数十
μｍ程度の膜厚にしか形成出来ない。この程度の厚さの
５１０２保護膜を例えばスパッタリング法で形成させた
場合、完全な耐湿性を得ることは困難で、長期間の使用
中に強磁性薄膜導体６が変質して磁気抵抗効果が劣化す
るという問題があった。また、第３図のようにセラミッ
クスの底部基板１５の上に接着剤１４により磁気抵抗素
子８をペレット付けした場合、接着剤１４も長期間の使
用に耐えない。更に、回転磁気ドラムに対して磁気抵抗
素子８を適当な位置にセツティングする作業中に、誤っ
て磁気抵抗素子を回転磁気ドラム３に接触させた場合、
保護膜７の膜厚が数十μｍしかないため、容易に保護膜
７が剥れてしまい、役に立たなくなるという問題もあっ
た。
如く、強磁性薄膜導体６と回転磁気ドラム３との間隔９
を、磁気抵抗素子から十分な出力信号を得る為に、例え
ば数十乃至数百μｍ程度と小さくしなければならず、耐
湿性の保護膜７は強磁性１ｖ膜導体６の上方で高々数十
μｍ程度の膜厚にしか形成出来ない。この程度の厚さの
５１０２保護膜を例えばスパッタリング法で形成させた
場合、完全な耐湿性を得ることは困難で、長期間の使用
中に強磁性薄膜導体６が変質して磁気抵抗効果が劣化す
るという問題があった。また、第３図のようにセラミッ
クスの底部基板１５の上に接着剤１４により磁気抵抗素
子８をペレット付けした場合、接着剤１４も長期間の使
用に耐えない。更に、回転磁気ドラムに対して磁気抵抗
素子８を適当な位置にセツティングする作業中に、誤っ
て磁気抵抗素子を回転磁気ドラム３に接触させた場合、
保護膜７の膜厚が数十μｍしかないため、容易に保護膜
７が剥れてしまい、役に立たなくなるという問題もあっ
た。
本発明の目的は、耐湿性や機械的強度を向上させた磁気
抵抗素子のパッケージング方法を提供することにある。
抵抗素子のパッケージング方法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、強磁性薄
膜導体よりなる磁気抵抗素子が形成されたガラス基板を
、ガラス基板の磁気抵抗素子形成面を内側にして、ガラ
ス基板面周辺に配設した金属枠と、ガラス基板に対向配
置した底部基板面に前記金属枠に合わせて配設した金属
枠との間を、半田により気密封着することにより、ガラ
ス基板、底部基板、及び、これら両基板周辺間を気密封
着する金属枠、半田に囲まれた空間内に、磁気抵抗素子
を気密に収納するようにした。
膜導体よりなる磁気抵抗素子が形成されたガラス基板を
、ガラス基板の磁気抵抗素子形成面を内側にして、ガラ
ス基板面周辺に配設した金属枠と、ガラス基板に対向配
置した底部基板面に前記金属枠に合わせて配設した金属
枠との間を、半田により気密封着することにより、ガラ
ス基板、底部基板、及び、これら両基板周辺間を気密封
着する金属枠、半田に囲まれた空間内に、磁気抵抗素子
を気密に収納するようにした。
第４図は本発明を実施した磁気抵抗素子の一例を示す要
部側断面図である。ガラス基板５上に被着形成された強
磁性薄膜導体６の面を下にして、予めガラス基板５の外
周に形成されている金属枠１６及び端子１０と、それに
合わせて底部基板１５の面に形成されている金属枠１７
とが、半田１２により１工程で結合されている。更に、
端子１０からリード線１１までの導体１８は、このまま
では金属枠１７と接触してしまう為、Ａ部は２層配線と
なっている。このような構成とすれば、強磁性薄膜導体
６はガラス基板５と底部基板１５とから構成される筐体
内に収納して封止されるので、外気から確実に遮断され
て湿気による腐食を防ぐことができる。また、接着剤を
使用しないので、ペレット付けの信頼性も向上する。さ
らに磁気抵抗素子の回転磁気ドラムなどに面する最外面
はガラス基板５になるので機械的強度も増す。問題とな
るのは磁気ドラムなどの外周の磁気パターン面と磁気抵
抗素子との間隔９を小さくすることであるが、これはガ
ラス基板を薄（することによって対処できる。通常ガラ
スは脆いものと思われているが、表面に傷さえなければ
、薄い場合、十分可撓性もあり、それ程弱くはない。こ
れは近年非常に多方面に用いられているガラス或いは５
１０２の細線からなる所謂光ファイバの実例からも明白
である。また、一旦溶融して作られたガラス膜の耐湿性
は、スパッタリング法などで形成された５ｉ０２膜など
に比較して格段に良好である。また、ペレット付けと、
端子１０ｂからの電気的接続を半田で１工程で出来るの
で、原価的にも有利である。
部側断面図である。ガラス基板５上に被着形成された強
磁性薄膜導体６の面を下にして、予めガラス基板５の外
周に形成されている金属枠１６及び端子１０と、それに
合わせて底部基板１５の面に形成されている金属枠１７
とが、半田１２により１工程で結合されている。更に、
端子１０からリード線１１までの導体１８は、このまま
では金属枠１７と接触してしまう為、Ａ部は２層配線と
なっている。このような構成とすれば、強磁性薄膜導体
６はガラス基板５と底部基板１５とから構成される筐体
内に収納して封止されるので、外気から確実に遮断され
て湿気による腐食を防ぐことができる。また、接着剤を
使用しないので、ペレット付けの信頼性も向上する。さ
らに磁気抵抗素子の回転磁気ドラムなどに面する最外面
はガラス基板５になるので機械的強度も増す。問題とな
るのは磁気ドラムなどの外周の磁気パターン面と磁気抵
抗素子との間隔９を小さくすることであるが、これはガ
ラス基板を薄（することによって対処できる。通常ガラ
スは脆いものと思われているが、表面に傷さえなければ
、薄い場合、十分可撓性もあり、それ程弱くはない。こ
れは近年非常に多方面に用いられているガラス或いは５
１０２の細線からなる所謂光ファイバの実例からも明白
である。また、一旦溶融して作られたガラス膜の耐湿性
は、スパッタリング法などで形成された５ｉ０２膜など
に比較して格段に良好である。また、ペレット付けと、
端子１０ｂからの電気的接続を半田で１工程で出来るの
で、原価的にも有利である。
以上説明したように本発明によれば、耐湿性、機械的強
度が向上した信頼性の高い磁気抵抗素子が得られる。
度が向上した信頼性の高い磁気抵抗素子が得られる。
第１図は従来の回転磁気エンコーダの一例を示す要部側
断面図、第２．３図は、このような従来の回転磁気エン
コーダに使用される磁気抵抗素子の例を示す要部拡大断
面図、第４図は本発明を実施した磁気抵抗素子の一例を
示す要部側断面図である。 ３−・回転磁気ドラム、５・・−・ガラス基板、６・・
−・強磁性薄膜導体、 ７・−保護膜、 ８・・・磁気
抵抗素子、 ９−・・間隔、 １０．１０ａ 、 １０
ｂ−信号取出し端子、１２− 半田、 １３−・ボンデ
ィングワイヤ、１４・−・接着剤、 １５・−底部基板
、 １６．１７−・金属鎖 １ 図 第 ２ 図 〜第 ３ ＠
断面図、第２．３図は、このような従来の回転磁気エン
コーダに使用される磁気抵抗素子の例を示す要部拡大断
面図、第４図は本発明を実施した磁気抵抗素子の一例を
示す要部側断面図である。 ３−・回転磁気ドラム、５・・−・ガラス基板、６・・
−・強磁性薄膜導体、 ７・−保護膜、 ８・・・磁気
抵抗素子、 ９−・・間隔、 １０．１０ａ 、 １０
ｂ−信号取出し端子、１２− 半田、 １３−・ボンデ
ィングワイヤ、１４・−・接着剤、 １５・−底部基板
、 １６．１７−・金属鎖 １ 図 第 ２ 図 〜第 ３ ＠
Claims (1)
- 強磁性薄膜導体よりなる磁気抵抗素子が形成されたガラ
ス基板を、ガラス基板の磁気抵抗素子形成面を内側にし
て、ガラス基板面周辺に配設した金属枠と、ガラス基板
に対向配置した底部基板面に前記金属枠に合わせて配設
した金属枠との間を、半田により気密封着することによ
り、ガラス基板、底部基板、及び、これら両基板周辺間
を気密封着する金属枠、半田に囲まれた空間内に、磁気
抵抗素子を気密に収納することを特徴とする磁気抵抗素
子のパッケージング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180264A JPS6074588A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 磁気抵抗素子のパッケ−ジング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180264A JPS6074588A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 磁気抵抗素子のパッケ−ジング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074588A true JPS6074588A (ja) | 1985-04-26 |
| JPH0473318B2 JPH0473318B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=16080201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58180264A Granted JPS6074588A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 磁気抵抗素子のパッケ−ジング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074588A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07326808A (ja) * | 1995-06-02 | 1995-12-12 | Canon Electron Inc | 磁気抵抗効果センサの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164587A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Hitachi Ltd | Magnetic reluctance detecting element |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58180264A patent/JPS6074588A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164587A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Hitachi Ltd | Magnetic reluctance detecting element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07326808A (ja) * | 1995-06-02 | 1995-12-12 | Canon Electron Inc | 磁気抵抗効果センサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0473318B2 (ja) | 1992-11-20 |
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