JPH0445262Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は機器の薄形化に適した磁電変換素子に
関する。

(ロ) 従来の技術 磁電変換素子として例えば特開昭63−17576
（HO1L43／06）に記載されているホール素子は、
一般に十字型の化合物半導体薄膜の入力端子間に
電流を流しておき、この薄膜の面に垂直な方向に
磁界を作用させると、出力端子に磁束密度に応じ
た電圧が発生するものであり、磁気の検出や測定
に利用される。このホール素子は、フエライト基
板の上に二酸化シリコン膜を介してインジウム・
アンチモナイト（InSb）またはインジウム・ア
セナイド（InAs）から成る十字形状の化合物半
導体薄膜を形成し、その端部にその一部を重畳し
てチタン（Ti）、ニツケル（Ni）及び金（Au）
を順次積層して電極パツドを構成し、この電極パ
ツドに外部接続用の金属線がワイヤボンドされて
外部接続リードに導出される。さらには、ホール
素子の上に樹脂層を介してフエライト（ヨーク）
が載置され、全体をエポキシ等の樹脂で封止され
る。

上記ホール素子の外形構造は要求に応じてDIP
型、フラツトパツケージ、SIP型等のパツケージ
に搭載されるが、その中でSIP型のものは信号磁
界源となる円板状回転体の側面の信号磁界を検知
する点で有利な構造であるので広く活用されてい
る。

第３図にSIP型装置の外型図を示す。同図にお
いて、１はホール素子を封止した封止体、入力は
封止体１の下面から導出された外部接続リードで
ある。ホール素子単体は小型化が望まれている
為、外部接続リード２は先ず0.6mm程度の狭いピ
ツチＡで導出され、次いで斜めに延在して結線等
に適した1.0mm程度の広いピツチＢまで拡大され
た後に平行に延在する。この様な装置をプリント
基板３上に取付けるには、外部接続リード２ごと
に貫通孔を設けることは困難であるので、４本の
外部接続リード２全部を挿入する細長の貫通孔４
をあけて取付けていた。

(ハ) 考案が解決しようとする課題 しかしながら、機器の小型化・低価格化に対す
る要求が厳しく、それに応じてプリント基板３も
より薄型のものが使用されるに至つた。すると、
従来のホール素子の外形構造では外側の外部接続
リード２が斜めに延在する為、貫通孔４に挿入す
るとホール素子が安定せず、取付けが困難にな
る、取付精度が悪化する等の欠点を招き、コスト
低減の妨げとなつていた。

(ニ) 課題を解決するための手段 本考案は斯上した欠点に鑑み成されたもので、
最も外側の外部接続リード１２を、封止体１１か
ら導出された後直ちにほぼ直角に屈曲させ、広い
ピツチＢまで拡大した後再びほぼ直角に屈曲させ
て延在せしめることにより、上記従来の欠点を解
消した磁電変換素子を提供するものである。

また、ほぼ直角に屈曲させた外部接続リード１
２の肩の部分を貫通孔１５の内側面に当接させる
ようにして挿入することにより、位置決めが容易
な磁電変換素子の取付構造を提供するものであ
る。

(ホ) 作用 本考案によれば、最も外側の外部接続リード１
２が広いピツチＢに対応する間隔を保つたまま封
止体１１の導出部分まで延在するので、薄いプリ
ント基板１３でも外部接続リード１２の外側端面
を貫通孔１５内側面に当接させることができる
る。その為、素子のガタつきは少くなり、素子の
取付精度を向上できる。

(ヘ) 実施例 以下、本考案の一実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。

第１図Ａ及び第１図Ｂにおいて、１１は内部に
ホール素子を封止したエポキシ系の熱硬化性樹脂
から成る封止体、１２は封止体１１の下面より導
出された外部接続リードである。

前記ホール素子は、まず約0.3mmのフエライト
基板を用意し、前記フエライト基板上の主面に有
機溶剤でケイ素化合物を溶かした二酸化シリコン
系被膜形成用塗布液をスピンコートにより塗布
し、前記塗布液がコートされたフエライト基板を
約数百度で焼結をする。従つて有機溶剤は蒸発を
しフエライト基板上に約4000Åの焼結された二酸
化シリコン膜が形成される。この二酸化シリコン
膜上にインジウム・アンチモナイド（InSb）層
を約1μm程度蒸着し、約500℃で熱処理して結晶
化する。然る後、ホトエツチングにより十字形状
にエツチングして化合物半導体層を形成し、その
端部にその一部を重畳しフエライト基板上に延在
される高融点金属を蒸着して電極を形成する。電
極は約500Å厚のチタン層と約500Å厚のニツケル
層を蒸着して形成する。更にこの電極には金を蒸
着して電極パツドを形成する。電極パツドはフエ
ライト基板上の前記電極と重畳して形成され、更
にはホール素子の上にポリイミド系の樹脂層を介
して約0.3mmのフエライトが接着されている。そ
して、前記フエライト基板をSIP型リードフレー
ムの載置部に固定し、電極パツドとリードとを
夫々金属線でワイヤボンドをした後主要部をモー
ルドすることで第１図Ａ，Ｂの外形構造とする。

封止体１１の寸法は、大体縦・横・厚みが2.5
×3.0×1.5mm程度の大きさなので、その下部から
導出される外部接続リード１２は幅約0.3mmで0.6
mm程度の狭いピツチＡで先ず導出され、1.5mm程
ピツチを拡大しながら延在して結線組立に適した
1.0mm程の広いピツチＢで平行に延在する。その
際、最も外側の２本は封止体１１下面から0.6mm
程突出した後直ちに互いに遠ざかるようにほぼ
90°で横に折れ曲がり、封止体１１下面とほぼ平
行に延在する。その後広いピツチＢに対応する距
離だけ延在し再びほぼ直角に横に屈曲し、一直線
上に延在して他の外部接続リード１２と広いピツ
チＢで平行に延在する。内側の２本は、従来と同
様に斜めに延在して広いピツチＢに対応させる。

斯る構成によれば、外側２本の外部接続リード
１２の外部側面が封止体１１の側近まで広いピツ
チＢに対応する距離を保つたまま一直線に延在す
るので、基板への取付位置決めが容易となる。

第２図Ａ及び第２図Ｂにその取付構造を示す。
同図において、１３は素子が取付けられるプリン
ト基板で、0.8mm程の厚みを有し離面には素子間
接続を行なう配線パターン１４が描画される。１
５は素子取付用の貫通孔であり、個別にあけるこ
とが物理的に困難であるので、広いピツチＢに対
応して４本全てを挿入できるよう、細長い形状を
有する。そして、４本の外部接続リード１２を貫
通孔１５へ挿入し、プリント基板１３離面の対応
する配線パターン１４と夫々半田１６で半田付け
することにより素子をプリント基板１３へ固定す
る。本考案によれば、外部接続リード１２を挿入
した際外側２本の外部接続リード１２の肩の部
分、外側端面を貫通孔１５の内側面に当接させる
ことができるので、素子のガタつきが少い。その
為、素子を安定して取付けることができ、素子の
取付精度を向上させることができる。また、外側
２本の外部接続リード１２は直ちに内側の外部接
続リード１２から距離的に離れるので、配線パタ
ーン１４の描画も苦しくならずに済む。

(ト) 考案の効果 以上説明したように、本考案によれば外側２本
の外部接続リード１２の外側端面が封止体１１側
近まで一直線に延在するので、貫通孔１５へ挿入
した際ガタつきがなく、安定した高い取付精度で
取付けることができる利点を有する。また、プリ
ント基板１３の薄肉化に対応できるので、機器の
小型化・低価格化にも適する利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ及び第１図Ｂは夫々本考案を説明する
為の正面図、及び側面図、第２図Ａ及び第２図Ｂ
は夫々本考案の取付構造を説明する為の断面図及
び下面図である。第３図は従来例を説明する為の
正面図である。 １１は封止体、１２は外部接続リード、１５は
貫通孔、Ａは狭いピツチ、Ｂは広いピツチであ
る。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 磁電変換素子を封止し、この封止体から外部
   接続リードが複数本導出されたSIP型磁電変換
   素子において、 前記複数本の外部接続リードは一直線状に配
   置され、封止体から狭いピツチで導出された後
   広いピツチにピツチが拡大されて互いに平行に
   延在すると共に、 前記複数本の外部接続リードのうち最も外側
   の２本は前記封止体から導出された後直ちにほ
   ぼ直角に外側に折曲げられ、再びほぼ直角に折
   曲げられて直線状に延在し、 前記外側の２本より内側の外部接続リードは
   前記外側の２本より緩やかにピツチが拡大され
   て延在することを特徴とするSIP型磁電変換素
   子。 (2) 前記封止体から前記直角に折曲げた肩の部分
   までの距離がプリント基板の厚みより小さく形
   成され、 プリント基板の一つの貫通孔に前記複数本の
   外部接続リードをまとめて挿入すると共に、前
   記最も外側の外部接続リードのほぼ直角に屈曲
   した肩の部分を前記貫通孔の内側面に当接させ
   るようにして固定したことを特徴とする請求項
   第１項に記載の磁電変換素子の取付構造。