JPH0366626B2 - - Google Patents
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- JPH0366626B2 JPH0366626B2 JP56197555A JP19755581A JPH0366626B2 JP H0366626 B2 JPH0366626 B2 JP H0366626B2 JP 56197555 A JP56197555 A JP 56197555A JP 19755581 A JP19755581 A JP 19755581A JP H0366626 B2 JPH0366626 B2 JP H0366626B2
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- printed wiring
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体材料を用いたホール装置や磁気
抵抗装置等の半導体装置に関する。
抵抗装置等の半導体装置に関する。
最近、直流モータの回転制御にホール装置を用
いる傾向が大きくなつている。この種のDDモー
タでは、基板上に2〜3個のホール素子を所定の
位置関係に取付けて使用される。
いる傾向が大きくなつている。この種のDDモー
タでは、基板上に2〜3個のホール素子を所定の
位置関係に取付けて使用される。
従来は、実開昭51−11771号公報に示されてい
るように、プリント配線を有する基板に透孔を穿
ち、その透孔にはリード線を取付けたホール素子
を挿入して固定し、然る後ホール素子のリード線
をプリント配線にハンダ付けする等の方法がとら
れている。しかしながら、この様な方法では、ホ
ール素子に取付けられたリード線の長さやその形
状のために必要となるスペースに制約されてプリ
ント配線の引回された狭い場所にホール素子を設
置出来ない欠点があると共に、2〜3個のホール
素子を用いたときの相互の位置決めに相当の工夫
が必要になる。
るように、プリント配線を有する基板に透孔を穿
ち、その透孔にはリード線を取付けたホール素子
を挿入して固定し、然る後ホール素子のリード線
をプリント配線にハンダ付けする等の方法がとら
れている。しかしながら、この様な方法では、ホ
ール素子に取付けられたリード線の長さやその形
状のために必要となるスペースに制約されてプリ
ント配線の引回された狭い場所にホール素子を設
置出来ない欠点があると共に、2〜3個のホール
素子を用いたときの相互の位置決めに相当の工夫
が必要になる。
最近の傾向としてDDモータの高性能化が計ら
れているが、複数個のホール素子間の取付誤差
が、磁石回転子の磁極位置を検出する際の誤差と
なるので、DDモータの精能に大きく影響する。
それ故、従来の様な方法では満足し得る精能は得
られない。
れているが、複数個のホール素子間の取付誤差
が、磁石回転子の磁極位置を検出する際の誤差と
なるので、DDモータの精能に大きく影響する。
それ故、従来の様な方法では満足し得る精能は得
られない。
本発明は上述の点に鑑みなされたもので、以下
に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明す
る。第1図は半導体装置の平面図で、2個のホー
ルチツプを使用する例を示す。ホールチツプはフ
エライトやガラスからなるサブストレートの上に
InSb、InAs等の半導体で形成したリード線やリ
ードフレームを有しないホール効果機能を有する
半導体チツプである。図に於て、絶縁基板、例え
ば、エポキシ系樹脂やフエノール系樹脂等の厚さ
0.5〜3mm程度の基板1の所定の位置にホールチ
ツプを挿入する透孔2,3を打抜く。この場合、
基板1をモータ(図示せず)に固定するための貫
通孔4,5も同様に打抜きで形成され、この貫通
孔4,5を基準にして透孔2,3の位置が精密に
位置付される。透孔2,3及び貫通孔4,5を設
けた基板1に、35〜100μm程度の厚さを有する
銅箔を接着剤、例えばエポキシ系接着材で接着
し、公知のホトエツチング技術で配線部6,7,
8,9,10,11,12と端子部6a,7a,
8a,9a,10a,11a,12a及び透孔
2,3の中に突出した先端部6b,7b,8b,
9b,10b,11b,12bを形成する。
に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明す
る。第1図は半導体装置の平面図で、2個のホー
ルチツプを使用する例を示す。ホールチツプはフ
エライトやガラスからなるサブストレートの上に
InSb、InAs等の半導体で形成したリード線やリ
ードフレームを有しないホール効果機能を有する
半導体チツプである。図に於て、絶縁基板、例え
ば、エポキシ系樹脂やフエノール系樹脂等の厚さ
0.5〜3mm程度の基板1の所定の位置にホールチ
ツプを挿入する透孔2,3を打抜く。この場合、
基板1をモータ(図示せず)に固定するための貫
通孔4,5も同様に打抜きで形成され、この貫通
孔4,5を基準にして透孔2,3の位置が精密に
位置付される。透孔2,3及び貫通孔4,5を設
けた基板1に、35〜100μm程度の厚さを有する
銅箔を接着剤、例えばエポキシ系接着材で接着
し、公知のホトエツチング技術で配線部6,7,
8,9,10,11,12と端子部6a,7a,
8a,9a,10a,11a,12a及び透孔
2,3の中に突出した先端部6b,7b,8b,
9b,10b,11b,12bを形成する。
この場合、接着剤は、基板1に塗布するので、
先端部6b〜9bの部分には接着剤が付着せず、
ホールチツプ13のボンデングが円滑に行える。
先端部6b〜9bの部分には接着剤が付着せず、
ホールチツプ13のボンデングが円滑に行える。
なお、図面では、透孔2,3から端子部6a〜
12aまでの配線のみを示したが、抵抗やコンデ
ンサ、トランジスタやIC等を基板1に取付ける
べく配線を設けることが出来る。
12aまでの配線のみを示したが、抵抗やコンデ
ンサ、トランジスタやIC等を基板1に取付ける
べく配線を設けることが出来る。
第2図は第1図の透孔2部分の拡大図を示すも
ので、透孔2の中にはホールチツプ13を挿入す
る。即ち、基板1のプリント配線6〜12を有し
ない側からホールチツプ13の半導体部分を透孔
2の中に向けて挿入し、電極、即ち、In等の金属
を蒸着した電流電極14,15とホール電極1
6,17をプリント配線6〜9の先端部6b〜9
bの各々に接触させ、先端部の上から順次ボンデ
ングして先端部6b〜9bを電極14〜17に直
接接続する。このボンデングによつてホールチツ
プ13は基板1に固定されるが、信頼性の向上の
見地からエポキシ系の樹脂等で透孔2の部分がモ
ールドされる。
ので、透孔2の中にはホールチツプ13を挿入す
る。即ち、基板1のプリント配線6〜12を有し
ない側からホールチツプ13の半導体部分を透孔
2の中に向けて挿入し、電極、即ち、In等の金属
を蒸着した電流電極14,15とホール電極1
6,17をプリント配線6〜9の先端部6b〜9
bの各々に接触させ、先端部の上から順次ボンデ
ングして先端部6b〜9bを電極14〜17に直
接接続する。このボンデングによつてホールチツ
プ13は基板1に固定されるが、信頼性の向上の
見地からエポキシ系の樹脂等で透孔2の部分がモ
ールドされる。
プリント配線6〜9の先端部6b〜9bには透
孔6c,7c,8c,9cを設ける。この透孔の
1部は基板1に設けた透孔2と連続している。こ
の構成によりホールチツプ13を先端部6b〜9
bにボンデングするとき、その熱がプリント配線
を伝つて逃げ難く、ボンデング時の熱バランスが
良好となる。また、ボンデングの際の余剰の熔融
金属、例えばハンダ材は透孔6c〜9cに収容す
るので、ハンダ材が感磁部18に溢れてホールチ
ツプ13の性能を低下させる虞れはない。
孔6c,7c,8c,9cを設ける。この透孔の
1部は基板1に設けた透孔2と連続している。こ
の構成によりホールチツプ13を先端部6b〜9
bにボンデングするとき、その熱がプリント配線
を伝つて逃げ難く、ボンデング時の熱バランスが
良好となる。また、ボンデングの際の余剰の熔融
金属、例えばハンダ材は透孔6c〜9cに収容す
るので、ハンダ材が感磁部18に溢れてホールチ
ツプ13の性能を低下させる虞れはない。
なお、上述ではホールチツプ2個の例で示した
が、1個の場合でも又3〜4個の場合でも同様で
ある。
が、1個の場合でも又3〜4個の場合でも同様で
ある。
又、低磁場の場合には、出力感度を増大させる
ため先端部の上からホールチツプの感磁部18の
上へ磁性片を貼着する。
ため先端部の上からホールチツプの感磁部18の
上へ磁性片を貼着する。
上記実施例では、単一基板の場合について述べ
たが、第3図に示す様に、1つのフレームに複数
個の基板を構成し、上述の様な半導体装置を作つ
た後一点破線の部分から切断して個々の分離した
装置とすることが出来る。この方法は治工具を有
効に使用出来、又量産効果が向上する。
たが、第3図に示す様に、1つのフレームに複数
個の基板を構成し、上述の様な半導体装置を作つ
た後一点破線の部分から切断して個々の分離した
装置とすることが出来る。この方法は治工具を有
効に使用出来、又量産効果が向上する。
なお、上記実施例ではホールチツプについて述
べたが、磁気抵抗効果等を有する他の半導体チツ
プを用いて同様に構成することが出来る。この場
合、配線及び先端部はチツプに合わせて形成され
る。
べたが、磁気抵抗効果等を有する他の半導体チツ
プを用いて同様に構成することが出来る。この場
合、配線及び先端部はチツプに合わせて形成され
る。
本発明は、叙上の様に構成したので、次のよう
な効果を有する。
な効果を有する。
(1) ホールチツプや磁気抵抗チツプ等半導体材料
を用いて構成した半導体チツプは、リード線や
リードフレームを全く使用せず直接基板上のプ
リント配線に接続できる。
を用いて構成した半導体チツプは、リード線や
リードフレームを全く使用せず直接基板上のプ
リント配線に接続できる。
従つて、従来のホール素子等のようにリード
線やリードフレームの取付け作業が必要なく、
またホール素子等を基板に固定するときリード
線等をプリント配線にハンダ付けることおよび
基板上にハンダ付けのスペースを確保すること
が不要になる。
線やリードフレームの取付け作業が必要なく、
またホール素子等を基板に固定するときリード
線等をプリント配線にハンダ付けることおよび
基板上にハンダ付けのスペースを確保すること
が不要になる。
このことから、基板に対する半導体チツプの
取付け作業が著しく軽減されることのほか、ハ
ンダ付け作業による不良の発生が著しく減少す
るので製造上の歩留りが向上すると共に、リー
ド線等が不要となるから装置全体が安価に構成
できる。
取付け作業が著しく軽減されることのほか、ハ
ンダ付け作業による不良の発生が著しく減少す
るので製造上の歩留りが向上すると共に、リー
ド線等が不要となるから装置全体が安価に構成
できる。
(2) 基板の透孔の中にプリント配線の先端部を突
出させ、その先端部に透孔内に挿入した半導体
チツプを直接接続するから、従来のように、透
孔内にリード線等を引込む必要がない。
出させ、その先端部に透孔内に挿入した半導体
チツプを直接接続するから、従来のように、透
孔内にリード線等を引込む必要がない。
(3) 基板の透孔内に半導体チツプを挿入して固定
するから、半導体チツプの位置決めが極めて正
確に行うことができる。従つて、モータに使用
した場合には、モータの回転を高精度に制御す
ることができる。
するから、半導体チツプの位置決めが極めて正
確に行うことができる。従つて、モータに使用
した場合には、モータの回転を高精度に制御す
ることができる。
第1図は本発明半導体装置の平面図、第2図は
第1図の透孔部分の拡大図、第3図は本発明の他
の実施例を示す平面図である。 図中の1は基板、6〜12はプリント配線、6
b〜12bは先端部、13はホールチツプ、2,
3は透孔である。
第1図の透孔部分の拡大図、第3図は本発明の他
の実施例を示す平面図である。 図中の1は基板、6〜12はプリント配線、6
b〜12bは先端部、13はホールチツプ、2,
3は透孔である。
Claims (1)
- 1 絶縁基板に該基板を貫通する透孔を形設し、
前記基板上には所定のプリント配線を形成すると
共に、前記プリント配線を延長して前記透孔内に
突出した先端部を設け、前記透孔内には半導体チ
ツプを挿入して、該チツプの電極部を前記先端部
に直接接続して構成したことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56197555A JPS58171683A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 磁気センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56197555A JPS58171683A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 磁気センサ装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2061815A Division JPH0382358A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 磁電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58171683A JPS58171683A (ja) | 1983-10-08 |
JPH0366626B2 true JPH0366626B2 (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=16376435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56197555A Granted JPS58171683A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 磁気センサ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58171683A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01124273A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-17 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 磁電変換素子の実装構造 |
JPH0499568U (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-27 | ||
JP4786986B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-10-05 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電子部品 |
JP5165963B2 (ja) * | 2007-08-14 | 2013-03-21 | 新科實業有限公司 | 磁気センサ及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5111771U (ja) * | 1974-07-15 | 1976-01-28 |
-
1981
- 1981-12-08 JP JP56197555A patent/JPS58171683A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58171683A (ja) | 1983-10-08 |
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