JPH05283549A - ガラス封止型セラミック容器の製造方法 - Google Patents
ガラス封止型セラミック容器の製造方法Info
- Publication number
- JPH05283549A JPH05283549A JP7480592A JP7480592A JPH05283549A JP H05283549 A JPH05283549 A JP H05283549A JP 7480592 A JP7480592 A JP 7480592A JP 7480592 A JP7480592 A JP 7480592A JP H05283549 A JPH05283549 A JP H05283549A
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- Japan
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- ceramic
- glass
- ceramic ring
- ceramic container
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 メモリ素子例えばEPROM をマウントするガラ
ス封止型セラミック容器の製造方法において、加熱工程
で発生するガスによるシールガラス層の損傷を防止する
点。 【構成】 ガラス封止型セラミック容器を構成する一対
の部品中、一方のセラミック容器の端部または他方のセ
ラミック環１に透孔２を設置することにより、両者の中
間に配置するシールガラス層８の損傷を防止して、半導
体素子６とセラミック容器間の接合強度も増大し、ひい
てはEPROM などの信頼性を向上する。
ス封止型セラミック容器の製造方法において、加熱工程
で発生するガスによるシールガラス層の損傷を防止する
点。 【構成】 ガラス封止型セラミック容器を構成する一対
の部品中、一方のセラミック容器の端部または他方のセ
ラミック環１に透孔２を設置することにより、両者の中
間に配置するシールガラス層８の損傷を防止して、半導
体素子６とセラミック容器間の接合強度も増大し、ひい
てはEPROM などの信頼性を向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス封止型セラミッ
ク容器の製造方法の改良に関する。
ク容器の製造方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子とりわけ、メモリ素子は、セ
ラミック容器に取付ける機種も市販されており、図１に
より説明する。メモリ素子とりわけEPROM は、シールガ
ラス層により固着するセラミック容器内に配置する構造
が一般的であり、上側のセラミック環１の中央部にガラ
ス即ち透光性部材２を設置する。
ラミック容器に取付ける機種も市販されており、図１に
より説明する。メモリ素子とりわけEPROM は、シールガ
ラス層により固着するセラミック容器内に配置する構造
が一般的であり、上側のセラミック環１の中央部にガラ
ス即ち透光性部材２を設置する。
【０００３】セラミック容器３は、セラミック環１に対
応する環状の端部４とこれに連続する台部５により構成
し、台部５は、環状の端部４より凹んだ形状であり、こ
こにめっき法またはプリント印刷法などにより回路パタ
ーンを設け、ここにメモリ素子６を例えばポリイミドを
主成分とする導電性接着剤層７により接着する。
応する環状の端部４とこれに連続する台部５により構成
し、台部５は、環状の端部４より凹んだ形状であり、こ
こにめっき法またはプリント印刷法などにより回路パタ
ーンを設け、ここにメモリ素子６を例えばポリイミドを
主成分とする導電性接着剤層７により接着する。
【０００４】一方セラミック容器３の環状の端部４に
は、硬質のシ−ルガラス層８を予め被着しておいて、セ
ラミック環１と一体にするのに備えている。両者を一体
にするには、メモリ素子６をマウントした台部５に連続
する環状の端部４と、セラミック環１を重ね合わせた組
立体を治具に収容後、約430 ℃の大気雰囲気内で焼成し
て硬質のシ−ルガラス層８を介して封止する。この加熱
工程温度は、セラミック環１に予め硬質のシ−ルガラス
層８を形成する温度より当然高くする。
は、硬質のシ−ルガラス層８を予め被着しておいて、セ
ラミック環１と一体にするのに備えている。両者を一体
にするには、メモリ素子６をマウントした台部５に連続
する環状の端部４と、セラミック環１を重ね合わせた組
立体を治具に収容後、約430 ℃の大気雰囲気内で焼成し
て硬質のシ−ルガラス層８を介して封止する。この加熱
工程温度は、セラミック環１に予め硬質のシ−ルガラス
層８を形成する温度より当然高くする。
【０００５】なお、メモリ素子６に設ける電極（図示せ
ず）と、セラミック容器３の環状の端部４に形成する回
路パターン間には、加熱工程に先だって例えばボンディ
ング法により金属細線（図示せず）を架橋して電気的に
接続してメモリ素子６を配置するEPROM を完成する。
ず）と、セラミック容器３の環状の端部４に形成する回
路パターン間には、加熱工程に先だって例えばボンディ
ング法により金属細線（図示せず）を架橋して電気的に
接続してメモリ素子６を配置するEPROM を完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなメモリ素子
の製造プロセスにおいては、ポリイミドを主体とする導
電性接着剤層７から放出するガスが硬質のシールガラス
層８に吸着する。というのは、前記ガスに触れるセラミ
ック環１及びセラミック容器３の端部４と、硬質のシー
ルガラス層８の比表面積に差があるためである。また硬
質のシールガラス層８に対するガスの分圧が大きいので
ガラス部に食い込んで、孔や溝が形成されて耐湿性やメ
モリ素子６のデータ保持能力が低下するなどの問題が生
ずる。
の製造プロセスにおいては、ポリイミドを主体とする導
電性接着剤層７から放出するガスが硬質のシールガラス
層８に吸着する。というのは、前記ガスに触れるセラミ
ック環１及びセラミック容器３の端部４と、硬質のシー
ルガラス層８の比表面積に差があるためである。また硬
質のシールガラス層８に対するガスの分圧が大きいので
ガラス部に食い込んで、孔や溝が形成されて耐湿性やメ
モリ素子６のデータ保持能力が低下するなどの問題が生
ずる。
【０００７】本発明は、このような事情により成された
もので、特に、メモリ素子の耐湿性やデータ保持能力の
低下を防止できるガラス封止型セラミック容器の製造方
法を提供することを目的とする。
もので、特に、メモリ素子の耐湿性やデータ保持能力の
低下を防止できるガラス封止型セラミック容器の製造方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】セラミック環を準備する
工程と，このセラミック環の中央部に透光性部材を設置
する工程と，前記セラミック環に対応するセラミック容
器を準備する工程と，このセラミック容器に、前記セラ
ミック環に対向する端部及びこれに連続する台部を設け
る工程と，前記セラミック容器端部及びセラミック環に
相対的にシールガラス層を設ける工程と，前記台部に導
電性パターンを形成する工程と，この導電性パターンに
半導体素子を導電性接着剤を介して固着する工程と，前
記セラミック環及びセラミック容器端部の一方または双
方に透孔を形成し、その透孔端を露出する工程と，ガラ
ス層を配置する前記セラミック環及びセラミック容器を
収納する治具を加熱する工程に本発明に係わるガラス封
止型セラミック容器の製造方法の特徴がある。
工程と，このセラミック環の中央部に透光性部材を設置
する工程と，前記セラミック環に対応するセラミック容
器を準備する工程と，このセラミック容器に、前記セラ
ミック環に対向する端部及びこれに連続する台部を設け
る工程と，前記セラミック容器端部及びセラミック環に
相対的にシールガラス層を設ける工程と，前記台部に導
電性パターンを形成する工程と，この導電性パターンに
半導体素子を導電性接着剤を介して固着する工程と，前
記セラミック環及びセラミック容器端部の一方または双
方に透孔を形成し、その透孔端を露出する工程と，ガラ
ス層を配置する前記セラミック環及びセラミック容器を
収納する治具を加熱する工程に本発明に係わるガラス封
止型セラミック容器の製造方法の特徴がある。
【０００９】
【作用】本発明では、シールガラス層に不連続とした透
孔をセラミック環またはセラミック容器の端部に形成す
ることにより、半導体素子を固着する導電性接着剤から
発生するガスを外部に放出することにより、セラミック
製品と比表面積の違うシールガラス層に対する弊害を防
止するものである。
孔をセラミック環またはセラミック容器の端部に形成す
ることにより、半導体素子を固着する導電性接着剤から
発生するガスを外部に放出することにより、セラミック
製品と比表面積の違うシールガラス層に対する弊害を防
止するものである。
【００１０】
【実施例】本発明に係わる実施例を図２乃至図６を参照
して説明する。図２に明らかなように、メモリ素子とり
わけEPROM は、シールガラス層によって固着するセラミ
ック容器内に配置するのが一般的であり、上側のセラミ
ック環１の中央部にガラス即ち透光性部材２を設置す
る。これに対応する下側のセラミック容器３は、セラミ
ック環１に対応する環状の端部４とこれに連続する台部
５から成り、環状の端部４表面より凹んだ形状の台部５
にメモリ素子６を、例えばポリイミドを主成分とする有
機系ペーストや導電性接着剤層７により接着してマウン
トする。
して説明する。図２に明らかなように、メモリ素子とり
わけEPROM は、シールガラス層によって固着するセラミ
ック容器内に配置するのが一般的であり、上側のセラミ
ック環１の中央部にガラス即ち透光性部材２を設置す
る。これに対応する下側のセラミック容器３は、セラミ
ック環１に対応する環状の端部４とこれに連続する台部
５から成り、環状の端部４表面より凹んだ形状の台部５
にメモリ素子６を、例えばポリイミドを主成分とする有
機系ペーストや導電性接着剤層７により接着してマウン
トする。
【００１１】一方、セラミック容器３の環状の端部４も
しくはセラミック環１には、硬質のシ−ルガラス層８を
予め被着しておいて、セラミック環１と一体にするのに
備えている。なお、セラミック容器３の台部５表面の一
部には、回路パターンを例えばプリント印刷工程または
めっき工程により設け、ここにメモリ素子６を前記のよ
うに有機系ペーストや電性接着剤層７などにより固着し
て、必要な回路パターンを形成する。
しくはセラミック環１には、硬質のシ−ルガラス層８を
予め被着しておいて、セラミック環１と一体にするのに
備えている。なお、セラミック容器３の台部５表面の一
部には、回路パターンを例えばプリント印刷工程または
めっき工程により設け、ここにメモリ素子６を前記のよ
うに有機系ペーストや電性接着剤層７などにより固着し
て、必要な回路パターンを形成する。
【００１２】前記のように環状の端部４より凹んだ台部
５にメモリ素子６が配置され、メモリ素子６の電極と回
路パターン間を例えばボンディング法により金属細線を
圧着して、両者間を電気的に接続する。
５にメモリ素子６が配置され、メモリ素子６の電極と回
路パターン間を例えばボンディング法により金属細線を
圧着して、両者間を電気的に接続する。
【００１３】また図２に明らかなように、セラミック容
器３の環状の端部４もしくはセラミック環１の一方また
は双方には、シ−ルガラス層８に不連続状態で透孔９を
形成する。従って、図２に示すように、ガラス封止型セ
ラミック容器の厚さ方向に直線的に設けるのが最も普通
であり、曲りのある透孔９は実用的でない。
器３の環状の端部４もしくはセラミック環１の一方また
は双方には、シ−ルガラス層８に不連続状態で透孔９を
形成する。従って、図２に示すように、ガラス封止型セ
ラミック容器の厚さ方向に直線的に設けるのが最も普通
であり、曲りのある透孔９は実用的でない。
【００１４】ガラス封止型セラミック容器を完成するに
は、透孔９を設けたセラミック容器３の環状の端部４に
セラミック環１を対応して重ねて組立体を形成後、治具
に収容して加熱する。温度は、約430 ℃であり、予め被
着する際の温度より当然高い約430 ℃であり、通常は大
気雰囲気で行い、必要に応じて不活性雰囲気でも行う。
は、透孔９を設けたセラミック容器３の環状の端部４に
セラミック環１を対応して重ねて組立体を形成後、治具
に収容して加熱する。温度は、約430 ℃であり、予め被
着する際の温度より当然高い約430 ℃であり、通常は大
気雰囲気で行い、必要に応じて不活性雰囲気でも行う。
【００１５】なお、透孔９の形状は、図３と図４に示す
ように丸型か楕円などに限らず、放出ガスが通過できれ
ば良く、個数も図６のように複数でも構わない。
ように丸型か楕円などに限らず、放出ガスが通過できれ
ば良く、個数も図６のように複数でも構わない。
【００１６】従って、メモリ素子６を接着後は、この組
立体を収容した治具を約430 ℃の大気雰囲気内で焼成し
てセラミック容器３と中央部に透光性部材２を配置する
セラミック環１を硬質のシ−ルガラス層８を介して封止
する。この加熱工程温度は、セラミック環１に予め硬質
のシ−ルガラス層８を固着する温度より当然高くする。
立体を収容した治具を約430 ℃の大気雰囲気内で焼成し
てセラミック容器３と中央部に透光性部材２を配置する
セラミック環１を硬質のシ−ルガラス層８を介して封止
する。この加熱工程温度は、セラミック環１に予め硬質
のシ−ルガラス層８を固着する温度より当然高くする。
【００１７】このような加熱工程後、透孔９には、セラ
ミック容器３と同一の材質からなるセラミックにシ−ル
ガラス層８を塗付した筒体１０を嵌込んでから焼成して
ガラス封止型半導体素子を完成する。この結果ガラス封
止型セラミック容器３の上面には、図３などに明らかに
するように筒体を嵌込み後も筒体１０の形が残る。
ミック容器３と同一の材質からなるセラミックにシ−ル
ガラス層８を塗付した筒体１０を嵌込んでから焼成して
ガラス封止型半導体素子を完成する。この結果ガラス封
止型セラミック容器３の上面には、図３などに明らかに
するように筒体を嵌込み後も筒体１０の形が残る。
【００１８】
【発明の効果】本発明では、有機系ペーストなどの加熱
により生ずるガスによるシールガラス層に対する悪影響
がないので、ガラス封止型セラミック容器にマウントす
る半導体素子例えばメモリ素子の耐湿性や、データ保持
などを向上でき、ひいては半導体素子の信頼性を向上で
きる。これに加えて、ガラス封止型セラミック容器と半
導体素子の接合強度を大幅に改善できる。
により生ずるガスによるシールガラス層に対する悪影響
がないので、ガラス封止型セラミック容器にマウントす
る半導体素子例えばメモリ素子の耐湿性や、データ保持
などを向上でき、ひいては半導体素子の信頼性を向上で
きる。これに加えて、ガラス封止型セラミック容器と半
導体素子の接合強度を大幅に改善できる。
【図１】従来のガラス封止型セラミック容器に半導体素
子をマウントした状態を示す断面図である。
子をマウントした状態を示す断面図である。
【図２】本発明に係わるガラス封止型セラミック容器に
半導体素子をマウントした状態を示す断面図である。
半導体素子をマウントした状態を示す断面図である。
【図３】本発明に係わるガラス封止型セラミック容器の
一実施例の上面図である。
一実施例の上面図である。
【図４】本発明に係わるガラス封止型セラミック容器の
他の実施例の上面図である。
他の実施例の上面図である。
【図５】本発明に係わるガラス封止型セラミック容器の
更に他の実施例の上面図である。
更に他の実施例の上面図である。
１ ：セラミック環、 ２ ：透光性部材、 ３ ：セラミック容器、 ４ ：環状の端部、 ５ ：台部、 ６ ：メモリ素子、 ７ ：有機系ペースト、 ８ ：シールガラス層、 ９ ：透孔、 １０：筒体。
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック環を準備する工程と，このセ
ラミック環の中央部に透光性部材を設置する工程と，前
記セラミック環に対応するセラミック容器を準備する工
程と，このセラミック容器に、前記セラミック環に対向
する端部及びこれに連続する台部を設ける工程と，前記
セラミック容器端部及びセラミック環に相対的にシール
ガラス層を設ける工程と，前記台部に導電性パターンを
形成する工程と，この導電性パターンの一部に半導体素
子を導電性接着剤を介して固着する工程と，前記セラミ
ック環及び他のセラミック容器端部の一方に、透孔を形
成し、この透孔端を露出する工程と，ガラス層を配置す
る前記セラミック環及びセラミック容器を収納する治具
を加熱する工程とから成ることを特徴とするガラス封止
型セラミック容器の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7480592A JPH05283549A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ガラス封止型セラミック容器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7480592A JPH05283549A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ガラス封止型セラミック容器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283549A true JPH05283549A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13557898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7480592A Pending JPH05283549A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ガラス封止型セラミック容器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283549A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09121000A (ja) * | 1995-10-25 | 1997-05-06 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| WO2005109528A1 (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | 電子部品及びその製造方法 |
| JP4570301B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2010-10-27 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用容器 |
| WO2012155984A1 (de) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung von optoelektronischen vorrichtungen |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP7480592A patent/JPH05283549A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09121000A (ja) * | 1995-10-25 | 1997-05-06 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JP4570301B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2010-10-27 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用容器 |
| WO2005109528A1 (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2005327818A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子部品及びその製造方法 |
| JP4598432B2 (ja) * | 2004-05-12 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
| WO2012155984A1 (de) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung von optoelektronischen vorrichtungen |
| US9281301B2 (en) | 2011-05-19 | 2016-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic device and method for producing optoelectronic devices |
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