JPH0556605B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、螢光表示管などの表示装置の製造方
法に係り、特に基板と外囲器とから形成される気
密容器内の基板上に金属電極を装着し、この金属
電極をその基板上に形成された配線層と導通接続
して外部へ導出する金属電極の接続方法に関する
ものである。

〔従来の技術〕

従来、螢光表示管の組立工程において金属電極
（メタル電極ともいう）として例えばグリツド電
極を基板上の配線層と導通接続して外部へ導出す
るには、基板上に形成された配線層の各々の端末
部とグリツド電極を導通ペーストで接続する方法
や、第６図に示すように、基板１上に形成された
配線層２の各々の端末部３と、該基板１上にグリ
ツド固定用のスペーサ４ａおよび４ｂにて装着さ
れたグリツド電極５の一端側とをワイヤ線６を用
いてワイヤボンデイングする方法が用いられてい
る。また、その他の方法としては、各々のグリツ
ド電極の一部を、基板上に封着された外囲器との
封着部を通してこれら基板、外囲器からなる気密
容器外つまり管外へ直接導出させる方法もある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、導通ペーストを用いた接続方法は、
各々のグリツド電極の接続ピツチが細かくなる
と、導通ペーストの流れによつて隣接グリツド電
極間の短絡が起こりやすくなる。また、ワイヤボ
ンデイングによる方法は、各グリツド電極の接続
ピツチが細かくなつても接続はできるが、ワイヤ
ボンデイングのための余分なスペースが必要にな
る。さらに、グリツド電極の一部を直接管外へ導
出するものは、外部接続端子としての各リード端
子のピツチが各々のグリツド電極ピツチに制御さ
れ、各リード端子ピツチを広げたり、縮めたりし
にくい。また、基板と外囲器との封着部をグリツ
ド電極が貫通するため、その表面を酸化処理しな
ければならないという問題があつた。

本発明は、このような点に鑑みてなされたもの
で、導通ペーストやワイヤ線を用いずに、金属電
極と基板上の配線層との導通接続を低融点ガラス
による圧着によつて直接行うことにより、上記し
た従来の問題点を解消した表示装置の製造方法を
提供するものであつた。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明に係る表示装置の製造方法は、基板と該
基板上に封着される外囲器とから気密容器を形成
し、この気密器内の基板上に装着すべき金属電極
をその基板上に形成された配線層と導通接続して
外部へ導出する表示装置の製造方法において、前
記基板上に形成された配線層の端末部に前記金属
電極の固定端部を接触させて位置決めしたうえ、
この金属電極の接触面上に、底面に低融点ガラス
が塗布された固定用絶縁部材を載置させて外絶縁
部材を加圧しながら、前記低融点ガラスを熱硬化
させることにより、前記配線層と前記金属電極と
を導通接続すると同時に、該金属電極を前記基板
上に固定するものである。

〔作用〕

本発明においては、金属電極と基板上の配線層
とを低融点ガラスによる圧着によつて導通接続す
ることにより、金属電極の基板上の固定と配線層
への接続を同時に行うことができる。

〔実施例〕

以下、本発明を図に示す実施例に基づいて説明
する。

第１図および第２図は本発明の一実施例による
金属電極の接続方法を示す基本的な工程断面図で
あり、ここでは螢光表示管の組立工程において金
属電極としてグリツド電極を基板上に実装する場
合を示す。第１図において、１１は気密容器の一
部をなすガラスからなる基板であり、この基板１
１上には後述するグリツド電極の各々を外部へ導
出すべき所定の配線パターンを有する複数の配線
層１２₁，１２₂，１２₃が形成されている。これ
ら配線層１２₁〜１２₃は、アルミ（Al）などの薄
膜層からなり、それら一方のリード部が基板１１
上に外囲器（図示せず）を封着して形成される気
密容器外つまり管外へ導出され、また他方の端末
部には管内において各々のグリツド電極の導通接
触すべき膜厚印刷によるカーボンあるいは銀など
の導通層１３₁，１３₂，１３₃がそれぞれ被着形
成されている。

このように形成された基板１１上の配線層１２
_１〜１２₃の各々のグリツド電極を導通接続するに
は、これらグリツド電極１４₁，１４₂，１４₃が
フレーム（図示せず）で一体に連結された通常の
グリツド電極フレームを用意する。そして、この
グリツド電極フレームのうち各々のグリツド電極
１４₁〜１４₃の一方の固定端部を基板１１上に形
成された各配線層１２₁〜１２₃の導電層１３₁〜
１３₃の表面液に接触させると共に、他方の固定
端部を基板１上の所定箇所に載置させてこのグリ
ツド電極フレームを位置決めする。次いで、前記
各グリツド電極１４₁〜１４₃の両方の固定端部の
表面に、底面に低融点ガラス１６が塗布された短
冊状のグリツド固定用スペーサ部材１５をそれぞ
れ載置される。次いで、これらスペーサ部材１５
に対し治具（図示せず）で第１図の矢印方向に示
す加圧力１７を加えて各々の配線層１２₁〜１２₃
上の導電層１３₁〜１３₃とグリツド電極１４₁〜
１４₃の一方の固定端部を圧接すると共に、これ
らグリツド電極１４₁〜１４₃の他方の固定端部を
基板１１上に圧接する。この圧接状態のもとで前
記低融点ガラス１６を加熱炉内で熱硬化させるこ
とにより、第２図に示すように、この低融点ガラ
ス１６によつて基板１１上の各々の配線層１２₁
〜１２₃とグリツド電極１４₁〜１４₃とを導通接
続できると同時に、各グリツド電極１４₁〜１４₃
の両方の固定端部をスペーサ部材１５にて押えて
これらグリツド電極１４₁〜１４₃を基板１１上に
固定できる。最後に、前記グリツド電極フレーム
のフレームを切断すれば、第３図に示すように、
基板１１上に各々のグリツド電極１４₁〜１４ｎ
を等間隔に配列して実装することができる。

この場合、前記スペーサ部材１５は、各グリツ
ド電極１４₁〜１４ｎの両端を固定するもので、
短冊状のガラスやセラミツクなどの絶縁板あるい
は載置面に絶縁層を施した金属板などが使用でき
る。

なお、基板１１上の各配線層１２₁〜１２₃が銀
などの厚膜導電層からなる場合は、各々の端末部
のグリツド電極との接続部の導電層１３₁〜１３₃
を省略することもできる。また、基板１１上の各
配線層１２₁〜１２₃とグリツド電極１４₁〜１４₃
との接続部周辺に、第４図に示すように厚膜によ
る絶縁層１８が形成され、各グリツド電極１４₁
〜１４₃との圧接がしにくい時には、さらにその
上に銀あるいはカーボンなどの導電層１９₁，１
９₂，１９₃を形成することによつて圧接が容易に
なる。

したがつて、上記実施例によれば、グリツド電
極１４₁〜１４₃の基板１１への固定と配線層１２
_１〜１２₃への接続が同時にでき、さらに、各グリ
ツド電極１４₁〜１４₃の接続ピツチが0.5mm程度
あるいはそれ以下でも容易に基板１１上の配線層
１２₁〜１２₃と導通接続が可能になる。

第５図は本発明の別の実施例を示すもので、金
属電極としてグリツド電極の接続後の状態を示す
一部側面断面図である。第５図において上記した
実施例と異なる点は、基板１１上に形成される
各々の配線層１２のグリツド電極１４と接続すべ
き端末部を、基板１１と外囲器としてのフエース
ガラス２１の密着部２２に位置させる。そして、
この配線層１２の端末部に、基板１１上に被着さ
れた絶縁層１８の端面と隣接して該絶縁層１８と
同じ厚みを有する銀あるいはカーボンなどの導電
層２０をそれぞれ形成し、これら配線層１２上の
導電層２０にグリツド電極１４の片方の固定端部
を接触させて載置する。しかる後、これらを封止
面に低融点ガラス２３が塗布されたフエースガラ
ス２１により圧接してその低融点ガラス２３を熱
硬化させることにより、基板１１とフエースガラ
ス２１との密着部２２内で低融点ガラス２３によ
る圧着によつて各々のグリツド電極１４と基板１
１上の配線層１２とを導通接続したものである。

したがつて、かかる実施例によると、グリツド
電極１４の基板１１への固定と該基板上の配線層
１２への接続、さらにフエースガラス２１の封着
が１つの工程で完了することになる。ただし、グ
リツド電極１４の形状によつては封着工程以前に
基板１１上に固定しておく方が製造上、都合の良
い場合もあり、別個に行うこともできる。また、
グリツド電極１４と基板１１との接続部は完全に
封着剤の低融点ガラス２３で被われるので、真空
気密性の問題も生じなくなる。しかも、フエース
ガラス２１の一部はグリツド電極１４の固定も兼
ねるので、第１図のスペース部材１５が不要にな
る利点を有する。

さらに、通常、管内を形成する基板１１上には
管内配線保護などのため絶縁層１８が形成されて
おり、この厚みにより管外の配線層１２とグリツ
ド電極１４との間に隙間ができ、接続状態が悪く
なることがある。また、配線層１２と材質は主に
厚膜の銀層や薄膜のアルミ（Al）層が用いられ、
特に薄膜の場合、充分な導通状態が得られにくい
ものである。これに対し、本実施例によれば、各
配線層１２のグリツド電極１４との接続部にもう
１層の導電層２０を形成することにより、グリツ
ド電極１４との接続を容易に行うことができる。
ただし、配線層１２とグリツド電極１４との圧接
部周辺に絶縁層１８がなく、管外の配線層１２の
材質が例えば厚膜銀層のようにグリツド電極１４
との接触状態の良い場合は、管外配線層１２上の
端末部に直接グリツド電極１４を圧接することも
できる。

なお、上記した各実施例では金属電極とし螢光
表示管の組立に用いるグリツド電極の場合につい
て示したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、フイラメントザポートあるいはアノードな
どの金属電極を基板上の配線層と導通接続して外
部へ導出する各種タイプの表示装置にも適用でき
ることは勿論である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、基板上
の配線層と金属電極とを低融点ガラスによる圧着
によつて導通接続することにより、金属電極の基
板上への固定と配線層への接続を同時に行うこと
ができる。したがつて、従来のように導通ペース
トの流れによる金属電極間の短絡が生じることは
なくなり、またワイヤボンデイングのためのスペ
ースも不要になり、金属電極の各接続ピツチを縮
小化できると共に、接続の信頼性を高めることが
できる等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の一実施例を示す
基本的な工程断面図、第３図は上記実施例におけ
る基板への金属電極（グリツド電極）の接続状態
を示す概略平面図、第４図は上記実施例の変形例
を示す第２図相当の工程断面図、第５図は本発明
の別の実施例を説明するための接続部の一部側面
断面図、第６図は従来のグリツド電極の接続方法
の一例を示す説明図である。 １１……基板、１２，１２₁，１２₂，１２₃…
…配線層、１３，１３₁，１３₂，１３₃……導電
層、１４，１４₁〜１４ｎ……グリツド電極（金
属電極）、１５……スペーサ部材、１６，２３…
…低融点ガラス、１８……絶縁層、１９₁，１９
_２，１９₃……導電層、２０……導電層、２１……
フエースガラス（外囲器）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板と該基板上に封着される外囲器とから気
   密容器を形成し、この気密容器内の基板上に装着
   すべき金属電極をその基板上に形成された配線層
   と導通接続して外部へ導出する表示装置の製造方
   法において、前記基板上に形成された配線層の端
   末部に前記金属電極の固定端部を接触させて位置
   決めしたうえ、この金属電極の接触面上に、底面
   に低融点ガラスが塗布された固定用絶縁部材を載
   置させて該絶縁部材を加圧しながら、前記低融点
   ガラスを熱硬化させることにより、前記配線層と
   前記金属電極とを導通接続すると同時に、該金属
   電極を前記基板上に固定することを特徴とする表
   示装置の製造方法。 ２ 配線層は、所定の配線パターンを有する薄膜
   層からなり、それら薄膜層の端末部に厚膜する導
   電層を形成してなることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の表示装置の製造方法。 ３ 配線層の金属電極と導通接続すべき端末部
   を、基板と外囲器との封着部内に位置せしめ、該
   外囲器の一部を固定用絶縁部材として兼用させて
   なることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
   は第２項記載の表示装置の製造方法。