JPS5918683Y2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5918683Y2
JPS5918683Y2 JP1976175108U JP17510876U JPS5918683Y2 JP S5918683 Y2 JPS5918683 Y2 JP S5918683Y2 JP 1976175108 U JP1976175108 U JP 1976175108U JP 17510876 U JP17510876 U JP 17510876U JP S5918683 Y2 JPS5918683 Y2 JP S5918683Y2
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JP
Japan
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semiconductor element
substrate
semiconductor
support plate
connection pads
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Expired
Application number
JP1976175108U
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English (en)
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JPS5394073U (ja
Inventor
正浩 杉本
Original Assignee
富士通株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は半導体装置、特に大型の半導体素子を搭載する
ためのパッケージの構造に関する。
大型の半導体素子は組立工程及び動作時において熱の影
響を受は熱歪を生ずるため、これをセラミック板等の基
板に支持する場合その熱歪を充分緩和するような構造を
採る必要がある。
特に、半導体素子が一枚の半導体基板（ウェハ）によっ
て構成されている場合等、大型になればなる程、また半
導体素子とその支持体との間の材料自体の熱膨張係数の
相違が大きな場合はど、寸法変化による影響が大きくな
る。
また、半導体素子とそれの支持体との間の隙間間隔のコ
ントロールも困難となる。
例えばセラミック等の基板に半田層を介して半導体素子
を固着する場合に、該半田層が薄いため、該半田層の存
在をもって基板と半導体素子の熱膨張係数の相違に基づ
く歪を緩和することが困難であった。
本考案はかかる実情に鑑みて案出したもので、その支持
体間の隙間間隔の制御を可能にし、かつ材料間の熱歪を
有効に吸収しかつ熱放散の良好な半導体装置を得ること
を目的とする。
そこで、本考案によれば円形開口部および該円形開口部
の周縁上面に形成した複数個の接続用パッドを有する基
板と、前記開口部内に位置しかつ前記接続用パッドとの
間で電気的に接続される半導体素子と、該半導体素子を
支持する支持板とを含んで戒り、前記半導体素子と支持
板との間が、多数の孔を有する板状の銅製メツシュを介
装せしめて半田付けされてなることを特徴とする半導体
装置が提案される。
以下、添付図面に基づいて本考案の実施例につき詳述す
る。
図において、セラミックからなる基板１はその中央部に
円形開口部２を有し、その円形開口部の周縁上面には半
導体素子１０の端子パッドからの引出し線が接続される
接続用パッド３が複数個形成されている。
これらの接続用パッド３は、基板１の内部を通るそれぞ
れの導体パターン４及びスルーホール１９を介して、基
板１の外周縁に形成したそれぞれの外部接続用パッド５
に接続されている。
かかる接続用パッド３，５はすでに周知であるところの
多層セラミック基板の製造プロセスによつて形成された
基板１のメタライズ部にニッケルメッキ及び金メッキ等
を施すことによって形成することができる。
また接続用パッド５は通常の薄膜技術によって形成する
こともできる。
基板１の開口部２の周縁下面には、例えばコバール等で
製造された図示の如き形状の環状緩衝部材６が鑞付は等
により取り付けられ、更にこの部材６上には例えばモリ
ブデン（Ｍｏ）からなる支持板９が鑞付は等によって取
り付けられる。
環状緩衝部材６は断面がＲ部で折り曲げられた平行段差
を有する形状であり、前記支持板９と一体となり、基板
１の開口部２の一方を気密封止する。
半導体素子１０、即ち一枚の半導体基板はそれ自体が一
つの大型集積回路を構成する大型シリコン基板であって
、本考案によれば該半導体素子は前記支持板９上に第３
図に示す如き例えば銅（Ｃｕ）からなる金属製メツシュ
１７を介装せしめて半田付けにより取り付けられ、その
後接続用パッド３との間をワイヤ１３等で電気的に接続
される。
第３図に示す金属製メツシュ１７は例えば第３図に示す
ように多数の円形孔１８を有する円板状のものあるいは
、一般の金網状のものを用いることができる。
該金属製メツシュ１７の存在により、ここにおける半田
量は前記従来のものよりも極めて多くすることができる
。
半導体素子１０の搭載後、第１図に示すようにシールリ
ング１４を介して基板開口部２にキャップ部材１５を取
り付け、第２図の如き本考案の半導体装置が完成する。
この時、必要゛に応じて支持板９の下部に放熱フィン１
６を取り付けることができる。
このような本考案によると、半導体素子１０の半田付け
による支持板上への搭載に際して該半導体素子と支持板
との間に金属製メツシュ１７が介在されているので、半
田材自体に緩衝効果を充分与え得る程度の厚さが得られ
、かつ厚さにムラがなくなり、均一な半田層が形成され
ると共に厚さのコントロールも可能となる。
従って、支持板と半導体素子との熱膨張係数の差に基づ
く歪を有効に吸収することができ、該半導体素子の破壊
を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本体からキャップと放熱フィンを分解した本考
案の半導体装置の斜視図、第２図は本考案の半導体装置
の断面図、第３図は本考案で用いる金属製メツシュの斜
視図である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １１円円形口部２および該円形開口部の周縁上面に形成
    した複数個の接続用パッド３を有する基板１と、前記開
    口部２内に位置しかつ前記接続用パッド３との間で電気
    的に接続される半導体素子１０と、該半導体素子１０を
    支持する支持板９とを含んで成り、前記半導体素子１０
    と支持板９との間が多数の孔１８を有する板状の銅製メ
    ツシュ１７を介装せしめて半田付けされてなることを特
    徴とする半導体装置。 ２、半導体素子が一枚の半導体基板によって構成されて
    なることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記
    載の半導体装置。
JP1976175108U 1976-12-28 1976-12-28 半導体装置 Expired JPS5918683Y2 (ja)

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JP1976175108U JPS5918683Y2 (ja) 1976-12-28 1976-12-28 半導体装置

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JP1976175108U JPS5918683Y2 (ja) 1976-12-28 1976-12-28 半導体装置

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JPS5394073U JPS5394073U (ja) 1978-08-01
JPS5918683Y2 true JPS5918683Y2 (ja) 1984-05-30

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4919354A (ja) * 1972-06-15 1974-02-20
JPS4925367U (ja) * 1972-06-05 1974-03-04
JPS5027245U (ja) * 1973-07-09 1975-03-28

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4925367U (ja) * 1972-06-05 1974-03-04
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JPS5027245U (ja) * 1973-07-09 1975-03-28

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JPS5394073U (ja) 1978-08-01

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