JPH083009Y2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JPH083009Y2 JPH083009Y2 JP1989125453U JP12545389U JPH083009Y2 JP H083009 Y2 JPH083009 Y2 JP H083009Y2 JP 1989125453 U JP1989125453 U JP 1989125453U JP 12545389 U JP12545389 U JP 12545389U JP H083009 Y2 JPH083009 Y2 JP H083009Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- metal
- metal layer
- insulating frame
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は半導体素子を収容するための半導体素子収納
用パッケージの改良に関するものである。
用パッケージの改良に関するものである。
（従来技術及びその課題） 一般に、LSI（大規模集積回路）に代表される半導体
素子は作動時に多量の熱を発生する。そのためこの半導
体素子を収容する半導体素子収納用パッケージは半導体
素子を正常、且つ安定に作動させるために半導体素子の
発する熱をいかに効率よく除去するかが課題となってい
る。
素子は作動時に多量の熱を発生する。そのためこの半導
体素子を収容する半導体素子収納用パッケージは半導体
素子を正常、且つ安定に作動させるために半導体素子の
発する熱をいかに効率よく除去するかが課題となってい
る。
かかる課題を解決するため従来の半導体素子収納用パ
ッケージは通常、第３図に示すように中央部に半導体素
子を収容するための空所を形成する貫通孔11aを有する
絶縁枠体11を金属基体12に、該金属基体12の上面外周部
を絶縁枠体11の下面貫通孔周縁部に被着させた金属層13
にロウ付けすることによって取着した構造を有してお
り、金属基体12の上面に半導体素子14を載置固定し、半
導体素子14から発生される熱を金属基体12に吸収させる
とともに該吸収した熱を大気中に放出することによって
半導体素子を熱から保護している。
ッケージは通常、第３図に示すように中央部に半導体素
子を収容するための空所を形成する貫通孔11aを有する
絶縁枠体11を金属基体12に、該金属基体12の上面外周部
を絶縁枠体11の下面貫通孔周縁部に被着させた金属層13
にロウ付けすることによって取着した構造を有してお
り、金属基体12の上面に半導体素子14を載置固定し、半
導体素子14から発生される熱を金属基体12に吸収させる
とともに該吸収した熱を大気中に放出することによって
半導体素子を熱から保護している。
しかし乍ら、この従来の半導体素子収納用パッケージ
は金属基体が絶縁枠体の貫通孔と略同じ径の小さなもの
であり、金属基体が吸収除去し得る熱量は小さい。その
ため、この半導体収納用パッケージに近時の高密度、高
集積化が進み作動時に発する熱量が大となった半導体素
子を収容した場合、金属基体が半導体素子の発する熱を
完全に吸収除去することができず、その結果、半導体素
子を半導体素子自身が発する熱によって高温となし、半
導体素子に熱破壊をおこさせたり、特性に熱劣化を生じ
させたりするという欠点を有する。
は金属基体が絶縁枠体の貫通孔と略同じ径の小さなもの
であり、金属基体が吸収除去し得る熱量は小さい。その
ため、この半導体収納用パッケージに近時の高密度、高
集積化が進み作動時に発する熱量が大となった半導体素
子を収容した場合、金属基体が半導体素子の発する熱を
完全に吸収除去することができず、その結果、半導体素
子を半導体素子自身が発する熱によって高温となし、半
導体素子に熱破壊をおこさせたり、特性に熱劣化を生じ
させたりするという欠点を有する。
そこで上記欠点を解消するために、絶縁枠体の下面に
被着させた金属層を絶縁枠体下面の略全面にまで延在さ
せ、該金属層に半導体素子が発する熱の一部を吸収させ
ること、或いは絶縁枠体の下面全面に金属基体をロウ付
けし金属基体の吸収熱量を大とすることによって半導体
素子の発する熱を完全に吸収除去することが考えられ
る。
被着させた金属層を絶縁枠体下面の略全面にまで延在さ
せ、該金属層に半導体素子が発する熱の一部を吸収させ
ること、或いは絶縁枠体の下面全面に金属基体をロウ付
けし金属基体の吸収熱量を大とすることによって半導体
素子の発する熱を完全に吸収除去することが考えられ
る。
しかし乍ら、絶縁枠体下面の略全面に金属層を延在さ
せた場合、金属層に金属基体をロウ付けする際、ロウ材
の一部が金属層表面に大きく流出し、金属層と金属基体
との間に介在するロウ材の量が少なくなって金属層が被
着されている絶縁枠体と金属基体との取着強度が大きく
低下するという欠点を招来する。
せた場合、金属層に金属基体をロウ付けする際、ロウ材
の一部が金属層表面に大きく流出し、金属層と金属基体
との間に介在するロウ材の量が少なくなって金属層が被
着されている絶縁枠体と金属基体との取着強度が大きく
低下するという欠点を招来する。
また絶縁枠体の下面全面に金属基体をロウ付けした場
合、金属基体と絶縁枠体とは熱膨張係数が異なるため、
両者に半導体素子の発する熱が印加されると両者間に大
きな熱応力が発生し、該熱応力によって絶縁枠体にクラ
ックや割れ等が発生してしまうという欠点が招来する。
合、金属基体と絶縁枠体とは熱膨張係数が異なるため、
両者に半導体素子の発する熱が印加されると両者間に大
きな熱応力が発生し、該熱応力によって絶縁枠体にクラ
ックや割れ等が発生してしまうという欠点が招来する。
（考案の目的） 本考案は上記欠点に鑑み案出されたものでその目的は
絶縁枠体の下面に金属基体を強固にロウ付け取着するの
を可能とし、且つ内部に収容する半導体素子の発する熱
を効率よく除去し、半導体素子を長期間にわたり正常、
且つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パ
ッケージを提供することにある。
絶縁枠体の下面に金属基体を強固にロウ付け取着するの
を可能とし、且つ内部に収容する半導体素子の発する熱
を効率よく除去し、半導体素子を長期間にわたり正常、
且つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パ
ッケージを提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本考案は中央部に半導体素子を収容する貫通孔を有
し、下面の略全面に金属層が被着されている絶縁枠体を
金属基体に、該金属基体の上面外周部と絶縁枠体に被着
させた金属層の貫通孔周縁部とをロウ付けすることによ
って取着して成る半導体素子収納用パッケージにおい
て、前記金属層は金属基体のロウ付け部周囲に枠状の凸
部が形成されていることを特徴とするものである。
し、下面の略全面に金属層が被着されている絶縁枠体を
金属基体に、該金属基体の上面外周部と絶縁枠体に被着
させた金属層の貫通孔周縁部とをロウ付けすることによ
って取着して成る半導体素子収納用パッケージにおい
て、前記金属層は金属基体のロウ付け部周囲に枠状の凸
部が形成されていることを特徴とするものである。
（実施例） 次ぎに本考案を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は本考案の半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示し、１は金属基体、２は絶縁枠体で
ある。
ージの一実施例を示し、１は金属基体、２は絶縁枠体で
ある。
前記金属基体１はその上面中央部に半導体素子が載置
される載置部を有し、該載置部に半導体素子３が接着材
を介し取付される。
される載置部を有し、該載置部に半導体素子３が接着材
を介し取付される。
前記金属基体１は半導体素子３が発する熱を直接吸収
するとともに該吸収した熱を大気中に放出する作用を為
し、後述する絶縁枠体２との間に大きな熱応力が発生し
ないよう熱膨張係数が絶縁枠体２と近似し、且つ良熱伝
導性である材料、例えば銅−タングステン（Cu−Ｗ合
金）より形成されている。
するとともに該吸収した熱を大気中に放出する作用を為
し、後述する絶縁枠体２との間に大きな熱応力が発生し
ないよう熱膨張係数が絶縁枠体２と近似し、且つ良熱伝
導性である材料、例えば銅−タングステン（Cu−Ｗ合
金）より形成されている。
尚、前記金属基体１は、例えばタングステン（Ｗ）の
粉末（粒径：約10μｍ）を1000Kg/cm2の圧力で加圧成形
するとともにこれを還元雰囲気中、約2300℃の温度で焼
成して多孔質のタングステン焼結体を得、次に1100℃の
温度で加熱溶融させた銅（Cu）を前記タングステン焼結
体の多孔部分に毛管現象を利用して含浸させることによ
って形成される。
粉末（粒径：約10μｍ）を1000Kg/cm2の圧力で加圧成形
するとともにこれを還元雰囲気中、約2300℃の温度で焼
成して多孔質のタングステン焼結体を得、次に1100℃の
温度で加熱溶融させた銅（Cu）を前記タングステン焼結
体の多孔部分に毛管現象を利用して含浸させることによ
って形成される。
前記金属基体１の上面外周部には該金属基体１上面の
半導体素子載置部を囲繞するようにして中央部に貫通孔
2aを有する絶縁枠体２が取着されており、金属基体１上
面と絶縁枠体２に設けた貫通孔2aとで半導体素子３を収
容するための空所が内部に形成される。
半導体素子載置部を囲繞するようにして中央部に貫通孔
2aを有する絶縁枠体２が取着されており、金属基体１上
面と絶縁枠体２に設けた貫通孔2aとで半導体素子３を収
容するための空所が内部に形成される。
前記絶縁枠体２は例えばアルミナセラミックスから成
り、アルミナセラミックスの粉末に適当な有機溶剤、溶
媒を添加して泥漿状となすとともにこれをドクターブレ
ード法を採用することによってグリーンシート（セラミ
ック生シート）を形成し、しかる後、前記グリーンシー
トに適当な打抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高
温で焼成することによって製作される。
り、アルミナセラミックスの粉末に適当な有機溶剤、溶
媒を添加して泥漿状となすとともにこれをドクターブレ
ード法を採用することによってグリーンシート（セラミ
ック生シート）を形成し、しかる後、前記グリーンシー
トに適当な打抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高
温で焼成することによって製作される。
また前記絶縁枠体２はその下面の略全面にタングステ
ン（Ｗ）、モリブデン（Mo）等の金属から成る金属層４
が被着されており、該金属層４と金属基体１とは銀ロウ
（Ag-Cu合金）等のロウ材５を介しロウ付けされ、これ
によって金属基体１と絶縁基体２とが取着される。
ン（Ｗ）、モリブデン（Mo）等の金属から成る金属層４
が被着されており、該金属層４と金属基体１とは銀ロウ
（Ag-Cu合金）等のロウ材５を介しロウ付けされ、これ
によって金属基体１と絶縁基体２とが取着される。
前記金属層４はタングステン（Ｗ）、モリブデン（M
o）等の金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し
て得た金属ペーストを絶縁枠体２の下面、略全面に従来
周知のスクリュ印刷法を採用することによって印刷塗布
し、しかる後、これを還元雰囲気中、約1300℃の温度で
焼成することによって形成され、該金属層４は金属基体
１の上面に絶縁枠体２を取着する際、ロウ付けの下地金
属層として作用するとともにその面積が絶縁枠体２の下
面、略全面にわたる広いものであることから半導体素子
３の発する熱の一部を吸収し、該吸収した熱を大気中に
放出する作用も為す。
o）等の金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し
て得た金属ペーストを絶縁枠体２の下面、略全面に従来
周知のスクリュ印刷法を採用することによって印刷塗布
し、しかる後、これを還元雰囲気中、約1300℃の温度で
焼成することによって形成され、該金属層４は金属基体
１の上面に絶縁枠体２を取着する際、ロウ付けの下地金
属層として作用するとともにその面積が絶縁枠体２の下
面、略全面にわたる広いものであることから半導体素子
３の発する熱の一部を吸収し、該吸収した熱を大気中に
放出する作用も為す。
また前記金属層４には金属基体１のロウ付け部周囲に
枠状の凸部4aが設けてあり、該凸部4aは絶縁体２の金属
層４と金属基体１とをロウ材５を介しロウ付けする際、
ロウ材５が金属層４表面に大きく流出するのを有効に防
止し、金属層４と金属基体１との間に介在されるロウ材
の量を大として金属層４が被着されている絶縁枠体２と
金属基体１との取着を強固なものと為す。
枠状の凸部4aが設けてあり、該凸部4aは絶縁体２の金属
層４と金属基体１とをロウ材５を介しロウ付けする際、
ロウ材５が金属層４表面に大きく流出するのを有効に防
止し、金属層４と金属基体１との間に介在されるロウ材
の量を大として金属層４が被着されている絶縁枠体２と
金属基体１との取着を強固なものと為す。
前記金属層４に設けた枠状の凸部4aは金属層４と同一
の材料、或いはアルミナセラミックス等の耐熱性に優れ
た無機物から成り、その高さはロウ材５の流出を防止す
るに十分な高さ、具体的には５〜10μｍの高さに形成さ
れる。
の材料、或いはアルミナセラミックス等の耐熱性に優れ
た無機物から成り、その高さはロウ材５の流出を防止す
るに十分な高さ、具体的には５〜10μｍの高さに形成さ
れる。
尚、前記凸部4aは金属層４と同じ材料より成る場合は
絶縁枠体２の下面に金属ペーストを印刷塗布し金属層３
を形成する際に金属ペーストを枠状に複数回、重ね塗り
をしておくことによって形成され、またアルミナセラミ
ックス等の無機物から成る場合は絶縁枠体２の下面に金
属層４を被着させた後、金属層４表面に無機物粉末に有
機溶剤、溶媒を添加混合して得た無機物ペーストを枠状
に印刷塗布し、これを約1300℃の温度で焼成することに
よって形成される。
絶縁枠体２の下面に金属ペーストを印刷塗布し金属層３
を形成する際に金属ペーストを枠状に複数回、重ね塗り
をしておくことによって形成され、またアルミナセラミ
ックス等の無機物から成る場合は絶縁枠体２の下面に金
属層４を被着させた後、金属層４表面に無機物粉末に有
機溶剤、溶媒を添加混合して得た無機物ペーストを枠状
に印刷塗布し、これを約1300℃の温度で焼成することに
よって形成される。
また前記凸部4aはアルミナセラミックス等の無機物に
より形成すると該無機物はロウ材と濡れ性が悪いことか
らロウ材５の一部が凸部4aの外表面を伝わって外側に流
出するのが皆無となり、ロウ材５の流出を安全に防止
し、金属層４と金属基体１との間に多量のロウ材を介在
させるには凸部4aを無機物で形成するのが好ましい。
より形成すると該無機物はロウ材と濡れ性が悪いことか
らロウ材５の一部が凸部4aの外表面を伝わって外側に流
出するのが皆無となり、ロウ材５の流出を安全に防止
し、金属層４と金属基体１との間に多量のロウ材を介在
させるには凸部4aを無機物で形成するのが好ましい。
前記絶縁枠体２はまたその内部にモリブデン（Mo）、
タングステン（Ｗ）等の金属から成る導電層６が設けて
あり、該導電層６は半導体素子３の電極を外部リードピ
ン７に接続する作用を為し、その一端に外部リードピン
７が、また他端に半導体素子３の電極に接続されたボン
ディングワイヤ８が取着される。
タングステン（Ｗ）等の金属から成る導電層６が設けて
あり、該導電層６は半導体素子３の電極を外部リードピ
ン７に接続する作用を為し、その一端に外部リードピン
７が、また他端に半導体素子３の電極に接続されたボン
ディングワイヤ８が取着される。
前記絶縁枠体２に設けた導電層６に取着される外部リ
ードピン７は内部に収容する半導体素子３の各電極を外
部回路に接続する作用を為し、コバール（Fe-Ni-Co合
金）や42Alloy（Fe-Ni合金）等の金属をピン状に成した
ものが使用される。
ードピン７は内部に収容する半導体素子３の各電極を外
部回路に接続する作用を為し、コバール（Fe-Ni-Co合
金）や42Alloy（Fe-Ni合金）等の金属をピン状に成した
ものが使用される。
尚、前記外部リードピン７の外表面には該外部リード
ピン７と外部回路との電気的接続を良好とするために、
また外部リードピン７が酸化腐食するのを防止するため
にニッケル（Ni）、金（Au）等から成る良導電性で、か
つ耐蝕性に優れた金属を従来周知のメッキ法により被着
させておくことが望ましい。
ピン７と外部回路との電気的接続を良好とするために、
また外部リードピン７が酸化腐食するのを防止するため
にニッケル（Ni）、金（Au）等から成る良導電性で、か
つ耐蝕性に優れた金属を従来周知のメッキ法により被着
させておくことが望ましい。
また前記絶縁枠体２の上面には蓋体９がガラス、樹脂
等の封止材を介して取着され、これによって半導体素子
収納用パッケージの内部が完全に気密に封止される。
等の封止材を介して取着され、これによって半導体素子
収納用パッケージの内部が完全に気密に封止される。
かくして絶縁枠体２が取着された金属基体１の半導体
素子載置部に半導体素子３を取着し、半導体素子３の各
電極をボンディングワイヤ８を介して導電層６に接続す
るとともに蓋体９を絶縁枠体２の上面に取着することに
よって最終製品である半導体装置となる。
素子載置部に半導体素子３を取着し、半導体素子３の各
電極をボンディングワイヤ８を介して導電層６に接続す
るとともに蓋体９を絶縁枠体２の上面に取着することに
よって最終製品である半導体装置となる。
尚、本考案は上述の実施例に限定されるものではな
く、本考案の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更
は可能である。
く、本考案の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更
は可能である。
本考案の半導体素子収納用パッケージによれば、絶縁
基体の下面に被着させた金属層に枠状の凸部を設けたこ
とから該金属層に金属基体をロウ材を介し取着する際、
ロウ材の一部が金属層表面に大きく流出するのが有効に
防止され、これによって金属層と金属基体との間に介在
させるロウ材の量を大として金属層が被着されている絶
縁枠体と金属基体とを強固に取着することが可能とな
る。
基体の下面に被着させた金属層に枠状の凸部を設けたこ
とから該金属層に金属基体をロウ材を介し取着する際、
ロウ材の一部が金属層表面に大きく流出するのが有効に
防止され、これによって金属層と金属基体との間に介在
させるロウ材の量を大として金属層が被着されている絶
縁枠体と金属基体とを強固に取着することが可能とな
る。
また絶縁枠体の下面に被着させた金属層は絶縁枠体の
略全面にわたる広い面積としたことから金属層に半導体
素子の発する熱の一部を吸収させるとともに該吸収した
熱を大気中に放出させることが可能となり、その結果、
半導体素子の発する熱はその量が大となったとしても金
属基体と金属層とで完全に吸収除去され、半導体素子を
高温として半導体素子に熱損壊を起こさせたり、特性に
熱劣化を生じさせたりすることが皆無となる。
略全面にわたる広い面積としたことから金属層に半導体
素子の発する熱の一部を吸収させるとともに該吸収した
熱を大気中に放出させることが可能となり、その結果、
半導体素子の発する熱はその量が大となったとしても金
属基体と金属層とで完全に吸収除去され、半導体素子を
高温として半導体素子に熱損壊を起こさせたり、特性に
熱劣化を生じさせたりすることが皆無となる。
第１図は本考案の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図、第２図は第１図に示す半導体素子収納
用パッケージの絶縁枠体の平面図、第３図は従来の半導
体素子収納用パッケージの断面図である。 1:金属基体、1a:貫通孔 2:絶縁枠体、4:金属層 4a:凸部、5:ロウ材
例を示す断面図、第２図は第１図に示す半導体素子収納
用パッケージの絶縁枠体の平面図、第３図は従来の半導
体素子収納用パッケージの断面図である。 1:金属基体、1a:貫通孔 2:絶縁枠体、4:金属層 4a:凸部、5:ロウ材
Claims (1)
- 【請求項１】中央部に半導体素子を収容する貫通孔を有
し、下面の略全面に金属層が被着されている絶縁枠体を
金属基体に、該金属基体の上面外周部と絶縁枠体に被着
させた金属層の貫通孔周縁部とをロウ付けすることによ
って取着して成る半導体素子収納用パッケージにおい
て、前記金属層は金属基体のロウ付け部周囲に枠状の凸
部が形成されていることを特徴とする半導体素子収納用
パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989125453U JPH083009Y2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989125453U JPH083009Y2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0363939U JPH0363939U (ja) | 1991-06-21 |
| JPH083009Y2 true JPH083009Y2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=31673323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989125453U Expired - Lifetime JPH083009Y2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083009Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014117332A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Daiichi Rubber Kk | 履物、ブーツ及び長靴 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4557406B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2010-10-06 | 京セラ株式会社 | 圧力検出装置用パッケージ |
| JP2003007885A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP5074912B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2012-11-14 | グンゼ株式会社 | 立体編み部付き衣類 |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP1989125453U patent/JPH083009Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014117332A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Daiichi Rubber Kk | 履物、ブーツ及び長靴 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0363939U (ja) | 1991-06-21 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |