JPH06334077A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH06334077A JPH06334077A JP11988493A JP11988493A JPH06334077A JP H06334077 A JPH06334077 A JP H06334077A JP 11988493 A JP11988493 A JP 11988493A JP 11988493 A JP11988493 A JP 11988493A JP H06334077 A JPH06334077 A JP H06334077A
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- metal
- insulating frame
- package
- metal radiator
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Abstract
(57)【要約】
【目的】金属放熱体に絶縁容器をロウ付けする際、絶縁
容器にクラックや割れ等が発生するのを有効に防止し、
半導体素子の気密封止を完全として半導体素子を長期間
にわたり正常、且つ安定に作動させることができる半導
体素子収納用パッケージを提供することにある。 【構成】半導体素子４を収容する絶縁容器に金属放熱体
１をロウ付けして成る半導体素子収納用パッケージであ
って、前記金属放熱体１の側面に切欠部Ｂを設けた。
容器にクラックや割れ等が発生するのを有効に防止し、
半導体素子の気密封止を完全として半導体素子を長期間
にわたり正常、且つ安定に作動させることができる半導
体素子収納用パッケージを提供することにある。 【構成】半導体素子４を収容する絶縁容器に金属放熱体
１をロウ付けして成る半導体素子収納用パッケージであ
って、前記金属放熱体１の側面に切欠部Ｂを設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＳＩ等の半導体素子を
収容するための半導体素子収納用パッケージに関するも
のである。
収容するための半導体素子収納用パッケージに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近時、情報処理装置の高性能化、高速度
化に伴い、それを構成するＬＳＩ等の半導体素子も高密
度、高集積化が急激に進んでいる。そのため半導体素子
の単位面積、単位体積あたりの発熱量が増大し、半導体
素子を正常、且つ安定に作動させるためにはその熱をい
かに効率的に除去するかが課題となっている。
化に伴い、それを構成するＬＳＩ等の半導体素子も高密
度、高集積化が急激に進んでいる。そのため半導体素子
の単位面積、単位体積あたりの発熱量が増大し、半導体
素子を正常、且つ安定に作動させるためにはその熱をい
かに効率的に除去するかが課題となっている。
【０００３】かかる課題を解決するため従来の半導体素
子収納用パッケージは例えば、図４に示すように上面中
央部に半導体素子１３が載置される載置部１１ａを有す
る金属放熱体１１と、該金属放熱体１１上に銀ロウ等の
ロウ材１５を介して取着され、半導体素子１３が載置さ
れる載置部１１ａを囲繞する絶縁枠体１２とから構成さ
れており、金属放熱体１１の半導体素子載置部１１ａに
半導体素子１３を載置固定し、半導体素子１３から発生
される熱を金属放熱体１１に吸収させるとともに該吸収
した熱を大気中に放散させることによって半導体素子１
３を熱から保護している。
子収納用パッケージは例えば、図４に示すように上面中
央部に半導体素子１３が載置される載置部１１ａを有す
る金属放熱体１１と、該金属放熱体１１上に銀ロウ等の
ロウ材１５を介して取着され、半導体素子１３が載置さ
れる載置部１１ａを囲繞する絶縁枠体１２とから構成さ
れており、金属放熱体１１の半導体素子載置部１１ａに
半導体素子１３を載置固定し、半導体素子１３から発生
される熱を金属放熱体１１に吸収させるとともに該吸収
した熱を大気中に放散させることによって半導体素子１
３を熱から保護している。
【０００４】尚、前記半導体素子収納用パッケージにお
いては、金属放熱体１１は上面にロウ付けされる絶縁枠
体１２との間に大きな熱応力が発生しないように熱膨張
係数が絶縁枠体１２と近似する金属、例えば銅ータング
ステン合金により形成されており、また前記絶縁枠体１
２はその下面にモリブデン、タングステン、マンガン等
の高融点金属から成るメタライズ金属層１４が被着形成
されており、該メタライズ金属層１４を金属放熱体１１
に銀ロウ（銀ー銅合金）等のロウ材１５を介しロウ付け
することによって金属放熱体１１に取着されている。
いては、金属放熱体１１は上面にロウ付けされる絶縁枠
体１２との間に大きな熱応力が発生しないように熱膨張
係数が絶縁枠体１２と近似する金属、例えば銅ータング
ステン合金により形成されており、また前記絶縁枠体１
２はその下面にモリブデン、タングステン、マンガン等
の高融点金属から成るメタライズ金属層１４が被着形成
されており、該メタライズ金属層１４を金属放熱体１１
に銀ロウ（銀ー銅合金）等のロウ材１５を介しロウ付け
することによって金属放熱体１１に取着されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージは金属放熱体１１上に
絶縁枠体１２を銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着
する際、金属放熱体１１の側面と絶縁枠体１２に被着さ
せたメタライズ金属層１４との間にロウ材１５の大きな
溜まりＡが形成されるとともに該溜まりＡのロウ材１５
による大きな引っ張り応力が絶縁枠体１２に作用して絶
縁枠体１２にクラックや割れを発生させてしまい、その
結果、前記絶縁枠体１２に発生するクラックや割れによ
って半導体素子１３の気密封止が破れ、半導体素子１３
を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることがで
きないという欠点を有していた。
来の半導体素子収納用パッケージは金属放熱体１１上に
絶縁枠体１２を銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着
する際、金属放熱体１１の側面と絶縁枠体１２に被着さ
せたメタライズ金属層１４との間にロウ材１５の大きな
溜まりＡが形成されるとともに該溜まりＡのロウ材１５
による大きな引っ張り応力が絶縁枠体１２に作用して絶
縁枠体１２にクラックや割れを発生させてしまい、その
結果、前記絶縁枠体１２に発生するクラックや割れによ
って半導体素子１３の気密封止が破れ、半導体素子１３
を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることがで
きないという欠点を有していた。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は金属放熱体に絶縁枠体をロウ付けする
際、絶縁枠体にクラックや割れ等が発生するのを有効に
防止し、半導体素子の気密封止を完全として半導体素子
を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることがで
きる半導体素子収納用パッケージを提供することにあ
る。
で、その目的は金属放熱体に絶縁枠体をロウ付けする
際、絶縁枠体にクラックや割れ等が発生するのを有効に
防止し、半導体素子の気密封止を完全として半導体素子
を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることがで
きる半導体素子収納用パッケージを提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は半導体素子を収
容する絶縁容器に金属放熱体をロウ付けして成る半導体
素子収納用パッケージであって、前記金属放熱体の側面
に切欠部を設けたことを特徴とするものである。
容する絶縁容器に金属放熱体をロウ付けして成る半導体
素子収納用パッケージであって、前記金属放熱体の側面
に切欠部を設けたことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば金属放熱体の側面に切欠部を設
けたことから金属放熱体を絶縁容器にロウ付けする際、
金属放熱体の側面と絶縁容器との間にロウ材の大きな溜
まりを形成しようとしてもその溜まりはロウ材の一部が
金属放熱体の側面に設けた切欠部に入り込むことによっ
て小さなものとなり、同時に金属放熱体の側面と絶縁容
器との間に溜まったロウ材による引っ張り応力も小さく
なって絶縁容器にクラックや割れ等を発生させることは
ない。
けたことから金属放熱体を絶縁容器にロウ付けする際、
金属放熱体の側面と絶縁容器との間にロウ材の大きな溜
まりを形成しようとしてもその溜まりはロウ材の一部が
金属放熱体の側面に設けた切欠部に入り込むことによっ
て小さなものとなり、同時に金属放熱体の側面と絶縁容
器との間に溜まったロウ材による引っ張り応力も小さく
なって絶縁容器にクラックや割れ等を発生させることは
ない。
【０００９】従って、本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば絶縁容器にクラックや割れ等がないことか
ら内部に収容する半導体素子の気密封止が完全となり、
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることが可能となる。
ージによれば絶縁容器にクラックや割れ等がないことか
ら内部に収容する半導体素子の気密封止が完全となり、
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることが可能となる。
【００１０】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図1 は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示し、１は金属放熱体、２は絶縁枠体、３は蓋体
である。
る。図1 は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示し、１は金属放熱体、２は絶縁枠体、３は蓋体
である。
【００１１】前記金属放熱体1 はその上面中央部に半導
体素子４を載置させるための載置部１ａが設けてあり、
該載置部１ａ上には半導体素子４が接着材を介して接着
固定される。
体素子４を載置させるための載置部１ａが設けてあり、
該載置部１ａ上には半導体素子４が接着材を介して接着
固定される。
【００１２】前記金属放熱体１は半導体素子４が発する
熱を直接伝導吸収するとともに該吸収した熱を大気中に
放散する作用を為し、後述する絶縁枠体２との間に大き
な熱応力が発生しないよう熱膨張係数が絶縁枠体２と近
似し、且つ良熱伝導性である材料、具体的には銅ータン
グステン合金により形成されている。
熱を直接伝導吸収するとともに該吸収した熱を大気中に
放散する作用を為し、後述する絶縁枠体２との間に大き
な熱応力が発生しないよう熱膨張係数が絶縁枠体２と近
似し、且つ良熱伝導性である材料、具体的には銅ータン
グステン合金により形成されている。
【００１３】前記金属放熱体１は銅ータングステン合金
より成る場合、例えばタングステンの粉末（約１０μ
ｍ）を１０００Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形するとと
もにこれを還元雰囲気中、約２３００℃の温度で焼成し
て多孔質のタングステン焼結体を得、次に１１００℃の
温度で加熱溶融させた銅を前記タングステン焼結体の多
孔部分に毛管現象を利用し含浸させることによって形成
される。
より成る場合、例えばタングステンの粉末（約１０μ
ｍ）を１０００Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形するとと
もにこれを還元雰囲気中、約２３００℃の温度で焼成し
て多孔質のタングステン焼結体を得、次に１１００℃の
温度で加熱溶融させた銅を前記タングステン焼結体の多
孔部分に毛管現象を利用し含浸させることによって形成
される。
【００１４】また前記金属放熱体１はその上面外周部
に、該金属放熱体１上面の半導体素子載置部１ａを囲繞
するようにして中央部に貫通孔を有する絶縁枠体２が銀
ロウ等のロウ材６を介してロウ付け取着されており、金
属放熱体１上面と絶縁枠体２に設けた貫通孔とで半導体
素子４を収容するための空所が形成されている。
に、該金属放熱体１上面の半導体素子載置部１ａを囲繞
するようにして中央部に貫通孔を有する絶縁枠体２が銀
ロウ等のロウ材６を介してロウ付け取着されており、金
属放熱体１上面と絶縁枠体２に設けた貫通孔とで半導体
素子４を収容するための空所が形成されている。
【００１５】前記金属放熱体１の上面外周部にロウ材６
を介してロウ付け取着される絶縁枠体２はアルミナセラ
ミックス等の電気絶縁材料から成り、例えばアルミナ(A
l 2O 3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネ
シア(MgO) 等のセラミックス原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加して泥漿状となすとともにこれをドクタ
ーブレード法やカレンダーロール法を採用することによ
ってセラミックグリーンシート( セラミック生シート)
を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに
適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温
( 約1600℃) で焼成することによって製作される。
を介してロウ付け取着される絶縁枠体２はアルミナセラ
ミックス等の電気絶縁材料から成り、例えばアルミナ(A
l 2O 3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネ
シア(MgO) 等のセラミックス原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加して泥漿状となすとともにこれをドクタ
ーブレード法やカレンダーロール法を採用することによ
ってセラミックグリーンシート( セラミック生シート)
を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに
適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温
( 約1600℃) で焼成することによって製作される。
【００１６】また前記絶縁枠体２はその下面にメタライ
ズ金属層５が被着されており、該メタライズ金属層５を
金属放熱体１に銀ロウ等のロウ材６を介しロウ付けする
ことによって絶縁枠体２は金属放熱体１上に取着される
こととなる。
ズ金属層５が被着されており、該メタライズ金属層５を
金属放熱体１に銀ロウ等のロウ材６を介しロウ付けする
ことによって絶縁枠体２は金属放熱体１上に取着される
こととなる。
【００１７】前記絶縁枠体２に被着させたメタライズ金
属層５はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、該タングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁枠体２となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法を採用し印
刷塗布しておくことによって絶縁枠体２の所定位置に被
着される。
属層５はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、該タングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁枠体２となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法を採用し印
刷塗布しておくことによって絶縁枠体２の所定位置に被
着される。
【００１８】更に前記絶縁枠体２が取着された金属放熱
体１はその側面に断面が四角形状の切欠部Ｂが設けられ
ており、該切欠部Ｂは金属放熱体１の上面外周部に絶縁
枠体２をロウ材６を介してロウ付け取着する際、その内
部にロウ材の一部を入り込ませることによって金属放熱
体１の側面と絶縁枠体２との間にロウ材の大きな溜まり
が形成されるのを有効に防止する作用を為し、これによ
って金属放熱体１の側面と絶縁枠体２との間には大きな
ロウ材の溜まり部Ｃが形成されることはなく、該溜まり
部Ｃのロウ材による引っ張り応力も小さくなって絶縁枠
体２にクラックや割れ等を発生させることが皆無とな
る。
体１はその側面に断面が四角形状の切欠部Ｂが設けられ
ており、該切欠部Ｂは金属放熱体１の上面外周部に絶縁
枠体２をロウ材６を介してロウ付け取着する際、その内
部にロウ材の一部を入り込ませることによって金属放熱
体１の側面と絶縁枠体２との間にロウ材の大きな溜まり
が形成されるのを有効に防止する作用を為し、これによ
って金属放熱体１の側面と絶縁枠体２との間には大きな
ロウ材の溜まり部Ｃが形成されることはなく、該溜まり
部Ｃのロウ材による引っ張り応力も小さくなって絶縁枠
体２にクラックや割れ等を発生させることが皆無とな
る。
【００１９】尚、前記金属放熱体１の側面に設けた切欠
部Ｂは、金属放熱体１の側面に従来周知の金属穴開け加
工等を施すことによって形成される。
部Ｂは、金属放熱体１の側面に従来周知の金属穴開け加
工等を施すことによって形成される。
【００２０】また前記金属放熱体１の側面に設ける切欠
部Ｂは絶縁枠体２が取着される面からの距離をＴとした
時、Ｔが0.1mmm≦Ｔ≦3.0mm の範囲となる位置に形成し
ておくと金属放熱体１の上面外周部に絶縁枠体２をロウ
材６を介してロウ付け取着する際、金属放熱体１の側面
と絶縁枠体２との間に形成されるロウ材の溜まりが適度
な大きさとなり、その結果、金属放熱体１と絶縁枠体２
とのロウ付け強度が極めて強固なものとなる。従って、
前記金属放熱体１の側面に設ける切欠部Ｂは絶縁枠体２
が取着される面からの距離をＴとした時、Ｔが0.1mmm≦
Ｔ≦3.0mm の範囲となる位置に形成しておくことが好ま
しい。
部Ｂは絶縁枠体２が取着される面からの距離をＴとした
時、Ｔが0.1mmm≦Ｔ≦3.0mm の範囲となる位置に形成し
ておくと金属放熱体１の上面外周部に絶縁枠体２をロウ
材６を介してロウ付け取着する際、金属放熱体１の側面
と絶縁枠体２との間に形成されるロウ材の溜まりが適度
な大きさとなり、その結果、金属放熱体１と絶縁枠体２
とのロウ付け強度が極めて強固なものとなる。従って、
前記金属放熱体１の側面に設ける切欠部Ｂは絶縁枠体２
が取着される面からの距離をＴとした時、Ｔが0.1mmm≦
Ｔ≦3.0mm の範囲となる位置に形成しておくことが好ま
しい。
【００２１】更に前記金属放熱体１上に取着された絶縁
枠体２はまたその内部にメタライズ配線層７が設けてあ
り、該メタライズ配線層７は半導体素子４の電極を外部
リードピン８に接続する作用を為し、その一端に外部リ
ードピン８が、また他端に半導体素子４の電極に接続さ
れたボンディングワイヤ９が取着接続されている。
枠体２はまたその内部にメタライズ配線層７が設けてあ
り、該メタライズ配線層７は半導体素子４の電極を外部
リードピン８に接続する作用を為し、その一端に外部リ
ードピン８が、また他端に半導体素子４の電極に接続さ
れたボンディングワイヤ９が取着接続されている。
【００２２】前記絶縁枠体２に被着させたメタライズ配
線層７はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、該タングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁枠体２となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法を採用し印
刷塗布しておくことによって絶縁枠体２の貫通孔周辺か
ら上面にかけて所定パターンに被着される。
線層７はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、該タングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁枠体２となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法を採用し印
刷塗布しておくことによって絶縁枠体２の貫通孔周辺か
ら上面にかけて所定パターンに被着される。
【００２３】また前記絶縁枠体２に設けたメタライズ配
線層７に取着される外部リードピン８は内部に収容する
半導体素子４の各電極を外部電気回路に接続する作用を
為し、鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金
等の金属を棒状に加工したものが使用される。
線層７に取着される外部リードピン８は内部に収容する
半導体素子４の各電極を外部電気回路に接続する作用を
為し、鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金
等の金属を棒状に加工したものが使用される。
【００２４】尚、前記外部リードピン８はその露出する
外表面にニッケル、金等から成る良導電性で、且つ耐蝕
性に優れた金属をメッキ法により１乃至２０μｍの厚み
に層着させておくと外部リードピン８の酸化腐食を有効
に防止して、且つ外部リードピン８の外部電気回路への
電気的接続を良好となすことができる。従って、前記外
部リードピン８はその露出外表面にニッケル、金等を１
乃至２０μｍの厚みに層着しておくことが好ましい。
外表面にニッケル、金等から成る良導電性で、且つ耐蝕
性に優れた金属をメッキ法により１乃至２０μｍの厚み
に層着させておくと外部リードピン８の酸化腐食を有効
に防止して、且つ外部リードピン８の外部電気回路への
電気的接続を良好となすことができる。従って、前記外
部リードピン８はその露出外表面にニッケル、金等を１
乃至２０μｍの厚みに層着しておくことが好ましい。
【００２５】前記絶縁枠体２はまたその上面に蓋体３が
ガラス、樹脂、ロウ材等の封止材を介して取着され、こ
れによって金属放熱体１と絶縁枠体２と蓋体３とから成
る容器の内部が完全に気密に封止される。
ガラス、樹脂、ロウ材等の封止材を介して取着され、こ
れによって金属放熱体１と絶縁枠体２と蓋体３とから成
る容器の内部が完全に気密に封止される。
【００２６】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁枠体２が取着された金属放熱体１の半
導体素子載置部１ａ上に半導体素子４を接着材を介して
接着固定するとともに、半導体素子４の各電極をボンデ
ィングワイヤ９を介してメタライズ配線層７に接続し、
しかる後、絶縁枠体２の上面に蓋体３を封止材を介して
接合させ、半導体素子４を内部に気密に収容することに
よって製品としての半導体装置が完成する。
ジによれば、絶縁枠体２が取着された金属放熱体１の半
導体素子載置部１ａ上に半導体素子４を接着材を介して
接着固定するとともに、半導体素子４の各電極をボンデ
ィングワイヤ９を介してメタライズ配線層７に接続し、
しかる後、絶縁枠体２の上面に蓋体３を封止材を介して
接合させ、半導体素子４を内部に気密に収容することに
よって製品としての半導体装置が完成する。
【００２７】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では金属放
熱体１の上面外周部に絶縁枠体２をロウ付けした半導体
素子収納用パッケージで説明したがこれを図２に示す如
く、上面に半導体素子４を収容する凹部を有する絶縁基
体１０の下面に金属放熱体１をロウ付けする半導体素子
収納用パッケージにも適用可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では金属放
熱体１の上面外周部に絶縁枠体２をロウ付けした半導体
素子収納用パッケージで説明したがこれを図２に示す如
く、上面に半導体素子４を収容する凹部を有する絶縁基
体１０の下面に金属放熱体１をロウ付けする半導体素子
収納用パッケージにも適用可能である。
【００２８】また上述の実施例では金属放熱体１の側面
に設けた切欠部Ｂはその断面形状が四角形状であった
が、これを図３（ａ）乃至（ｃ）に示す如く、三角形
状、球状、段差状にしてもよい。
に設けた切欠部Ｂはその断面形状が四角形状であった
が、これを図３（ａ）乃至（ｃ）に示す如く、三角形
状、球状、段差状にしてもよい。
【００２９】更に前記絶縁枠体２に被着形成したメタラ
イズ配線層７の外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優
れ、且つロウ材と濡れ性の良い金属をメッキ法により1.
0 乃至20.0μm の厚み層着させておくとメタライズ配線
層７が酸化腐食するのを有効に防止して、且つメタライ
ズ配線層７とボンディングワイヤ９との接続及びメタラ
イズ配線層７への外部リードピン８の取着を極めて強固
となすことができる。従って、前記メタライズ配線層７
はその外表面にニッケル、金等を1.0 乃至20.0μm の厚
みに層着させておくことが好ましい。
イズ配線層７の外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優
れ、且つロウ材と濡れ性の良い金属をメッキ法により1.
0 乃至20.0μm の厚み層着させておくとメタライズ配線
層７が酸化腐食するのを有効に防止して、且つメタライ
ズ配線層７とボンディングワイヤ９との接続及びメタラ
イズ配線層７への外部リードピン８の取着を極めて強固
となすことができる。従って、前記メタライズ配線層７
はその外表面にニッケル、金等を1.0 乃至20.0μm の厚
みに層着させておくことが好ましい。
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、金属放熱体の側面に切欠部を設けたことから金
属放熱体を絶縁容器にロウ付けする際、金属放熱体の側
面と絶縁容器との間にロウ材の大きな溜まりを形成しよ
うとしてもその溜まりはロウ材の一部が金属放熱体の側
面に設けた切欠部に入り込むことによって小さなものと
なり、同時に金属放熱体の側面と絶縁容器との間に溜ま
ったロウ材による引っ張り応力も小さくなって絶縁容器
にクラックや割れ等を発生させることはない。
よれば、金属放熱体の側面に切欠部を設けたことから金
属放熱体を絶縁容器にロウ付けする際、金属放熱体の側
面と絶縁容器との間にロウ材の大きな溜まりを形成しよ
うとしてもその溜まりはロウ材の一部が金属放熱体の側
面に設けた切欠部に入り込むことによって小さなものと
なり、同時に金属放熱体の側面と絶縁容器との間に溜ま
ったロウ材による引っ張り応力も小さくなって絶縁容器
にクラックや割れ等を発生させることはない。
【００３１】従って、本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば絶縁容器にクラックや割れ等がないことか
ら内部に収容する半導体素子の気密封止が完全となり、
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることが可能となる。
ージによれば絶縁容器にクラックや割れ等がないことか
ら内部に収容する半導体素子の気密封止が完全となり、
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることが可能となる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の他の実施例を示す要
部拡大断面図である。
部拡大断面図である。
【図４】従来の半導体素子収納用パッケージの断面図で
ある。
ある。
１・・・金属基体 ２・・・絶縁枠体 ３・・・蓋体 ４・・・半導体素子 ６・・・ロウ材 Ｂ・・・切欠部
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子を収容する絶縁容器に金属放熱
体をロウ付けして成る半導体素子収納用パッケージであ
って、前記金属放熱体の側面に切欠部を設けたことを特
徴とする半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11988493A JPH06334077A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11988493A JPH06334077A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334077A true JPH06334077A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14772624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11988493A Pending JPH06334077A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334077A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010206090A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2012182279A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Showa Denko Kk | 絶縁回路基板およびその製造方法、パワーモジュール用ベースおよびその製造方法 |
| WO2019163941A1 (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
| JPWO2021039816A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252949A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Nec Corp | 積層型セラミツクパツケ−ジ |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP11988493A patent/JPH06334077A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252949A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Nec Corp | 積層型セラミツクパツケ−ジ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPWO2021039816A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | ||
| WO2021039816A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 京セラ株式会社 | 電気回路基板及びパワーモジュール |
| EP4024444A4 (en) * | 2019-08-29 | 2023-09-20 | Kyocera Corporation | ELECTRICAL CIRCUIT BOARD AND ENERGY MODULE |
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