JPH06334077A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JPH06334077A JPH06334077A JP11988493A JP11988493A JPH06334077A JP H06334077 A JPH06334077 A JP H06334077A JP 11988493 A JP11988493 A JP 11988493A JP 11988493 A JP11988493 A JP 11988493A JP H06334077 A JPH06334077 A JP H06334077A
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- metal
- insulating frame
- package
- metal radiator
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】金属放熱体に絶縁容器をロウ付けする際、絶縁
容器にクラックや割れ等が発生するのを有効に防止し、
半導体素子の気密封止を完全として半導体素子を長期間
にわたり正常、且つ安定に作動させることができる半導
体素子収納用パッケージを提供することにある。 【構成】半導体素子4を収容する絶縁容器に金属放熱体
1をロウ付けして成る半導体素子収納用パッケージであ
って、前記金属放熱体1の側面に切欠部Bを設けた。
容器にクラックや割れ等が発生するのを有効に防止し、
半導体素子の気密封止を完全として半導体素子を長期間
にわたり正常、且つ安定に作動させることができる半導
体素子収納用パッケージを提供することにある。 【構成】半導体素子4を収容する絶縁容器に金属放熱体
1をロウ付けして成る半導体素子収納用パッケージであ
って、前記金属放熱体1の側面に切欠部Bを設けた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はLSI等の半導体素子を
収容するための半導体素子収納用パッケージに関するも
のである。
収容するための半導体素子収納用パッケージに関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】近時、情報処理装置の高性能化、高速度
化に伴い、それを構成するLSI等の半導体素子も高密
度、高集積化が急激に進んでいる。そのため半導体素子
の単位面積、単位体積あたりの発熱量が増大し、半導体
素子を正常、且つ安定に作動させるためにはその熱をい
かに効率的に除去するかが課題となっている。
化に伴い、それを構成するLSI等の半導体素子も高密
度、高集積化が急激に進んでいる。そのため半導体素子
の単位面積、単位体積あたりの発熱量が増大し、半導体
素子を正常、且つ安定に作動させるためにはその熱をい
かに効率的に除去するかが課題となっている。
【0003】かかる課題を解決するため従来の半導体素
子収納用パッケージは例えば、図4に示すように上面中
央部に半導体素子13が載置される載置部11aを有す
る金属放熱体11と、該金属放熱体11上に銀ロウ等の
ロウ材15を介して取着され、半導体素子13が載置さ
れる載置部11aを囲繞する絶縁枠体12とから構成さ
れており、金属放熱体11の半導体素子載置部11aに
半導体素子13を載置固定し、半導体素子13から発生
される熱を金属放熱体11に吸収させるとともに該吸収
した熱を大気中に放散させることによって半導体素子1
3を熱から保護している。
子収納用パッケージは例えば、図4に示すように上面中
央部に半導体素子13が載置される載置部11aを有す
る金属放熱体11と、該金属放熱体11上に銀ロウ等の
ロウ材15を介して取着され、半導体素子13が載置さ
れる載置部11aを囲繞する絶縁枠体12とから構成さ
れており、金属放熱体11の半導体素子載置部11aに
半導体素子13を載置固定し、半導体素子13から発生
される熱を金属放熱体11に吸収させるとともに該吸収
した熱を大気中に放散させることによって半導体素子1
3を熱から保護している。
【0004】尚、前記半導体素子収納用パッケージにお
いては、金属放熱体11は上面にロウ付けされる絶縁枠
体12との間に大きな熱応力が発生しないように熱膨張
係数が絶縁枠体12と近似する金属、例えば銅ータング
ステン合金により形成されており、また前記絶縁枠体1
2はその下面にモリブデン、タングステン、マンガン等
の高融点金属から成るメタライズ金属層14が被着形成
されており、該メタライズ金属層14を金属放熱体11
に銀ロウ(銀ー銅合金)等のロウ材15を介しロウ付け
することによって金属放熱体11に取着されている。
いては、金属放熱体11は上面にロウ付けされる絶縁枠
体12との間に大きな熱応力が発生しないように熱膨張
係数が絶縁枠体12と近似する金属、例えば銅ータング
ステン合金により形成されており、また前記絶縁枠体1
2はその下面にモリブデン、タングステン、マンガン等
の高融点金属から成るメタライズ金属層14が被着形成
されており、該メタライズ金属層14を金属放熱体11
に銀ロウ(銀ー銅合金)等のロウ材15を介しロウ付け
することによって金属放熱体11に取着されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージは金属放熱体11上に
絶縁枠体12を銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着
する際、金属放熱体11の側面と絶縁枠体12に被着さ
せたメタライズ金属層14との間にロウ材15の大きな
溜まりAが形成されるとともに該溜まりAのロウ材15
による大きな引っ張り応力が絶縁枠体12に作用して絶
縁枠体12にクラックや割れを発生させてしまい、その
結果、前記絶縁枠体12に発生するクラックや割れによ
って半導体素子13の気密封止が破れ、半導体素子13
を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることがで
きないという欠点を有していた。
来の半導体素子収納用パッケージは金属放熱体11上に
絶縁枠体12を銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着
する際、金属放熱体11の側面と絶縁枠体12に被着さ
せたメタライズ金属層14との間にロウ材15の大きな
溜まりAが形成されるとともに該溜まりAのロウ材15
による大きな引っ張り応力が絶縁枠体12に作用して絶
縁枠体12にクラックや割れを発生させてしまい、その
結果、前記絶縁枠体12に発生するクラックや割れによ
って半導体素子13の気密封止が破れ、半導体素子13
を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることがで
きないという欠点を有していた。
【0006】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は金属放熱体に絶縁枠体をロウ付けする
際、絶縁枠体にクラックや割れ等が発生するのを有効に
防止し、半導体素子の気密封止を完全として半導体素子
を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることがで
きる半導体素子収納用パッケージを提供することにあ
る。
で、その目的は金属放熱体に絶縁枠体をロウ付けする
際、絶縁枠体にクラックや割れ等が発生するのを有効に
防止し、半導体素子の気密封止を完全として半導体素子
を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることがで
きる半導体素子収納用パッケージを提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は半導体素子を収
容する絶縁容器に金属放熱体をロウ付けして成る半導体
素子収納用パッケージであって、前記金属放熱体の側面
に切欠部を設けたことを特徴とするものである。
容する絶縁容器に金属放熱体をロウ付けして成る半導体
素子収納用パッケージであって、前記金属放熱体の側面
に切欠部を設けたことを特徴とするものである。
【0008】
【作用】本発明によれば金属放熱体の側面に切欠部を設
けたことから金属放熱体を絶縁容器にロウ付けする際、
金属放熱体の側面と絶縁容器との間にロウ材の大きな溜
まりを形成しようとしてもその溜まりはロウ材の一部が
金属放熱体の側面に設けた切欠部に入り込むことによっ
て小さなものとなり、同時に金属放熱体の側面と絶縁容
器との間に溜まったロウ材による引っ張り応力も小さく
なって絶縁容器にクラックや割れ等を発生させることは
ない。
けたことから金属放熱体を絶縁容器にロウ付けする際、
金属放熱体の側面と絶縁容器との間にロウ材の大きな溜
まりを形成しようとしてもその溜まりはロウ材の一部が
金属放熱体の側面に設けた切欠部に入り込むことによっ
て小さなものとなり、同時に金属放熱体の側面と絶縁容
器との間に溜まったロウ材による引っ張り応力も小さく
なって絶縁容器にクラックや割れ等を発生させることは
ない。
【0009】従って、本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば絶縁容器にクラックや割れ等がないことか
ら内部に収容する半導体素子の気密封止が完全となり、
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることが可能となる。
ージによれば絶縁容器にクラックや割れ等がないことか
ら内部に収容する半導体素子の気密封止が完全となり、
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることが可能となる。
【0010】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図1 は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示し、1は金属放熱体、2は絶縁枠体、3は蓋体
である。
る。図1 は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示し、1は金属放熱体、2は絶縁枠体、3は蓋体
である。
【0011】前記金属放熱体1 はその上面中央部に半導
体素子4を載置させるための載置部1aが設けてあり、
該載置部1a上には半導体素子4が接着材を介して接着
固定される。
体素子4を載置させるための載置部1aが設けてあり、
該載置部1a上には半導体素子4が接着材を介して接着
固定される。
【0012】前記金属放熱体1は半導体素子4が発する
熱を直接伝導吸収するとともに該吸収した熱を大気中に
放散する作用を為し、後述する絶縁枠体2との間に大き
な熱応力が発生しないよう熱膨張係数が絶縁枠体2と近
似し、且つ良熱伝導性である材料、具体的には銅ータン
グステン合金により形成されている。
熱を直接伝導吸収するとともに該吸収した熱を大気中に
放散する作用を為し、後述する絶縁枠体2との間に大き
な熱応力が発生しないよう熱膨張係数が絶縁枠体2と近
似し、且つ良熱伝導性である材料、具体的には銅ータン
グステン合金により形成されている。
【0013】前記金属放熱体1は銅ータングステン合金
より成る場合、例えばタングステンの粉末(約10μ
m)を1000Kg/cm2 の圧力で加圧成形するとと
もにこれを還元雰囲気中、約2300℃の温度で焼成し
て多孔質のタングステン焼結体を得、次に1100℃の
温度で加熱溶融させた銅を前記タングステン焼結体の多
孔部分に毛管現象を利用し含浸させることによって形成
される。
より成る場合、例えばタングステンの粉末(約10μ
m)を1000Kg/cm2 の圧力で加圧成形するとと
もにこれを還元雰囲気中、約2300℃の温度で焼成し
て多孔質のタングステン焼結体を得、次に1100℃の
温度で加熱溶融させた銅を前記タングステン焼結体の多
孔部分に毛管現象を利用し含浸させることによって形成
される。
【0014】また前記金属放熱体1はその上面外周部
に、該金属放熱体1上面の半導体素子載置部1aを囲繞
するようにして中央部に貫通孔を有する絶縁枠体2が銀
ロウ等のロウ材6を介してロウ付け取着されており、金
属放熱体1上面と絶縁枠体2に設けた貫通孔とで半導体
素子4を収容するための空所が形成されている。
に、該金属放熱体1上面の半導体素子載置部1aを囲繞
するようにして中央部に貫通孔を有する絶縁枠体2が銀
ロウ等のロウ材6を介してロウ付け取着されており、金
属放熱体1上面と絶縁枠体2に設けた貫通孔とで半導体
素子4を収容するための空所が形成されている。
【0015】前記金属放熱体1の上面外周部にロウ材6
を介してロウ付け取着される絶縁枠体2はアルミナセラ
ミックス等の電気絶縁材料から成り、例えばアルミナ(A
l 2O 3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネ
シア(MgO) 等のセラミックス原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加して泥漿状となすとともにこれをドクタ
ーブレード法やカレンダーロール法を採用することによ
ってセラミックグリーンシート( セラミック生シート)
を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに
適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温
( 約1600℃) で焼成することによって製作される。
を介してロウ付け取着される絶縁枠体2はアルミナセラ
ミックス等の電気絶縁材料から成り、例えばアルミナ(A
l 2O 3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネ
シア(MgO) 等のセラミックス原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加して泥漿状となすとともにこれをドクタ
ーブレード法やカレンダーロール法を採用することによ
ってセラミックグリーンシート( セラミック生シート)
を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに
適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温
( 約1600℃) で焼成することによって製作される。
【0016】また前記絶縁枠体2はその下面にメタライ
ズ金属層5が被着されており、該メタライズ金属層5を
金属放熱体1に銀ロウ等のロウ材6を介しロウ付けする
ことによって絶縁枠体2は金属放熱体1上に取着される
こととなる。
ズ金属層5が被着されており、該メタライズ金属層5を
金属放熱体1に銀ロウ等のロウ材6を介しロウ付けする
ことによって絶縁枠体2は金属放熱体1上に取着される
こととなる。
【0017】前記絶縁枠体2に被着させたメタライズ金
属層5はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、該タングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁枠体2となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法を採用し印
刷塗布しておくことによって絶縁枠体2の所定位置に被
着される。
属層5はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、該タングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁枠体2となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法を採用し印
刷塗布しておくことによって絶縁枠体2の所定位置に被
着される。
【0018】更に前記絶縁枠体2が取着された金属放熱
体1はその側面に断面が四角形状の切欠部Bが設けられ
ており、該切欠部Bは金属放熱体1の上面外周部に絶縁
枠体2をロウ材6を介してロウ付け取着する際、その内
部にロウ材の一部を入り込ませることによって金属放熱
体1の側面と絶縁枠体2との間にロウ材の大きな溜まり
が形成されるのを有効に防止する作用を為し、これによ
って金属放熱体1の側面と絶縁枠体2との間には大きな
ロウ材の溜まり部Cが形成されることはなく、該溜まり
部Cのロウ材による引っ張り応力も小さくなって絶縁枠
体2にクラックや割れ等を発生させることが皆無とな
る。
体1はその側面に断面が四角形状の切欠部Bが設けられ
ており、該切欠部Bは金属放熱体1の上面外周部に絶縁
枠体2をロウ材6を介してロウ付け取着する際、その内
部にロウ材の一部を入り込ませることによって金属放熱
体1の側面と絶縁枠体2との間にロウ材の大きな溜まり
が形成されるのを有効に防止する作用を為し、これによ
って金属放熱体1の側面と絶縁枠体2との間には大きな
ロウ材の溜まり部Cが形成されることはなく、該溜まり
部Cのロウ材による引っ張り応力も小さくなって絶縁枠
体2にクラックや割れ等を発生させることが皆無とな
る。
【0019】尚、前記金属放熱体1の側面に設けた切欠
部Bは、金属放熱体1の側面に従来周知の金属穴開け加
工等を施すことによって形成される。
部Bは、金属放熱体1の側面に従来周知の金属穴開け加
工等を施すことによって形成される。
【0020】また前記金属放熱体1の側面に設ける切欠
部Bは絶縁枠体2が取着される面からの距離をTとした
時、Tが0.1mmm≦T≦3.0mm の範囲となる位置に形成し
ておくと金属放熱体1の上面外周部に絶縁枠体2をロウ
材6を介してロウ付け取着する際、金属放熱体1の側面
と絶縁枠体2との間に形成されるロウ材の溜まりが適度
な大きさとなり、その結果、金属放熱体1と絶縁枠体2
とのロウ付け強度が極めて強固なものとなる。従って、
前記金属放熱体1の側面に設ける切欠部Bは絶縁枠体2
が取着される面からの距離をTとした時、Tが0.1mmm≦
T≦3.0mm の範囲となる位置に形成しておくことが好ま
しい。
部Bは絶縁枠体2が取着される面からの距離をTとした
時、Tが0.1mmm≦T≦3.0mm の範囲となる位置に形成し
ておくと金属放熱体1の上面外周部に絶縁枠体2をロウ
材6を介してロウ付け取着する際、金属放熱体1の側面
と絶縁枠体2との間に形成されるロウ材の溜まりが適度
な大きさとなり、その結果、金属放熱体1と絶縁枠体2
とのロウ付け強度が極めて強固なものとなる。従って、
前記金属放熱体1の側面に設ける切欠部Bは絶縁枠体2
が取着される面からの距離をTとした時、Tが0.1mmm≦
T≦3.0mm の範囲となる位置に形成しておくことが好ま
しい。
【0021】更に前記金属放熱体1上に取着された絶縁
枠体2はまたその内部にメタライズ配線層7が設けてあ
り、該メタライズ配線層7は半導体素子4の電極を外部
リードピン8に接続する作用を為し、その一端に外部リ
ードピン8が、また他端に半導体素子4の電極に接続さ
れたボンディングワイヤ9が取着接続されている。
枠体2はまたその内部にメタライズ配線層7が設けてあ
り、該メタライズ配線層7は半導体素子4の電極を外部
リードピン8に接続する作用を為し、その一端に外部リ
ードピン8が、また他端に半導体素子4の電極に接続さ
れたボンディングワイヤ9が取着接続されている。
【0022】前記絶縁枠体2に被着させたメタライズ配
線層7はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、該タングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁枠体2となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法を採用し印
刷塗布しておくことによって絶縁枠体2の貫通孔周辺か
ら上面にかけて所定パターンに被着される。
線層7はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、該タングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
得た金属ペーストを絶縁枠体2となるセラミックグリー
ンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法を採用し印
刷塗布しておくことによって絶縁枠体2の貫通孔周辺か
ら上面にかけて所定パターンに被着される。
【0023】また前記絶縁枠体2に設けたメタライズ配
線層7に取着される外部リードピン8は内部に収容する
半導体素子4の各電極を外部電気回路に接続する作用を
為し、鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金
等の金属を棒状に加工したものが使用される。
線層7に取着される外部リードピン8は内部に収容する
半導体素子4の各電極を外部電気回路に接続する作用を
為し、鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金
等の金属を棒状に加工したものが使用される。
【0024】尚、前記外部リードピン8はその露出する
外表面にニッケル、金等から成る良導電性で、且つ耐蝕
性に優れた金属をメッキ法により1乃至20μmの厚み
に層着させておくと外部リードピン8の酸化腐食を有効
に防止して、且つ外部リードピン8の外部電気回路への
電気的接続を良好となすことができる。従って、前記外
部リードピン8はその露出外表面にニッケル、金等を1
乃至20μmの厚みに層着しておくことが好ましい。
外表面にニッケル、金等から成る良導電性で、且つ耐蝕
性に優れた金属をメッキ法により1乃至20μmの厚み
に層着させておくと外部リードピン8の酸化腐食を有効
に防止して、且つ外部リードピン8の外部電気回路への
電気的接続を良好となすことができる。従って、前記外
部リードピン8はその露出外表面にニッケル、金等を1
乃至20μmの厚みに層着しておくことが好ましい。
【0025】前記絶縁枠体2はまたその上面に蓋体3が
ガラス、樹脂、ロウ材等の封止材を介して取着され、こ
れによって金属放熱体1と絶縁枠体2と蓋体3とから成
る容器の内部が完全に気密に封止される。
ガラス、樹脂、ロウ材等の封止材を介して取着され、こ
れによって金属放熱体1と絶縁枠体2と蓋体3とから成
る容器の内部が完全に気密に封止される。
【0026】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁枠体2が取着された金属放熱体1の半
導体素子載置部1a上に半導体素子4を接着材を介して
接着固定するとともに、半導体素子4の各電極をボンデ
ィングワイヤ9を介してメタライズ配線層7に接続し、
しかる後、絶縁枠体2の上面に蓋体3を封止材を介して
接合させ、半導体素子4を内部に気密に収容することに
よって製品としての半導体装置が完成する。
ジによれば、絶縁枠体2が取着された金属放熱体1の半
導体素子載置部1a上に半導体素子4を接着材を介して
接着固定するとともに、半導体素子4の各電極をボンデ
ィングワイヤ9を介してメタライズ配線層7に接続し、
しかる後、絶縁枠体2の上面に蓋体3を封止材を介して
接合させ、半導体素子4を内部に気密に収容することに
よって製品としての半導体装置が完成する。
【0027】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では金属放
熱体1の上面外周部に絶縁枠体2をロウ付けした半導体
素子収納用パッケージで説明したがこれを図2に示す如
く、上面に半導体素子4を収容する凹部を有する絶縁基
体10の下面に金属放熱体1をロウ付けする半導体素子
収納用パッケージにも適用可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では金属放
熱体1の上面外周部に絶縁枠体2をロウ付けした半導体
素子収納用パッケージで説明したがこれを図2に示す如
く、上面に半導体素子4を収容する凹部を有する絶縁基
体10の下面に金属放熱体1をロウ付けする半導体素子
収納用パッケージにも適用可能である。
【0028】また上述の実施例では金属放熱体1の側面
に設けた切欠部Bはその断面形状が四角形状であった
が、これを図3(a)乃至(c)に示す如く、三角形
状、球状、段差状にしてもよい。
に設けた切欠部Bはその断面形状が四角形状であった
が、これを図3(a)乃至(c)に示す如く、三角形
状、球状、段差状にしてもよい。
【0029】更に前記絶縁枠体2に被着形成したメタラ
イズ配線層7の外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優
れ、且つロウ材と濡れ性の良い金属をメッキ法により1.
0 乃至20.0μm の厚み層着させておくとメタライズ配線
層7が酸化腐食するのを有効に防止して、且つメタライ
ズ配線層7とボンディングワイヤ9との接続及びメタラ
イズ配線層7への外部リードピン8の取着を極めて強固
となすことができる。従って、前記メタライズ配線層7
はその外表面にニッケル、金等を1.0 乃至20.0μm の厚
みに層着させておくことが好ましい。
イズ配線層7の外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優
れ、且つロウ材と濡れ性の良い金属をメッキ法により1.
0 乃至20.0μm の厚み層着させておくとメタライズ配線
層7が酸化腐食するのを有効に防止して、且つメタライ
ズ配線層7とボンディングワイヤ9との接続及びメタラ
イズ配線層7への外部リードピン8の取着を極めて強固
となすことができる。従って、前記メタライズ配線層7
はその外表面にニッケル、金等を1.0 乃至20.0μm の厚
みに層着させておくことが好ましい。
【0030】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、金属放熱体の側面に切欠部を設けたことから金
属放熱体を絶縁容器にロウ付けする際、金属放熱体の側
面と絶縁容器との間にロウ材の大きな溜まりを形成しよ
うとしてもその溜まりはロウ材の一部が金属放熱体の側
面に設けた切欠部に入り込むことによって小さなものと
なり、同時に金属放熱体の側面と絶縁容器との間に溜ま
ったロウ材による引っ張り応力も小さくなって絶縁容器
にクラックや割れ等を発生させることはない。
よれば、金属放熱体の側面に切欠部を設けたことから金
属放熱体を絶縁容器にロウ付けする際、金属放熱体の側
面と絶縁容器との間にロウ材の大きな溜まりを形成しよ
うとしてもその溜まりはロウ材の一部が金属放熱体の側
面に設けた切欠部に入り込むことによって小さなものと
なり、同時に金属放熱体の側面と絶縁容器との間に溜ま
ったロウ材による引っ張り応力も小さくなって絶縁容器
にクラックや割れ等を発生させることはない。
【0031】従って、本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば絶縁容器にクラックや割れ等がないことか
ら内部に収容する半導体素子の気密封止が完全となり、
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることが可能となる。
ージによれば絶縁容器にクラックや割れ等がないことか
ら内部に収容する半導体素子の気密封止が完全となり、
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることが可能となる。
【図1】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図3】(a)〜(c)は本発明の他の実施例を示す要
部拡大断面図である。
部拡大断面図である。
【図4】従来の半導体素子収納用パッケージの断面図で
ある。
ある。
1・・・金属基体 2・・・絶縁枠体 3・・・蓋体 4・・・半導体素子 6・・・ロウ材 B・・・切欠部
Claims (1)
- 【請求項1】半導体素子を収容する絶縁容器に金属放熱
体をロウ付けして成る半導体素子収納用パッケージであ
って、前記金属放熱体の側面に切欠部を設けたことを特
徴とする半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11988493A JPH06334077A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11988493A JPH06334077A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06334077A true JPH06334077A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14772624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11988493A Pending JPH06334077A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06334077A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010206090A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2012182279A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Showa Denko Kk | 絶縁回路基板およびその製造方法、パワーモジュール用ベースおよびその製造方法 |
WO2019163941A1 (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
JPWO2021039816A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6252949A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Nec Corp | 積層型セラミツクパツケ−ジ |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP11988493A patent/JPH06334077A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6252949A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Nec Corp | 積層型セラミツクパツケ−ジ |
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JPWO2021039816A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | ||
WO2021039816A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 京セラ株式会社 | 電気回路基板及びパワーモジュール |
EP4024444A4 (en) * | 2019-08-29 | 2023-09-20 | Kyocera Corporation | ELECTRICAL CIRCUIT BOARD AND ENERGY MODULE |
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