JP3464138B2 - 電子部品収納用パッケージ - Google Patents

電子部品収納用パッケージ

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JP3464138B2
JP3464138B2 JP04081698A JP4081698A JP3464138B2 JP 3464138 B2 JP3464138 B2 JP 3464138B2 JP 04081698 A JP04081698 A JP 04081698A JP 4081698 A JP4081698 A JP 4081698A JP 3464138 B2 JP3464138 B2 JP 3464138B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子や圧電振
動子等の電子部品を気密に収容するための電子部品収納
用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路素子を初めとする
半導体素子あるいは水晶振動子、弾性表面波素子といっ
た圧電振動子等の電子部品を収容するための電子部品収
納用パッケージは、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3 ）質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面あ
るいは下面の略中央部に電子部品を収容するための凹部
およびその凹部周辺から下面にかけて導出された、例え
ば、タングステンやモリフデン等の高融点金属粉末から
成る複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、電
子部品を外部電気回路に電気的に接続するためにメタラ
イズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介して取着された外部
リード端子と、蓋体とから構成されている。
【０００３】そして、電子部品が、例えば、半導体素子
の場合には、絶縁基体の凹部の底面に半導体素子をガラ
ス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固定す
るとともに半導体素子の各電極とメタライズ配線層とを
ボンディングワイヤ等の電気的接続手投を介して電気的
に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体を低融点ガ
ラスから成る封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体
とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容すること
によって最終製品としての半導体装置と成る。
【０００４】また電子部品が、例えば、圧電振動子の場
合には、絶縁基体の凹部の底面に形成された段差部に圧
電振動子の一端を導電性エポキシ樹脂等から成る接着材
を介して接着固定するとともに圧電振動子の各電極をメ
タライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体
の上面に蓋体を低融点ガラスから成る封止材を介して接
合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素
子を気密に収容することによって最終製品としての電子
部品装置と成る。
【０００５】なお、絶縁基体に蓋体を接合させる封止材
としては、一般に酸化鉛５６乃至６６重量％、酸化ホウ
素４乃至１４重量％、酸化珪素１乃至６重量％、酸化ビ
スマス０．５乃至５重量％、酸化亜鉛０．５乃至３重量
％を含むガラス成分に、フィラーとしてのコージェライ
ト系化合物を９乃至１９重量％、チタン酸錫系化合物を
１０乃至２０重量％添加したガラスが使用されている。
【０００６】しかしながら、この従来の電子部品収納用
パッケージにおいては、絶縁基体や蓋体を形成する酸化
アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）質焼結体等のセラミック
ス、及び封止材を形成するガラスが共に電磁波に対しあ
まり遮断能力がないことから外部電気回路基板等に他の
電子部品とともに実装した場合、隣接する電子部品間に
電磁波の相互干渉が起こり電子部品に誤動作を起こさせ
るという問題も有していた。特に最近では外部電気回路
基板に電子部品が極めて高密度に実装され、隣接する電
子部品間の距離が極めて狭いものとなってきており、こ
の電磁波の相互干渉による問題は極めて大きなものとな
ってきた。
【０００７】そこで上記欠点を解消するために本願出願
人は先に、電子部品が搭載される搭載部下方に金属層を
形成するとともに上面に前記金属層の一部がスルーホー
ル導体を介して導出されている絶縁基体と、導電性蓋体
と導電性封止材とで構成される電子部品収納用パッケー
ジを提案した（特願平９ー２９１２９９号参照）。
【０００８】かかる電子部品収納用パッケージによれば
絶縁基体の上面に導電性蓋体を導電性封止材を介して接
合させ、絶縁基体に設けた金属層と導電性蓋体とをスル
ーホール導体及び導電性封止材とで電気的に接続し、電
子部品を金属層と導電性蓋体とで上下より囲みこむこと
によって外部より内部に収容する電子部品に電磁波が作
用するのが有効に防止され、電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この電
子部品収納用パッケージでは、金属層の一部を絶縁基体
上面に導出させるスルーホール導体の径が０．２ｍｍ程
度と小さいこと、及び導電性封止材の体積抵抗が１×１
０4 Ω程度と高いこと等から導電性蓋体と絶縁基体に設
けたスルーホール導体とを導電性封止材を介して接続さ
せても両者の電気的接続は導通抵抗が高く信頼性の低い
ものとなり、その結果、金属層と導電性蓋体とを確実に
電気的接続させて電子部品を外部の電磁波より確実、完
全に保護することができないという解決すべき課題を有
していた。
【００１０】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は容器内部に収容する電子部品に電磁波が
作用するのを確実に防止し、電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることができる電子部品収納
用パッケージを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面に電子部
品が搭載される搭載部及び該搭載部を囲繞するように形
成された枠状金属層を有し、かつ前記搭載部の下方に前
記枠状金属層と電気的に接続されている金属層が配設さ
れている絶縁基体と、導電性蓋体とからなり、前記枠状
金属層が形成されている絶縁基体上面に導電性蓋体を導
電性封止材を介して接合させ、前記金属層と導電性蓋体
とを電気的に接続させつつ絶縁基体と導電性蓋体とから
なる容器内部に電子部品を気密に収容するようになした
電子部品収納用パッケージであって、前記枠状金属層の
表面を、多数の貫通孔を有し、前記導電性封止材と接合
性のよい絶縁膜で被覆したことを特徴とするものであ
る。
【００１２】また本発明は、前記貫通孔の平面積の合計
が絶縁膜の全平面積に対し、５乃至５０％であることを
特徴とするものである。
【００１３】本発明の電子部品収納用パッケージによれ
ば、絶縁基体の電子部品が搭載される搭載部下方に金属
層を配するとともに該金属層の一部を絶縁基体上面に形
成した枠状金属層に電気的に接続させたことから絶縁基
体上面に導電性蓋体を導電性封止材を介して接合させる
際、導電性封止材は枠状金属層の露出表面に対し極めて
広い面積で接触して導電性蓋体と金属層とが確実に、か
つ低い導通抵抗で電気的接続されることとなり、その結
果、電子部品に電磁波が作用するのを確実に防止して電
子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させるこ
とが可能となる。
【００１４】また本発明の電子部品収納用パッケージに
よれば、枠状金属層の表面を複数個の貫通孔を有する導
電性封止材と接合性がよい絶縁膜で被覆したことから枠
状金属層に導電性蓋体を導電性封止材を介して接合させ
る際、導電性封止材は前記絶縁膜によって枠状金属層に
強固に接合し、その結果、絶縁基体と導電性蓋体とから
成る容器の気密封止が完全となり、容器内部に収容する
電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させる
こともできる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明の電子部品収納用パッケ
ージの実施の形態の一例を示す断面図、図２はその要部
拡大断面図、図３は要部拡大平面図であり、同図におい
ては電子部品が半導体素子であり、電子部品収納用パッ
ケージが半導体素子収納用パッケージである場合の例を
示している。
【００１６】図において、１は絶縁基体、２は導電性蓋
体である。この絶縁基体１と導電性蓋体２とで半導体素
子３を収容するための容器４が構成される。
【００１７】前記絶縁基体１はその上面の略中央部に半
導体素子３が搭載収容される凹状の搭載部１ａが設けて
あり、該搭載部１ａには半導体素子３がガラス、樹脂、
ロウ材等からなる接着材を介して接着固定される。
【００１８】前記絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼
結体やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、
酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化
アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カル
シウム等の原料粉末に適当な有機バインター、溶剤、可
塑剤、分散剤等を添加混合して泥漿物を作り、該泥漿物
を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法
等のシート成形法を採用しシート状に成形してセラミッ
クグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる
後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き
加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約１６００℃
の高温で焼成することによって製作される。
【００１９】また前記絶縁基体１は搭載部１ａ周辺から
上面にかけて複数個のメタライス配線層５が被着形成さ
れており、このメタライズ配線層５の搭載部１ａ周辺部
には半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ６を介
して電気的に接続され、また絶縁基体１の上面に導出さ
れた部位には外部電気回路と接続される外部リード端子
７が銀ロウ等のロウ材を介して取着されている。
【００２０】前記メタライズ配線層５は半導体素子３の
各電極を外部電気回路に電気的に接続する際の導電路と
して作用し、タングステン、モリプデン、マンガン等の
高融点金属粉末により形成されている。
【００２１】前記メタライズ配線層５はタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機
バインダー、溶剤、可塑剤等を添加混合して得た金属ペ
ーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採
用して絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予
め印刷塗布しておき、これをセラミックグリーンシート
と同時に焼成することによって絶縁基体１の搭載部１ａ
周辺から上面にかけて所定パターンに被着形成される。
【００２２】なお、前記メタライズ配線層５はその表面
にニッケル、金等の良導電性で耐蝕性及びロウ材との濡
れ性が良好な金属をめっき法により１〜２０μｍの厚み
に被着させておくと、メタライズ配線層５の酸化腐蝕を
有効に防止することができるとともにメタライズ配線層
５とボンディングワイヤ６との接続及びメタライズ配線
層５と外部リード端子７とのロウ付けを極めて強固とな
すことができる。従って、メタライズ配線層５の酸化腐
蝕を防止し、メタライズ配線層５とボンディングワイヤ
６との接続及びメタライズ配線層５と外部リード端子７
とのロウ付けを強固となすにはメタライズ配線層５の表
面にニッケル、金等をめっき法によリ１〜２０μｍの厚
みに被着させておくことが好ましい。
【００２３】また前記絶縁基体１は搭載部１ａの下方に
金属層８が配設されており、その一部は絶縁基体１上面
で搭載部１ａを囲繞する位置に形成されている枠状金属
層９に電気的に接続されている。
【００２４】前記金属層８は後述する導電性蓋体２とで
内部に収容する半導体素子３を囲み、半導体素子３に外
部より電磁波が作用するのを阻止し、半導体素子３を安
定に作動させる作用をなす。
【００２５】前記金属層８は、例えば、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、タ
ングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末
に適当な有機バインダー、溶剤、可塑剤等を添加混合し
て得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の
厚膜手法を採用して絶縁基体１となるセラミックグリー
ンシートに予め印刷塗布しておき、これをセラミックグ
リーンシートと同時に焼成することによって絶縁基体１
の搭載部１ａ下方に配されている。
【００２６】また一方、前記絶縁基体１に形成したメタ
ライズ配線層５には外部リード端子７がロウ付けされて
おり、該外部リード端子７は容器４の内部に収容する半
導体素子３を外部電気回路に接続する作用をなし、外部
リード端子７を外部電気回路に接続することによって内
部に収容される半導体素子３はボンディングワイヤ６、
メタライズ配線層５及び外部リード端子７を介して外部
電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００２７】前記外部リード端子７は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料からなり、
鉄ーニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に圧
延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を
施すことによって所定の形状に形成される。
【００２８】前記外部リード端子７はまたその表面にニ
ッケル、金等の良導電性で、かつ耐蝕性に優れた金属を
めっき法により１〜２０μｍの厚みに被着させておく
と、外部リード端子７の酸化腐蝕を有効に防止すること
ができるとともに外部リード端子７と外部電気回路との
電気的接続を良好となすことができる。そのため、前記
外部リード端子７はその表面にニッケル、金等をめっき
法により１〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好
ましい。
【００２９】更に前記外部リード端子７が取着された絶
縁基体１はその上面に被着されている枠状金属層９に導
電性蓋体２が導電性封止材１０を介して接合され、これ
によって絶縁基体１の金属層８と導電性蓋体２とは電気
的に接続されつつ絶縁基体１と導電性蓋体２とから成る
容器４の内部に半導体素子３が気密に収容される。
【００３０】前記枠状金属層９は金属層８と電気的に接
続しており、導電性蓋体２を金属層８に電気的に接続さ
せる作用をなし、絶縁基体１の上面で搭載部１ａを囲繞
するように幅が、例えば、０．４〜１ｍｍ程度で枠状に
形成されている。
【００３１】前記枠状金属層９はまたその表面が多数の
貫通孔１１ａを有し、前記導電性封止材１０と接合性の
よい絶縁膜１１で被覆されている。
【００３２】前記枠状金属層９はその表面が絶縁膜１１
で被覆されているものの該絶縁膜１１には多数の貫通孔
１１ａが形成されているため枠状金属層９に導電性蓋体
２を導電性封止材１０を介して接合させた際、導電性封
止材１０は枠状金属層９と極めて広い面積で接触して導
電性蓋体２と金属層８とが確実に、かつ低い導通抵抗で
電気的接続されることとなり、その結果、容器４内部に
収容する半導体素子３に電磁波が作用するのを確実に防
止して半導体素子３を長期間にわたり正常、かつ安定に
作動させることができる可能となる。
【００３３】また前記絶縁膜１１は導電性封止材１０と
接合性のよい材料、具体的には酸化アルミニウム等で形
成されており、枠状金属層９に導電性蓋体２を導電性封
止材１０を介して接合させる際、導電性封止材１０は絶
縁膜１１に極めて強固に接合することとなり、これによ
って絶縁基体１と導電性蓋体２とから成る容器４の気密
封止が完全となり、容器４内部に収容する半導体素子３
を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可
能となる。
【００３４】なお、前記絶縁基体１の上面に形成した枠
状金属層９は、前述の金属層８と同一の材料、例えば、
タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉
末から成り、絶縁基体１に金属層８を形成するのと同じ
方法によって絶縁基体１の上面に枠状に形成される。
【００３５】また前記枠状金属層９の表面を被覆する絶
縁膜１１は導電性封止材１０に対して接合性のよい材
料、具体的には酸化アルミニウム等からなり、酸化アル
ミニウムに有機バインダー、溶剤等を添加混合して絶縁
ペーストを作り、これを枠状金属層９の表面にスクリー
ン印刷法等により所定厚みに被着させるとともに焼成す
ることによって枠状金属層９の表面に被着される。
【００３６】更に前記絶縁膜１１は多数の貫通孔１１ａ
を有しており、該貫通孔１１ａは枠状金属層９と導電性
蓋体２とを導電性封止材１０を介して電気的に接続する
のを可能とし、枠状金属層９表面に絶縁膜１１をスクリ
ーン印刷法等の厚膜手法を採用することによって形成す
る際、予めスクリーンマスクに貫通孔１１ａに対応する
形状の非貫通部を形成しておくことによって絶縁膜１１
の所定位置に所定形状に形成される。
【００３７】前記絶縁膜１１に形成する貫通孔１１ａは
更にその平面積の合計が絶縁膜１１の全平面積に対し５
％未満となると枠状金属層９と導電性封止材１０との接
触面積が狭くなって絶縁基体１に設けた金属層８に対す
る導電性封止材１０を介しての導電性蓋体２の電気的接
続が信頼性の低いものとなる危険性があり、また５０％
を超えると導電性封止材１０を介しての枠状金属層９に
対する導電性蓋体２の接合強度が低下し、絶縁基体１と
導電性蓋体２とから成る容器４の気密封止の信頼性が低
下してしまう傾向にある。従って、前記絶縁膜１１に形
成する貫通孔１１ａはその平面積の合計を絶縁膜１１の
全平面積に対し、５乃至５０％の範囲としておくことが
好ましい。
【００３８】前記枠状金属層９には導電性封止材１０を
介して導電性蓋体２が接合されており、該導電性蓋体２
は酸化アルミニウム質焼結体の表面に銅やアルミニウム
等の金属膜を被着させたもの、或いは鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料からなり、
絶縁基体１の搭載部１ａに搭載された半導体素子３を気
密に封止するとともに前述の絶縁基体１に配設した金属
層８とで半導体素子３を囲み半導体素子３に外部より電
磁波が作用するのを阻止し、半導体素子３を安定に作動
させる作用をなす。
【００３９】また前記枠状金属層９に導電性蓋体２を接
合させる導電性封止材１０は絶縁基体１と導電性蓋体２
とから成る容器４内部に半導体素子３を気密に封止する
とともに絶縁基体１の金属層８と導電性蓋体２とを電気
的に接続させる作用をなし、例えば、ガラスや有機樹脂
に金属粉末を含有させたもので形成されている。
【００４０】前記導電性封止材１０は、これを酸化鉛５
０乃至６５重量％、酸化ホウ素２乃至１０重量％、フッ
化鉛１０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％、酸
化ビスマス１０乃至２０重量％を含むガラス成分に、フ
ィラーとしてのチタン酸鉛系化合物を２６乃至４５重量
％、銅、鉄ーニッケル合金、鉄ーニッケルーコバルト合
金を５乃至２０重量％添加した導電性のガラスで形成し
ておくと該導電性のガラスは軟化溶融温度は３２０℃以
下と低く、そのため絶縁基体１と導電性蓋体２とを接合
させ、容器４を気密に封止する際、封止温度を低温とな
すことができ、その結果、導電性封止材１０を溶融させ
る熱が内部に収容する半導体素子３に作用しても半導体
素子３の特性に劣化を招来することはなく、半導体素子
３を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
可能となる。またこの導電性ガラスの軟化溶融温度は３
２０℃以下と低いことから半導体素子３が絶縁基体１の
搭載部１ａに樹脂等の接着材を介して接着固定されてい
る場合、半導体素子３の接着固定の特性が導電性封止材
１０を軟化溶融させる熱によって大きく劣化することも
なく、これによって半導体素子３を絶縁基体１の搭載部
１ａに極めて強固に接着固定しておくことが可能とな
り、半導体素子３を常に安定に作動させることもでき
る。
【００４１】なお、前記導電性封止材１０を酸化鉛５０
乃至６５重量％、酸化ホウ素２乃至１０重量％、フッ化
鉛１０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％、酸化
ビスマス１０乃至２０重量％を含むガラス成分に、フィ
ラーとしてのチタン酸鉛系化合物を２６乃至４５重量
％、銅、鉄ーニッケル合金、鉄ーニッケルーコバルト合
金を５乃至２０重量％添加した導電性のガラスで形成す
る場合、酸化鉛の量が５０重量％未満であるとガラスの
軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封止する際の
熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来してしま
い、また６５重量％を超えるとガラスの耐薬品性が低下
し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下してしま
う。従って、前記酸化鉛の量は５０乃至６５重量％の範
囲としておくことが好ましい。
【００４２】また酸化ホウ素の量は２重量％未満である
とガラスの結晶化が進んで流動性が低下し、容器４の気
密封止が困難となってしまい、また１０重量％を超える
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまう。従って、前記酸化ホウ素の量は２乃至１０
重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００４３】またフッ化鉛の量は１０重量％未満である
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまい、また３０重量％を適えるとガラスの耐薬品
性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下し
てしまう。従って、前記フッ化鉛の量は１０乃至３０重
量％の範囲としておくことが好ましい。
【００４４】また酸化亜鉛の量は１重量％未満であると
ガラスの耐薬品性が低下し、容器４の気密封止の信頼性
が大きく低下してしまい、また６重量％を超えるとガラ
スの結晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気
密封止が困難となってしまう。従って、前記酸化亜鉛の
量は１乃至６重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００４５】また酸化ビスマスの量は１０重量％未満で
あるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気
密封止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を
招来してしまい、また２０重量％を超えるとガラスの結
晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気密封止
が困難となってしまう。従って、前記酸化ビスマスの量
は１０乃至２０重量％の範囲としておくことが好まし
い。
【００４６】また前記導電性封止材１０にフィラーとし
て添加されるチタン酸鉛系化合物は導電性封止材１０の
熱膨張係数を調整し、絶縁基体１と導電性蓋体２とに導
電性封止材１０を強固に接合させ、容器４の気密封止の
信頼性を大きく向上させる作用をなし、その量が２６重
量％未満であると導電性封止材１０の熱膨張係数が絶縁
基体１と導電性蓋体２の熱膨張係数に対し大きく相違し
て導電性封止材１０を絶縁基体１及び導電性蓋体２に強
固に接合させることができなくなり、また４５重量％を
超えると導電性封止材１０の流動性が低下し、容器４の
気密封止が困難となってしまう。従って、前記チタン酸
鉛系化合物はその量を２６乃至４５重量％の範囲として
おくことが好ましい。
【００４７】また前記導電性封止材１０にフィラーとし
て添加される銅、鉄ーニッケル合金、鉄ーニッケルーコ
バルト合金は導電性封止材１０の導電性付与材であり、
その量が５重量％未満であると導電性封止材１０の導電
率が低下し、絶縁基体１の金属層８に接続されている枠
状金属層９に対し導電性蓋体２を確実に電気的接続する
ことができなくなり、また２０重量％を超えると導電性
封止材１０の流動性が低下し、容器４の気密封止が困難
となってしまう。従って、前記銅はその量が５乃至２０
重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００４８】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体１の搭載部１ａに半導体素子３を
ガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固
定するとともに半導体素子３の各電極をメタライズ配線
層５にボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、
しかる後、絶縁基体１上面の枠状金属層９に導電性蓋体
２を前記搭載部１ａを覆うように導電性封止材１０を介
して接合させ、絶縁基体１の金属層８と導電性蓋体２と
を電気的に接続させつつ絶縁基体１と導電性蓋体２とか
ら成る容器４の内部に半導体素子３を気密に収容するこ
とによって最終製品としての半導体装置が完成する。
【００４９】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば種々の変更は可能であり、例えば、前述の例では電
子部品として半導体素子を収容する電子部品収納用パッ
ケージを例示したが、電子部品が圧電磁気振動子や弾性
表面波素子等であり、これを収容するための電子部品収
納用パッケージにも適用し得る。
【００５０】また前述の例ではメタライズ配線層５に外
部リード端子７をロウ付けした電子部品収納用パッケー
ジを例示したが、必ずしもこれに限定されるものではな
く、メタライズ配線層を絶縁基体の下面に導出させ、こ
れをそのまま外部電気回路に接続させる端子としたもの
であってもよい。
【００５１】
【発明の効果】本発明の電子部品収納用パッケージによ
れば、絶縁基体の電子部品が搭載される搭載部下方に金
属層を配するとともに該金属層の一部を絶縁基体上面に
形成した枠状金属層に電気的に接続させたことから絶縁
基体上面に導電性蓋体を導電性封止材を介して接合させ
る際、導電性封止材は枠状金属層の露出表面に対し極め
て広い面積で接触して導電性蓋体と金属層とが確実に、
かつ低い導通抵抗で電気的接続されることとなり、その
結果、電子部品に電磁波が作用するのを確実に防止して
電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させる
ことが可能となる。
【００５２】また本発明の電子部品収納用パッケージに
よれば、枠状金属層の表面を複数個の貫通孔を有する導
電性封止材と接合性がよい絶縁膜で被覆したことから枠
状金属層に導電性蓋体を導電性封止材を介して接合させ
る際、導電性封止材は前記絶縁膜によって枠状金属層に
強固に接合し、その結果、絶縁基体と導電性蓋体とから
成る容器の気密封止が完全となり、容器内部に収容する
電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させる
こともできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形
態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す電子部品収納用パッケージの要部拡
大断面図である。
【図３】図１に示す電子部品収納用パッケージの絶縁基
体の搭載部周辺の拡大平面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・絶縁基体 ２・・・・・・・導電性蓋体 ３・・・・・・・半導体素子（電子部品） ４・・・・・・・容器 ８・・・・・・・金属層 ９・・・・・・・枠状金属層 １０・・・・・・導電性封止材 １１・・・・・・絶縁膜 １１ａ・・・・・貫通孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−216652（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−126947（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−37753（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/00 H01L 23/02

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】上面に電子部品が搭載される搭載部及び該
    搭載部を囲繞するように形成された枠状金属層を有し、
    かつ前記搭載部の下方に前記枠状金属層と電気的に接続
    されている金属層が配設されている絶縁基体と、導電性
    蓋体とからなり、前記枠状金属層が形成されている絶縁
    基体上面に導電性蓋体を導電性封止材を介して接合さ
    せ、前記金属層と導電性蓋体とを電気的に接続させつつ
    絶縁基体と導電性蓋体とからなる容器内部に電子部品を
    気密に収容するようになした電子部品収納用パッケージ
    であって、前記枠状金属層の表面を、多数の貫通孔を有
    し、前記導電性封止材と接合性のよい絶縁膜で被覆した
    ことを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
  2. 【請求項２】前記貫通孔の平面積の合計が絶縁膜の全平
    面積に対し、５乃至５０％であることを特徴とする請求
    項１に記載の電子部品収納用パッケージ。
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