JPH11274346A - 電子部品収納用容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】電磁波の作用によって電子部品に誤動作が起こ
り、かつ封止材を軟化溶融させる熱によって容器内部に
収容する電子部品に特性劣化が招来する。 【解決手段】上面に電子部品３が搭載される搭載部１ａ
を有し、該電子部品搭載部１ａの下方に金属層８が配設
された絶縁基体１と、導電性蓋体２とを導電性封止材９
を介して接合させ、前記金属層８と導電性蓋体２とを電
気的に接続させつつ絶縁基体１と導電性蓋体２とから成
る容器４内部に電子部品３を気密に収容するようになし
た電子部品収納用容器であって、前記導電性封止材９は
ガラス成分に無機物フィラーと金属フィラーを含有させ
て成り、前記金属フィラーの粒径が無機物フィラーの粒
径よりも大きい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子や圧電振
動子等の電子部品を気密に封止して収容するための電子
部品収納用容器に関し、特に封止材にガラスを用いて封
止を行う電子部品収納用容器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路素子を初めとする
半導体素子あるいは水晶振動子、弾性表面波素子といっ
た圧電振動子等の電子部品を収容するための電子部品収
納用容器は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）
質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面あるいは
下面の略中央部に電子部品を収容するための凹部および
その凹部周辺から下面にかけて導出された、例えば、タ
ングステンやモリブデン等の高融点金属粉末から成る複
数個のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、電子部品
を外部電気回路に電気的に接続するためにメタライズ配
線層に銀ロウ等のロウ材を介して取着された外部リード
端子と、蓋体とから構成されている。

【０００３】そして、電子部品が、例えば、半導体素子
の場合には、絶縁基体の凹部の底面に半導体素子をガラ
ス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固定す
るとともに半導体素子の各電極とメタライズ配線層とを
ボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的
に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体を低融点ガ
ラスから成る封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体
とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容すること
によって最終製品としての半導体装置と成る。

【０００４】また電子部品が、例えば、圧電振動子の場
合には、絶縁基体の凹部の底面に形成された段差部に圧
電振動子の一端を導電性エポキシ樹脂等から成る接着材
を介して接着固定するとともに圧電振動子の各電極をメ
タライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体
の上面に蓋体を低融点ガラスから成る封止材を介して接
合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素
子を気密に収容することによって最終製品としての電子
部品装置となる。

【０００５】なお、絶縁基体と蓋体とを接合させる封止
材としては、−般に酸化鉛５６乃至６６重量％、酸化ホ
ウ素４乃至１４重量％、酸化珪素１乃至６重量％、酸化
ビスマス０．５乃至５重量％、酸化亜鉛０．５乃至３重
量％を含むガラス成分に、フィラーとしてのコージェラ
イト系化合物を９乃至１９重量％、チタン酸錫系化合物
を１０乃至２０重量％添加したガラスが使用されてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の電子部品収納用容器においては、絶縁基体や蓋体を
形成する酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）質焼結体等の
セラミックス及び絶縁基体と蓋体とを接合させ電子部品
を内部に気密に封止するガラスがいずれも電磁波を透過
し易く、そのため外部電気回路基板等に他の電子部品と
ともに実装した場合、隣接する電子部品間に電磁波の相
互干渉が起こり電子部品に誤動作を起こさせるという問
題を有していた。特に最近では外部電気回路基板に電子
部品が極めて高密度に実装され、隣接する電子部品間の
距離が極めて狭いものとなってきており、この電磁波の
相互干渉による問題は極めて大きなものとなってきた。

【０００７】またこの従来の電子部品収納用容器におい
ては、絶縁基体に蓋体を接合させる封止材である低融点
ガラスの軟化溶融温度が約４００℃程度であること、近
時の電子部品は高密度化、高集積化に伴って耐熱性が低
下してきたこと等から、絶縁基体と蓋体とを封止材を介
して接合し、絶縁基体と蓋体とからなる絶縁容器の内部
に電子部品を気密に収容した場合、封止材を溶融させる
熱が内部に収容する電子部品に作用して電子部品の特性
に劣化を招来させ、電子部品を正常に作動させることが
できないという問題点も有していた。

【０００８】更に、電子部品を絶縁基体の凹部の底面あ
るいは段差部ヘポリイミド導電性樹脂等から成る樹脂製
の接着材を介して接着固定した場合、電子部品を接着固
定する接着材の耐熱性が低いため、接着材に封止材を溶
融させる熱が作用すると電子部品の接着固定が破れ、そ
の結果、電子部品を常に、安定に作動させることができ
なくなるという問題点も有していた。

【０００９】本発明は、上記問題点に鑑み案出されたも
ので、その目的は容器内部に収容する電子部品に電磁波
が作用するのを有効に防止するとともに容器内部に電子
部品をその特性に劣化を招来することなく気密に封止
し、電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動さ
せることができる電子部品収納用容器を提供することに
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上面に電子部
品が搭載される搭載部を有し、該電子部品搭載部の下方
に金属層が配設された絶縁基体と、導電性蓋体とを導電
性封止材を介して接合させ、前記金属層と導電性蓋体と
を電気的に接続させつつ絶縁基体と導電性蓋体とから成
る容器内部に電子部品を気密に収容するようになした電
子部品収納用容器であって、前記導電性封止材はガラス
成分に無機物フィラーと金属フィラーを含有させて成
り、前記金属フィラーの粒径が無機物フィラーの粒径よ
りも大きいことを特徴とするものである。

【００１１】また本発明は、前記導電性封止材の金属フ
ィラーの平均粒径が無機物フィラーの平均粒径よりも２
乃至１０倍大きいことを特徴とするものである。

【００１２】また本発明は、前記導電性封止材のガラス
成分が酸化鉛５０乃至６５重量％、酸化ホウ素２乃至１
０重量％、フッ化鉛１０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃
至６重量％、酸化ビスマス１０乃至２０重量％を含むガ
ラスから成ることを特徴とするものである。

【００１３】また本発明は、前記導電性封止材の金属フ
ィラーが鉄ーニッケル合金及び／又は鉄ーニッケルーコ
バルト合金から成り、無機物フィラーがチタン酸鉛系化
合物から成り、かつ金属フィラーの含有量が５乃至１０
重量％、無機物フィラーの含有量が２６乃至４５重量％
であることを特徴とするものである。

【００１４】本発明の電子部品収納用容器によれば、絶
縁基体に配設した金属層と導電性蓋体とを、ガラス成分
に平均粒径が大きい金属フィラーと平均粒径の小さい無
機物フィラーとを含有させた導電性封止材で接合させる
ことから金属層と導電性蓋体とは導電性封止材を介して
確実に電気的に接続されることとなり、その結果、収容
される電子部品は絶縁基体に配設した金属層と導電性蓋
体と導電性封止材とで確実に囲まれて外部より電磁波が
作用することはなく、これによって電子部品を長期間に
わたり正常、かつ安定に作動させることが可能となる。

【００１５】また本発明によれば、絶縁基体と導電性蓋
体とを接合させる導電性封止材として、酸化鉛５０乃至
６５重量％、酸化ホウ素２乃至１０重量％、フッ化鉛１
０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％、酸化ビス
マス１０乃至２０重量％を含むガラス成分に、無機物フ
ィラーとしてチタン酸鉛系化合物を２６乃至４５重量
％、金属フィラーとして鉄ーニッケル合金及び／又は鉄
ーニッケルーコバルト合金を５乃至１０重量％添加した
ものを使用すると導電性封止材の軟化溶融温度が３５０
℃以下となり、絶縁基体と導電性蓋体とを導電性封止材
介して接合させ、絶縁基体と導電性蓋体とから成る容器
内部に電子部品を気密に収容する際、導電性封止材を溶
融させる熱が内部に収容する電子部品に作用しても電子
部品の特性に劣化を招来することはなく、その結果、電
子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させるこ
とが可能となる。

【００１６】また同時に導電性封止材の軟化溶融温度が
３５０℃以下であり、低温であることから絶縁基体と導
電性蓋体とを導電性封止材を介して接合させ、絶縁基体
と導電性蓋体とから成る容器の内部に電子部品を気密に
収容する際、導電性封止材を溶融させる熱によって電子
部品を絶縁基体の凹部の底面あるいは段差部へ接着固定
するポリイミド導電性樹脂等から成る樹脂製の接着材が
劣化することもなく、これによって電子部品を絶縁基体
の凹部の底面あるいは段差部へ接着材を介して極めて強
固に接着固定することが可能となり、電子部品を常に、
安定に作動させることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明の電子部品収納用容器の
実施の形態の一例を示す断面図、図２はその要部拡大断
面図であり、同図においては電子部品が半導体素子であ
り、電子部品収納用容器が半導体素子収納用パッケージ
である場合の例を示している。

【００１８】図１において、１は絶縁基体、２は導電性
蓋体である。この絶縁基体１と導電性蓋体２とで半導体
素子３を収容するための容器４が構成される。

【００１９】前記絶縁基体１はその上面の略中央部に半
導体素子３が搭載収容される凹状の搭載部１ａが設けて
あり、該搭載部１ａには半導体素子３がガラス、樹脂、
ロウ材等から成る接着材を介して接着固定される。

【００２０】前記絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼
結体やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、
酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化
アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カル
シウム等の原料粉末に適当な有様バインダー、溶剤、可
塑剤、分散剤等を添加混合して泥漿物を作り、該泥漿物
を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法
等のシート成形法を採用しシート状に成形してセラミッ
クグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる
後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き
加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約１６００℃
の高温で焼成することによって製作される。

【００２１】また前記絶縁基体１は搭載部１ａ周辺から
上面にかけて複数個のメタライズ配線層５が被着形成さ
れており、このメタライズ配線層５の搭載部１ａ周辺部
には半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ６を介
して電気的に接続され、また絶縁基体１の上面に導出さ
れた部位には外部電気回路と接続される外部リード端子
７が銀ロウ等のロウ材を介して取着されている。

【００２２】前記メタライズ配線層５は半導体素子３の
各電極を外部電気回路に電気的に接続する際の導電路と
して作用し、タングステン、モリブデン、マンガン等の
高融点金属粉末により形成されている。

【００２３】前記メタライズ配線層５はタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機
溶剤、溶媒、可塑剤等を添加混合して得た金属ペースト
を従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用して
絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め印刷
塗布しておき、これをセラミックグリーンシートと同時
に焼成することによって絶縁基体１の搭載部１ａ周辺か
ら上面にかけて所定パターンに被着形成される。

【００２４】なお、前記メタライズ配線層５はその表面
にニッケル、金等の良導電性で耐蝕性及びロウ材との濡
れ性が良好な金属をめっき法により１〜２０μｍの厚み
に被着させておくと、メタライズ配線層５の酸化腐蝕を
有効に防止することができるとともにメタライズ配線層
５とボンディングワイヤ６との接続及びメタライズ配線
層５と外部リード端子７とのロウ付けを極めて強固とな
すことができる。従って、メタライズ配線層５の酸化腐
食を防止し、メタライズ配線層５とボンディングワイヤ
６との接続及びメタライズ配線層５と外部リード端子７
とのロウ付けを強固となすには、メタライズ配線層５の
表面にニッケル、金等をめっき法により１〜２０μｍの
厚みに被着させておくことが好ましい。

【００２５】また前記絶縁基体１は搭載部１ａの下方に
金属層８が配設されており、その一部が絶縁基体１の上
面に導出されている。

【００２６】前記金属層８は後述する導電性蓋体２とで
内部に収容する半導体素子３を囲み、半導体素子３に外
部より電磁波が作用するのを阻止し、半導体素子３を安
定に作動させる作用をなす。

【００２７】前記金属層８は、例えば、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、タ
ングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末
に適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤等を添加混合して得た
金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手
法を採用して絶縁基体１となるセラミックグリーンシー
トに予め印刷塗布しておき、これをセラミックグリーン
シートと同時に焼成することによって絶縁基体１の搭載
部１ａ下方に配設される。

【００２８】また−方、前記絶縁基体１に形成したメタ
ライズ配線層５には外部リード端子７がロウ付けされて
おり、該外部リード端子７は容器４の内部に収容する半
導体素子３を外部電気回路に接続する作用をなし、外部
リード端子７を外部電気回路に接続することによって内
部に収容される半導体素子３はボンディングワイヤ６、
メタライズ配線層５及び外部リード端子７を介して外部
電気回路に電気的に接続されることとなる。

【００２９】前記外部リード端子７は鉄−ニッケルーコ
バルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、
鉄−ニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に圧
延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を
施すことによって所定の形状に形成される。

【００３０】前記外部リード端子７はまたその表面にニ
ッケル、金等の良導電性で、かつ耐蝕性に優れた金属を
めっき法により１〜２０μｍの厚みに被着させておく
と、外部リード端子７の酸化腐食を有効に防止すること
ができるとともに外部リード端子７と外部電気回路との
電気的接続を良好となすことができる。そのため、前記
外部リード端子７はその表面にニッケル、金等をめっき
法によリ１〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好
ましい。

【００３１】更に前記外部リ一ド端子７が取着された絶
縁基体１はその上面に導電性蓋体２が導電性封止材９を
介して接合され、これによって絶縁基体１の金属層８と
導電性蓋体２とを電気的に接続させつつ絶縁基体１と導
電性蓋体２とから成る容器４の内部に半導体素子３が気
密に収容される。

【００３２】前記導電性蓋体２は酸化アルミニウム質焼
結体の表面に銅やアルミニウム等の金属膜を被着させた
もの、或いは鉄−ニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケ
ル合金等の金属材料からなり、絶縁基体１の搭載部１ａ
に搭載された半導体素子３を気密に封止するとともに前
述の絶縁基体１に配設した金属層８とで半導体素子３を
囲み半導体素子３に外部より電磁波が作用するのを阻止
し、半導体素子３を安定に作動させる作用をなす。

【００３３】また更に前記導電性蓋体２は絶縁基体１の
上面に導電性封止材９を介して接合され、該導電性封止
材９は絶縁基体１と導電性蓋体２とから成る容器４内部
に半導体素子３を気密に封止するとともに絶縁基体１の
金属層８と導電性蓋体２とを電気的に接続させる作用を
なす。

【００３４】前記導電性封止材９はガラス成分に無機物
フィラーと金属フィラーを含有させて成り、添加された
金属フィラーによって導電性を帯びている。

【００３５】前記導電性封止材９はまたガラス成分に含
有される金属フィラーの平均粒径が無機物フィラーの平
均粒径よりも大きくなっており、これによって導電性蓋
体２を絶縁基体１の上面に接合する際、金属フィラー
が、絶縁基体１の金属層８と導電性蓋体２の両方に確
実、かつ広面積に接触して金属層８と導電性蓋体２とを
確実に電気的に接続する。

【００３６】なお、前記金属フィラーの平均粒径は無機
物フィラーの平均粒径に対し２倍未満の大きさであると
絶縁基体１の金属層８と導電性蓋体２との電気的接続の
信頼性が低下する傾向にあり、また１０倍を超えると導
電性封止材９の流動性が低下し、容器４の気密封止の信
頼性が劣化してしまう危険性がある。従って、前記導電
性封止材９の金属フィラーの平均粒径は無機物フィラー
の平均粒径に対し２乃至１０倍の範囲としておくことが
好ましい。

【００３７】また前記導電性封止材９のガラス成分とし
て酸化鉛５０乃至６５重量％、酸化ホウ素２乃至１０重
量％、フッ化鉛１０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６
重量％、酸化ビスマス１０乃至２０重量％を含むガラス
を使用し、無機物フィラーとしてチタン酸鉛系化合物
を、金属フィラーとして鉄ーニッケル合金及び／又は鉄
ーニッケルーコバルト合金を使用し、且つ無機物フィラ
ーの含有量を２６乃至４５重量％、金属フィラーの含有
量を５乃至１０重量％としておくと導電性封止材９の軟
化溶融温度が３５０℃以下の低い値となり、その結果、
絶縁基体１と導電性蓋体２とを導電性封止材９を介して
接合させ、容器４を気密に封止した場合、導電性封止材
９を溶融させる熱が内部に収容する半導体素子３に作用
しても半導体素子の特性に劣化を招来することはなく、
半導体素子３を長期間にわたり正常、かつ安定に作動さ
せることが可能となる。

【００３８】また同時に半導体素子３が絶縁基体１の搭
載部１ａに樹脂製の接着材を介して接着固定されている
場合、該樹脂製接着材は導電性封止材９の軟化溶融温度
が３５０℃以下と低いことから導電性封止材９を軟化溶
融させる熱によって特性が大きく劣化することはなく、
これによって半導体素子３を絶縁基体１の搭載部１ａに
極めて強固に接着固定しておくことが可能となり、半導
体素子３を常に、安定に作動させることができる。

【００３９】なお、前記導電性封止材９はそれを酸化鉛
５０乃至６５重量％、酸化ホウ素２乃至１０重量％、フ
ッ化鉛１０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％、
酸化ビスマス１０乃至２０重量％を含むガラスで形成し
た場合、酸化鉛の量が５０重量％未満であるとガラスの
軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封止する際の
熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来してしま
い、また６５重量％を超えるとガラスの耐薬品性が低下
し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下してしま
う。従って、前記酸化鉛の量は４０乃至６０重量％の範
囲としておくことが好ましい。

【００４０】また酸化ホウ素の量は２重量％未満である
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまい、また１０重量％を超えるとガラスの耐薬品
性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下し
てしまう。従って、前記酸化ホウ素の量は２乃至１０重
量％の範囲としておくことが好ましい。

【００４１】またフッ化鉛の量は１０重量％未満である
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまい、また３０重量％を超えるとガラスの耐薬品
性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下し
てしまう。従って、前記フッ化鉛の量は１０乃至３０重
量％の範囲としておくことが好ましい。

【００４２】また酸化亜鉛の量は１重量％未満であると
ガラスの耐薬品性が低下し、容器４の気密封止の信頼性
が大きく低下してしまい、また６重量％を超えるとガラ
スの結晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気
密封止が困難となってしまう。従って、前記酸化亜鉛の
量は１乃至６重量％の範囲としておくことが好ましい。

【００４３】また酸化ビスマスの量は１０重量％未満で
あるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気
密封止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を
招来してしまい、また２０重量％を超えるとガラスの結
晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気密封止
が困難となってしまう。従って、前記酸化ビスマスの量
は１０乃至２０重量％の範囲としておくことが好まし
い。

【００４４】更に導電性封止材９に含有される無機物フ
ィラーは導電性封止材９の熱膨張係数を調整し、絶縁基
体１と導電性蓋体２とに導電性封止材９を強固に接合さ
せ、容器４の気密封止の信頼性を大きく向上させるとと
もに導電性封止材９の機械的強度を向上させる作用をな
し、チタン酸鉛系化合物が好適に使用され、その含有量
は２６重量％未満であると導電性封止材９の熱膨張係数
が絶縁基体１及び導電性蓋体２の熱膨張係数に対し大き
く相違して導電性封止材９を絶縁基体１及び導電性蓋体
２に強固に接合させることができなくなり、また４５重
量％を超えると導電性封止材９の流動性が大きく低下
し、容器４の気密封止が困難となってしまう。従って、
前記チタン酸鉛系化合物を無機物フィラーとして導電性
封止材９に含有させた場合、その量は２６乃至４５重量
％の範囲としておくことが好ましい。

【００４５】また更に前記導電性封止材９に含有される
金属フィラーは導電性封止材９の導電性付与材であり、
鉄ーニッケル合金及び／又は鉄ーニッケルーコバルト合
金が好適に使用され、その量が５重量％未満であると導
電性封止材９の導電性が低下し、絶縁基体１の金属層８
と導電性蓋体２とを確実に電気的接続することができな
くなり、また２０重量％を超えると導電性封止材９の流
動性が低下し、容器４の気密封止が困難となってしま
う。従って、前記鉄ーニッケル合金及び／又は鉄ーニッ
ケルーコバルト合金を金属フィラーとして導電性封止材
９に含有させた場合、その量は５乃至２０重量％の範囲
としておくことが好ましい。

【００４６】なお、前記導電性封止材９に金属フィラー
として鉄ーニッケル合金及び／又は鉄ーニッケルーコバ
ルト合金を含有させた場合、金属フィラーの粒径が３０
μｍ未満となると導電性封止材９の導電性が低下し、絶
縁基体１の金属層８と導電性蓋体２とを確実に電気的接
続することが困難となる傾向にあり、また７０μｍを超
えると導電性封止材９の流動性が低下し、容器４の気密
封止が困難となる傾向にある。従って、前記鉄ーニッケ
ル合金及び／又は鉄ーニッケルーコバルト合金を金属フ
ィラーとして導電性封止材９に含有させた場合、その粒
径は３０乃至７０μｍの範囲としておくこが好ましい。

【００４７】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば絶縁基体１の搭載部１ａに半導体素子３をガ
ラス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固定
するとともに半導体素子３の各電極をメタライズ配線層
５にボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、し
かる後、絶縁基体１の上面に搭載部１ａを覆うように導
電性蓋体２を導電性封止材９を介して接合させ、絶縁基
体１の金属層８と導電性蓋体２とを電気的に接続させつ
つ絶縁基体１と導電性蓋体２とから成る容器４の内部に
半導体素子３を気密に収容することによって最終製品と
しての半導体装置が完成する。

【００４８】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば種々の変更は可能であり、例えば、前述の例では電
子部品として半導体素子を収容する電子部品収納用容器
を例示したが、電子部品が圧電磁気振動子や弾性表面波
素子等であり、これを収容するための電子部品収納用容
器にも適用し得る。

【００４９】また前述の例ではメタライズ配線層５に外
部リード端子７をロウ付けした電子部品収納用容器を例
示したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、メ
タライズ配線層を絶縁基体の下面に導出させ、これをそ
のまま外部電気回路に接続させ端子としたものであって
もよい。

【００５０】

【発明の効果】本発明の電子部品収納用容器によれば、
絶縁基体に配設した金属層と導電性蓋体とを、ガラス成
分に平均粒径が大きい金属フィラーと平均粒径の小さい
無機物フィラーとを含有させた導電性封止材で接合させ
ることから金属層と導電性蓋体とは導電性封止材を介し
て確実に電気的に接続されることとなり、その結果、収
容される電子部品は絶縁基体に配設した金属層と導電性
蓋体と導電性封止材とで確実に囲まれて外部より電磁波
が作用することはなく、これによって電子部品を長期間
にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能とな
る。

【００５１】また本発明によれば、絶縁基体と導電性蓋
体とを接合させる導電性封止材として、酸化鉛５０乃至
６５重量％、酸化ホウ素２乃至１０重量％、フッ化鉛１
０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％、酸化ビス
マス１０乃至２０重量％を含むガラス成分に、無機物フ
ィラーとしてチタン酸鉛系化合物を２６乃至４５重量
％、金属フィラーとして鉄ーニッケル合金及び／又は鉄
ーニッケルーコバルト合金を５乃至１０重量％添加した
ものを使用すると導電性封止材の軟化溶融温度が３５０
℃以下となり、絶縁基体と導電性蓋体とを導電性封止材
介して接合させ、絶縁基体と導電性蓋体とから成る容器
内部に電子部品を気密に収容する際、導電性封止材を溶
融させる熱が内部に収容する電子部品に作用しても電子
部品の特性に劣化を招来することはなく、その結果、電
子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させるこ
とが可能となる。

【００５２】また同時に導電性封止材の軟化溶融温度が
３５０℃以下であり、低温であることから絶縁基体と導
電性蓋体とを導電性封止材を介して接合させ、絶縁基体
と導電性蓋体とから成る容器の内部に電子部品を気密に
収容する際、導電性封止材を溶融させる熱によって電子
部品を絶縁基体の凹部の底面あるいは段差部へ接着固定
するポリイミド導電性樹脂等から成る樹脂製の接着材が
劣化することもなく、これによって電子部品を絶縁基体
の凹部の底面あるいは段差部へ接着材を介して極めて強
固に接着固定することが可能となり、電子部品を常に、
安定に作動させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子部品収納用容器の実施の形態の一
例を示す断面図である。

【図２】図１に示す電子部品収納用容器の要部拡大断面
図である。

【符号の説明】

１・・・・・・・絶縁基体 ２・・・・・・・導電性蓋体 ３・・・・・・・半導体素子（電子部品） ４・・・・・・・容器 ８・・・・・・・金属層 ９・・・・・・・導電性封止材

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上面に電子部品が搭載される搭載部を有
   し、該電子部品搭載部の下方に金属層が配設された絶縁
   基体と、導電性蓋体とを導電性封止材を介して接合さ
   せ、前記金属層と導電性蓋体とを電気的に接続させつつ
   絶縁基体と導電性蓋体とから成る容器内部に電子部品を
   気密に収容するようになした電子部品収納用容器であっ
   て、前記導電性封止材はガラス成分に無機物フィラーと
   金属フィラーを含有させて成り、前記金属フィラーの粒
   径が無機物フィラーの粒径よりも大きいことを特徴とす
   る電子部品収納用容器。
2. 【請求項２】前記金属フィラーの平均粒径が無機物フィ
   ラーの平均粒径よりも２乃至１０倍大きいことを特徴と
   する請求項１に記載の電子部品収納用容器。
3. 【請求項３】前記導電性封止材のガラス成分が酸化鉛５
   ０乃至６５重量％、酸化ホウ素２乃至１０重量％、フッ
   化鉛１０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％、酸
   化ビスマス１０乃至２０重量％を含むガラスから成るこ
   とを特徴とする請求項１に記載の電子部品収納用容器。
4. 【請求項４】前記導電性封止材の金属フィラーが鉄ーニ
   ッケル合金及び／又は鉄ーニッケルーコバルト合金から
   成り、無機物フィラーがチタン酸鉛系化合物から成り、
   かつ金属フィラーの含有量が５乃至１０重量％、無機物
   フィラーの含有量が２６乃至４５重量％であることを特
   徴とする請求項１に記載の電子部品収納用容器。