JPH11233665A - 電子部品収納用容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】封止材を軟化溶融させる熱によって絶縁容器内
部に収容する電子部品に特性劣化が招来する。 【解決手段】絶縁基体１と蓋体２とを封止材８を介して
接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４内部に
電子部品３を気密に収容する電子部品収納用容器であっ
て、前記封止材８は第１部材８ａの上下に第２部材８ｂ
を配した３層構造を有しており、該第１部材８ａ及び第
２部材８ｂは酸化銀４０乃至６０重量％、五酸化燐２０
乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％のガラス成分
と、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ固溶体のフィラーと
から成り、第１部材のフィラー含有量は１０乃至３０重
量％、第２部材のフィラー含有量は３１乃至５０重量％
である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子や圧電振
動子等の電子部品を気密に封止して収容するための電子
部品収納用容器に関し、特に封止材にガラスを用いて封
止を行う電子部品収納用容器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路素子を初めとする
半導体素子あるいは水晶振動子、弾性表面波素子といっ
た圧電振動子等の電子部品を収容するための電子部品収
納用容器は、例えば、酸化アルミニウム（Ａ１₂ Ｏ₃ ）
質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面あるいは
下面の略中央部に電子部品を収容するための凹部および
その凹部周辺から下面にかけて導出された、例えば、タ
ングステンやモリブデン等の高融点金属粉末から成る複
数個のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、電子部品
を外部電気回路に電気的に接続するためにメタライズ配
線層に銀ロウ等のロウ材を介して取着された外部リード
端子と、蓋体とから構成されている。

【０００３】そして、電子部品が例えば、半導体素子の
場合には、絶縁基体の凹部の底面に半導体素子をガラ
ス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固定す
るとともに半導体素子の各電極とメタライズ配線層とを
ボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的
に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体を低融点ガ
ラスから成る封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体
とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容すること
によって最終製品としての半導体装置となる。

【０００４】また電子部品が例えば、圧電振動子の場合
には、絶縁基体の凹部の底面に形成された段差部に圧電
振動子の一端を導電性ポリイミド樹脂等から成る接着材
を介して接着固定するとともに圧電振動子の各電極をメ
タライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体
の上面に蓋体を低融点ガラスから成る封止材を介して接
合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素
子を気密に収容することによって最終製品としての電子
部品装置となる。

【０００５】なお、絶縁基体に蓋体を接合させる封止材
としては、一般に酸化鉛５６乃至６６重量％、酸化ホウ
素４乃至１４重量％、酸化珪素１乃至６重量％、酸化ビ
スマス０．５乃至５重量％、酸化亜鉛０．５乃至３重量
％を含むガラス成分に、フィラーとしてのコージェライ
ト系化合物を９乃至１９重量％、チタン酸錫系化合物を
１０乃至２０重量％添加したガラスが使用されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の電子部品収納用容器においては、絶縁基体に蓋体を
接合させる封止材である低融点ガラスの軟化溶融温度が
約４００℃程度であること、近時の電子部品は高密度
化、高集積化に伴って耐熱性が低下してきたこと等か
ら、絶縁基体と蓋体とを封止材を介して接合し、絶縁基
体と蓋体とからなる絶縁容器の内部に電子部品を気密に
収容した場合、封止材を溶融させる熱が内部に収容する
電子部品に作用して電子部品の特性に劣化を招来させ、
電子部品を正常に作動させることができないという問題
点を有していた。

【０００７】また、電子部品を絶縁基体の凹部の底面あ
るいは段差部ヘポリイミド導電性樹脂等から成る樹脂製
の接着材を介して接着固定した場合、電子部品を接着固
定する接着材の耐熱性が低いため、接着材に封止材を溶
融させる熱が作用すると電子部品の接着固定が破れ、そ
の結果、電子部品を常に、安定に作動させることができ
なくなるという問題点も有していた。

【０００８】本発明は、上記問題点に鑑み案出されたも
ので、その目的は絶縁基体と蓋体とから成る絶縁容器の
内部に電子部品をその特性に劣化を招来することなく気
密に封止し、電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定
に作動させることができる電子部品収納用容器を提供す
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基体と蓋
体とを封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とから
成る容器内部に電子部品を気密に収容する電子部品収納
用容器であって、前記封止材は第１部材の上下に第２部
材を配した３層構造を有しており、該第１部材及び第２
部材は酸化銀４０乃至６０重量％、五酸化燐２０乃至３
０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％のガラス成分と、酸
化ジルコニウム、酸化ニオブ固溶体のフィラーとから成
り、第１部材のフィラー含有量は１０乃至３０重量％、
第２部材のフィラー含有量は３１乃至５０重量％である
ことを特徴とするものである。

【００１０】また、本発明は、絶縁基体と蓋体とを封止
材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内
部に電子部品を気密に収容する電子部品収納用容器であ
って、前記封止材は酸化銀４０乃至６０重量％、五酸化
燐２０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％のガラ
ス成分と、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ固溶体のフィ
ラーとから成り、絶縁基体及び蓋体と接する領域のフィ
ラー含有量が３１乃至５０重量％、中央域のフィラー含
有量が１０乃至３０重量％であることを特徴とするもの
である。

【００１１】本発明の電子部品収納用容器によれば、封
止材の絶縁基体と蓋体とに接する領域の熱膨張係数が絶
縁基体と蓋体の熱膨張係数に近似し、これによって封止
材と絶縁基体及び蓋体とは強固に接合して絶縁容器の気
密封止が完全となり、絶縁容器の内部に収容する電子部
品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
可能となる。

【００１２】また本発明の電子部品収納用容器によれ
ば、絶縁基体と蓋体とから成る絶縁容器を最終的に気密
封止する封止材の中央域の軟化溶融温度が３００℃以下
であり、低温であることから絶縁基体と蓋体とを封止材
を介して技合させ、絶縁基体と蓋体とから成る絶縁容器
の内部に電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融さ
せる熱が内部に収容する電子部品に作用しても電子部品
の特性に劣化を招来することはなく、その結果、電子部
品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
可能となる。

【００１３】また同時に封止材の中央域の軟化溶融温度
が３００℃以下であり、低温であることから絶縁基体と
蓋体とを封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とか
ら成る絶縁容器の内部に電子部品を気密に収容する際、
封止材を溶融させる熱によって電子部品を絶縁基体の凹
部の底面あるいは段差部へ接着固定するポリイミド導電
性樹脂等から成る樹脂製の接着材が劣化することもな
く、これによって電子部品を絶縁基体の凹部の底面ある
いは段差部へ接着材を介して極めて強固に接着固定する
ことが可能となり、電子部品を常に、安定に作動させる
ことができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明の電子部品収納用容器の
実施の形態の一例を示す断面図、図２はその要部拡大断
面図であり、同図においては電子部品が半導体素子であ
り、電子部品収納用容器が半導体素子収納用パッケージ
である場合の例を示している。

【００１５】図１において、１は絶縁基体、２は蓋体で
ある。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収容
するための絶縁容器４が構成される。

【００１６】前記絶縁基体１はその上面あるいは下面の
略中央部に半導体素子３を収容する空所を形成するため
の凹部１ａが設けてあり、該凹部１ａの底面には半導体
素子３がガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介し
て接着固定される。

【００１７】前記絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼
結体やムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、
酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化
アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カル
シウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤、可
塑剤、分散剤等を添加混合して泥漿物を作り、該泥漿物
を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法
等のシート成形法を採用しシート状に成形してセラミッ
クグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる
後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き
加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約１６００℃
の高温で焼成することによって製作される。

【００１８】また前記絶縁基体１は凹部１ａ周辺から上
面にかけて複数個のメタライズ配線層５が被着形成され
ており、このメタライズ配線層５の凹部１ａ周辺部には
半導体素子３の各電極がボンディングワイヤを介して電
気的に接続され、また絶縁基体１の上面に導出された部
位には外部電気回路と接続される外部リード端子７が銀
ロウ等のロウ材を介して取着されている。

【００１９】前記メタライズ配線層５は半導体素子３の
各電極を外部電気回路に電気的に接続する際の導電路と
して作用し、タングステン、モリブデン、マンガン等の
高融点金属粉末により形成されている。

【００２０】前記メタライズ配線層５はタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機
溶剤、溶媒、可塑剤等を添加混合して得た金属ペースト
を従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用して
絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め印刷
塗布しておき、これをセラミックグリーンシートと同時
に焼成することによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から
上面にかけて所定パターンに被着形成される。

【００２１】なお、前記メタライズ配線層５はその表面
にニッケル、金等の良導電性で耐蝕性及びロウ材との濡
れ性が良好な金属をめっき法により１〜２０μｍの厚み
に被着させておくと、メタライズ配線層５の酸化腐食を
有効に防止することができるとともにメタライズ配線層
５とボンディングワイヤ６との接続及びメタライズ配線
層５と外部リード端子７とのロウ付けを極めて強固とな
すことができる。従って、メタライズ配線層５の酸化腐
食を防止し、メタライズ配線層５とボンディングワイヤ
６との接続及びメタライズ配線層５と外部リード端子７
とのロウ付けを強固となすには、メタライズ配線層５の
表面にニッケル、金等をめっき法により１〜２０μｍの
厚みに被着させておくことが好ましい。

【００２２】また一方、前記メタライズ配線層５にロウ
付けされる外部リード端子７は絶縁容器４の内部に収容
する半導体素子３を外部電気回路に接続する作用をな
し、外部リード端子７を外部電気回路に接続することに
よって内部に収容される半導体素子３はボンディングワ
イヤ６、メタライズ配線層５及び外部リード端子７を介
して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。

【００２３】前記外部リード端子７は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、
鉄−ニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に圧
延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を
施すことによって所定の形状に形成される。

【００２４】前記外部リード端子７はまたその表面にニ
ッケル、金等の良導電性で、かつ耐蝕性に優れた金属を
めっき法により１〜２０μｍの厚みに被着させておく
と、外部リード端子７の酸化腐蝕を有効に防止すること
ができるとともに外部リード端子７と外部電気回路との
電気的接続を良好となすことができる。そのため、前記
外部リード端子７はその表面にニッケル、金等をめっき
法により１〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好
ましい。

【００２５】更に前記外部リード端子７が取着された絶
縁基体１はその上面あるいは下面に蓋体２が封止材８を
介して接合され、これによって絶縁基体１と蓋体２とか
ら成る絶縁容器４の内部に半導体素子３が気密に収容さ
れる。

【００２６】前記封止材８は図２に示すように第１部材
８ａの上下に第２部材８ｂを配した３層構造を有してお
り、該第２部材８ｂは絶縁基体１及び蓋体２と第１部材
８ａとの熱膨張係数の相違を緩和する作用をなし、また
第１部材８ａは絶縁基体１と蓋体２とから成る絶縁容器
４の気密封止の温度を低下させる作用をなす。

【００２７】前記第１部材８ａと第２部材８ｂとから成
る封止材８は第２部材８ｂを絶縁基体１及び蓋体２の各
々の対向面に予め被着させておき、しかる後、絶縁基体
１及び蓋体２の各々に被着されている第２部材８ｂを第
１部材８ａで接合することによって絶縁基体１と蓋体２
とを接合し、絶縁容器４の内部を気密に封止する。

【００２８】前記封止材８を構成する第１部材８ａ及び
第２部材８ｂはそれぞれ酸化銀４０乃至６０重量％、五
酸化燐２０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％の
ガラス成分と、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ固溶体の
フィラーとで形成されており、第１部材８ａのフィラー
含有量は１０乃至３０重量％、第２部材８ｂのフィラー
含有量は３１乃至５０重量％となっている。

【００２９】前記封止材８の第１部材８ａと第２部材８
ｂはその各々が同じガラス成分を有しており、ガラス成
分が同じであるため絶縁容器４を気密に封止する際、策
１部材８ａと第２部材８ｂとは極めて強固に接合するこ
ととなる。

【００３０】前記第１部材８ａと第２部材８ｂとから成
る封止材８はそれを構成するガラス成分が４０乃至６０
重量％の酸化銀と、２０乃至３０重量％の五酸化燐と、
１乃至６重量％の酸化亜鉛とで形成されており、該ガラ
ス成分の軟化溶融温度は３００℃以下と低いことから絶
縁基体１と蓋体２とを接合させ、絶縁容器４を気密に封
止する際の温度を低温となすことができ、その結果、封
止材８の第１部材８ａを溶融させる熱が内部に収容する
半導体素子３に作用しても半導体素子３の特性に劣化を
招来することはなく、半導体素子３を長期間にわたり正
常、かつ安定に作動させることが可能となる。

【００３１】また同時に半導体素子３が絶縁基体１の凹
部１ａ底面に樹脂製の接着材を介して接着固定されてい
る場合、該樹脂製接着材は封止材８の第１部材８ａの軟
化溶融温度が３００℃以下と低いことから第１部材８ａ
を軟化溶融させる熱によって特性が大きく劣化すること
はなく、これによって半導体素子３を絶縁基体１の凹部
１ａ底面に極めて強固に接着固定しておくことが可能と
なり、半導体素子３を常に、安定に作動させることがで
きる。

【００３２】なお、前記封止材８のガラス成分は、酸化
銀の量が４０重量％未満であるとガラスの軟化溶融温度
が高くなって、絶縁容器４を気密封止する際の熱によっ
て半導体素子３の特性に劣化を招来してしまい、また６
０重量％を超えるとガラスの耐薬品性が低下し、絶縁容
器４の気密封止の信頼性が大きく低下してしまう。従っ
て、前記酸化銀の量は４０乃至６０重量％の範囲に特定
される。

【００３３】また五酸化燐の量は２０重量％未満である
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、絶縁容器４を気
密封止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を
招来してしまい、また３０重量％を超えるとガラスの耐
薬品性が低下し、絶縁容器４の気密封止の信頼性が大き
く低下してしまう。従って、前記五酸化燐の量は２０乃
至３０重量％の範囲に特定される。

【００３４】また酸化亜鉛の量は１重量％未満であると
ガラスの耐薬品性が低下し、絶縁容器４の気密封止の信
頼性が大きく低下してしまい、また６重量％を超えると
ガラスの結晶化が進んで流動性が大きく低下し、絶縁容
器４の気密封止が困難となってしまう。従って、前記酸
化亜鉛の量は１乃至６重量％の範囲に特定される。

【００３５】更に前記封止材８には第１部材８ａ及び第
２部材８ｂに酸化ジルコニウム、酸化ニオブ固溶体から
成るフィラーが含有されており、第１部材８ａにおける
フィラーの含有量は１０乃至３０重量％、第２部材８ｂ
におけるフィラー含有量は３１乃至５０重量％となって
いる。

【００３６】前記酸化ジルコニウム、酸化ニオブ固溶体
から成るフィラーは第１部材８ａ及び第２部材８ｂの熱
膨張係数を調整し、絶縁基体１及び蓋体２に封止材８を
強固に接合させ、絶縁容器４の気密封止の信頼性を大き
く向上させるとともに第１部材８ａ及び第２部材８ｂの
機械的強度を向上させる作用をなし、第１部材８ａにお
けるフィラーの含有量が１０重量％未満であると第１部
材８ａの機械的強度が低下するとともに第１部材８ａの
熱膨張係数が第２部材８ｂの熱膨張係数に対し大きく相
違して両部材間の接合の信頼性が低下してしまい、また
３０重量％を超えると第１部材８ａのガラスの流動性が
大きく低下し、絶縁容器４の気密封止が困難となってし
まう。従って、前記第１部材８ａに含有されるフイラー
の量は１０乃至３０重量％の範囲に特定される。

【００３７】また第２部材８ｂに含有されるフィラーの
量は３１重量％未満であると第２部材８ｂの熱膨張係数
が絶縁基体１及び蓋体２の熱膨張係数に対し大きく相違
して第２部材８ｂを絶縁基体１及び蓋体２に強固に接合
させることができなくなり、また５０重量％を超えると
第２部材８ｂの熱膨張係数が第１部材８ａの熱膨張係数
に対し大きく相違して両部材間の接合の信頼性が低下し
てしまう。従って、前記第２部材８ｂに含有されるフィ
ラーの量は３１乃至５０重量％の範囲に特定される。

【００３８】更に前記封止材８は第１部材８ａの厚みが
１０μｍ未満であると第１部材８ａの流動性が低下し、
絶縁容器４の気密封止の信頼性が低下する傾向にあり、
また１００μｍを超えると第１部材８ａの機械的強度が
低下し、絶縁容器４の気密封止の信頼性が低下する傾向
にある。従って、絶縁容器４の気密封止の信頼性を極め
て高いものとするには封止材８の第１部材８ａはその厚
さを１０乃至１００μｍの範囲としておくことが好まし
い。

【００３９】また更に上述の封止材８は第１部材８ａの
上下に第２部材８ｂを配した３層構造のものとしたが、
必ずしも３層構造に限定されるものではなく、封止材８
全体を酸化銀４０乃至６０重量％、五酸化燐２０乃至３
０重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％から成るガラス成分
で形成しておき、これに酸化ジルコニウム、酸化ニオブ
固溶体から成るフィラーを絶縁基体１及び蓋体２と接す
る領域は３１乃至５０重量％の範囲に、中央域は１０乃
至３０重量％の範囲になるように表面部から中央部に向
かって徐々に少なくなるよう段階的に添加含有させてお
いてもよい。この場合、上述した３層構造の場合と同
様、封止材８を絶縁基体１及び蓋体２に強固に接合さ
せ、かつ封止温度を低温として絶縁容器４の内部に収容
される半導体素子３に特性の劣化を招来することなく絶
縁容器４の気密封止を完全となすことができ、これによ
って絶縁容器４の内部に収容する半導体素子３に長期間
にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能とな
る。

【００４０】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を
ガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固
定するとともに半導体素子３の各電極をメタライズ配線
層５にボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、
しかる後、絶縁基体１の上面に凹部１ａを覆うように蓋
体２を封止材８を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体２
とから成る絶縁容器４の内部に半導体素子３を気密に収
容することによって最終製品としての半導体装置が完成
する。

【００４１】次に図３は本発明の電子部品収納用容器の
実施の形態の他の例を示す断面図であり、同図において
は電子部品が水晶振動子等の圧電振動子であり、電子部
品収納用容器が圧電振動子収納用容器である場合の例を
示している。

【００４２】図３において１１は絶縁基体、１２は蓋体
である。この絶縁基体１１と蓋体１２とで圧電振動子１
３を収容するための絶縁容器１４が構成される。

【００４３】前記絶縁基体１１はその上面に圧電振動子
１３を収容する空所を形成するための段差部を有する凹
部１１ａが設けてあり、この凹部１１ａの段差部には圧
電振動子１３が樹脂から成る接着材１５を介して接着固
定される。

【００４４】前記樹脂製接着材１５は、例えば、導電性
エポキシ樹脂や導電性ポリイミド樹脂等から成り、絶縁
基体１１の凹部１１ａの段差部に接着材１５を介して圧
電振動子１３を載置させ、しかる後、接着材１５に熱硬
化処理を施し、熱硬化させることによって圧電振動子１
３を絶縁基体１１に接着固定させる。

【００４５】なお、前記絶縁基体１１は前述の絶縁基体
１１と同様の方法によって製作される。

【００４６】また前記絶縁基体１１には凹部１１ａの段
差部より底面にかけて複数個のメタライズ配線層１６が
被着形成されており、該メタライズ配線層１６の凹部１
１ａの段差部に位置する部位には圧電振動子１３の各電
極が導電性エポキシ樹脂等から成る接着材１５を介して
電気的に接続され、また絶縁基体１１の底面に導出され
た部位には外部電気回路の配線導体が半田等のロウ材を
介して取着される。

【００４７】なお、前記メタライズ配線層１６は前述の
メタライズ配線層５と同様の材料により同様の方法によ
って形成される。またメタライズ配線層１６の露出表面
にニッケル、金等の良導電性で耐蝕性及びロウ材との濡
れ性が良好な金属をめっき法により１〜２０μｍの厚み
に被着させておくと、メタライズ配線層１６の酸化腐食
を有効に防止することができるとともにメタライズ配線
層１６を外部電気回路の配線導体に半田等を介して極め
て強固に接続させることができる。従って、メタライズ
配線層１６の酸化腐蝕を防止し、メタライズ配線層１６
と外部電気回路との接続を強固となすには、メタライズ
配線層１６の表面にニッケル、金等をめっき法により１
〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。

【００４８】また前記圧電振動子１３が接着固定されて
いる絶縁基体１１の上面には電気絶縁材料から成る蓋体
１２が封止材１７を介して接合され、これによって絶縁
基体１１と蓋体１２とから絶縁容器１４の内部に圧電振
動子１３が気密に収容される。

【００４９】前記封止材１７は、前述の封止材８と同
様、第１部材の上下に第２部材を配した３層構造を有し
ており、該第１部材及び第２部材は酸化銀４０乃至６０
重量％、五酸化燐２０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至
６重量％のガラス成分と、酸化ジルコニウム、酸化ニオ
ブ固溶体のフィラーとから成り、第１部材のフィラー含
有量を１０乃至３０重量％、第２部材のフィラー含有量
を３１乃至５０重量％として形成されている。

【００５０】前記封止材１７の第２部材は絶縁基体１１
及び蓋体１２と第１部材との熱膨張係数の相違を緩和す
る作用をなし、また第１部材は絶縁基体１１と蓋体１２
とから成る絶縁容器１４の気密封止の温度を低下させる
作用をなす。

【００５１】前記封止材１７は、それを構成するガラス
成分が４０乃至６０重量％の酸化銀と、２０乃至３０重
量％の五酸化燐と、１乃至６重量％の酸化亜鉛とで形成
されており、該ガラス成分の軟化溶融温度は３００℃以
下と低いことから絶縁基体１１と蓋体１２とを接合さ
せ、絶縁容器１４を気密に封止する際の温度を低温とな
すことができ、その結果、封止材１７の第１部材を溶融
させる熱が内部に収容する圧電振動子１３に作用しても
圧電振動子１３の特性に劣化を招来することはなく、圧
電振動子１３を長期間にわたり正常、かつ安定に作動さ
せることが可能となる。

【００５２】また同時に圧電振動子１３が絶縁基体１１
の凹部１１ａに設けた段差部に樹脂製接着材を介して接
着固定されていても、該樹脂製接着材は封止材１７の第
１部材の軟化溶融温度が３００℃以下と低いことから第
１部材を軟化溶融させる熱によって特性が大きく劣化す
ることはなく、これによって圧電振動子１３を絶縁基体
１の凹部１ａに設けた段差部に極めて強固に接着固定し
ておくことが可能となり、圧電振動子１３を常に、安定
に作動させることができる。

【００５３】更に前記封止材１７の第１部材及び第２部
材には酸化ジルコニウム、酸化ニオブ固溶体から成るフ
ィラーが含有されており、第１部材におけるフィラーの
含有量は１０乃至３０重量％、第２部材におけるフィラ
ー含有量は３１乃至５０重量％となっている。この酸化
ジルコニウム、酸化ニオブ固溶体から成るフィラーは第
１部材及び第２部材の熱膨張係数を調整し、絶縁基体１
１及び蓋体１２に封止材１７を強固に接合させ、絶縁容
器１４の気密封止の信頼性を大きく向上させるとともに
第１部材及び第２部材の機械的強度を向上させる作用を
なし、第１部材におけるフィラーの含有量を１０乃至３
０重量％の範囲としておくことによって第１部材の機械
的強度及び絶縁容器を気密封止する際の流動性を良好と
し、絶縁基体１１及び蓋体１２の各々の対向面に予め被
着されている第２部材と強固に接合して絶縁容器１４の
気密封止の信頼性を大きく向上させることができ、また
第２部材におけるフィラーの含有量を３１乃至５０重量
％の範囲としておくことによって絶縁基体１１及び蓋体
１２の熱膨張係数と第１部材の熱膨張係数の相違を緩和
し、これによって封止材１７に不要な応力が発生するの
を有効に防止し、絶縁基体１１と蓋体１２とを封止材１
７によって極めて強固に、かつ信頼性高く接合させるこ
とができる。

【００５４】なお、前記封止材１７はガラス成分とフィ
ラーとから成り、耐湿性に優れていることから大気中に
含まれる水分が封止材１７を介して絶縁容器１４の内部
に侵入しようとしてもその水分の侵入は有効に阻止さ
れ、その結果、絶縁容器１４の内部に収容する圧電振動
子１３の表面電極が酸化腐蝕されることは殆どなく、圧
電振動子１３を常に正常に作動させることも可能とな
る。

【００５５】かくして本発明の電子部品収納用容器によ
れば絶縁基体１１の凹部１１ａに設けた段差部に圧電振
動子１３の一端を導電性エポキシ樹脂等から成る接着材
１５を介して接着固定するとともに圧電振動子１３の各
電極をメタライズ配線層１６に電気的に接続させ、しか
る後、絶縁基体１１の上面に凹部１１ａを覆うように蓋
体１２を封止材１７を介して接合させ、絶縁基体１１と
蓋体１２とから成る絶縁容器１４の内部に圧電振動子１
３を気密に収容することによって最終製品としての圧電
振動装置が完成する。

【００５６】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば種々の変更は可能であり、例えば、前述の例では半
導体素子や圧電振動子を収容するための電子部品収納用
容器を例示したが、圧電磁気振動子や弾性表面波素子等
を収容するための電子部品収納用容器にも適用し得る。

【００５７】

【発明の効果】本発明の電子部品収納用容器によれば、
封止材の絶縁基体と蓋体とに接する領域の熱膨張係数が
絶縁基体と蓋体の熱膨張係数に近似し、これによって封
止材と絶縁基体及び蓋体とは強固に接合して絶縁容器の
気密封止が完全となり、絶縁容器の内部に収容する電子
部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させること
が可能となる。

【００５８】また本発明の電子部品収納用容器によれ
ば、絶縁基体と蓋体とから成る絶縁容器を最終的に気密
封止する封止材の中央域の軟化溶融温度が３００℃以下
であり、低温であることから絶縁基体と蓋体とを封止材
を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とから成る絶縁容器
の内部に電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融さ
せる熱が内部に収容する電子部品に作用しても電子部品
の特性に劣化を招来することはなく、その結果、電子部
品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
可能となる。

【００５９】また同時に封止材の中央域の軟化溶融温度
が３００℃以下であり、低温であることから絶縁基体と
蓋体とを封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とか
ら成る絶縁容器の内部に電子部品を気密に収容する際、
封止材を溶融させる熱によって電子部品を絶縁基体の凹
部の底面あるいは段差部へ接着固定する導電性ポリイミ
ド樹脂等から成る樹脂製の接着材が劣化することもな
く、これによって電子部品を絶縁基体の凹部の底面ある
いは段差部へ接着材を介して極めて強固に接着固定する
ことが可能となり、電子部品を常に、安定に作動させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子部品収納用容器の実施の形態の一
例を示す断面図である。

【図２】図１に示す電子部品収納用容器の要部拡大断面
図である。

【図３】本発明の電子部品収納用容器の実施の形態の他
の例を示す断面図である。

【符号の説明】

１、１１・・・・絶縁基体 ２、１２・・・・蓋体 ３、１３・・・・電子部品（半導体素子、圧電振動子） ４、１４・・・・絶縁容器 ８、１７・・・・封止材 ８ａ・・・・・・第１部材 ８ｂ・・・・・・第２部材

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基体と蓋体とを封止材を介して接合さ
   せ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に電子部品を気
   密に収容する電子部品収納用容器であって、前記封止材
   は第１部材の上下に第２部材を配した３層構造を有して
   おり、該第１部材及び第２部材は酸化銀４０乃至６０重
   量％、五酸化燐２０乃至３０重量％、酸化亜鉛１乃至６
   重量％のガラス成分と、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ
   固溶体のフィラーとから成り、第１部材のフィラー含有
   量は１０乃至３０重量％、第２部材のフィラー含有量は
   ３１乃至５０重量％であることを特徴とする電子部品収
   納用容器。
2. 【請求項２】絶縁基体と蓋体とを封止材を介して接合さ
   せ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に電子部品を気
   密に収容する電子部品収納用容器であって、前記封止材
   は酸化銀４０乃至６０重量％、五酸化燐２０乃至３０重
   量％、酸化亜鉛１乃至６重量％のガラス成分と、酸化ジ
   ルコニウム、酸化ニオブ固溶体のフィラーとから成り、
   絶縁基体及び蓋体と接する領域のフィラー含有量が３１
   乃至５０重量％、中央域のフィラー含有量が１０乃至３
   ０重量％であることを特徴とする電子部品収納用容器。