JP3716112B2 - 電子部品収納用容器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子や圧電振動子等の電子部品を気密に封止して収容するための電子部品収納用容器に関し、 特に封止材にガラスを用いて封止を行う電子部品収納用容器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路素子をはじめとする半導体素子あるいは水晶振動子、弾性表面波素子といった圧電振動子等の電子部品を収納するための電子部品収納用容器は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面、或いは下面の略中央に電子部品を収容するための凹部を有し、該凹部から下面にかけてタングステンやモリブデン等の高融点金属粉末から成る複数個のメタライズ配線層が被着形成されている絶縁基体と、電子部品を外部電気回路に電気的に接続するために前記メタライズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介して取着されている外部リード端子と酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成る絶縁蓋体とから構成されている。
【0003】
そして、電子部品が、例えば、半導体素子の場合には、絶縁基体の凹部の底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の各電極とメタライズ配線層とをボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に絶縁蓋体を低融点ガラスから成る封止材を介して接合させ、絶縁基体と絶縁蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容することによって最終製品としての半導体装置となる。
【0004】
また電子部品が、例えば、圧電振動子の場合には、絶縁基体の凹部の底面に形成された段差部に圧電振動子の一端を導電性エポキシ樹脂等から成る接着剤を介して接着固定するとともに圧電振動子の各電極をメタライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体と絶縁蓋体とから成る容器内部に圧電振動子を気密に収容することによって最終製品としての半導体装置となる。
【0005】
なお、前記絶縁基体と絶縁蓋体とを接合させる封止材としては、一般に酸化鉛56乃至66重量%、酸化硼素4乃至14重量%、酸化珪素1乃至6重量%、酸化ビスマス0.5乃至5重量%、酸化亜鉛0.5乃至3重量%を含むガラス成分に、フィラーとしてのコージェライト系化合物を9乃至19重量%、チタン酸鉛系化合物を10乃至20重量%添加したガラスが使用されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の電子部品収納用容器においては、絶縁基体や絶縁蓋体を形成する酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス及び絶縁基体と絶縁蓋体とを接合させ電子部品を内部に気密に封止するガラスがいずれも電磁波を透過し易く、そのため外部電気回路基板等に他の電子部品とともに実装した場合、隣接する電子部品間に電磁波の相互干渉が起こり電子部品に誤動作を起こさせるという問題を有していた。
【0007】
またこの従来の電子部品収納用容器においては、絶縁基体に絶縁蓋体を接合させる封止材である低融点ガラスの軟化溶融温度が約400℃程度であること、近時の電子部品は高密度化、高集積化にともなって耐熱性が低下してきたこと等から、絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接合し、絶縁基体と絶縁蓋体とから成る絶縁容器の内部に電子部品を気密に収容した場合、封止材を溶融させる熱が内部に収容する電子部品に作用して電子部品の特性劣化を招来させ、電子部品を正常に作動させることができないという問題点も有していた。
【0008】
更に、電子部品を絶縁基体の凹部の底面あるいは段差部へポリイミド導電性樹脂等から成る樹脂性の接着剤を介して接着固定した場合、電子部品を接着固定する接着剤の耐熱性が低いため、接着剤に封止材を溶融させる熱が作用すると電子部品の接着固定が破れ、その結果、電子部品を常に、安定に作動させることができなくなるという問題も有していた。
【0009】
また更に、ガラスから成る封止を加熱溶融させて絶縁基体と絶縁蓋体とを接合させ容器を気密に封止する際、封止材を加熱溶融する時間が多少長いことから、その間に前記絶縁基体と絶縁蓋体との間に位置ずれが生じ易く、該位置ずれが生じると容器の気密封止が不完全となる問題点を有していた。特に、近時の電子部品収納用容器は封止領域が狭いことから気密封止の信頼性が極めて劣るという問題が誘発した。
【0010】
本発明は、上記問題点に鑑み案出されたもので、その目的は容器内部に収容する電子部品に電磁波が作用するのを有効に防止するとともに容器内部に電子部品をその特性に劣化を招来することなく気密に封止し、電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる電子部品収納用容器を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電子部品が樹脂製の接着材を介して載置される四角形状の載置部を有する絶縁基体と、該載置部周辺に封止材を介して接合され載置部を塞ぐ四角形状の絶縁蓋体とから成り、前記絶縁基体は載置部周辺で対角する少なくとも2つの角部に突出部が形成されているとともに、前記絶縁蓋体の対角する少なくとも2つの角部に前記突出部が嵌合する切り欠き部が形成されており、かつ前記封止材は、導電性を帯びた軟化溶融温度が350℃以下のガラスから成るとともに、ガラス成分にチタン酸鉛系化合物から成る無機物フィラーと該無機物フィラーより粒径が大きい鉄−ニッケル合金及び鉄−ニッケル−コバルト合金の少なくとも一方から成る金属フィラーを含有させて形成されているとともに絶縁蓋体の絶縁基体側の全面に被着させており、前記金属フィラーの平均粒径が無機物フィラーの平均粒径よりも2乃至10倍大きく、かつ30乃至70μmであることを特徴とするものである。
【0013】
また、本発明は前記封止材のガラス成分が酸化鉛50乃至65重量%、酸化硼素2乃至10重量%、フッ化鉛10乃至30重量%、酸化亜鉛1乃至6重量%、酸化ビスマス10乃至20重量%を含むガラスから成ることを特徴とするものである。
【0014】
また、本発明は前記金属フィラーの含有量が5乃至10重量%、前記無機物フィラーの含有量が26乃至45重量%であることを特徴とするものである。
【0015】
本発明の電子部品収納用容器によれば、絶縁基体と絶縁蓋体とを接合させ、絶縁基体と絶縁蓋体とから成る容器内部に電子部品を気密に封止する封止材をガラス成分に無機物フィラーと、該無機物フィラーより粒径が大きい金属フィラーを含有させた導電性のものとするとともに該封止材を絶縁基体と絶縁蓋体との接合領域のみならず絶縁蓋体の絶縁基体側の全面に被着させたことから絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接合し、内部に電子部品を気密に収容封止した際、内部に収容される電子部品は前記導電性の封止材でシールドされることとなり、その結果、外部ノイズが絶縁蓋体を介して入り込むのを有効に防止することができ、容器内部の電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる。
【0016】
また本発明の電子部品収納用容器によれば、絶縁基体と絶縁蓋体とを接合させる封止材として酸化鉛50乃至65重量%、酸化硼素2乃至10重量%、フッ化鉛10乃至30重量%、酸化亜鉛1乃至6重量%、酸化ビスマス10乃至20重量%を含むガラス成分に、無機物フィラーとしてチタン酸鉛系化合物無機物を26乃至45重量%、金属フィラーとして鉄−ニッケル合金及び鉄−ニッケル−コバルト合金の少なくとも一方を5乃至10重量%添加したものを使用しているため封止材の軟化溶融温度が350℃以下となり、絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接合させ、絶縁基体と絶縁蓋体とから成る容器内部に電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱が内部に収容する電子部品に作用しても電子部品の特性に劣化を招来することはなく、その結果、電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0017】
また同時に封止材の軟化溶融温度が350℃以下であり、低温であることから絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接させ、絶縁基体と絶縁蓋体とから成る容器の内部に電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱によって電子部品を絶縁基体の凹部の底面あるいは段差部へ接着固定するポリイミド導電性樹脂等から成る樹脂製の接着材が劣化することもなく、これによって電子部品を絶縁基体の凹部底面あるいは段差部へ接着材を介して極めて強固に接着固定することが可能となり、電子部品を常に、安定に作動させることができる。
【0018】
また更に、本発明の電子部品収納用容器によれば、絶縁基体の電子部品が載置される載置部周辺に突出部を、絶縁蓋体に前記突出部が嵌合する切り欠き部を設けたことから、絶縁基体と絶縁蓋体とをガラスから成る封止材を介して接合させ容器を気密に封止する際、絶縁基体と絶縁蓋体との間に位置ずれが発生することはなく、その結果、容器の気密封止の信頼性が極めて高いものと成る。
【0019】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
図1及び図2は本発明の電子部品収納用容器を半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を示し、1は絶縁基体、2は絶縁蓋体である。この絶縁基体1と絶縁蓋体2とで半導体素子3を収容するための容器4が構成される。
【0020】
前記絶縁基体1は酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部に半導体素子3を載置収容するための空所を形成する四角形状の凹部1aが設けてあり、該凹部1a底面には半導体素子3がエポキシ樹脂等の接着剤を介して取着される。
【0021】
前記絶縁基体1は、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤、可塑材、分散剤等を添加混合して泥漿物を作り、該泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート形成法を採用しシート状に成形してセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を得、しかる後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約1600℃の高温で焼成することによって製作される。
【0022】
また前記絶縁基体1は凹部1aから下面にかけて複数個のメタライズ配線層5が被着形成されており、該メタライズ配線層5の凹部1a側の端部には半導体素子3の各電極がボンディングワイヤ6を介して電気的に接続され、また絶縁基体1の下面に導出された部位には外部電気回路と接続される外部リード端子7が銀ロウ等のロウ材を介して取着されている。
【0023】
前記メタライズ配線層5は半導体素子3の各電極を外部電気回路に電気的に接続する際の導電路として作用し、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末により形成されている。
【0024】
なお、前記メタライズ配線層5はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤等を添加混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用して絶縁基体1と成るセラミックグリーンシートに予め印刷塗布しておき、これをセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって絶縁基体1の凹部1aから下面にかけて所定パターンに被着される。
【0025】
また、前記メタライズ配線層5はその表面にニッケル、金等の良導電性で耐食性及びロウ材との濡れ性が良好な金属をめっき法により1〜20μmの厚みに被着させておくと、メタライズ配線層5の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメタライズ配線層5とボンディングワイヤ6との接続及びメタライズ配線層5と外部リード端子7とのロウ付けを極めて強固となすことができる。従って、前記メタライズ配線層5の酸化腐食を防止し、メタライズ配線層5とボンディングワイヤ6との接続及びメタライズ配線層5と外部リード端子7とのロウ付けを強固となすには、メタライズ配線層5の表面にニッケル、金等をメッキ法により1〜20μmの厚みに層着させておくことが好ましい。
【0026】
更に前記メタライズ配線層5にロウ付けされる外部リード端子7は容器4の内部に収容する半導体素子3を外部電気回路に接続する作用をなし、外部リード端子7を外部電気回路に接続することによって内部に収容される半導体素子3はボンディングワイヤ6、メタライズ配線層5及び外部リード端子7を介して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【0027】
前記外部リード端子7は鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、鉄−ニッケル−コバルト合金等のインゴット(塊)に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に形成される。
【0028】
なお、前記外部リード端子7はその表面にニッケル、金等の良導電性で、かつ耐蝕性に優れた金属をめっき法により1〜20μmの厚みに層着させておくと、外部リード端子7の酸化腐食を有効に防止することができるとともに外部リード端子7と外部電気回路との電気的接続を良好となすことができる。そのため、前記外部リード端子7はその表面にニッケル、金等をめっき法により1〜20μmの厚みに被着させておくことが好ましい。
【0029】
また前記外部リード端子7が取着された絶縁基体1はその上面で半導体素子3が載置収容される四角形状をなす凹部1a周辺の対角する少なくとも2つの角部に突出部1bが形成されており、該突出部1bは後述する絶縁蓋体2に設けられた切り欠き部2aが嵌合する。
【0030】
前記突出部1bは、絶縁基体1を製作する際に、例えば最上層に位置するセラミックグリーンシート上にセラミックグリーンシートと同質の材料から成る小片を載置させておくことによって形成される。
【0031】
前記外部リード端子7が取着された絶縁基体1は更にその上面に四角形状をなす絶縁蓋体2が封止材8を介して接合され、これによって絶縁基体1と絶縁蓋体2とから成る容器4内部に半導体素子3が気密に封止される。
【0032】
前記絶縁蓋体2は絶縁基体1に設けた凹部1aを塞ぐ作用を成し、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、例えば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤、可塑材、分散剤等を添加混合して得た原料粉末を所定のプレス金型内に充填するとともに一定圧力で押圧して成形し、しかる後、前記成形品を約1500℃の温度で焼成することによって製作される。
【0033】
また、前記四角形状を成す絶縁蓋体2はその対角する少なくとも2つの角部に切り欠き部2aが形成されている。この切り欠き部2aには絶縁基体1の上面に設けた突起部1bが嵌合され、これによって絶縁基体1と絶縁蓋体2との間の位置決めが正確となるようになっている。
【0034】
前記絶縁蓋体2に設けられた切り欠き部2aは、例えば、四角形状をなす絶縁蓋体2の対角する少なくとも2つの角部に切削加工等の機械加工を施すことによって所定形状に形成される。
【0035】
前記絶縁蓋体2の絶縁基体1上面への接合は、絶縁基体1上に絶縁蓋体2を、該絶縁基体1の突出部1bが絶縁蓋体2の切り欠き部2aに嵌合するようにして、かつ間に封止材8を狭持するようにして載置させ、次に前記封止材8に約320℃の温度を印加し、封止材8を溶融させることによって行われる。この場合、封止材8を加熱溶融させるのに多少時間を要するとしても絶縁基体1と絶縁蓋体2とは突出部1bを切り欠き部2aに嵌合させているため位置ずれを発生することはなく、その結果、絶縁基体1と絶縁蓋体2とから成る容器4の気密封止が完全と成り、容器4内部に収容する半導体素子3を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0036】
絶縁基体1と絶縁蓋体2とを接合させる封止材8は導電性を帯びたガラスから成り、例えば、酸化鉛50乃至65重量%、酸化硼素2乃至10重量%、フッ化鉛10乃至30重量%、酸化亜鉛1乃至6重量%、酸化ビスマス10乃至20重量%を含むガラス成分に、チタン酸鉛系化合物を無機物フィラーとして26乃至45重量%、鉄−ニッケル合金及び鉄−ニッケル−コバルト合金の少なくとも一方を金属フィラーとして5乃至10重量%含有させたものが好適に使用され、封止の作業性を向上させるために絶縁蓋体2の絶縁基体1側に予め被着されている。
【0037】
前記封止材8の絶縁蓋体2への被着は、チタン酸鉛系化合物の無機物フィラーと鉄−ニッケル合金及び鉄−ニッケル−コバルト合金の少なくとも一方の金属フィラーを含有するガラスに適当な有機溶剤、溶媒を添加混合することによって得たガラスペーストを絶縁蓋体2の絶縁基体1側表面に従来周知のスクリーン印刷法等により所定厚みに印刷塗布することによって行われる。
【0038】
また前記導電性を帯びている封止材8は絶縁蓋体2と絶縁基体1との接合領域のみならず絶縁蓋体2の絶縁基体1側全面に被着されている。そのため半導体素子3を収容する絶縁基体1の凹部1aは前記導電性を帯びている封止材8によってシールドされることとなり、その結果、外部ノイズが絶縁蓋体2を介して入り込むのが有効に防止され、容器4内部の半導体素子3を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる。同時に内部に収容した半導体素子3等から発生するノイズも絶縁蓋体2を介して外部に漏れることが有効に阻止され、半導体素子3の発生するノイズが他の装置に入り込んで誤動作等の悪影響を与えることも極小となる。
【0039】
なお、前記導電性を帯びている封止材8はガラス成分として酸化鉛50乃至65重量%、酸化硼素2乃至10重量%、フッ化鉛10乃至30重量%、酸化亜鉛1乃至6重量%、 酸化ビスマス10乃至20重量%を含むガラスを使用する場合、かかるガラスの軟化溶融温度が350℃以下と低いことからこの封止材8を用いて絶縁基体1と絶縁蓋体2とを接合させ、容器4を気密に封止する際、封止材8を溶融させる熱が内部に収容する半導体素子3に作用してもその温度が低いため半導体素子3の特性に劣化を招来することはなく、半導体素子3長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能となる。また同時に半導体素子3が絶縁基体1の凹部1aに樹脂製の接着剤を介して接着固定されている場合、該樹脂性接着剤は封止材8の軟化溶融温度が350℃以下と低いことから封止材8を軟化溶融させる熱によって特性が大きく劣化することはなく、これによって半導体素子3を絶縁基体1の凹部1aに極めて強固に接着固定しておくことが可能となり、半導体素子3を常に、安定に作動させることができる。
【0040】
更に、前記封止材8はそれを酸化鉛50乃至65重量%、酸化硼素2乃至10重量%、フッ化鉛10乃至30重量%、酸化亜鉛1乃至6重量%、酸化ビスマス10乃至20重量%を含むガラスで形成した場合、酸化鉛が50重量%未満であるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器4を気密封止する際の熱によって半導体素子3に特性の劣化を招来してしまい、また65重量%を超えるとガラスの耐薬品性が低化し、容器4の気密封止の信頼性が大きく低下してしまう。従って、酸化鉛はその量が50乃至65重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0041】
また酸化硼素の量は2重量%未満であるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器4を気密封止する際の熱によって半導体素子3の特性に劣化を招来してししまい、また10重量%を超えるとガラスの耐薬品性が低化し、容器4の気密封止の信頼性が大きく低下してしまう。従って、前記酸化硼素の量は2乃至10重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0042】
またフッ化鉛の量は10重量%未満であるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器4を気密封止する際の熱によって半導体素子3の特性に劣化を招来してしまい、また30重量%を超えるとガラスの耐薬品性が低化し、容器4の気密封止の信頼性が大きく低下してしまう。従って、前記フッ化鉛の量は10乃至30重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0043】
また酸化亜鉛の量は1重量%未満であるとガラスの耐薬品性が低化し、容器4の気密封止の信頼性が大きく低下してしまい、また6重量%を超えるとガラスの結晶化が進んで流動性が低下し、容器4の気密封止が困難となってしまう。従って、酸化亜鉛の量は1乃至6重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0044】
また酸化ビスマスの量は10重量%未満であるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器4を気密封止する際の熱によって半導体素子3に特性の劣化を招来してしまい、また20重量%を超えるとガラスの結晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器4の気密封止が困難となってしまう。従って、前記酸化ビスマスの量は10乃至20重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0045】
また前記封止材8に含有される無機物フィラーは封止材8の熱膨張係数を調整し、絶縁基体1と絶縁蓋体2とに封止材8を強固に接合させ、容器4の気密封止の信頼性を大きく向上させるとともに封止材8の機械的強度を向上させる作用をなし、チタン酸鉛系化合物が使用され、その含有量は26重量%未満であると封止材8の熱膨張係数が絶縁基体1及び絶縁蓋体2の熱膨張係数に対し大きく相違して封止材8を絶縁基体1及び絶縁蓋体2に強固に接合させることができなくなり、また45重量%を超えると封止材8の流動性が大きく低下し、容器4の気密封止が困難となってしまう。従って、前記チタン酸鉛系化合物を無機物フィラーとして封止材8に含有させており、その量は26乃至45重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0046】
また前記封止材8に含有される金属フィラーは封止材8に導電性を付与する作用をなし、鉄−ニッケル合金及び鉄−ニッケル−コバルト合金の少なくとも一方が使用され、その量が5重量%未満であると封止材8の導電性が低下し、絶縁蓋体2の絶縁基体1側の全面を導電性の膜で完全に被覆することが困難となり、また20重量%を超えると封止材8の流動性が低下し、容器4の気密封止が困難となってしまう。従って、前記鉄−ニッケル合金及び鉄−ニッケル−コバルト合金の少なくとも一方を金属フィラーとして封止材8に含有させており、その量は5乃至20重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0047】
更に前記導電性を帯びている封止材8に金属フィラーとして鉄−ニッケル合金及び鉄−ニッケル−コバルト合金の少なくとも一方を含有させており、金属フィラーの粒径が30μm未満となると封止材8の導電性が低下して外部ノイズが絶縁蓋体2を介して容器4内部に入り込むのを有効に防止するのが困難となり、また70μmを超えると封止材8の流動性が低下し、容器4の気密封止が困難となる傾向にある。従って、前記鉄−ニッケル合金及び鉄−ニッケル−コバルト合金の少なくとも一方を金属フィラーとして封止材8に含有させており、その粒径は30乃至70μmの範囲としておくことが好ましい。
【0048】
前記封止材8はまたガラス成分に含有される金属フィラーの平均粒径が無機物フィラーの平均粒径よりも大きくなっており、これによって絶縁蓋体2の絶縁基体1側の全面に被着させる際、封止材8の金属フィラー同士が互いに確実に接触して絶縁蓋体2の絶縁基体1側の全面を導電性の膜で完全に被覆することができる。
【0049】
なお、前記金属フィラーの平均粒径は無機物フィラーの平均粒径に対し2倍未満の大きさであると絶縁蓋体2の絶縁基体1側の全面を導電性の膜で完全に被覆することが困難となり、また10倍を超えると封止材8の流動性が低下し、容器4の気密封止の信頼性が劣化してしまう危険性がある。従って、前記封止材8の金属フィラーの平均粒径は無機物フィラーの平均粒径に対し2乃至10倍の範囲とする。
【0050】
かくして上述の半導体素子収納用パッケージによれば絶縁基体1の凹部1aに半導体素子3をガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子3の各電極をメタライズ配線層5にボンディングワイヤ6を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体1の上面に凹部1aを覆うように絶縁蓋体2を封止材8を介して接合させ、絶縁基体1と絶縁蓋体2とから成る容器4の内部に半導体素子3を気密に収容することによって最終製品としての半導体装置が完成する。
【0051】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の例では電子部品として半導体素子を収容する電子部品収納用容器を例示したが、電子部品が水晶振動子や弾性表面波素子等であり、これを収容するための電子部品収納用容器にも適用し得る。
【0052】
また上述の実施例ではメタライズ配線層5に外部リード端子7をロウ付けした電子部品収納用容器を例示したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、メタライズ配線層を絶縁基体の下面に導出させ、これをそのまま外部電気回路に接続させる端子としたものであってもよい。
【0053】
更に上述の実施例では四角形状の対角する少なくとも2つの角部に切り欠き部2aを設けたが4つの角部全てに切り欠き部2aを設けてもよく、また切り欠き部2aが絶縁蓋体2の厚み方向に貫通する貫通穴であっても、絶縁蓋体2の下面に設けた凹部であってもよい。
【0054】
【発明の効果】
本発明の電子部品収納用容器によれば、絶縁基体と絶縁蓋体とを接合させ、絶縁基体と絶縁蓋体とから成る容器内部に電子部品を気密に封止する封止材をガラス成分に無機物フィラーと、該無機物フィラーより粒径が大きい金属フィラーを含有させた導電性のものとするとともに該封止材を絶縁基体と絶縁蓋体との接合領域のみならず絶縁蓋体の絶縁基体側の全面に被着させたことから絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接合し、内部に電子部品を気密に収容封止した際、内部に収容される電子部品は前記導電性の封止材でシールドされることとなり、その結果、外部ノイズが絶縁蓋体を介して入り込むのを有効に防止することができ、容器内部の電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0055】
また本発明の電子部品収納用容器によれば、絶縁基体と絶縁蓋体とを接合させる封止材として酸化鉛50乃至65重量%、酸化硼素2乃至10重量%、フッ化鉛10乃至30重量%、酸化亜鉛1乃至6重量%、酸化ビスマス10乃至20重量%を含むガラス成分に、無機物フィラーとしてチタン酸鉛系化合物無機物を26乃至45重量%、金属フィラーとして鉄−ニッケル合金及び鉄−ニッケル−コバルト合金の少なくとも一方を5乃至10重量%添加したものを使用すると封止材の軟化溶融温度が350℃以下となり、絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接合させ、絶縁基体と絶縁蓋体とから成る容器内部に電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱が内部に収容する電子部品に作用しても電子部品の特性に劣化を招来することはなく、その結果、電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0056】
また同時に封止材の軟化溶融温度が350℃以下であり、低温であることから絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接させ、絶縁基体と絶縁蓋体とから成る容器の内部に電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱によって電子部品を絶縁基体の凹部の底面あるいは段差部へ接着固定するポリイミド導電性樹脂等から成る樹脂製の接着材が劣化することもなく、これによって電子部品を絶縁基体の凹部底面あるいは段差部へ接着材を介して極めて強固に接着固定することが可能となり、電子部品を常に、安定に作動させることが可能となる。
【0057】
また更に、本発明の電子部品収納用容器によれば、絶縁基体の電子部品が載置される載置部周辺に突出部を、絶縁蓋体に前記突出部が嵌合する切り欠き部を設けたことから、絶縁基体と絶縁蓋体とをガラスから成る封止材を介して接合させ容器を気密に封止する際、絶縁基体と絶縁蓋体との間に位置ずれが発生することはなく、その結果、容器の気密封止の信頼性が極めて高いものと成る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子部品収納用容器の一実施例を示す断面図である。
【図2】図1に示す電子部品収納用容器の平面図である。
【符号の説明】
1・・・・・絶縁基体
1b・・・・突出部
2・・・・・絶縁蓋体
2a・・・・切り欠き部
3・・・・・半導体素子(電子部品)
4・・・・・容器
8・・・・・封止材
Claims (3)
- 電子部品が樹脂製の接着材を介して載置される四角形状の載置部を有する絶縁基体と、該載置部周辺に封止材を介して接合され載置部を塞ぐ四角形状の絶縁蓋体とから成り、前記絶縁基体は載置部周辺で対角する少なくとも2つの角部に突出部が形成されているとともに、前記絶縁蓋体の対角する少なくとも2つの角部に前記突出部が嵌合する切り欠き部が形成されており、かつ前記封止材は、導電性を帯びた軟化溶融温度が350℃以下のガラスから成るとともに、ガラス成分にチタン酸鉛系化合物から成る無機物フィラーと該無機物フィラーより粒径が大きい鉄−ニッケル合金及び鉄−ニッケル−コバルト合金の少なくとも一方から成る金属フィラーを含有させて形成されているとともに絶縁蓋体の絶縁基体側の全面に被着させており、前記金属フィラーの平均粒径が無機物フィラーの平均粒径よりも2乃至10倍大きく、かつ30乃至70μmであることを特徴とする電子部品収納用容器。
- 前記封止材のガラス成分が酸化鉛50乃至65重量%、酸化硼素2乃至10重量%、フッ化鉛10乃至30重量%、酸化亜鉛1乃至6重量%、酸化ビスマス10乃至20重量%を含むガラスから成ることを特徴とする請求項1に記載の電子部品収納用容器。
- 前記金属フィラーの含有量が5乃至10重量%、前記無機物フィラーの含有量が26乃至45重量%であることを特徴とする請求項1に記載の電子部品収納用容器。
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