JP2000183207A - 電子部品収納用容器 - Google Patents
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- C03C3/12—Silica-free oxide glass compositions
- C03C3/23—Silica-free oxide glass compositions containing halogen and at least one oxide, e.g. oxide of boron
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- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】
【課題】封止材を軟化溶融させる熱によって絶縁容器内
部に収容する電子部品に特性劣化が招来する。 【解決手段】絶縁基体１と絶縁蓋体２とを封止材８を介
して接合させ、絶縁基体１と絶縁蓋体２とから成る容器
４内部に電子部品３を気密に収容する電子部品収納用容
器であって、前記絶縁基体１と絶縁蓋体２はガラスセラ
ミックス焼結体から成り、かつ前記封止材８が酸化銀３
０乃至４０重量％、五酸化燐２０乃至３０重量％、ヨウ
化銀１５乃至２５重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％から
成るガラス成分にフィラーとしての酸化ニオブと五酸化
燐を固溶した酸化ジルコニウムを１０乃至３０重量％添
加したガラスから成る。
部に収容する電子部品に特性劣化が招来する。 【解決手段】絶縁基体１と絶縁蓋体２とを封止材８を介
して接合させ、絶縁基体１と絶縁蓋体２とから成る容器
４内部に電子部品３を気密に収容する電子部品収納用容
器であって、前記絶縁基体１と絶縁蓋体２はガラスセラ
ミックス焼結体から成り、かつ前記封止材８が酸化銀３
０乃至４０重量％、五酸化燐２０乃至３０重量％、ヨウ
化銀１５乃至２５重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％から
成るガラス成分にフィラーとしての酸化ニオブと五酸化
燐を固溶した酸化ジルコニウムを１０乃至３０重量％添
加したガラスから成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子や圧電振
動子等の電子部品を気密に封止して収容するための電子
部品収納用容器に関し、特に封止材にガラスを用いて封
止を行う電子部品収納用容器に関するものである。
動子等の電子部品を気密に封止して収容するための電子
部品収納用容器に関し、特に封止材にガラスを用いて封
止を行う電子部品収納用容器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路素子をはじめとす
る半導体素子あるいは水晶振動子、弾性表面波素子とい
った圧電振動子等の電子部品を収容するための電子部品
収納用容器は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体等の
電気絶縁材料からなり、その上面あるいは下面の略中央
部に電子部品を収容するための凹部およびその凹部周辺
から下面にかけて導出された、例えば、タングステンや
モリブデン等の高融点金属からなる複数個の配線層を有
する絶縁基体と、電子部品を外部電気回路に電気的に接
続するために配線層に銀ロウ等のロウ材を介して取着さ
れた外部リード端子と、蓋体とから構成されている。
る半導体素子あるいは水晶振動子、弾性表面波素子とい
った圧電振動子等の電子部品を収容するための電子部品
収納用容器は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体等の
電気絶縁材料からなり、その上面あるいは下面の略中央
部に電子部品を収容するための凹部およびその凹部周辺
から下面にかけて導出された、例えば、タングステンや
モリブデン等の高融点金属からなる複数個の配線層を有
する絶縁基体と、電子部品を外部電気回路に電気的に接
続するために配線層に銀ロウ等のロウ材を介して取着さ
れた外部リード端子と、蓋体とから構成されている。
【０００３】そして、電子部品が、例えば、半導体素子
の場合には、絶縁基体の凹部の底面に半導体素子をガラ
ス、樹脂、ロウ材等からなる接着材を介して接着固定す
るとともに半導体素子の各電極と配線層とをボンディン
グワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的に接続し、
しかる後、絶縁基体の上面に絶縁蓋体を低融点ガラスか
らなる封止材を介して接合させ、絶縁基体と絶縁蓋体と
からなる容器内部に半導体素子を気密に収容することに
よって最終製品としての半導体装置となる。
の場合には、絶縁基体の凹部の底面に半導体素子をガラ
ス、樹脂、ロウ材等からなる接着材を介して接着固定す
るとともに半導体素子の各電極と配線層とをボンディン
グワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的に接続し、
しかる後、絶縁基体の上面に絶縁蓋体を低融点ガラスか
らなる封止材を介して接合させ、絶縁基体と絶縁蓋体と
からなる容器内部に半導体素子を気密に収容することに
よって最終製品としての半導体装置となる。
【０００４】また電子部品が、例えば、圧電振動子の場
合には、絶縁基体の凹部の底面に形成された段差部に圧
電振動子の一端を導電性エポキシ樹脂等からなる接着材
を介して接着固定するとともに圧電振動子の各電極を配
線層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋
体を低融点ガラスからなる封止材を介して接合させ、絶
縁基体と絶縁蓋体とからなる容器内部に圧電振動子を気
密に収容することによって最終製品としての電子部品装
置となる。
合には、絶縁基体の凹部の底面に形成された段差部に圧
電振動子の一端を導電性エポキシ樹脂等からなる接着材
を介して接着固定するとともに圧電振動子の各電極を配
線層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋
体を低融点ガラスからなる封止材を介して接合させ、絶
縁基体と絶縁蓋体とからなる容器内部に圧電振動子を気
密に収容することによって最終製品としての電子部品装
置となる。
【０００５】なお、絶縁基体に絶縁蓋体を接合させる封
止材としては、一般に酸化鉛５６乃至６６重量％、酸化
ホウ素４乃至１４重量％、酸化珪素１乃至６重量％、酸
化ビスマス０．５乃至５重量％、酸化亜鉛０．５乃至３
重量％を含むガラス成分に、フィラーとしてのコージェ
ライト系化合物を９乃至１９重量％、チタン酸錫系化合
物を１０乃至２０重量％添加したガラスが使用されてい
る。
止材としては、一般に酸化鉛５６乃至６６重量％、酸化
ホウ素４乃至１４重量％、酸化珪素１乃至６重量％、酸
化ビスマス０．５乃至５重量％、酸化亜鉛０．５乃至３
重量％を含むガラス成分に、フィラーとしてのコージェ
ライト系化合物を９乃至１９重量％、チタン酸錫系化合
物を１０乃至２０重量％添加したガラスが使用されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の電子部品収納用容器においては、絶縁基体に絶縁蓋
体を接合させる封止材である低融点ガラスの軟化溶融温
度が約４００℃程度であること、近時の電子部品は高密
度化、高集積化にともなって耐熱性が低下してきたこと
から、絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接合し、
絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の内部に電子部品を
気密に収容した場合、封止材を溶融させる熱が内部に収
容する電子部品に作用して電子部品の特性劣化を招来さ
せ、電子部品を正常に作動させることができないという
問題点を有していた。
来の電子部品収納用容器においては、絶縁基体に絶縁蓋
体を接合させる封止材である低融点ガラスの軟化溶融温
度が約４００℃程度であること、近時の電子部品は高密
度化、高集積化にともなって耐熱性が低下してきたこと
から、絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接合し、
絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の内部に電子部品を
気密に収容した場合、封止材を溶融させる熱が内部に収
容する電子部品に作用して電子部品の特性劣化を招来さ
せ、電子部品を正常に作動させることができないという
問題点を有していた。
【０００７】また、電子部品を絶縁基体の凹部の底面あ
るいは段差部へ導電性エポキシ樹脂等からなる樹脂製の
接着材を介して接着固定した場合、電子部品を接着固定
する接着材の耐熱性が低いため、接着材に封止材を溶融
させる熱が作用すると電子部品の接着固定が破れ、その
結果、電子部品を常に、安定に作動させることができな
くなるという問題点も有していた。
るいは段差部へ導電性エポキシ樹脂等からなる樹脂製の
接着材を介して接着固定した場合、電子部品を接着固定
する接着材の耐熱性が低いため、接着材に封止材を溶融
させる熱が作用すると電子部品の接着固定が破れ、その
結果、電子部品を常に、安定に作動させることができな
くなるという問題点も有していた。
【０００８】本発明は、上記問題点に鑑み案出されたも
ので、その目的は絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の
内部に電子部品をその特性の劣化を招来することなく気
密に封止し、電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定
に作動させることができる電子部品収納用容器を提供す
ることにある。
ので、その目的は絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の
内部に電子部品をその特性の劣化を招来することなく気
密に封止し、電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定
に作動させることができる電子部品収納用容器を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基体と絶
縁蓋体とを封止材を介して接合させ、絶縁基体と絶縁蓋
体とから成る容器内部に電子部品を気密に収容する電子
部品収納用容器であって、前記絶縁基体と絶縁蓋体はガ
ラスセラミックス焼結体から成り、かつ前記封止材が酸
化銀３０乃至４０重量％、五酸化燐２０乃至３０重量
％、ヨウ化銀１５乃至２５重量％、酸化亜鉛１乃至６重
量％から成るガラス成分にフィラーとしての酸化ニオブ
と五酸化燐を固溶した酸化ジルコニウムを１０乃至３０
重量％添加したガラスから成ることを特徴とするもので
ある。
縁蓋体とを封止材を介して接合させ、絶縁基体と絶縁蓋
体とから成る容器内部に電子部品を気密に収容する電子
部品収納用容器であって、前記絶縁基体と絶縁蓋体はガ
ラスセラミックス焼結体から成り、かつ前記封止材が酸
化銀３０乃至４０重量％、五酸化燐２０乃至３０重量
％、ヨウ化銀１５乃至２５重量％、酸化亜鉛１乃至６重
量％から成るガラス成分にフィラーとしての酸化ニオブ
と五酸化燐を固溶した酸化ジルコニウムを１０乃至３０
重量％添加したガラスから成ることを特徴とするもので
ある。
【００１０】本発明の電子部品収納用容器によれば、絶
縁基体と絶縁蓋体とからなる容器を気密封止する封止材
の軟化溶融温度が３００℃以下であり、低温であること
から絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接合させ、
絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の内部に電子部品を
気密に収容する際、封止材を溶融させる熱が内部に収容
する電子部品に作用しても電子部品の特性に劣化を招来
することはなく、その結果、電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることが可能となる。また同
時に封止材の軟化溶融温度が３００℃以下であり、低温
であることから絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して
接合させ、絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の内部に
電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱に
よって電子部品を絶縁基体の凹部の底面あるいは段差部
へ接着固定する導電性エポキシ樹脂等からなる樹脂製の
接着材が劣化することもなく、これによって電子部品を
絶縁基体の凹部底面あるいは段差部へ接着材を介して極
めて強固に接着固定することが可能となり、電子部品を
常に安定に作動させることができる。
縁基体と絶縁蓋体とからなる容器を気密封止する封止材
の軟化溶融温度が３００℃以下であり、低温であること
から絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接合させ、
絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の内部に電子部品を
気密に収容する際、封止材を溶融させる熱が内部に収容
する電子部品に作用しても電子部品の特性に劣化を招来
することはなく、その結果、電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることが可能となる。また同
時に封止材の軟化溶融温度が３００℃以下であり、低温
であることから絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して
接合させ、絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の内部に
電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱に
よって電子部品を絶縁基体の凹部の底面あるいは段差部
へ接着固定する導電性エポキシ樹脂等からなる樹脂製の
接着材が劣化することもなく、これによって電子部品を
絶縁基体の凹部底面あるいは段差部へ接着材を介して極
めて強固に接着固定することが可能となり、電子部品を
常に安定に作動させることができる。
【００１１】更に本発明の電子部品収納用容器によれ
ば、絶縁基体及び絶縁蓋体を、酸化銀３０乃至４０重量
％、五酸化燐２０乃至３０重量％、ヨウ化銀１５乃至２
５重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％から成るガラス成分
にフィラーとしての酸化ニオブと五酸化燐を固溶した酸
化ジルコニウムを１０乃至３０重量％添加したガラスか
ら成る封止材に対して接合性の良いガラスセラミックス
焼結体で形成したことから絶縁基体と絶縁蓋体封との封
止材を介しての接合が強固なものとなり、その結果、容
器の気密封止を完全となすことが可能となる。
ば、絶縁基体及び絶縁蓋体を、酸化銀３０乃至４０重量
％、五酸化燐２０乃至３０重量％、ヨウ化銀１５乃至２
５重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％から成るガラス成分
にフィラーとしての酸化ニオブと五酸化燐を固溶した酸
化ジルコニウムを１０乃至３０重量％添加したガラスか
ら成る封止材に対して接合性の良いガラスセラミックス
焼結体で形成したことから絶縁基体と絶縁蓋体封との封
止材を介しての接合が強固なものとなり、その結果、容
器の気密封止を完全となすことが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づい
て詳細に説明する。図１は本発明の電子部品収納用容器
の実施の形態の一例を示す断面図であり、同図において
は電子部品が半導体素子であり、電子部品収納用容器が
半導体素子収納用パッケージである場合の例を示してい
る。
て詳細に説明する。図１は本発明の電子部品収納用容器
の実施の形態の一例を示す断面図であり、同図において
は電子部品が半導体素子であり、電子部品収納用容器が
半導体素子収納用パッケージである場合の例を示してい
る。
【００１３】図１において、１は絶縁基体、２は絶縁蓋
体である。この絶縁基体１と絶縁蓋体２とで半導体素子
３を収容するための容器４が構成される。
体である。この絶縁基体１と絶縁蓋体２とで半導体素子
３を収容するための容器４が構成される。
【００１４】前記絶縁基体１はその上面の略中央部に半
導体素子３を収容する空所を形成するための凹部１ａが
設けてあり、該凹部１ａの底面には半導体素子３がガラ
ス、樹脂、ロウ材等からなる接着材を介して接着固定さ
れる。
導体素子３を収容する空所を形成するための凹部１ａが
設けてあり、該凹部１ａの底面には半導体素子３がガラ
ス、樹脂、ロウ材等からなる接着材を介して接着固定さ
れる。
【００１５】前記絶縁基体１は、例えば、ＳｉＯ2 ーＡ
ｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスと
Ａｌ2 Ｏ3 とで形成されたガラスセラミックス焼結体か
ら成り、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ2
Ｏ3 等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤、可塑
剤等を添加混合して泥漿物を作り、該泥漿物を従来周知
のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート
成形法を採用しシート状に成形してグリーンシート（生
シート）を得、しかる後、それらグリーンシートに適当
な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、８
００〜１０５０℃の温度で焼成することによって製作さ
れる。
ｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスと
Ａｌ2 Ｏ3 とで形成されたガラスセラミックス焼結体か
ら成り、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ2
Ｏ3 等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤、可塑
剤等を添加混合して泥漿物を作り、該泥漿物を従来周知
のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート
成形法を採用しシート状に成形してグリーンシート（生
シート）を得、しかる後、それらグリーンシートに適当
な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、８
００〜１０５０℃の温度で焼成することによって製作さ
れる。
【００１６】また前記絶縁基体１は凹部１ａ周辺から上
面にかけて複数個の配線層５が被着形成されており、こ
の配線層５の凹部１ａ周辺部には半導体素子３の各電極
がボンディングワイヤ６を介して電気的に接続され、ま
た絶縁基体１の上面に導出された部位には外部電気回路
と接続される外部リード端子７がロウ材を介して取着さ
れている。
面にかけて複数個の配線層５が被着形成されており、こ
の配線層５の凹部１ａ周辺部には半導体素子３の各電極
がボンディングワイヤ６を介して電気的に接続され、ま
た絶縁基体１の上面に導出された部位には外部電気回路
と接続される外部リード端子７がロウ材を介して取着さ
れている。
【００１７】前記配線層５は金、銀、銅及びこれらを主
成分とする合金により形成されており、半導体素子３の
各電極を外部電気回路に電気的に接続する際の導電路と
して作用する。
成分とする合金により形成されており、半導体素子３の
各電極を外部電気回路に電気的に接続する際の導電路と
して作用する。
【００１８】前記配線層５は金や銀、銅等の金属粉末に
適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤等を添加混合して得た金
属ペーストを焼成によって絶縁基体１となるグリーンシ
ートに予め従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法に
より所定パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁
基体１の凹部１ａ周辺から上面にかけて所定パターンに
被着形成される。
適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤等を添加混合して得た金
属ペーストを焼成によって絶縁基体１となるグリーンシ
ートに予め従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法に
より所定パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁
基体１の凹部１ａ周辺から上面にかけて所定パターンに
被着形成される。
【００１９】前記配線層５は絶縁基体１がガラスセラミ
ックス焼結体から成り、低温で焼成されることから金、
銀、銅等の電気抵抗が小さい材料を使用することがで
き、その結果、配線層５を低抵抗として電気信号に減衰
を招来させることなく正確に伝搬させることが可能とな
る。
ックス焼結体から成り、低温で焼成されることから金、
銀、銅等の電気抵抗が小さい材料を使用することがで
き、その結果、配線層５を低抵抗として電気信号に減衰
を招来させることなく正確に伝搬させることが可能とな
る。
【００２０】また前記配線層５が形成されている絶縁基
体１はガラスセラミックス焼結体から成り、該ガラスセ
ラミックス焼結体の比誘電率が約５（室温、１ＭＨｚ）
と低いことから、絶縁基体１に形成されている配線層５
に電気信号を伝搬させても伝搬遅延を招来することはな
く、その結果、配線層５に高速で電気信号を伝搬させる
ことも可能となる。
体１はガラスセラミックス焼結体から成り、該ガラスセ
ラミックス焼結体の比誘電率が約５（室温、１ＭＨｚ）
と低いことから、絶縁基体１に形成されている配線層５
に電気信号を伝搬させても伝搬遅延を招来することはな
く、その結果、配線層５に高速で電気信号を伝搬させる
ことも可能となる。
【００２１】なお、前記配線層５は銀や銅で形成されて
いる場合、配線層５の露出する表面に金等の耐食性及び
ロウ材との濡れ性が良好な金属をめっき法により１〜２
０μｍの厚みに被着させておくと、配線層５の酸化腐食
を有効に防止することができるとともに配線層５とボン
ディングワイヤ６との接続及び配線層５と外部リード端
子７との接合を極めて強固となすことができる。従っ
て、配線層５が銀や銅で形成されている場合、配線層５
の酸化腐食を防止し、配線層５とボンディングワイヤ６
との接続及び配線層５と外部リード端子７との接合を強
固となすには、配線層５の表面に金等をめっき法により
１〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
いる場合、配線層５の露出する表面に金等の耐食性及び
ロウ材との濡れ性が良好な金属をめっき法により１〜２
０μｍの厚みに被着させておくと、配線層５の酸化腐食
を有効に防止することができるとともに配線層５とボン
ディングワイヤ６との接続及び配線層５と外部リード端
子７との接合を極めて強固となすことができる。従っ
て、配線層５が銀や銅で形成されている場合、配線層５
の酸化腐食を防止し、配線層５とボンディングワイヤ６
との接続及び配線層５と外部リード端子７との接合を強
固となすには、配線層５の表面に金等をめっき法により
１〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００２２】また前記配線層５には外部リード端子７が
接合されており、該外部リード端子７は容器４の内部に
収容する半導体素子３を外部電気回路に接続する作用を
なし、外部リード端子７を外部電気回路に接続すること
によって内部に収容される半導体素子３はボンディング
ワイヤ６、配線層５及び外部リード端子７を介して外部
電気回路に電気的に接続されることとなる。前記外部リ
ード端子７は鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケ
ル合金等の金属材料から成り、鉄ーニッケルーコバルト
合金等のインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工
法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定の
形状に形成される。
接合されており、該外部リード端子７は容器４の内部に
収容する半導体素子３を外部電気回路に接続する作用を
なし、外部リード端子７を外部電気回路に接続すること
によって内部に収容される半導体素子３はボンディング
ワイヤ６、配線層５及び外部リード端子７を介して外部
電気回路に電気的に接続されることとなる。前記外部リ
ード端子７は鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケ
ル合金等の金属材料から成り、鉄ーニッケルーコバルト
合金等のインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工
法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定の
形状に形成される。
【００２３】前記外部リード端子７は、例えば、融点が
５００℃以下の金属材料から成るロウ材、具体的には、
１０乃至５０重量％のインジウム又は錫と、１０乃至７
０重量％の銀と、１０乃至７５重量％のアンチモンと、
１０重量％以下の銅とから成る合金、１５乃至２５重量
％の錫と、７５乃至８５重量％の金とから成る合金、１
０乃至１５重量％のゲルマニウムと、８５乃至９０重量
％の金とから成る合金、鉛と錫、インジウム、アンチモ
ン、ビスマスの少なくとも１種との合金等を使用するこ
とによって配線層５に接続される。
５００℃以下の金属材料から成るロウ材、具体的には、
１０乃至５０重量％のインジウム又は錫と、１０乃至７
０重量％の銀と、１０乃至７５重量％のアンチモンと、
１０重量％以下の銅とから成る合金、１５乃至２５重量
％の錫と、７５乃至８５重量％の金とから成る合金、１
０乃至１５重量％のゲルマニウムと、８５乃至９０重量
％の金とから成る合金、鉛と錫、インジウム、アンチモ
ン、ビスマスの少なくとも１種との合金等を使用するこ
とによって配線層５に接続される。
【００２４】前記融点が５００℃以下の金属材料から成
るロウ材を使用して外部リード端子７を配線層５に接続
させた場合、ロウ付けの際のロウ材を加熱溶融するさせ
る温度が低く、ロウ材の加熱溶融の熱によって絶縁基体
１が大きく変形することはなく、これによって絶縁基体
１に設けられている配線層５に断線等を招来するのを有
効に防止することができる。
るロウ材を使用して外部リード端子７を配線層５に接続
させた場合、ロウ付けの際のロウ材を加熱溶融するさせ
る温度が低く、ロウ材の加熱溶融の熱によって絶縁基体
１が大きく変形することはなく、これによって絶縁基体
１に設けられている配線層５に断線等を招来するのを有
効に防止することができる。
【００２５】前記外部リード端子７はまたその表面にニ
ッケル、金等の良導電性で、かつ耐食性に優れた金属を
めっき法により１〜２０μｍの厚みに被着させておく
と、外部リード端子７の酸化腐食を有効に防止すること
ができるとともに外部リード端子７と外部電気回路との
電気的接続を良好となすことができる。そのため、前記
外部リード端子７はその表面にニッケル、金等をめっき
法により１〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好
ましい。
ッケル、金等の良導電性で、かつ耐食性に優れた金属を
めっき法により１〜２０μｍの厚みに被着させておく
と、外部リード端子７の酸化腐食を有効に防止すること
ができるとともに外部リード端子７と外部電気回路との
電気的接続を良好となすことができる。そのため、前記
外部リード端子７はその表面にニッケル、金等をめっき
法により１〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好
ましい。
【００２６】更に前記外部リード端子７が取着された絶
縁基体１はその上面に絶縁蓋体２が封止材８を介して接
合され、これによって絶縁基体１と絶縁蓋体２とからな
る容器４の内部に半導体素子３が気密に収容される。
縁基体１はその上面に絶縁蓋体２が封止材８を介して接
合され、これによって絶縁基体１と絶縁蓋体２とからな
る容器４の内部に半導体素子３が気密に収容される。
【００２７】前記絶縁蓋体２は絶縁基体１に設けた凹部
１ａを塞ぐ作用をなし、絶縁基体１と同様のガラスセラ
ミックス焼結体から成り、絶縁基体１と同様の方法によ
って製作される。
１ａを塞ぐ作用をなし、絶縁基体１と同様のガラスセラ
ミックス焼結体から成り、絶縁基体１と同様の方法によ
って製作される。
【００２８】また前記絶縁蓋体２を絶縁基体１に接合さ
せる封止材８は酸化銀３０乃至４０重量％、五酸化燐２
０乃至３０重量％、ヨウ化銀１５乃至２５重量％、酸化
亜鉛１乃至６重量％のガラス成分にフィラーとしての酸
化ニオブと五酸化燐を固溶した酸化ジルコニウムを１０
乃至３０重量％添加したものから成り、該酸化銀３０乃
至４０重量％、五酸化燐２０乃至３０重量％、ヨウ化銀
１５乃至２５重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％のガラス
成分にフィラーとしての酸化ニオブと五酸化燐を固溶し
た酸化ジルコニウムを１０乃至３０重量％添加した封止
材８はガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体１及
び絶縁蓋体２に接合性がよく、その結果、絶縁基体１と
絶縁蓋体２とは封止材８を介して強固に接合され、容器
４の気密封止の信頼性を極めて高いものとなすこができ
る。
せる封止材８は酸化銀３０乃至４０重量％、五酸化燐２
０乃至３０重量％、ヨウ化銀１５乃至２５重量％、酸化
亜鉛１乃至６重量％のガラス成分にフィラーとしての酸
化ニオブと五酸化燐を固溶した酸化ジルコニウムを１０
乃至３０重量％添加したものから成り、該酸化銀３０乃
至４０重量％、五酸化燐２０乃至３０重量％、ヨウ化銀
１５乃至２５重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％のガラス
成分にフィラーとしての酸化ニオブと五酸化燐を固溶し
た酸化ジルコニウムを１０乃至３０重量％添加した封止
材８はガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体１及
び絶縁蓋体２に接合性がよく、その結果、絶縁基体１と
絶縁蓋体２とは封止材８を介して強固に接合され、容器
４の気密封止の信頼性を極めて高いものとなすこができ
る。
【００２９】また前記封止材８はその軟化溶融温度が３
００℃以下と低いことから絶縁基体１と絶縁蓋体２とを
接合させ、容器４を気密に封止する際の温度を低温とな
すことができ、その結果、封止材８を溶融させる熱が内
部に収容する半導体素子３に作用しても半導体素子３の
特性に劣化を招来することはなく、半導体素子３を長期
にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能とな
る。
００℃以下と低いことから絶縁基体１と絶縁蓋体２とを
接合させ、容器４を気密に封止する際の温度を低温とな
すことができ、その結果、封止材８を溶融させる熱が内
部に収容する半導体素子３に作用しても半導体素子３の
特性に劣化を招来することはなく、半導体素子３を長期
にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能とな
る。
【００３０】また同時に半導体素子３が絶縁基体１の凹
部１ａ底面に樹脂製の接着材を介して接着固定されてい
る場合、該樹脂製接着材は封止材８の軟化溶融温度が３
００℃以下と低いことから封止材８を軟化溶融させる熱
によって特性が大きく劣化することはなく、これによっ
て半導体素子３を絶縁基体１の凹部１ａ底面に極めて強
固に接着固定しておくことが可能となり、半導体素子３
を常に、安定に作動させることができる。なお、前記封
止材８はガラス成分としての酸化銀が３０重量％未満で
あるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気
密封止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を
招来してしまい、また４０重量％を超えるとガラスの耐
薬品性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低
下してしまう。従って、前記封止材のガラス成分として
の酸化銀はその量が３０乃至４０重量％の範囲に特定さ
れる。
部１ａ底面に樹脂製の接着材を介して接着固定されてい
る場合、該樹脂製接着材は封止材８の軟化溶融温度が３
００℃以下と低いことから封止材８を軟化溶融させる熱
によって特性が大きく劣化することはなく、これによっ
て半導体素子３を絶縁基体１の凹部１ａ底面に極めて強
固に接着固定しておくことが可能となり、半導体素子３
を常に、安定に作動させることができる。なお、前記封
止材８はガラス成分としての酸化銀が３０重量％未満で
あるとガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気
密封止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を
招来してしまい、また４０重量％を超えるとガラスの耐
薬品性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低
下してしまう。従って、前記封止材のガラス成分として
の酸化銀はその量が３０乃至４０重量％の範囲に特定さ
れる。
【００３１】また五酸化燐の量は２０重量％未満である
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまい、また３０重量％を超えるとガラスの耐薬品
性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下し
てしまう。従って、前記五酸化燐の量は２０乃至３０重
量％の範囲に特定される。
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまい、また３０重量％を超えるとガラスの耐薬品
性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下し
てしまう。従って、前記五酸化燐の量は２０乃至３０重
量％の範囲に特定される。
【００３２】またヨウ化銀の量は１５重量％未満である
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまい、また２５重量％を超えるとガラスの耐薬品
性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下し
てしまう。従って、前記ヨウ化銀の量は１５乃至２５重
量％の範囲に特定される。
とガラスの軟化溶融温度が高くなって、容器４を気密封
止する際の熱によって半導体素子３の特性に劣化を招来
してしまい、また２５重量％を超えるとガラスの耐薬品
性が低下し、容器４の気密封止の信頼性が大きく低下し
てしまう。従って、前記ヨウ化銀の量は１５乃至２５重
量％の範囲に特定される。
【００３３】また酸化亜鉛の量は１重量％未満であると
ガラスの耐薬品性が低下し、容器４の気密封止の信頼性
が大きく低下してしまい、また６重量％を超えるとガラ
スの結晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気
密封止が困難となってしまう。従って、前記酸化亜鉛の
量は１乃至６重量％の範囲に特定される。
ガラスの耐薬品性が低下し、容器４の気密封止の信頼性
が大きく低下してしまい、また６重量％を超えるとガラ
スの結晶化が進んで流動性が大きく低下し、容器４の気
密封止が困難となってしまう。従って、前記酸化亜鉛の
量は１乃至６重量％の範囲に特定される。
【００３４】更に前記封止材８には酸化ニオブと五酸化
燐を固溶した酸化ジルコニウムから成るフィラーが１０
乃至３０重量％含有されている。
燐を固溶した酸化ジルコニウムから成るフィラーが１０
乃至３０重量％含有されている。
【００３５】前記酸化ニオブと五酸化燐を固溶した酸化
ジルコニウムから成るフィラーは封止材８の熱膨張係数
を調整し、絶縁基体１及び絶縁蓋体２に封止材８を強固
に接合させ、容器４の気密封止の信頼性を大きく向上さ
せるとともに封止材８の機械的強度を向上させる作用を
なし、その量が１０重量％未満であると封止材８の機械
的強度が低下するとともに封止材８の熱膨張係数が絶縁
基体１及び絶縁蓋体２の熱膨張係数に対し大きく相違し
て両部材間の接合の信頼性が低下してしまい、また３０
重量％を超えると封止材８のガラスの流動性が大きく低
下し、容器４の気密封止が困難となってしまう。従っ
て、前記封止材８に含有されるフィラーの量は１０乃至
３０重量％の範囲に特定される。
ジルコニウムから成るフィラーは封止材８の熱膨張係数
を調整し、絶縁基体１及び絶縁蓋体２に封止材８を強固
に接合させ、容器４の気密封止の信頼性を大きく向上さ
せるとともに封止材８の機械的強度を向上させる作用を
なし、その量が１０重量％未満であると封止材８の機械
的強度が低下するとともに封止材８の熱膨張係数が絶縁
基体１及び絶縁蓋体２の熱膨張係数に対し大きく相違し
て両部材間の接合の信頼性が低下してしまい、また３０
重量％を超えると封止材８のガラスの流動性が大きく低
下し、容器４の気密封止が困難となってしまう。従っ
て、前記封止材８に含有されるフィラーの量は１０乃至
３０重量％の範囲に特定される。
【００３６】更に前記封止材８はその厚みが１０μｍ未
満であると封止材８の流動性が低下し、容器４の気密封
止の信頼性が低下する傾向にあり、また１００μｍを超
えると封止材８の機械的強度が低下し、容器４の気密封
止の信頼性が低下する傾向にある。従って、容器４の気
密封止の信頼性を極めて高いものとするには封止材８の
厚さを１０乃至１００μｍの範囲としておくことが好ま
しい。
満であると封止材８の流動性が低下し、容器４の気密封
止の信頼性が低下する傾向にあり、また１００μｍを超
えると封止材８の機械的強度が低下し、容器４の気密封
止の信頼性が低下する傾向にある。従って、容器４の気
密封止の信頼性を極めて高いものとするには封止材８の
厚さを１０乃至１００μｍの範囲としておくことが好ま
しい。
【００３７】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば絶縁基体１の凹部１ａ低面に半導体素子３を
ガラス、樹脂、ロウ材等からなる接着材を介して接着固
定するとともに半導体素子３の各電極を配線層５にボン
ディングワイヤ６を介して電気的に接続し、しかる後、
絶縁基体１の上面に凹部１ａを覆うように絶縁蓋体２を
封止材８を介して接合させ、絶縁基体１と絶縁蓋体２と
からなる容器４の内部に半導体素子３を気密に収容する
ことによって最終製品としての半導体装置が完成する。
ジによれば絶縁基体１の凹部１ａ低面に半導体素子３を
ガラス、樹脂、ロウ材等からなる接着材を介して接着固
定するとともに半導体素子３の各電極を配線層５にボン
ディングワイヤ６を介して電気的に接続し、しかる後、
絶縁基体１の上面に凹部１ａを覆うように絶縁蓋体２を
封止材８を介して接合させ、絶縁基体１と絶縁蓋体２と
からなる容器４の内部に半導体素子３を気密に収容する
ことによって最終製品としての半導体装置が完成する。
【００３８】次に図２は本発明の電子部品収納用容器の
実施の形態の他の例を示す断面図であり、同図において
は電子部品が水晶振動子等の圧電振動子であり、電子部
品収納用容器が圧電振動子収納用容器である場合の例を
示している。
実施の形態の他の例を示す断面図であり、同図において
は電子部品が水晶振動子等の圧電振動子であり、電子部
品収納用容器が圧電振動子収納用容器である場合の例を
示している。
【００３９】図２において１１は絶縁基体、１２は絶縁
蓋体である。この絶縁基体１１と絶縁蓋体１２とで圧電
振動子１３を収容するための容器１４が構成される。
蓋体である。この絶縁基体１１と絶縁蓋体１２とで圧電
振動子１３を収容するための容器１４が構成される。
【００４０】前記絶縁基体１１及び絶縁蓋体１２はガラ
スセラミックス焼結体から成り、上述の絶縁基体１及び
絶縁蓋体２と同様の材質、方法によって製作されてい
る。
スセラミックス焼結体から成り、上述の絶縁基体１及び
絶縁蓋体２と同様の材質、方法によって製作されてい
る。
【００４１】前記絶縁基体１１はその上面に圧電振動子
１３を収容する空所を形成するための段差部を有する凹
部１１ａが設けてあり、この凹部１１ａの段差部には圧
電振動子１３が樹脂からなる接着材１５を介して接着固
定される。
１３を収容する空所を形成するための段差部を有する凹
部１１ａが設けてあり、この凹部１１ａの段差部には圧
電振動子１３が樹脂からなる接着材１５を介して接着固
定される。
【００４２】前記樹脂製接着材１５は、例えば、導電性
エポキシ樹脂等からなり、絶縁基体１１の凹部１１ａの
段差部に接着材１５を介して圧電振動子１３を載置さ
せ、しかる後、接着材１５に熱硬化処理を施し、熱硬化
させることによって圧電振動子１３を絶縁基体１１に接
着固定させる。
エポキシ樹脂等からなり、絶縁基体１１の凹部１１ａの
段差部に接着材１５を介して圧電振動子１３を載置さ
せ、しかる後、接着材１５に熱硬化処理を施し、熱硬化
させることによって圧電振動子１３を絶縁基体１１に接
着固定させる。
【００４３】また前記絶縁基体１１には凹部１１ａの段
差部より底面にかけて複数個の配線層１６が被着形成さ
れており、該配線層１６の凹部１１ａの段差部に位置す
る部位には圧電振動子１３の各電極が導電性エポキシ樹
脂等からなる接着材１５を介して電気的に接続され、ま
た絶縁基体１１の底面に導出された部位には外部電気回
路の配線導体が半田等のロウ材を介して取着される。
差部より底面にかけて複数個の配線層１６が被着形成さ
れており、該配線層１６の凹部１１ａの段差部に位置す
る部位には圧電振動子１３の各電極が導電性エポキシ樹
脂等からなる接着材１５を介して電気的に接続され、ま
た絶縁基体１１の底面に導出された部位には外部電気回
路の配線導体が半田等のロウ材を介して取着される。
【００４４】前記配線層１６は金、銀、銅等の前述の配
線層５と同様の材料より成り、配線層５の形成と同様の
方法によって絶縁基体１１に設けた凹部１１ａの段差部
より絶縁基体１１の底面にかけて所定パターンに形成さ
れる。
線層５と同様の材料より成り、配線層５の形成と同様の
方法によって絶縁基体１１に設けた凹部１１ａの段差部
より絶縁基体１１の底面にかけて所定パターンに形成さ
れる。
【００４５】なお、前記配線層１６は銀や銅から成る場
合、配線層１６の露出表面に金等の良導電性で耐食性及
びロウ材との濡れ性が良好な金属をめっき法により１〜
２０μｍの厚みに被着させておくと、配線層１６の酸化
腐食を有効に防止することができるとともに配線層１６
を外部電気回路の配線導体に半田等を介して極めて強固
に接続させることができる。従って、配線層１６が銀や
銅から成る場合、配線層１６の酸化腐食を防止し、配線
層１６と外部電気回路との接続を強固となすには、配線
層１６の表面に金等をめっき法により１〜２０μｍの厚
みに被着させておくことが好ましい。
合、配線層１６の露出表面に金等の良導電性で耐食性及
びロウ材との濡れ性が良好な金属をめっき法により１〜
２０μｍの厚みに被着させておくと、配線層１６の酸化
腐食を有効に防止することができるとともに配線層１６
を外部電気回路の配線導体に半田等を介して極めて強固
に接続させることができる。従って、配線層１６が銀や
銅から成る場合、配線層１６の酸化腐食を防止し、配線
層１６と外部電気回路との接続を強固となすには、配線
層１６の表面に金等をめっき法により１〜２０μｍの厚
みに被着させておくことが好ましい。
【００４６】また前記圧電振動子１２が接着固定されて
いる絶縁基体１１の上面には絶縁蓋体１２が封止材１７
を介して接合され、これによって絶縁基体１１と絶縁蓋
体１２とから容器１４の内部に圧電振動子１３が気密に
収容される。
いる絶縁基体１１の上面には絶縁蓋体１２が封止材１７
を介して接合され、これによって絶縁基体１１と絶縁蓋
体１２とから容器１４の内部に圧電振動子１３が気密に
収容される。
【００４７】前記封止材１７は、前述の封止材８と同様
に、酸化銀３０乃至４０重量％、五酸化燐２０乃至３０
重量％、ヨウ化銀１５乃至２５重量％、酸化亜鉛１乃至
６重量％のガラス成分にフィラーとしての酸化ニオブと
五酸化燐を固溶した酸化ジルコニウムを１０乃至３０重
量％添加することによって形成されている。
に、酸化銀３０乃至４０重量％、五酸化燐２０乃至３０
重量％、ヨウ化銀１５乃至２５重量％、酸化亜鉛１乃至
６重量％のガラス成分にフィラーとしての酸化ニオブと
五酸化燐を固溶した酸化ジルコニウムを１０乃至３０重
量％添加することによって形成されている。
【００４８】前記酸化銀３０乃至４０重量％、五酸化燐
２０乃至３０重量％、ヨウ化銀１５乃至２５重量％、酸
化亜鉛１乃至６重量％のガラス成分にフィラーとしての
酸化ニオブと五酸化燐を固溶した酸化ジルコニウムを１
０乃至３０重量％添加した封止材１７はガラスセラミッ
クス焼結体から成る絶縁基体１１と絶縁蓋体１２に接合
性が極めてよく、その結果、絶縁基体１１と絶縁蓋体１
２とは封止材１７を介して強固に接合され、容器１４の
気密封止の信頼性を極めて高いものとなすこができる。
２０乃至３０重量％、ヨウ化銀１５乃至２５重量％、酸
化亜鉛１乃至６重量％のガラス成分にフィラーとしての
酸化ニオブと五酸化燐を固溶した酸化ジルコニウムを１
０乃至３０重量％添加した封止材１７はガラスセラミッ
クス焼結体から成る絶縁基体１１と絶縁蓋体１２に接合
性が極めてよく、その結果、絶縁基体１１と絶縁蓋体１
２とは封止材１７を介して強固に接合され、容器１４の
気密封止の信頼性を極めて高いものとなすこができる。
【００４９】更に前記酸化銀３０乃至４０重量％、五酸
化燐２０乃至３０重量％、ヨウ化銀１５乃至２５重量
％、酸化亜鉛１乃至６重量％のガラス成分にフィラーと
しての酸化ニオブと五酸化燐を固溶した酸化ジルコニウ
ムを１０乃至３０重量％添加した封止材１７はその軟化
溶融温度が３００℃以下と低いことから絶縁基体１１と
絶縁蓋体１２とを接合させ、容器１４を気密に封止する
際、圧電振動子１３を絶縁基体１に固定している接着剤
１５に封止材１７を軟化溶融させる熱が作用したとして
も接着剤１５に大きな特性劣化を招来することはなく、
これによって圧電振動子１３を絶縁基体１１の凹部１１
ａに設けた段差部に極めて強固に接着固定しておくこと
が可能となり、圧電振動子１３を常に、安定に作動させ
ることができる。
化燐２０乃至３０重量％、ヨウ化銀１５乃至２５重量
％、酸化亜鉛１乃至６重量％のガラス成分にフィラーと
しての酸化ニオブと五酸化燐を固溶した酸化ジルコニウ
ムを１０乃至３０重量％添加した封止材１７はその軟化
溶融温度が３００℃以下と低いことから絶縁基体１１と
絶縁蓋体１２とを接合させ、容器１４を気密に封止する
際、圧電振動子１３を絶縁基体１に固定している接着剤
１５に封止材１７を軟化溶融させる熱が作用したとして
も接着剤１５に大きな特性劣化を招来することはなく、
これによって圧電振動子１３を絶縁基体１１の凹部１１
ａに設けた段差部に極めて強固に接着固定しておくこと
が可能となり、圧電振動子１３を常に、安定に作動させ
ることができる。
【００５０】かくして本発明の電子部品収納用容器によ
れば絶縁基体１１の凹部１１ａに設けた段差部に圧電振
動子１３の一端を導電性エポキシ樹脂等から成る接着材
１５を介して接着固定するとともに圧電振動子１３の各
電極を配線層１６に電気的に接続させ、しかる後、絶縁
基体１１の上面に凹部１１ａを覆うように絶縁蓋体１２
を封止材１７を介して接合させ、絶縁基体１１と絶縁蓋
体１２とからなる容器１４の内部に圧電振動子１３を気
密に収容することによって最終製品としての圧電振動装
置が完成する。
れば絶縁基体１１の凹部１１ａに設けた段差部に圧電振
動子１３の一端を導電性エポキシ樹脂等から成る接着材
１５を介して接着固定するとともに圧電振動子１３の各
電極を配線層１６に電気的に接続させ、しかる後、絶縁
基体１１の上面に凹部１１ａを覆うように絶縁蓋体１２
を封止材１７を介して接合させ、絶縁基体１１と絶縁蓋
体１２とからなる容器１４の内部に圧電振動子１３を気
密に収容することによって最終製品としての圧電振動装
置が完成する。
【００５１】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば種々の変更は可能であり、例えば、上述の例では半
導体素子や圧電振動子を収容するための電子部品収納用
容器を例示したが、圧電磁気振動子や弾性表面波素子等
を収容するための電子部品収納用容器にも適用し得る。
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば種々の変更は可能であり、例えば、上述の例では半
導体素子や圧電振動子を収容するための電子部品収納用
容器を例示したが、圧電磁気振動子や弾性表面波素子等
を収容するための電子部品収納用容器にも適用し得る。
【００５２】
【発明の効果】本発明の電子部品収納用容器によれば、
絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器を気密封止する封止
材の軟化溶融温度が３００℃以下であり、低温であるこ
とから絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接合さ
せ、絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の内部に電子部
品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱が内部に
収容する電子部品に作用しても電子部品の特性に劣化を
招来することはなく、その結果、電子部品を長期間にわ
たり正常、かつ安定に作動させることが可能となる。ま
た同時に封止材の軟化溶融温度が３００℃以下であり、
低温であることから絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介
して接合させ、絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の内
部に電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融させる
熱によって電子部品を絶縁基体の凹部の底面あるいは段
差部へ接着固定する導電性エポキシ樹脂等からなる樹脂
製の接着材が劣化することもなく、これによって電子部
品を絶縁基体の凹部底面あるいは段差部へ接着材を介し
て極めて強固に接着固定することが可能となり、電子部
品を常に安定に作動させることができる。
絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器を気密封止する封止
材の軟化溶融温度が３００℃以下であり、低温であるこ
とから絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接合さ
せ、絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の内部に電子部
品を気密に収容する際、封止材を溶融させる熱が内部に
収容する電子部品に作用しても電子部品の特性に劣化を
招来することはなく、その結果、電子部品を長期間にわ
たり正常、かつ安定に作動させることが可能となる。ま
た同時に封止材の軟化溶融温度が３００℃以下であり、
低温であることから絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介
して接合させ、絶縁基体と絶縁蓋体とからなる容器の内
部に電子部品を気密に収容する際、封止材を溶融させる
熱によって電子部品を絶縁基体の凹部の底面あるいは段
差部へ接着固定する導電性エポキシ樹脂等からなる樹脂
製の接着材が劣化することもなく、これによって電子部
品を絶縁基体の凹部底面あるいは段差部へ接着材を介し
て極めて強固に接着固定することが可能となり、電子部
品を常に安定に作動させることができる。
【００５３】更に本発明の電子部品収納用容器によれ
ば、絶縁基体及び絶縁蓋体を、酸化銀３０乃至４０重量
％、五酸化燐２０乃至３０重量％、ヨウ化銀１５乃至２
５重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％から成るガラス成分
にフィラーとしての酸化ニオブと五酸化燐を固溶した酸
化ジルコニウムを１０乃至３０重量％添加したガラスか
ら成る封止材に対して接合性の良いガラスセラミックス
焼結体で形成したことから絶縁基体と絶縁蓋体封との封
止材を介しての接合が強固なものとなり、その結果、容
器の気密封止を完全となすことが可能となる。
ば、絶縁基体及び絶縁蓋体を、酸化銀３０乃至４０重量
％、五酸化燐２０乃至３０重量％、ヨウ化銀１５乃至２
５重量％、酸化亜鉛１乃至６重量％から成るガラス成分
にフィラーとしての酸化ニオブと五酸化燐を固溶した酸
化ジルコニウムを１０乃至３０重量％添加したガラスか
ら成る封止材に対して接合性の良いガラスセラミックス
焼結体で形成したことから絶縁基体と絶縁蓋体封との封
止材を介しての接合が強固なものとなり、その結果、容
器の気密封止を完全となすことが可能となる。
【図１】本発明の電子部品収納用容器の実施の形態の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】本発明の電子部品収納用容器の実施の形態の他
の例を示す断面図である。
の例を示す断面図である。
１、１１・・・・絶縁基体 ２、１２・・・・絶縁蓋体 ３、１３・・・・電子部品（半導体素子、圧電振動子） ４、１４・・・・容器 ８、１７・・・・封止材
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G062 AA08 AA09 BB09 DA01 DB01 DC01 DD04 DE03 DF01 EA01 EA10 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FB01 FC04 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH04 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ08 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基体と絶縁蓋体とを封止材を介して接
合させ、絶縁基体と絶縁蓋体とから成る容器内部に電子
部品を気密に収容する電子部品収納用容器であって、前
記絶縁基体と絶縁蓋体はガラスセラミックス焼結体から
成り、かつ前記封止材が酸化銀３０乃至４０重量％、五
酸化燐２０乃至３０重量％、ヨウ化銀１５乃至２５重量
％、酸化亜鉛１乃至６重量％から成るガラス成分にフィ
ラーとしての酸化ニオブと五酸化燐を固溶した酸化ジル
コニウムを１０乃至３０重量％添加したガラスから成る
ことを特徴とする電子部品収納用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10351904A JP2000183207A (ja) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | 電子部品収納用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10351904A JP2000183207A (ja) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | 電子部品収納用容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183207A true JP2000183207A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18420418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10351904A Pending JP2000183207A (ja) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | 電子部品収納用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000183207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009298673A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
-
1998
- 1998-12-10 JP JP10351904A patent/JP2000183207A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009298673A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
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